Introduccin.

La Electrnica de Potencia es la parte de la electrnica que estudia los

dispositivos y los circuitos electrnicos utilizados para modificar las
caractersticas de la energa elctrica, principalmente su tensin y frecuencia.
La Electrnica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en
aplicaciones tales como las fuentes de alimentacin, cargadores de bateras,
control de temperatura, variadores de velocidad de motores, etc
El elemento que marca un antes y un despus en la Electrnica de Potencia es
sin duda el Tiristor (SCR, Semiconductor Controlled Rectifier), cuyo
funcionamiento se puede asemejar a lo que sera un diodo controlable por
puerta. A partir de aqu, la familia de los semiconductores crece rpidamente:
Transistores Bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor); MOSFET de potencia;
Tiristor bloqueable por puerta (GTO, Gate turn-off Thyristor); IGBT, Insulate
Gate Bipolar Transistor; etc., gracias a los cuales, las aplicaciones de la
electrnica de potencia se han multiplicado.

Campos de aplicacin.
Podemos encontrar aplicaciones de baja potencia, media y alta, con un amplio
margen, desde algunos cientos de vatios hasta miles de kilovatios.
Rectificadores (AC-DC):
- Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa
elctrica en
forma de corriente continua.
- Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas
herramienta,
carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras.
- Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin.
- Procesos electroqumicos.
- Cargadores de bateras.
Reguladores de alterna (AC-AC):
- Calentamiento por induccin.
- Control de iluminacin.
- Control de velocidad de motores de induccin.
- Equipos para procesos de electrodeposicin.
Cambiadores de frecuencia(AC-AC):
- Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados.
- Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles.
Inversores(DC-AC):
- Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones
industriales.
- Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales,
tales como la
fotovoltaica o elica
- Calentamiento por induccin.

- SAI.
Troceadotes(DC-DC):
- Alimentacin y control de motores de continua.
- Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas
de corriente
continua.
Un equipo electrnico de potencia consta
fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura:

Figura 1. Diagrama a bloques de un sistema de potencia.

1) Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y

elementos pasivos, que liga la fuente primaria de alimentacin con la carga.
2) Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el
circuito de potencia y genera unas seales de excitacin que determinan la
conduccin de los semiconductores controlados con una fase y secuencia
conveniente.
Diferencia entre la electrnica de seal y electrnica de potencia:
En la electrnica de seal (de pequea seal) se vara la cada de voltaje que
un componente activo crea en un circuito habitualmente alimentado en
continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de entrada,
obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin
entre las seales de entrada y salida, quedando como algo secundario la
potencia suministrada por la fuente auxiliar que requiere para su
funcionamiento. La funcin principal aqu es la amplificacin y la principal
caracterstica es la ganancia.

Figura 2. Sistema Electrnico de seal.

En la electrnica de potencia el concepto principal es la conversin de energa

y el rendimiento.
Partimos de una seal de gran potencia, que es tratada en un sistema cuyo
control corre a cargo de una seal llamada de control o cebado, obteniendo a la
salida del sistema una seal cuya potencia ha sido modificada
convenientemente.

Figura 3. Sistema Electrnico de Potencia.

Requisitos del dispositivo electrnico de potencia.

Un dispositivo bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente
infinita), que caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja impedancia
(idealmente cero) que caracteriza el estado de conduccin.
Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de tensin
en estado de conduccin y grandes tensiones con pequeas corrientes de fuga
cuando se encuentra en estado de alta impedancia o de bloqueo.
Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca
disipacin de potencia.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para
poder trabajar a frecuencias considerables.
De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms
importantes son el Transistor de Potencia y el Tiristor. Estos dispositivos tienen
dos electrodos principales y un tercer electrodo de control. Muchos circuitos de
potencia pueden ser diseados con transistores, siendo intercambiables entre
s en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y siendo diferentes
los circuitos de control segn se empleen Transistores o Tiristores.

Componentes de base en la electrnica de potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se
pueden clasificar en tres
grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad:
Diodos: Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia.
Tiristores: Fijados a ON por una seal de control pero deben conmutar a OFF
mediante el circuito de
potencia.

Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante seales de

control.(BJT,
MOSFET, GTO, IGBT's).

Diodo:

Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. Su smbolo se

muestra a
continuacin:

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido

contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control consiste en invertir la tensin
nodo ctodo, no
disponiendo de ningn terminal de control.
Tiristores:
Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos
componentes semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento
se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN. Existen
varios tipos, de los cuales el ms empleado es el rectificador controlado de
silicio (SCR), aplicndole el nombre genrico de tiristor.
Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de
disparo o compuerta. En la figura siguiente se muestra el smbolo.

La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede

bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal
aplicada a la compuerta, permanecer en bloqueo independientemente del
signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso
de corriente positiva en el terminal de compuerta, durante un pequeo instante.
La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V).
Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de
compuerta desaparezca, no pudiendo ser cortado (OFF) por pulso de
compuerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior
a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor.
Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):
Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de
bloquearse de forma controlada mediante una seal de corriente negativa por
compuerta. Mayor rapidez frente a los SCR, soportando tensiones y corrientes

cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal inconveniente es su baja

ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes
elevadas en la puerta, complicando el circuito de disparo. Su smbolo es el
siguiente:

Bipolar Junction Transistor (BJT):

La figura siguiente muestra el smbolo de un transistor bipolar NPN y PNP:

Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos.

Fciles de controlar por la terminal de base, aunque el circuito de control
consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada
de tensin en saturacin. Como inconveniente destacaremos su poca ganancia
con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha
secundaria.
Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):
El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente
un pico de corriente para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como
ventajas destacan su alta impedancia de entrada, velocidad de conmutacin,
ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad trmica y facilidad de
paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el smbolo de un MOSFET de
canal N y un MOSFET de canal P.

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la
facilidad del disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de

conduccin del bipolar, con capacidad de conducir elevadas corrientes con

poca cada de tensin.
Su smbolo es el siguiente:

El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el Mosfet, y bajas prdidas
de conduccin en estado activo como el Bipolar. Pero no presenta ningn
problema de ruptura secundaria como los BJT.
El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad
de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
COMPARACIN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE CORTE.

Elemento
MOSFET
BIPOLAR
IGBT
GTO

Potencia

Rapidez de
conmutacin

Baja

Alta

Media

Media

Media

Media

Alta

Baja

Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores.

