Apuntes Electrónica Analógica

ING. ELECTRNICA DR.
MARIO ALBERTO GARCIA MARTINEZ

MODELOS DEL DIODO
El diodo es un dispositivo semiconductor que esta construido con 2 materiales (unin P-
N) una de tipo P y otra de tipo N y que cuenta con 2 terminales, nodo y ctodo.
MODELO SIMBOLICO
a: nodo P
k: ctodo N
: corriente a trav!s del diodo
v: volta"e aplicado entre los e#tremos del
diodo
MODELO MATEMTICO
$a caracter%stica & de un diodo semiconductor de 'ermanio o de silicio esta dada por:
(onde
ID ) *orriente a trav!s del diodo (+mperes).
VD ) &olta"e entre las terminales del diodo (&olts).
IR ) *orriente inversa de saturacin.
q ) *ar'a del electrn, ,.-. # ,/-,0 *oulom1s.
m ) *onstante emp%rica, var%a de , a 2.
K ) *onstante de 2olt3man, ,.4. # ,/-24 5oule6 78.
T ) 9emperatura a1soluta, 78.
OPERACIN
a) *uando la terminal a es mas positiva que la terminal k . $a unin PN esta polari3ada
directamente esto conlleva a que conducir corriente, se comporta como un s:itc;
cerrado.
1) *uando k es ms positiva que a, la unin esta polari3ada inversamente por lo cual se
comporta como un s:itc; a1ierto.
MODELO GRAFICO
<e deriva de la relacin e#istente entre el volta"e y la corriente en las terminales del
diodo. $a curva caracter%stica de un diodo de 'ermanio y silicio es la que se muestra.
a k
a
k
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NOTA: En el primer cuadrante se o1serva la polari3acin directa, mientras que el
tercero es polari3acin inversa. Para el silicio la = es en nanoamperios.
MODELO ANLOGO ELECTRICO (+ *( en conduccin)
(onde:
=d: resistencia interna del diodo en conduccin
&o: &olta"e de rompimiento
&o: 4// m& (>e)
&o: ?// m& (<i)
E5E@P$A ,: Para el si'uiente circuito calcular & e a trav!s del diodo de silicio cuya
resistencia interna es ,/ o;ms.
a.-Empleando la curva caracter%stica.
1.-Empleando el modelo anlo'o el!ctrico
<olucin:
$a respuesta para a.-ser 1asndose en la 'raBica:
,.-Ctili3ando la Bormula (,)
2.-Es ) =, D & Ecuacin de la recta de car'a
2 ) E/ D &
si & )/
)26E/ )/./F ) F/ m+
<i )/
& ) 2v
>=+G*+N(A +@2A< &+$A=E< EN*AN9=+(A<
H 2F m+
&H /.? v
Punto de operacin
/.? , 2
F/
4/
2/
,/
1)+;ora aplicando su circuito anlo'o:
-2 D E/ D /.? D ,/ ) /

-/ ) ,.4
),.46-/ ) 2, m+
&d ) /.? D ,/
) /.? D 2,/ #,/ I4
) /.0, v
,.2 &+=+*AN (E $A< P+=+@E9=A< (E$ (A(A
>e <i
&o -2 m& 6J * -F m&6J *
s <e duplica cada ,/J * <e duplica cada -J *
=d +umenta por incrementos positivos de temperatura.

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&d
9K2EJ * 9 )2EJ *
9K2EJ *
9 )2EJ *
s
s

&o &o
&
Ejemplo 1: *onsidere un diodo de <i cuyo &o )-// @v a temperatura am1iente (2EJ *)
si la temperatura se incrementa a ,2EJ * cual ser el nuevo valor de &o.
t ) ,//J *
&o ) (-F m&)(,//)
&o ) -F// m&
&o ) &, D &2
&o ) -// I F//
&o ) 2// m&
Ejemplo 2: *onsidere un diodo de 'ermanio si el valor de s es de ,/ m+ a una
temperatura de 2EJ *. *ual ser el valor de s a una temperatura de ,2E J *.
Is mA! " C
,/ 2E
2/ 4E
F/ 4E
./ EE
,-/ -E
42/ ?E
-F/ .E
,2./ 0E
2E-/ ,/E
E,2/ ,,E
,/2F/ ,2E
s ) ,/.2F m+
E ) &d D &r
&r ) E I &d
&d ) E - &r
Para la corriente:

d ) r ) &r 6 r
E#EMPLO 1 (eterminar &d ,&r , e d
&d ) ?// m+
&r ) E - &d
&r ) . I /.?
&r ) ?.4
d ) r ) ?.4 6 2.2 8o;ms
d ) 4.4, m+
E#EMPLO 2. (eterminar &o e d del si'uiente circuito.
E ),2
&r ) E I &d, I &d2
&r ) ,,v ) &o
d ) &r 6 E.- 8
d ) ,.0- m+
I$
I%
I$
I%
& '.( ) & '.* )
+o
E#EMPLO *. (eterminar , , &r, , &r2 y &o del si'uiente circuito.
Laciendo clculos:
) 2/ I /.? I E 6 F.- 8 D 2.2 8 &o D E I &r2 ) /
) 2., m+ &o ) &r2 - E
&o ) F.-4 - E
&r, ) (F.- 8) ( 2., m+) ) 0.-? v
&r2 ) (2.2 8) (2., m+) ) F.-4 v &o ) -/.4? v
E#EMPLO ,. (etermine d , , e 2 del si'uiente circuito.
E ) &r, D &r2 D &d
&d ) /.? &r2 ) /.? v
& ) &r, D &d
&r, ) & - &d
&r, ) 0.4 v
, ) &r, 6 =, , ) 0.4 m+
2 ) &r2 6 =2 2 ) /.? m+
d ) 0.4 I /.? ) ..- m+
E#EMPLO - .(etermine los valores de &o , d, e d2 del si'uiente circuito.
I1
I$ I2
) d, D d2 ) &r, 6 =, d, ) d2 ) 6 2
E ) &r, D &p ) 0.4 v 6 /.44 8 d, ) d2 ) ,F m+
&r, ) E I &p ) 2. m+
&r, ) ,/v I /.?
&r, ) 0.4 v
&o ) &d, ) &d2 ) /.? v
E#EMPLO . . (etermine los valores de d y &o del si'uiente circuito.
E ) &d<i D dr, D or4
E ) &d<i D dr, D 2dr4
E ) &d<i D d(r, D 2r4)
E I &d<i 6 r, D 2r4) ) d
d ) ,/ I /.? 6 28 D 2 (,8)
d ) 2.4 m+

o ) 2 d &r4 ) o r4
o ) F.- m+ &r4 ) F.- m+ (,8)
&o ) F.- v &r4 ) F.-v

E#EMPLO ( .(etermine los valores de , , 2 e 4 del si'uiente circuito.
I
I$1 I$2
+p
+o
&p ) ,.F v
E ) &r, D &p
&r, ) E - &p
&r, ) ,/v I ,.F v
&r, ) ..- v
, ) &r, 6 r,
, ) ..- v 6 ,8
, ) ..- m+
&2 ) &r2 D &p 4 ) , D 2
&r2 ) &2 I &p 4 ) ..- m+ D 4.- m+
&r2 ) Ev I ,.F v 4 ) ,2.2 m+
&r2 ) 4.- v
2 ) &r2 6 =2
2 ) 4.- v6 ,8
2 ) 4.- m+
E#EMPLO / . (etermine los valores de , , 2 e 4 del si'uiente circuito.
& ) &p D &r, &p ) &r, ) &a D &req
&r, ) & I &p &req )&r, - &a
&r, ) 2/ I ,.F &req ) ,..- I /.?
&r, ) ,..- v &req ) ,?.0 v
&a ) /.? v
=eq ) 2.2 8 D ,.E 8 2 ) &r, 6 r,
=eq ) 4.? 8 2 ) ,..- v 6 ,8
2 ) ,..- m+
4 ) &req 6 r4 , ) 2 D 4
4 ) ,?.0 v 6 4.? 8 , ) ,..- D F..
4 ) F.. m+ , ) 24.F m+
E#EMPLO 0 . (etermine el valor de , , 2 , 4 e F del si'uiente circuito.
I1
I2
I*
+p
I1
I2
I*
NOTA :*ircuito a1ierto
por que no alcan3a ,.F v
para los 4 diodos
restantes por lo tanto
solo conducen los 2
primeros diodos.
& ) &r, D /.? D /.? , ) &r, 6 r, ) ..- 6 ,8 ) ..- m+
& ) &r, D ,.F v 4 ) ,.F 6 ,8 ) ,.F m+
&r, ) ,/ I ,.F v 2 ) , I 4
&r, ) ..- v 2 ) ..- m+ I ,.F m+
2 ) ?.2 m+