Durante los aos setenta, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por
compuerta (GTOs); y los Transistores Bipolares (BJTs) constituan los
dispositivos de potencia primordiales, mientras que los Transistores MOSFETs
eran todava demasiado recientes para participar en las aplicaciones de
potencia. Los SCRs y los BJTs de aquella poca podan conmutar a
frecuencias entre 1 y 2KHz .
Durante los aos ochenta se consiguieron bastantes avances, tales como
reduccin de la resistencia en conmutacin de los transistores MOSFETs,
aumento de la tensin y la corriente permitida en los GTOs, desarrollo de los
dispositivos hbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBTs, as como el
incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus
aplicaciones.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de
conmutacin, un rea de operacin segura (SAO) ms grande y un
funcionamiento ms sencillo, en aplicaciones de reguladores de alta frecuencia
y precisin para el control de motores.
Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia,
debido a las mejoras en los procesos de diseo y fabricacin que reducen su
tamao y mejoran su eficiencia. Aparecen los IGBTs, elementos formados por
dispositivos Bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se ajustan mucho

mejor a los altos voltajes y a las grandes corrientes que los MOSFETs y son
capaces de conmutar a velocidades ms altas que los BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo
cual, facilita la reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el control de
convertidores de potencia. A mediados los aos ochenta aparecen los
dispositivos MCT que estn constituidos por la unin de SCRs y MOSFETs.
En la dcada de los noventa los SCRs van quedando relegados a un segundo
plano, siendo sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de
conmutacin en dispositivos MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son
gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia anteriores. Los
C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en varias reas
de la electrnica de potencia.
Para concluir, podemos decir que tecnolgicamente se tiende a fabricar
dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para
bloquear elevadas tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por
ltimo, que tengan cada vez, un control ms sencillo y econmico en consumo
de potencia.
En la Figura (4) se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos
semiconductores, en cuanto a potencia controlada y frecuencias de
conmutacin. Dispositivos que pueden controlar elevadas potencias, como el
Tiristor ( 10 4 KVA) estn muy limitados por la frecuencia de conmutacin
(orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar incluso a
frecuencias de hasta 10 3 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en
la franja intermedia se encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs
permiten una mayor frecuencia de conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con
control de potencias de unos 2000 KVA, por ltimo los IGBTs parecen ser los
mas ideales para aplicaciones que requieran tanto potencias como frecuencias
intermedias.

Figura 4. Caracteristicas frecuencia v.s potencia en los aos 90.

Clasificacin de los convertidores de potencia.

Los equipos de potencia se pueden clasificar:
- Segn el modo de conmutacin

- Segn el tipo de energa que los alimenta.

SEGN EL MODO DE CONMUTACIN.
Cuado se intentan clasificar los convertidores segn el modo de conmutacin,
hay que tener en cuenta la forma en que se provoca el bloqueo del elemento
semiconductor es decir el paso de conduccin a corte; generalmente ste est
provocado por la conmutacin de corriente de un elemento rectificador a otro.
Se pueden distinguir tres casos: sin conmutacin, con conmutacin natural y
con conmutacin forzada.
Sin conmutacin
Este tipo de convertidores se caracteriza por el hecho de que la corriente por la
carga se anula a la misma vez que se anula la corriente por el elemento
rectificador. Como ejemplo podemos citar un regulador de corriente interna con
dos tiristores.
Conmutacin natural
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro se provoca con la ayuda
de tensiones alternas aplicadas al montaje del convertidor esttico. Como
ejemplo podemos citar un rectificador controlado con SCR.
Conmutacin forzada
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro, est provocado
generalmente por la descarga de un condensador o red LC que forma parte del
convertidor. Como ejemplo podemos citar un convertidor dc-dc con tiristor.
SEGN EL TIPO DE ENERGA.
De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores
en funcin de los cuatro tipos de conversin posibles.
Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema
encargado de transformar el tipo de presentacin de la energa elctrica viene
condicionado por el tipo de energa disponible en su entrada, clasificaremos los
convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica que
los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:

Figura 5.Clasificacin por el tipo de energa

REPASO DE CONCEPTOS.
Vamos a revisar los conceptos bsicos sobre potencia, prestando especial
atencin a los clculos de potencia en circuitos con corrientes y tensiones
peridicas no sinusoidales.
Potencia instantnea
La potencia instantnea de cualquier dispositivo se calcula a partir del voltaje en
bornes del mismo y de la corriente que le atraviesa.
p( t ) = v ( t ) i ( t )

E 1. 1

La relacin es vlida para cualquier dispositivo o circuito.

Generalmente la potencia instantnea es una magnitud que vara con el tiempo.
El dispositivo absorbe potencia si p(t) es positivo en un valor determinado de t y
entrega potencia si p(t) es negativa.

Figura 6. Potencia positiva y potencia negativa.

Energa
La energa o trabajo es la integral de la potencia instantnea.
t2

W = p(t ) dt
t1

E1.2

Si v(t) est expresada en voltios e i(t) en amperios, la potencia se expresar en vatios

[W] y la energa en julios [J].

Potencia media
Las funciones de tensin y corriente peridicas producen una funcin de potencia
instantnea
peridica. La potencia media es el promedio a lo largo del tiempo de p(t) durante uno o
ms periodos.
Algunas veces tambin se denomina potencia activa o potencia real.
P=

1 t O +T
1 t O +T
p( t )dt =
v( t )i ( t )dt

t
T O
T tO

E1.3

Donde T es el periodo de la forma de onda de potencia.

BOBINAS Y CONDENSADORES.
Las bobinas y condensadores tienen las siguientes caractersticas para tensiones y
corrientes
peridicas:

i(t + T) = i(t )
v(t + T) = v(t )

En una bobina, la energa almacenada es:

WL =

1 2
Li ( t )
2

E1.4

Si la corriente de la bobina es peridica, la energa acumulada al final de un periodo es

igual a la
energa que tena al principio. Si no existe transferencia de potencia neta:

PL = 0
La potencia media absorbida por una bobina es cero para funcionamiento peridico
en rgimen permanente. La potencia instantnea no tiene por qu ser cero.
A partir de la relacin de tensin-corriente de la bobina:
i( t O + T) =

1 t O +T
v L ( t )dt + i( t O )
L t O

E1.5

Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:

i( t O + T) i( t O ) =

Multiplicando por

1 t O +T
v L (t )dt = 0
L t O

E1.6

L
y sabiendo que i(t O + T) = i(t O ) , nos queda
T

med [ v L (t )] = VL =

1 t O +T
v(t )dt = 0
T t O

Lo que implica que la tensin media en extremos de una bobina es cero.

Condensador
En una bobina, la energa almacenada es:
WC =

1
Cv 2 ( t )
2

E1.7

Si la tensin del condensador es una seal peridica:

PC = 0

La potencia media absorbida por el condensador es cero para funcionamiento

peridico
en rgimen permanente.
A partir de la relacin de tensin-corriente del condensador:
1 t O +T
i C ( t )dt + v( t O )
C t O
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:
v( t O + T ) =

v( t O + T) v( t O ) =

1 t O +T
i C (t )dt = 0
C t O

E1.8

E1.9

Multiplicando por

C
y sabiendo que v(t O + T) = v(t O )
T
med [ i C (t )] = I C =

1 t O +T
i( t )dt = 0
T t O

La intensidad de corriente media por el condensador es cero.

Potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales.

Generalmente, las tensiones y/o corrientes en los circuitos electrnicos de
potencia no son sinusoidales. Sin embargo, una forma de onda peridica no
sinusoidal puede representarse mediante una serie de Fourier de componentes
sinusoidales.
En los circuitos lineales con generadores sinusoidales, todas las corrientes y
tensiones de rgimen permanente son sinusoidales.
POTENCIA INSTANTNEA Y POTENCIA MEDIA.
Para cualquier elemento de un circuito de alterna, supongamos que:
v( t ) = Vm Cos ( t + )
i ( t ) = I m Cos ( t + )

Recordemos que la potencia instantnea de los circuitos de alterna es

p (t ) = v (t ) i (t )

Y la potencia media:
P=

1 t O +T
1 t O +T
p(t )dt =
v(t ) i( t )dt

T tO
T tO

Luego la potencia instantnea es:

p(t ) = v(t ) i(t ) = [ Vm Cos( t + )] [ I mCos( t + )]

Sabiendo que (CosA )( CosB ) =

E1.10

1
[ Cos ( A + B) + Cos ( A B)]
2

V I
p( t ) = m m [ Cos ( 2 t + + ) + Cos ( )]
2

E1.11

Y la potencia medioa es:

P=

1 T
V I T
p(t )dt = m m [ Cos ( 2 t + + ) + Cos ( )]dt

T 0
2 0

E1.12

El resultado de esta integral puede obtenerse por deduccin. Dado que el

primer trmino de la integral es una funcin coseno, la integral en un periodo es
igual a cero y el segundo trmino es una constante. Por tanto, la potencia
media de cualquier elemento de un circuito de alterna es:

V I
P = m m cos( )
2

O bien

P = VRNMS I RMS Cos ( )

E1.13

[W]

E1.14

Siendo Cos ( ) el ngulo de fase entre la tensin y la corriente. Esta

potencia se denomina Potencia Activa.
POTENCIA REACTIVA.
La potencia reactiva se caracteriza por la acumulacin de energa durante una
mitad del ciclo y la devolucin de la misma durante la otra mitad del ciclo.
Q = VRMS I RMS Sen ( ) [ VAR ]

1.00

400

0.80

300

0.60

intensit (A)

100

0.20
0.00

0
0

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

-0.20

-100

-0.40

tension (V) et puissance (W)

200
0.40

i(t)
u(t)
p(t)

-200
-0.60
-300

-0.80
-1.00

-400
abscisse : tem ps (m s)

Figura7. Potencia instantanea.

Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los

condensadores absorben potencia reactiva negativa.
POTENCIA COMPLEJA.
La potencia compleja combina las potencias activa y reactiva para los circuitos
de alterna:
S = P + jQ = ( VRMS )( I RMS )*

VRMS e I RMS

[VA ]

E1.15

son magnitudes complejas que se expresan como favores

*
(magnitud y angulo) e ( I RMS ) es el complejo conjugado de un favor de
corriente, lo que proporciona resultados coherentes con el convenio de que la
bobina absorbe potencia reactiva.

Esta ecuacin de potencia compleja no es aplicable a seales no sinusoidales.

Figura 9. Potencia activa y reactiva.

Figura 10. Potencia activa y reactiva.

Ejemplo. Trazar el tringulo de potencias de un circuito cuya impedancia es

Z = 3 + j4 [] y al que se le aplica un fasor de tensin V = 100 30 0 [ V ] .
Solucin.
El
fasor
de
0
V 100 30
I=
=
= 20 23.10 [ A ]
Z
553.10
Mtodo 1:

intensidad

de

corriente

es

fp = Cos 0.6

en

P = I 2 R = 20 2 3 = 1200 W

Q = I 2 X = 20 2 4 = 1600 VAR

en retraso

S = I 2 Z = 20 2 5 = 2000 VA

fp = Cos (53 .10 ) = 0.6 en retraso

Mtodo 2:

S = V I = 100 20 = 2000 VA

P = V I Cos = 2000 Cos ( 53 .10 ) = 1200 W

Q = V I Sen = 2000 Sen ( 53 .10 ) = 1600 VAR

fp = Cos = 0.6

Mtodo 3:

en retraso

en retraso

) (

S = V I * = 100 30 0 2023 .10 = 2000 53 .10 = 1200 + j1600

P = 1200

Q =1600

VAR

en retraso;

S = 2000

VA

retraso
Mtodo 4:
VR = R I 20 23.10 3 = 60 23.10

)(

VX = 20 23.1 490 = 80 66.9

V 2 602
V 2 802
P= R =
= 1200 W ; Q = X =
= 1600 VAR
R
3
X
4
S=

P
V 2 100 2
=
= 2000 VA ; fp = = 0.6 en retraso
S
Z
5

POTENCIA APARENTE.

La potencia aparente se expresa de la siguiente forma:

S = VRMS I RMS [VA]

La potencia aparente en los circuitos de alterna es la magnitud de la potencia

compleja:
S=S =

P2 + Q2

Figura 11. Potencias medidas con un instrumento.

VALOR EFICAZ.
El valor eficaz tambin es conocido como valor cuadrtico medio o rms. Se
basa en la potencia media entregada a una resistencia.
2
VCC
E1.17
R
Para una tensin peridica aplicada sobre una resistencia, la tensin eficaz se
define como una tensin que proporciona la misma potencia media que la
tensin continua. La tensin eficaz puede calcularse:

P=

P=

Ve2f
R

E1.18

Calculando la potencia media:

P=

1 T
1 T
1 T v 2 (t )
1 1 T

p
(
t
)
dt
=
v
(
t
)

i
(
t
)
dt
=
dt = v 2 (t )dt

0
0
0
0
T
T
T
R
R T

Si igualamos estas dos ecuaciones:

P=

2
Vef2
1 1 T
V
= v 2 (t )dt = eff
R
R T 0
R

2
Veff
=

1 T 2
v (t )dt
T 0

2
2
Veff
= VRMS
=

1 T 2
v ( t )dt
T 0

E1.19

2
Del mismo modo, la corriente eficaz se desarrolla a partir de P = I RMS R

2
I eff
= I 2RMS =

1 T 2
i ( t )dt
T 0

E1.20

FACTOR DE POTENCIA.
El factor de potencia de una carga se define como el cociente de la potencia
media o activa y la potencia aparente:
FP =

Potencia
Potencia

Activa
Aparente

P
P
=
= Cos ( )
S
VRMS I RMS

E1.21

Esta ecuacin de factor de potencia tampoco es aplicable a seales no

sinusoidales, como se ver posteriormente.
El factor de potencia utiliza el valor total de RMS, incluyendo as todos los
armnicos, para su clculo.
f.p
Interpretacin
No
se
consume
toda
la
potencia
suministrada, presencia de potencia reactiva.
0a1
El dispositivo consume toda la potencia suministrada, no hay potencia reactiva.
1
El dispositivo genera potencia, corriente y tensin en fase.
-1
El
dispositivo
genera potencia, adelantos o retrasos de corriente.
-1 a 0

Cargas lineales y no lineales.

Hasta ahora, la mayor parte de las cargas utilizadas en la red elctrica eran
cargas lineales, cargas que daban lugar a corrientes con la misma forma de
onda que la tensin, es decir, prcticamente sinusoidales.
Con la llegada de la electrnica integrada a numerosos dispositivos elctricos,
las cargas producen corrientes distorsionadas cuya forma ya no es sinusoidal.
Estas corrientes estn compuestas por armnicos, cuya frecuencia es mltiplo
de la frecuencia fundamental de 50 Hz.
CARGA LINEAL:

Una carga se dice lineal cuando la corriente que ella absorbe tiene la misma
forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente no tiene componentes
armnicos. Las cargas lineales pueden provocar que entre la corriente y la
tensin exista un desfase, sin embargo no provocan la deformacin de la forma
de onda.
Son cargas lineales las cargas resistivas, inductivas y capacitivas.
Ejemplo: resistencias de calefactores,
permanente (motores, transformadores...)

cargas

inductivas

en

rgimen

Figura 12. Carga lineal y carga no lineal.