F ) / NA9+: $os diodos no lo'ran polari3arse directamente
E#EMPLO 1' . (etermine el valor de &o e del si'uiente circuito.
& ) &d D &r
,/ ) /.? D &r
&r ) ,/ I /.? ) 0.4 v ) &o
) &r 6 r
) 0.4 v 6 ,8 ) 0.4 m+
E#EMPLO 11 . (etermine el valor de &o e del si'uiente circuito.
& ) &r, D &r2
,/v ) &r, D ,.F v
&r, ) ,/v I ,.F v
&r, ) ..- v
, ) &r, 6 r,
, ) ..-v 6 28 ) F.4 m+
2 ) &r2 6 r2 , ) 2 D 4 D F
2 ) ,.F v6 ,8 ) ,.F m+ 4 ) , I 2 I F
F ) &rF 6 rF 4 ) F.4 m+ I ,.F m+ I /.? m+
F ) /.? v 6 ,8 ) /.? m+ 4 ) 2.? m+
+o
RECORTADORES
<on circuitos de diodos que tienen la capacidad de recortar la seMal de entrada sin
distorsionar la parte restante de la Borma de onda alterna.
E#EMPLO 1 . (eterminar la Borma de onda de salida del si'uiente circuito para la
seMal mostrada.
+) &i ) / N ( ) No conduceN &o ) /
2) &i K /.? N ( ) *onduce N &o
) &i I /.?
*)&i O /.? N ( ) No conduce N &o )/
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DR. MARIO ALBERTO GARCIA
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-v
--v
&i
t
E.4 v
t
&o
E#EMPLO 2. (etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito para la
entrada mostrada.
+) Vi =0 ; D = Conduce y Vo = 4.3
2) Vi> 0 ; D = Conduce y Vo =Vi + 4.3
*) Vi = -4.3 v ; Vo = 0
() Vi < -4.3 v ; Vo = 0
E#EMPLO * .(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito para la
entrada mostrada.
+) &i ) 2/ N ( ) *onduce N &o
) &i D /.E I/.?
2) &i ) -,/ N ( ) No conduce N &o ) /
E#EMPLO , .(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito para la
entrada mostrada.
2/ v
-F.4 v
Vi
t
Vo
t
2F.4 v
F.4 v
2F.4 v
2/ v
,/ v
&o
&i
t
t
+) &i K / N ( ) *onduce N &o ) /
2) &i O / N ( ) No conduce N &o ) &i
E#EMPLO - .(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito.
+) &i ) / N ( ) *onduce N &o ) 4.4 v
2) &i K 4.4 vN ( ) No conduce N &o ) &i
*) &i O 4.4 vN ( ) *onduce N &o ) 4.4 v
E#EMPLO . .(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito.
E v
-E v
E v
-E v
&i
&o
t t
,- v
&i
-,- v
t
4.4 v
,- v
t
-,- v
&o
+) &i ) /N ( ) *onduce N &o
) &i )/
2) &i K F.4 N ( ) No conduce &o
) E
*) &i O F.4 N ( ) *onduce N &o
) &i
E#EMPLO
( .(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito.
+) &i ) <emiciclo positivo N&i K /.? N
( ) *onduce N &cma# ) ,/ v N &o ) /.?v