CARGA NO LINEAL O DEFORMANTE:

Una carga se dice no lineal cuando la corriente que ella absorbe no es de la
misma forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente es rica en
componentes armnicos donde su espectro ser funcin de la naturaleza de la
carga. A diferencia de las anteriores, las cargas no lineales se caracterizan por
producir una deformacin de la onda de corriente.
Ejemplo: fuentes de alimentacin, control de motores de induccin, entrehierro
del transformador y en general cualquier carga que incorpore un convertidor
esttico de potencia.

Figura 13. convertidor esttico de potencia.

Cargas no lineales (descomposicin armnica).

DEFINICIN DE ARMNICO.
Una perturbacin armnica es una deformacin de la forma de onda respecto
de la senoidal pura terica.
Segn la norma UNE EN 50160:1996, una tensin armnica es una tensin
senoidal cuya frecuencia es mltiplo entero de la frecuencia fundamental de la
tensin de alimentacin.
Podemos definir los armnicos como oscilaciones senoidales de frecuencia
mltiplo de la fundamental.

ORDEN DEL ARMNICO

Los armnicos se clasifican por su orden, frecuencia y secuencia.
Orden
Frec.
Sec.

1
60
+

2
120
-

3
180
0

4
240
+

5
300
-

6
360
0

7
420
+

8
480
-

9
540
0

N
n * 60

El orden del armnico es el nmero entero de veces que la frecuencia de ese

armnico es mayor que la de la componente fundamental. Por ejemplo, el
armnico de orden 7 es aquel cuya frecuencia es 7 veces superior a la de la
componente fundamental, si la componente fundamental es de 60 Hz el
armnico de orden 7 tendra una frecuencia de 420 Hz. En una situacin ideal
donde slo existiera seal de frecuencia 60 Hz, slo existira el armnico de
orden 1 o armnico fundamental.
Se observa en la tabla que hay dos tipos de armnicos, los impares y los pares.
Los armnicos impares son los que se encuentran en las instalaciones
elctricas, industriales y edificios comerciales.
Los armnicos de orden par slo existen cuando hay asimetra en la seal
debida a la componente continua.
En un sistema trifsico no distorsionado las corrientes de las tres fases llevan
un cierto orden. Si el sistema es simtrico y la carga tambin las tres ondas de
corriente tendrn el mismo mdulo y estarn desfasadas 120; diremos que la
secuencia es directa si el orden con que las tres ondas pasan sucesivamente
por un estado es ABC y diremos que es inversa si es ACB. Con ondas
distorsionadas se puede hacer el mismo planteamiento para cada uno de los
armnicos. Cuando el sistema est formado por ondas iguales en fase se
denomina homopolar.
Si la secuencia de las ondas fundamentales es directa, todos los armnicos de
orden 3n-2 sern de secuencia directa, los de orden 3n-1 de secuencia inversa
y los de orden 3n de secuencia homopolar.
Si utilizamos como ejemplo un motor asncrono trifsico de 4 hilos, entonces
los armnicos de secuencia directa o positiva tienden a hacer girar al motor en
el mismo sentido que la componente fundamental. Como consecuencia
provocan una sobrecorriente en el motor que hace que se caliente.
Provocan en general calentamientos en cables, motores, transformadores. Los
armnicos de secuencia negativa hacen girar al motor en sentido contrario al
de la componente fundamental y por lo tanto frenan al motor, provocando
tambin calentamientos. Los armnicos de secuencia neutra (0) o
homopolares, no tienen efectos sobre el giro del motor pero se suman en el hilo
neutro, provocando una circulacin de corriente de hasta 3 veces mayor que el
3 armnico que por cualquiera de los conductores, provocando calentamientos.

ESPECTRO ARMNICO.
El espectro armnico permite descomponer una seal en sus armnicos y
representarlo mediante un grfico de barras, donde cada barra representa un
armnico, con una frecuencia, un valor eficaz, magnitud y desfase.
Es una representacin en el dominio de la frecuencia de la forma de onda que
se puede observar con un osciloscopio.
Series de Fourier
Los circuitos electrnicos de potencia tienen, normalmente, tensiones y/o
corrientes que son peridicas pero no sinusoidales.
Las series de Fourier pueden utilizarse para describir formas de onda
peridicas no sinusoidales en trminos de una serie de sinusoides, o dicho de
otra forma:
Una forma de onda peridica no sinusoidal puede describirse mediante una
serie de Fourier de seales sinusoidales.
ANLISIS DE FOURIER
Las funciones peridicas pueden ser descompuestas en la suma de:
a) Un trmino constante que ser la componente continua.
b) Un trmino sinusoidal llamado componente fundamental, que ser de la
misma frecuencia que la funcin que se analiza.
c) Una serie de trminos sinusoidales llamados componentes armnicos, cuyas
frecuencias son mltiplos de la fundamental.
v O (t ) =

aO
+
2

(a Cos nt + b Sen nt )

n = 1, 2 ,

E1.22

a O / 2 es el valor medio de la tensin de salida, v O ( t ) . Las constantes a O , a n

y b n pueden ser determinadas mediante las siguientes expresiones:

2 T
1 2
v O ( t )dt = v O ( t )dt

0
T
0
T
2

2
1
a n = v O (t )Cos ntdt = v O (t )Cos ntd t
T 0
0
aO =

bn =

2 T
1 2
v O (t )Sen ntdt = v O (t )Sen ntd t

0
T
0

n = 1,2,3...
n = 1,2,3...

Los trminos a n y b n son los valores de pico de las componentes

sinusoidales. Como para cada armnico (o para la fundamental) estas dos
componentes estn desfasadas 90, la amplitud de cada armnico (o de la
fundamental) viene dada por:
Cn = a n2 + b n2

Empleando identidades trigonometricas podemos escribir a la Serie de Fourier

como:

a
v O ( t ) = O + Cn Sen ( nt + n )
2
n =1, 2 ,...
a
n = tan n
bn
1

E1.23

v O (t ) =

aO
+ Cn Cos ( nt + n )
2
n =1, 2 ,...

b
n = tan 1 n
an

Ejemplo. Computadoras. Se tiene una fuente de voltaje sin distorsin a una

frecuencia de 50 Hz,

v( O t ) = 220

2Sen

( O t )

V,

donde O = 100

rad
. Una
s

computadora extrae 0.6 A RMS de corriente. Dicha corriente puede aproximarse

utilizando la siguiente receta de Fourier:
Fundamental
Tercera
Quinta
Sptima
Novena

% fundamental
100.0
80.1
60.6
37.0
15.7

% de total
67.88
54.37
41.13
25.12
10.67

Aplicando la receta anterior tenemos lo siguiente:

De fundamental: i 1 (O t ) = 0.6 0.6788 2 Sen (1 O t ) A
De tercera armnica: i 3 (O t ) = 0.6 0.5437 2 Sen ( 3 O t ) A
De quinta armnica: i 5 (O t ) = 0.6 0.4113 2 Sen (5 O t ) A
De sptima armnica: i 7 (O t ) = 0.6 0.2512 2 Sen (7 O t ) A
De novena armnica: i 9 (O t ) = 0.6 0.1067 2 Sen (9 O t ) A
La suma fundamental y armnica es:

signo del Sen

+
+
+

i(O t ) = +0.576 Sen (1 O t ) 0.461 Sen ( 3 O t ) + 0.349 Sen (5 O t )

0.213 Sen (7O t ) + 0.09 Sen (9 O t )

Figura 14. Descomposicin de una seal no sinusoidal.

Simetra de una funcin f (t).

Pueden reconocerse con facilidad cuatro tipos de simetra que se utilizarn
para simplificar la tarea de calcular los coeficientes de Fourier:
a) Simetra de funcin par
b) Simetra de funcin impar
c) Simetra de media onda
d) Simetra de cuarto de onda
Una funcin es par cuando f ( t ) = f ( t ) y es impar cuando f ( t ) = f ( t ) .
La funcin par slo tiene trminos coseno ( bn = 0 ) y la funcin impar slo tiene
trminos seno ( an = 0 ).

En la simetra de media onda se cumple: f (t ) = f t

T
y tiene la propiedad
2

de que tanto a n como b n son cero para valores pares de n (solo contiene
armnicos de orden impar). Esta serie contendr trminos seno y coseno a
menos que la funcin sea tambin par o impar.
Las formas de onda ms comunes en electrnica de potencia son:

Figura 15. Formas de onda tpicas y su serie de Fourier.

Figura 16. Formas de onda tpicas y su serie de Fourier.

Figura 17.Formas de onda tpicas y su serie de Fourier.

Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD).

Tambin se le conoce como factor armnico o factor de distorsin. Se defini
como consecuencia de la necesidad de poder cuantificar numricamente los
armnicos existentes en un determinado punto de medida.
Es la relacin del valor rms de la distorsin y el valor rms de la fundamental.
Debido a que la fundamental no contribuye a la distorsin, el valor efectivo de
la distorsin es la raz de la suma de los cuadrados de los valores rms de las
armnicas, de la segunda en adelante. Matemticamente se escribe:
THD =

valor rms de la distorsin

valor rms de la fundamenta l

I 22 + I 23 + I 42 + I 52 + ... + I nMAX 2

E1.24

I1

Al incluir el valor rms de la fundamental, I 1 , dentro del radical se obtiene:

2

I I I I
I

THD = 2 + 3 + 4 + 5 + ... + nMAX =

I1 I 1 I 1 I1
I1

nMAX

n=2

In

I1

E1.25

In
es el valor rms de la armnica n dividido por el valor rms de la
I1
fundamental.
Cuando una instalacin elctrica se ve afectada por numerosos armnicos es
posible que la distorsin total armnica supere el 100% lo que indicara que en

el cociente

esa instalacin o punto de medida hay ms armnicos que componente

fundamental.
Cuando una seal no contiene armnicos, o es casi senoidal, su THD es
cercano al 0%. Por tanto se debe tratar de que el THD sea lo ms bajo posible.

Figura 18. Formas de onda tpicas y su serie de Fourier.

Valor efectivo o valor rms.

El valor efectivo o valor rms de una funcin peridica indica la energa que
tiene una determinada seal y es la raiz cuadrada del valor promedio de la
funcin al cuadrado.
Matemticamente se escribe:
FRMS =

promedio de f 2 (t ) =

1 T 2
f (t )dt
T 0

E1.26

El valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 . El valor rms de una
funcin formada por componentes senoidales de frecuencia distinta est dado
por la raiz cuadrada de los cuadrados de los valores rms de dichas
componentes, esto es, el valor rms de:
i(t ) =

2I1Sen ( 1t ) + 2I 2Sen ( 2 t ) + 2I 3Sen ( 3t )

E1.27

Est dado por

I RMS =

I12RMS + I 22 RMS + I 23 RMS , si las frecuencias angulares 1 , 2 , y 3 si las

frecuencias son distintas.

Factor de cresta:
El factor de cresta es un factor de deformacin, que relaciona el valor de pico
(cresta) de una onda sinusoidal y el valor eficaz de la misma seal.
f .c =

valor

pico

valor

rms

E1.28

Debido a que el valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 , el factor
de cresta de una senoidal es 2 . El valor de factor de cresta CF es un

indicacin de la cantidad de distorsin. Un factor de cresta elevado equivale a

una alta distorsin.
Valor promedio.
El valor promedio de una forma de onda peridica es el rea bajo la curva de la
onda en un periodo T, entre el tiempo del periodo. Tiene la siguiente expresin
matemtica:
FPROM =

reabajo
periodo

la curva
en segundos

1 T
f ( t )dt
T 0

E1.29

El valor promedio de una senoidal es cero, el valor promedio de una senoidal

rectificada es

2
VP ,siendo VP el valor pico de la senoidal.

Factor de potencia y cos .

Habitualmente se tiende a pensar que el factor de potencia y el cos son lo
mismo, esto es cierto solamente cuando no hay armnicos.
El factor de potencia es la relacin entre la potencia activa y la potencia
aparente:
FP =

P
S

E1.30

El cos es la relacin que existe entre las componentes fundamentales de la

potencia activa y la potencia aparente.

Figura 19. Medicin del factor de potencia.

Factor de desclasificacin K.
El factor K es un factor de desclasificacin de los transformadores que indica
cunto se debe reducir la potencia mxima de salida cuando existen
armnicos. La expresin matemtica es la siguiente:
I pico
f .c
K=
=
E1.31
I rms 2
2
Se trata de medir el valor de pico y eficaz de la corriente en cada fase del
secundario del transformador, calcular sus promedios y utilizar la frmula
anterior. As por ejemplo, si se mide en el secundario del transformador de
1000 KVA se encontrara que el factor de desclasificacin K vale 1.2; entonces

la mxima potencia que podramos demandar del transformador, para que ste
no se sobrecalentase y no empezara a distorsionar la tensin, sera de 833
KVA (1000 KVA/1,2 = 833 KVA).
El Factor K de desclasificacin se debe utilizar para reducir la potencia mxima
del transformador slo cuando la medida est hecha en el secundario del
mismo. Cuando la medida se hace en cualquier otro punto de la instalacin, el
factor K no tiene utilidad.

Clculos con ondas peridicas no sinusoidales.

FUENTE NO SINUSOIDAL Y CARGA LINEAL.