2) &i ) <em. ne'ativoN ( ) No conduce N
-&i I &c I &o )/
-&i P &c ) &o
-,/ I ,/ ) &o
-2/v ) &o
,/ v
-,/ v
E v
-,/ v
&i
&o
t
t
&o &i
,/ v
-,/ v
2/ v
E#EMPLO /.(etermine la Borma de onda de la salida del si'uiente circuito.
A! +1 2 - 3 D 2 Co4$56e 3 El 67p7618o% se
67%97 :7s87 -; 2 +6 3 +o 2 '.( ;
B! +1 2 )- ; 3 D 2 No 6o4$56e 3
)+1 < +6 < +o 2 '
+o 2 )1';
E v
-E v
-,/ v
&i
&o
t t
RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA
Vi = Vp sen !
&p ) &olta"e pico.
&o ) &olta"e de salida rectiBicado que se
mide en un volt%metro de *. (.
V"# ) &olta"e de salida rectiBicado que se
apreciar en un osciloscopio.
$as ecuaciones que descri1en el comportamiento de este circuito se muestran a
continuacin, en ellas se considera que el volta"e de um1ral del diodo es cero volts.
&i
&o
t t
&p
Q
2Q 2Q Q
$a corriente en =$ es:
En Buncin del valor eBica3:
$a corriente a trav!s del diodo es:
$a corriente pico es entonces:
El volta"e pico inverso cuando el diodo no conduce es:
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
$a corriente en =$ es:
En Buncin del valor eBica3:
$a corriente a trav!s de la car'a es:
$a corriente a trav!s de los diodos es la mitad de la corriente en la car'a:
$a corriente pico del diodo es:
El volta"e pico inverso en las terminales del diodo en no conduccin est dado por:
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
E#EMPLO 2 .(iseMar un circuito rectiBicador de media onda para que entre'ue una
salida de 2F volts de *. (. y una corriente Io ) 2E/ m$.
P7%7 RL
o ) d ) 2E/ m+ &o ) 2F v =$ ) &o 6 o ) 2F 6 /.2E + ) 0- R
P7%7 el 8%74s=o%m7$o%
&o ) &p 6 Q &p ) &o Q ) 2F& Q ) ?E.40& &p ) &"ms 2
&rms ) &p 6 2 ) E4.4, v
P7%7 el $1o$o
IDP = Vp % R & ='(.3) v % )* + = 0 .',( m$ V -I = Vp = V"ms 2 ) ?E.40 v
&in
&o
E#EMPLO * .*alcular el volta"e y la corriente que sern medidos con un volt%metro de
*. (. en un circuito rectiBicador de do1le onda. El secundario del transBormador
proporciona ,2 volts en cada devanado y la resistencia de car'a es de , K. *alcular
adems la corriente m#ima a trav!s de cada diodo, dmx y el volta"e pico inverso para
cada diodo en no conduccin.
&in, ) ,2 v
&in2 ) ,2 v
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CAPACITOR COMO FILTRO
<i se considera i como una constante de valor I (lineal y no e#ponencial) se tiene que:
<i se apro#ima a;ora la Borma de ri3o a un diente de sierra se tomar el tiempo de
descar'a del capacitor i'ual al del periodo de la seMal, es decir:
(onde:
V. es el valor m#imo de & RL y es i'ual a V-.
Vm es el valor m%nimo de . & RL
(onde , T = por lo que
*omo 9 ) , 6 B ,el valor promedio es entonces,