Si se aplica una tensin peridica no sinusoidal a una carga que sea una
combinacin de elementos lineales, la potencia absorbida por la carga puede
determinarse utilizando superposicin.
Una tensin peridica no sinusoidal es equivalente a la combinacin en serie
de las tensiones de la correspondiente serie de Fourier.
La corriente en la carga puede determinarse utilizando superposicin y la
siguiente ecuacin:

Vn I n
Cos ( n n )
2
n =1
FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA NO LINEAL.
PAV = VO I O +

E1.32

Si una fuente de tensin sinusoidal se aplica a una carga no lineal, la forma de

onda de la corriente no ser sinusoidal pero puede representarse como una
serie de Fourier. Si la tensin es la sinusoide:
v( t ) = V1Sen (O t + 1 )

E1.33

y la corriente se representa mediante la serie de Fourier:

i(t ) = I O + Sen (nO t + n )

E1.34

n =1

la potencia media absorbida por la carga se calcula a partir de la (E 1.32 )

I
V

P = VO I O + nMAX nMAX Cos (n n )

2

n =1

V1I1
(0) I nMAX
Cos (1 1 ) +
Cos (n n )
2
2

n=2
= V1 RMS I1RMS Cos (1 1 )

P = ( 0) ( I O ) +

E1.35

E1.36

El nico trmino de potencia distinto de cero es el correspondiente a la

frecuencia de la tensin aplicada.

Figura 20. Potencias aparente, activa, reactiva y de distorisin.

Enslin y Van Wyk en 1990 [10], definen la potencia bajo condiciones no

senoidales en el dominio del tiempo, la cual la subdividen en dos componentes
ortogonales, potencia activa P, potencia ficticia F, la potencia ficticia la
subdividen en dos componentes ortogonales, potencia reactiva Q y potencia
deactiva D.

Efectos de los armnicos.

Cualquier seal que circule por la instalacin elctrica, ya sea de corriente o de
tensin, y cuya forma de onda no sea senoidal, puede provocar daos en ella o
en los equipos conectados a la misma.
Cuando una corriente est deformada, es decir, cuando su forma de onda no
es senoidal, se dice que contiene armnicos. Los efectos de los armnicos son
numerosos, unos se observan a simple vista, o se escuchan, otros necesitan
de medidores de temperatura para comprobar el calentamiento de cables,
arrollamientos o pletinas, y finalmente otros necesitan de equipos especiales
como medidores de armnicos, o analizadores para poder cuantificar la
importancia de los armnicos en un punto de la instalacin.
Los efectos de los armnicos son los siguientes:
Grandes corrientes por el conductor neutro (sobrecalentamiento de los
cables)
Sobrecalentamiento de los cables por el efecto piel (seales de alta
frecuencia)
Disparos indeseados de interruptores
Bateras de condensadores(resonancia, amplificacin armnica)
Acoplamiento lnea telefnica
Sobrecalentamiento transformador (desclasificacin, aumento de K)
IMPORTANCIA DEL NEUTRO.

Un sistema trifsico son tres generadores de corriente alterna monofsica en

los que un extremo de cada uno de los tres bobinados se han unido en un
punto central, formando un generador trifsico que crea tres tensiones del
mismo valor pero con un desfase mutuo de 120.
Cuando el sistema esta equilibrado, la suma de las tres corrientes que en un
instante dado pasan hacia dicho punto central es constantemente igual a cero,
es decir, si la corriente de ida va por un conductor, la de retorno se distribuye
entre los otros dos.
En las redes de distribucin de baja tensin suele incluirse el conductor que
corresponde al punto central de la conexin en estrella, llamado conductor de
neutro, que siempre est unido a tierra. En estas redes de distribucin, la
corriente que circula por el neutro es igual a la suma vectorial de las tres
corrientes de fase, por lo que si las cargas de las tres fases estn
correctamente equilibradas y la corriente es senoidal, la resultante por el
conductor neutro es nula o muy reducida.

Figura 21. Red trifsica.

Esto es cierto para la frecuencia fundamental, pero cuando se presentan

armnicos mezclados con la corriente fundamental, en los circuitos trifsicos
con cargas no lineales, las armnicas de orden impar (3, 9, 15, etc.), no se
cancelan sino que se suman en el conductor neutro, por lo que la corriente por
el conductor neutro puede ser mayor que la corriente de fase. El peligro
consiste en un excesivo sobrecalentamiento del cable neutro, adems de
causar cadas de voltaje, entre el neutro y la tierra, mayores de lo normal.

Figura 22. Presencia de armnicos mezclados con la corriente fundamental

El valor eficaz de la intensidad de esta corriente del conductor neutro es

simplemente igual a la suma aritmtica de las tres corrientes armnicas de
orden 3 de cada una de las fases.
La existencia de estos armnicos, que se pueden presentar incluso aun cuando
los equipos cumplan con las normas de limitacin de armnicos, provoca una
serie de problemas entre los que se podran destacar: un fuerte incremento de
las prdidas en las instalaciones por aumento de la resistencia de los
conductores por efecto piel y por efecto proximidad.
Los efectos piel y proximidad consisten en que, cuando una corriente alterna
pasa a travs de un conductor de un cable, se crea a su alrededor un campo
magntico variable que induce una diferencia de tensin en su seno o en los
conductores situados en su proximidad, lo que provoca unas corrientes que se
oponen parcialmente a las que recorren estos conductores, ocasionando un
aumento de su resistencia hmica y de las prdidas por efecto Joule que se
generan en dichos cables.

Figura 23. Corriente por el conductor neutro: Carga no lineal.

Las series de Fourier de las corrientes y de los voltajes de lnea son:

i a (t ) = I a 0 + I ak cos( kt ak )
k =1

v an ( t ) = Vm cos( t )

i b (t ) = I b 0 + I bk cos( k (t 120 0 ) bk )

v bn (t ) = Vm cos( t 120 0 ) E1.37

k =1

v cn ( t ) = Vm cos( t + 120 0 )

i c (t ) = I c 0 + I ck cos( k ( t + 120 0 ) ck )
k =1

Ia c kk to a )+ sIkb c (kk ot( 1 s) 2b )( k 0

i n (t ) = I a 0 + I b 0 + I c 0 + 0

k= 1 + Ic c k k( ot + 1 s) 2c )( k 0

(E1.38)

i n ( t ) = 3I 0 +

3I k cos( kt k )

E1.39

I k2
= 3I 3 RMS

k = 3 , 6 , 9 ,... 2

E1.40

k =3 , 6 , 9 ,...

I nRMS = 3 I 02 +

Si la carga es equilibrada no lineal, la relacin de corriente de neutro con la

corriente de cualquiera de las fases es:
I nRMS
= 3
E1.41
I aRMS
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA.
Diodo de Potencia.
El elemento rectificador de potencia ms comn es el diodo de potencia.
Las caractersticas de los diodos de potencia son, en general, similares a las de
los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien diferenciados: corte
y conduccin. El paso de un estado a otro no se realiza de forma instantnea y
en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es
muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las
frecuencias de trabajo.

Simbologa.
La simbologa usada ms comnmente en electrnica de potencia se resume
en el siguiente esquema.

Figura 24. Esquema de smbologia de las caractersticas de un diodo.

Ejemplo: VRSM = Tensin inversa mxima no repetitiva

Parmetros en estado de bloqueo.
Cuando un diodo se encuentra en estado de bloqueo, es decir, cuando no
conduce existen una serie de valores de tensin que no pueden ser
sobrepasados. En la figura 2.4 se han representado los valores mximos de
tensin inversa nodo - ctodo que puede soportar un diodo
momentneamente o de manera continuada, sin que el dispositivo
semiconductor corra el peligro de destruirse.