Para el volta"e de ri3o,
$a e#presin que se considera para o1tener la corriente en el diodo es:
(onde V-I es el volta"e pico inverso del diodo,
E#EMPLO , . *on los datos que se indican a continuacin diseMar un circuito
rectiBicador de media onda con un capacitor como Biltro como el de la Bi'ura.
(atos:
RL 2 1 K. Vo 2 2- ;ol8s o V = 0.5 ;ol8s
Para el volta"e pico,
+RL 2 +M 2 +o & +o > 2 2 2- + & '.- > 2 2 2-.2- +
+P 2 +M 2 2-.2- +
Para el volta"e del secundario del transBormador,
+RMS 2 +P > 2 2 2-.2- + > 1.,1,2 2 1(./- +
Para el capacitor,
+o 2 +P > = RLC
C 2 +P > = RL +o 2 2-.2- + > .' ?Z!1 @A!'.-+! 2 /,1... mF
Para el volta"e del capacitor se toma dos veces el valor del volta"e pico,
+6 2 2+p 2 2 B 2-.2- + 2 -'.- +
Para el volta"e pico inverso en el diodo,
+PI 2 +p 2 2-.2- +
Para la corriente en el diodo,
*alculando a;ora el capacitor utili3ando I- se tiene que,
RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETACON CAPACITOR COMO FILTRO
$as ecuaciones que se pueden considerar para esta aplicacin son entonces,
Para la corriente en el diodo
E#EMPLO -. *on los datos que se indican a continuacin diseMar un circuito
rectiBicador de onda completa con un capacitor como Biltro.
(atos:
R& ) ,// . V"ms ) ,2 volts V o = /., volts
Para el volta"e pico,
Para el volta"e de salida,
Para la corriente de salida,
Para el capacitor,
Para el volta"e del capacitor,
Para el volta"e pico inverso en el diodo,
*alculando a;ora el capacitor utili3ando I- se tiene que,
No87: En cualquier aplicacin el volta"e de ri3o no de1e e#ceder de un E S del volta"e
de salida.
EL DIODO ZENER
$os diodos Tener son dispositivos semiconductores Bormados por una unin P-N donde
los materiales utili3ados en su Ba1ricacin son dopados con impure3as, lo que determina
el volta"e de ruptura.
*urva
caracter%stica del diodo Tener.
I Z mn ) @%nima corriente inversa que ;a de atravesar el diodo para ase'urar su correcto
Buncionamiento, tam1i!n llamada corriente de mantenimiento.
I Zm7C ) @#ima corriente inversa que puede atravesar al diodo con 'arant%a de no
destruccin.
PZ ) Potencia de disipacin nominal del componente que no de1e ser so1repasada.
EL DIODO ZENER COMO REGDLADOR DE +OLTA#E
+$ +E
I$
& &
) )
IE
$a aplicacin ms comUn del diodo Tener consiste en esta1lecer un volta"e Bi"o de
reBerencia aplicado a una car'a R&.
Esto se de1e a que en muc;as circunstancias el volta"e aplicado a un circuito de car'a
puede suBrir variaciones indesea1les que alteren el Buncionamiento normal del mismo.
El circuito 1sico de un re'ulador con diodo Tener se muestra en la Bi'ura
El volta"e que de1e aplicarse al Tener para ponerlo en conduccin es el si'uiente:
+L 2 RL IL
Amitiendo al diodo Tener ya que est en paralelo con la car'a se tiene que la corriente
en la car'a es:
IL 2 +14 > RS & RL
El volta"e en la car'a es entonces:
+L 2 RL +14 > RS & RL
$a corriente en R/ es:
IS 2 +14 < +L > RS
$a corriente Tener es entonces,
Is 2 IE & IL
IE 2 Is ) IL
E#EMPLO 1 . (eterminar la corriente 3 del si'uiente circuito.
+ ) &t; ) =$ &i 6 =$ D =<
) 28 (F/) 6 .2/ D 28
) 2..4- &
2) s ) &i I &3 6 =<
) F/ I ,/ 6 .2/
) /./4? +