 VRWM Tensin inversa de trabajo mxima. Es la tensin que puede ser

soportada por el diodo de forma continuada sin peligro de calentamientos.
VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. Es la tensin que puede ser
soportada en picos de 1 ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. Es la tensin que puede ser
soportada por una sola vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10
ms.
VR Tensin de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con
duracin de 10 ms o menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus
caractersticas elctricas.
I R Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia
cuando est bloqueado.

Figura 25 Parmetros en estado de bloqueo. Tensiones inversas en el diodo.

Parmetros en estado de conduccin.

Cuando el diodo conduce tambin es importante no sobrepasar los valores de
corriente permitidos por el dispositivo y que son facilitados por el fabricante.
I F ( AV ) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la
mxima intensidad de impulsos senoidales de 180 0 que el diodo
puede soportar con la cpsula mantenida a determinada
temperatura.
I FRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada
cada 20 m[S] por tiempo indefinido, con duracin del pico de
1 m[S ] a determinada temperatura de la cpsula.
I FSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el mximo pico
de intensidad aplicable por una vez cada 10 minutos o ms, con
duracin de pico de 10 m[S] .
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz y no en valor
medio, cuestin que hay que tener en cuenta cuando se comparan diodos de
distintas marcas.

Figura 26. Curva del diodo, voltajes segn la capacidad del diodo.

Figura 27. Curva del diodo, voltaje de encendido a 10 [A] para dos voltajes de ruptura.

Figura 28. Caractersticas en inversa.

Figura 29. Caractersticas en directa.

Potencia media disipada por el diodo en conduccin.

La potencia instantnea que disipa un diodo ser:
p d (t ) = v d (t ) i d (t )

E1.42

Figura 30 Potencia instantnea disipada por el diodo en conmutacin.

La potencia media responde a la integral definida, de la potencia instantnea

en un periodo, dividida por la duracin del periodo T.
p d ( AV ) =

1 T
v d (t ) i d (t ) dt
T 0

E1.43

Considerando la tensin de codo, VD y la resistencia interna, RD del diodo y

sustituyendo en la ecuacin
V T
R T
1 T
Pd ( AV ) = 0 ( VD + i d R D ) i d dt = D 0 i d dt + D 0 i d2 dt E1.44
T
T
T
Esta expresin consta de dos trminos; en el primero aparece la intensidad
media, y en el segundo, la intensidad eficaz al cuadrado.
2
Pd ( AV ) = VD I dc + R D I rms

E1.45

La potencia media no slo depende de la intensidad media, sino tambin del

valor eficaz de la seal y por lo tanto, del factor de forma, a.
I RMS
E1.46
I DC
Generalmente el fabricante proporciona informacin en las hojas de
caractersticas del dispositivo semiconductor, por medio de tablas que indican
la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Tambin
proporciona curvas que relacionan la potencia media con el factor de
forma.
a=

CARACTERSTICAS DINMICAS DEL DIODO DE POTENCIA.

Cuando en el estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores
se quiere profundizar
en los transitorios provocados por la conmutacin, se requiere un tiempo, para
conseguir el paso de
corte a conduccin, ton y de conduccin a corte, toff.
Paso de conduccin a corte, Turn off.
Cuando un diodo se encuentra conduciendo una intensidad, I d la zona central
de la unin p-n est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de stos cuanto mayor sea dicha intensidad. Si el circuito exterior
fuerza la disminucin de la corriente con una cierta velocidad, di dt aplicando

una tensin inversa, resultar que despus del paso por cero de la seal i( t ) ,
hay un periodo en el cual cierta cantidad de portadores cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario. La tensin
inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus de un tiempo, t S
durante el cual los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin una
zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo t f en pasar de
un valor de pico negativo I rr a un valor prcticamente nulo, mientras se va
descargando la capacidad interna de la unin.

Figura 31. El tiempo de recuperacin inverso, trr adquiere una gran importancia a la hora de
trabajar en conmutacin, pues limita la mxima frecuencia de trabajo.

Paso de corte a conduccin, Turn on.

Por ser prcticamente despreciables los efectos provocados por el tiempo de
recuperacin directa, indicar solamente que se conoce como Turn on, al
tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin entre el nodo y
ctodo se hace positiva y en el que dicha tensin alcanza el valor normal de
conduccin. Es decir el tiempo de paso de corte a conduccin.

TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA.

Diodo rectificador normal
Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de
25 [s] , y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo
de recuperacin no es crtico.
Margen de funcionamiento: desde < 1 [ A] hasta varios miles de [ A ] ;
50 [ V ]... 5K[ V ] .
Diodo de barrera Schottky
En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de
almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo
una barrera de potencial con un contacto entre un metal y un semiconductor.
Margen de funcionamiento: 1 [ A ]... 300 [ A] ; Son usados en rectificadores de
bajo voltaje para mejorar la eficacia de la rectificacin.
Diodo de recuperacin rpida
Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por
lo general menor que 5 [S] . Esta caracterstica es especialmente valiosa en
altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de corriente tan rpida
necesitar contactos de proteccin, sobre todo cuando en el contacto exterior
encontramos elementos inductivos.
Margen de funcionamiento: < 1 [ A]... 300 [ A] ; 50 [V ]... 3 K[ V ] .
ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA.

Las dos caractersticas ms importantes del diodo de potencia son: La

intensidad mxima en directo y la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las
necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la capacidad mxima del
dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo
segn el caso.
Diodos en serie.
Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama,
como por ejemplo en rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un
nico diodo puede no ser suficiente. Ser necesario una conexin serie de dos
o ms elementos. Si los elementos estn colocados en serie, tendrn la misma
corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes.
Esto podra causar que alguno de los diodos pudiera destruirse por
sobrepasamiento de su tensin inversa mxima.
Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada
diodo.

Figura 32 Asociacin de diodos en serie.

Para que estas resistencias sean efectivas, deben conducir una corriente
mucho mayor que la corriente de fugas del diodo.
I = I S1 + I R 1 = I S 2 + I R 2

E1.47

I S1 +

Vd1
V
= I S2 + d2
R1
R2

E1.48

I S1 +

Vd1
V
= I S2 + d2
R
R

E1.49

Si R = R 1 = R 2

PROBLEMA 2.2

Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 estn conectados en serie,
un voltaje total de VD = 5 K[ V ] . Las corrientes de fuga inversas de los dos
diodos son I S1 = 30 m[ A] e I S 2 = 35 m[ A] .
a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del
voltaje
son iguales, R 1 = R 2 = R = 100 K[] .
b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R 1 y R 2 , si los
voltajes del diodo son iguales, VD1 = VD2 =

VD .
2

c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los

parmetros del modelo PSpice son: BV = 3 KV e I S = 20 m[ A] para el
diodo D1 , e I S = 35 m[ A] para el diodo D 2 Solucin: (a)
VD1 = 2750 [V ] , VD 2 = 2250 [ V ] ; (b) R 1 = 100 K[] , R 2 = 125 K[] .
PROBLEMA 2.3
Se pretende colocar 3 diodos, de tensin inversa mxima 40 [ V ] , en serie para
soportar una tensin total de 100 [ V ] . Calcular las resistencias de ecualizacin
necesarias sabiendo que la corriente inversa mxima de estos diodos (para
40 [ V ] de tensin inversa) es de 40 m[ A ] . Qu nombre recibe este tipo de
ecualizacin?
Solucin:
R eq =