*) $ ) &$ 6 =$
) ,/ 6 28
) E m+
() 3 ) s I $
) 4? m+ I E m+
) 42 m+
EFECTO SOBRE LAS CONDICIONES DE REGDLACIN
+)DETRMINANDO EL +ALOR DE Rs
Para que el 3ener Buncione adecuadamente es necesario considerar lo si'uiente.
+) Cn &$ ) @N@A
2) Cna $ ) @VW@+
LA CORRIENTE MINIMA EN RS
s min ) &i min - &36=s ma#
DE DONDE :
+E
IE
=s ma# ) &i min I &3 6 s min
ADEMAS :
3 ) s I $
3 min ) s min I $ ma#
EL PDNTO CRITICO OCDRRE CDANDO:
$ ma# ) s min 3 min ) / ( 3 ) cero )
( NA L+X =E>C$+*YN )
PARA ESTE CASO :
=s ma# ) &i ma# ) &i min I &3 6 $ ma#
PARA FDE EGISTA RDPTDRA:
=s O =s ma#
E#EMPLO 2 . Para el si'uiente circuito proponer un valor para =s que ase'ure una
adecuada re'ulacin del 3ener.
$ ma# ) ,. 6 E/ min
) /.4- +
=s ma# ) &i min I &3 6 $ ma#
) 2/ I 2. 6 /.4-
) E.EE R
=s O =s ma#
=s ) F.? O E.E
E#EMPLO * . (etermine los valores m%nimos y m#imos de la si'uiente resistencia de
car'a que ase'ure la re'ulacin del 3ener.
IE
+E
Rs
&3 ) ,/ v
3 ma# ) 42 m+
s ) &i min I &3 6 =s ma#
) E/ I ,/ 6 ,///
) /./F +
=$ min ) &$ 6 $ ma#
) ,/ 6 . m+
) 2E/ R
$ ) s I 3
) /./F I /./42
) . m+
=s ma# ) &$ 6 $ ma#
) ,/ 6 /./F
) ,2E/ R
E#EMPLO , . Cn re'ulador de volta"e de entrada que varia de ,E a 2/ v y una
corriente m#ima en la car'a de 2/ m+ si el volta"e del 3ener es de -.. v 1uscar el valor
de =s.
$ ma# ) 2/ m+
&3 ) -.. v
&i min ) ,E v
&i ma# ) 2/ v
=s ma# ) &i min I &3 6 $ ma#
) ,E I -.. 6 2/ Z,/ E#p I4
) F,/ R
=s O =s ma#
PROPONEMOS =s ) 40/
40/ R O F,/ [
E#EMPLO - . *onsidere el circuito si'uiente y determine el valor de =s para que el
3ener opere adecuadamente.
+E
IE
RL
Rs
$ ma# ) -/ m+
=s ma# ) ,E.4 I 0 6 -/ m+ ) ,/E [
=s O =s ma#
=s ) ,// O ,/E
D N I D A D I I
+E
RL
Rs
.' mA
1-.* H2+1H21..*
EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor 1ipolar es un dispositivo de tres terminales construidas a 1ase de tres
re'iones semiconductoras y dos uniones P-N.
1. MODELO SIMBOLICO
TRANSISTOR PNP
TRANSISTOR NPN
E ) 2 D *
(onde:
E ) Emisor. 2 ) 2ase. * ) *olector.
2.) OPERACIN DEL TRANSISTOR
RE +BE +BC RC
IE
IC
E C
IB
A !$a unin E2 esta polari3ad directamente ( E@<A= )
$a unin *2 esta polari3ada inversamente ( *A$E*9A= )
$a unin E2 inyecta ;uecos , que atravesando el material N son recolectados por la
unin *2 dando lu'ar a una corriente c.
B! $a corriente c esta compuesta por 2 t!rminos:
Cna Braccin de E mas la corriente de saturacin inversa co
IC 2
IE & I6o
DONDE :
) /.0E + /.00E
co ) @+ (>e)
co ) n+ (<i)
C! $a corriente del emisor es:
IE 2 IC & IB
*..MODELO GRAFICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR
*C=&+< *+=+*9E=\<9*+< )
$as curvas caracter%sticas del transistor dependen del tipo de conBi'uracin en que se
emplee el dispositivo.
+) 2+<E *A@CN
2) E@<A= *A@CN
*) *A$E*9A= *A@CN
+)*onBi'uracin 1ase comUn
* )
IE
+CB II +BE
2 '.00-
B! *onBi'uracin emisor comUn
* ) ] 2
&*E K &2E
^ ) 2// I -//
* ) *onBi'uracin colector comUn
PNP
+CB
&
IE IC
IB
&
J
J
+BE
NPN
+CB
J
&
IE IC
+BE
IB
&
J
+BE
PNP
+CE
&
J
IB
IC
IE
&
J
+BE
NPN
+CE
&
J
IB
IC
IE
&
J
+BC
PNP
+CE
&
J
IB
IE
IC
&
J
+BC
NPN
+CE
&
J
IB
IC
IE
&
J
E ) , 6 , -
( 2 )
&*E K &2*
X 2 ) >anancia en corriente ( ;Be )