40 [V ]
VRRM
=
= 1 K
I RM
40 m[ A ]

Por D1 no circula corriente inversa y por D 2 y D 3 circula la mxima, por lo

tanto, para estos dos tenemos:
R eq R

R eq + R 2 R eq R

R eq R
R eq + R

R eq + R
u 1 < VRRM = 40 [V ] u 1 = R
R+

Despejando tenemos:
a=

R eq

R eq + R

R = 0.3 K

min

U Total
2 R eq R

(Parmetro introducido para facilitar el clculo)

Debe cumplirse que:

U Total
a>

VRRM
U
n Total
VRRM

; R<

VRRM
I RM U Total

U Total
VRRM
VRRM

Diodos en paralelo.
Esta configuracin se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Presenta
como inconveniente el reparto desigual de la corriente por cada una de las

ramas de los diodos debido a las distintas caractersticas de conduccin de los

mismos.
Este problema se puede resolver utilizando dos criterios: conectando
resistencias en serie con cada diodo o bien inductancias iguales acopladas en
cada rama de la red paralelo. Las resistencias conectadas en serie ayudan a
estabilizar e igualar los valores de intensidad I 1 e I 2 Las inductancias se
pueden obtener utilizando transformadores con una relacin de transformacin
1 : 1 conectados tal y como muestra la figura.
El segundo mtodo es aplicable nicamente en condiciones de operacin en
las que la alimentacin sea pulsatoria o senoidal.

Figura 33. Asociacin de diodos en paralelo. Circuitos de estabilizacin de corriente por

resistencias e inductancias

PROBLEMA 2.4
Se conectan dos diodos en paralelo de forma que en total tienen que conducir
100A. Determinar el valor de las resistencias para que ninguno conduzca ms
de 55A. Calcular la potencia y la cada de tensin en cada rama.
Datos: VD1 = 1.5 [V ]; VD 2 = 1.8 [V ]
Solucin:
Suponiendo que algn diodo conduzca
tensin de codo

55 [ A ] ,

este diodo ser el de menor

I 1 = 55 [ A ]

I 2 = 45 [ A ]

Como V = R I 1 + VD1 = R I 2 + VD 2 , tenemos que la resistencia en cada rama

ser:
V VD1 1.8 1,5
R = D2
=
R = 0.03 [ ]
I1 I 2
55 45
La potencia en cada rama ser:
PR1 = R I 12 = 0.03 ( 55 )

PR1 = 90.75 [ W ]

PR 2 = R I 22 = 0.03 ( 45 )

PR 2 = 60.75 [ W ]

La cada de tensin en cada rama ser:

V = R I 1 + VD1 = 0.03 ( 55 ) + 1.5 V = 3.15 [V ]

PROBLEMA 2.5
Dos diodos con rango de 800 [V ] de voltaje y corriente inversa de 1 m[ A ] , se
conectan en serie a una fuente de AC de 980 [ V ] de tensin de pico ( VS MAX ).
La caracterstica inversa es la presentada en la figura. Determinar:
a) Voltaje inverso de cada diodo.
b) Valor de la resistencia a colocar en paralelo de forma que el voltaje en
los diodos no sea superior al 5 5% de VS MAX .
c) Corriente total y prdidas de potencia en las resistencias.
Solucin: (a) VD1 = 700 [V ] , VD 2 = 280 [V ] ; (b) VD1 = 539 [V ] , VD 2 = 441 [V ] ,
R =140 K[] ; (c) I S = 4.55 m[ A ] , PR = 2.54 [ W ] .
PROBLEMA 2.6
Dos diodos tienen las caractersticas presentadas son conectados en paralelo.
La corriente total es de 50 [ A] . Son conectadas dos resistencias en serie con
los diodos para provocar una redistribucin de la corriente. Determinar:
a) El valor de la resistencia de forma que por un diodo no circule ms del
5 5% de I max .
b) Potencia total de prdidas en las resistencias.
c) Cada de tensin diodo resistencia.

Figura 34. Curvas caractersticas de los diodos.

Solucin: (a)

R = 0.06 [] ;

(b) PR = 75 .8 [ W ] ; (c)

V = 2.95 [ V ]

Transistor Bipolar, BJT.

Es usado como
un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo
convierten en un conmutador casi ideal. En el transistor de potencia los
estados ms
importantes de funcionamiento son saturacin y corte. Estos dos estados se
corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.

Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente

para trabajar con frecuencias
por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como
mximo.

CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR.

Caractersticas a tener en cuenta en el transistor bipolar:
IC = Intensidad mxima que puede circular por el Colector
VCE0 = Tensin de ruptura de colector con base abierta, (mxima tensin
C-E que se puede
aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura)
Pmax = Potencia mxima
Tensin en sentido directo
Corriente de fugas
Frecuencia de corte
VCBO = Tensin de ruptura colector - base con base abierta
VEBO = Tensin de ruptura emisor - base con base abierta
VCEOSUS = Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de
colector y de la tensin
CE

Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un

fenmeno complejo
conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se
denomina primera ruptura,
la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a
efectos trmicos localizados
(creacin de puntos calientes).
La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensin C - E. Sin
embargo, la ruptura
secundaria se produce cuando la tensin C - E y la corriente de colector
aumentan excesivamente, de
tal forma que sta ltima se concentra en una pequea rea de la unin de
colector polarizado
inversamente. La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta
de uniformidad en el
reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo
de ruptura podr
presentarse tanto en turn on como en turn off.
La figura 2.14 muestra la caracterstica tensin - intensidad de un transistor
NPN bipolar de potencia.
Al igual que en uno de pequea potencia, se pueden distinguir tres zonas:
activa, corte y saturacin.

Fig 2. 14 Caracterstica V - I de un transistor NPN bipolar de potencia.

PROBLEMA 2.7

El transistor bipolar de la figura, tiene una en el rango 8 a 40. Calcular el valor de

RB que
resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, la f forzada y la
prdida de
potencia PT en el transistor.
Datos: 840; RC=11; VCC=200V; VB=10V;VCEsat=1.0V; VBEsat=1.5V; ODF=5

Solucin:
La corriente de colector en saturacin es:

I 18.091A
11
200V 1.0V
R
VV
I CS
C
CC CEsat
CS

=
La corriente de base en saturacin es:

I 2.263A
8
18.1A


I
I BS
min
CS
BS

===

Normalmente se disea el circuito de tal forma que IB sea mayor que IBS
El factor de sobreexcitacin, ODF, proporciona la relacin entre ambas:
BS
B

I
I
ODF =
I I ODF 2.263A 5 I 11.313A

B BS B

===

El valor de RB se calcula a partir de la ecuacin de la corriente de base:

B
B BEsat

R
VV
I

=
B

=
11.313A
10V 1.5V
I
VV
R
B
B BEsat
B

R 0.751 B =

La forzada, f, mide la relacin entre ICS e IB

==
11.313A
18.091A
I
I

B
CS
f

1.6 f =

La prdida de potencia total, PT, es:

P = V I + V I = 1.5V11.313A+ 1.0V18.091A
P 35.06 W

TIEMPOS DE CONMUTACIN.

T BEsat B CEsat CS