=elacin entre ] y
Xa que : E ) * D 2
(ividiendo entre * E 6 * ) , D 2 6 *
I >
2 1 & 1 > K
De $o4$e :
^ )
6 , -
) ] 6 , I ]
+dems el transistor puede tra1a"ar en F modos de operacin.

+) Para ampliBicacin : re'in ,
2) Para conmutacin : re'in 4 D re'in F
,.) CARACTERLSTICAS ESTATICAS
<e requiere conocer las relaciones e#istentes entre las si'uientes varia1les:
A! &2E I 2 N &*E ) parmetro
B!&2E I &*EN 2 ) parmetro
C! * I 2 N &*E ) parmetro
D! * I &*E N 2 ) parmetro
+ARIACIN DE LOS PARMETROS DEL TRANSISTORPOR EFECTO DE
LA TEMPERATDRA
-.) POLLARIZACION DEL TRANSISTOR
*onsideremos el circuito si'uiente:
ING. ELECTRNICA DR. MARIO ALBERTO
GARCIA MARTINEZ
$as curvas caracter%sticas de la relacin c I &*E se ilustran en el si'uiente esquema.
R6
+66
+6e
RM
+M
I6
&
&
J
J
&cc ) =cc D &ce E*C+*YN (E $+ =E*9+ (E *+=>+
Para conocer los puntos e#tremos
A! *on c ) / +CE 2 +66
B! *on &ce ) / IC 2 +66 > R6
ING. ELECTRNICA
DR. MARIO ALBERTO GARCIA MARTINEZ
ANLISIS DE CIRCDITOS DE
POLARIZACION
A!C1%6518o $e pol7%1E761N4 =1j7
De l7 m7ll7 B < E
&cc ) =1 1 D &1e
1 ) &cc I &1e
=1
&1e ) /.?
En la re'in lineal o activa
c ) ] 1
De l7 m7ll7 C < E
&cc ) =c c D &ce
c ) &cc I &ce
=c
&ce ) &cc I =c c
E#EMPLO 1 .- *alcule la corriente y el volta"e de polari3acin del si'uiente circuito y
tra3ar la recta de car'a.

DATOS
RM
+Me
IM
&
J
R6
+6e
+66
I6
& 12 ;
+o
IM
+1
K 2 -'
&cc ) ,2 v
=c ) 2.2 8
=1 ) 2F/ 8
&1e ) /.? v
] ) E/
De l7 m7ll7 B < E
1 2F/ 8 D /.? ) ,2
1 ) ,2 I /.?
2F/ 8
1 ) F? _ +

c ) ] 1
c ) E/ (F? _ G)
c ) 2.4E m+
De l7 m7ll7 C < E
&cc ) =c c D &ce
&ce ) &cc I =c c
&ce ) ,2 I 2.2 8 (2.FE _ +)
&ce ) -..4 v
RECTA DE CARGA
+Me
+6e
I6
(<E`+= CN *=*C9A (E PA$+=T+*AN PA=
(&<A= (E &A$9+5E *AN $A< <>CEN9E<
(+9A<:
../*;
2.*- mA
+6e
I6
F
-.,- mA
12 ;
+66
R6
R1
R2
R6
Re
1/ ;
I6 2 - mA
K 2 1''
&e ) ,.. v
=e ) &e 6 e
) ,.. 6 E m+ ) 4-/ R
- . D &rc D . D ,.. ) /
&rc ) ,. I . I ,..
&rc ) ..2 v
=c ) &rc 6 rc
) ..2 6 E m+ ) ,-F/ R
) ,.E 8R
=1 ) =e 6 ,/
) (,//) (4-/) 6 ,/ ) 4-//
) 4.- 8R
&11 ) ,.. D /.? ) 2.E v
=, ) =1( &cc ) 6 &11
) (4-//)(,.) 6 2.E
) 2E02 R
) 2? 8R
=2 ) =1 6 , I (&11 6 &cc)
) 4-/ 8 6 , I ( 2.E 6 ,. )
) F,./ R
) F.? 8R

E#EMPLO 2 . *alcular el punto de operacin del circuito mostrado.
& 2' ;
El punto de operacin es entonces:
ING. ELECTRNICA DR. MARIO
ALBERTO GARCIA
MARTINEZ
E#EMPLO * . *ircuito de
polari3acin con resistencia en
el emisor.
RM
R6
+1
Re
+o
K 2 1''
&+66
Del 61%6518o B < E
&cc ) =1 1 D &1e D =e e
pero
e ) c D 1 ) ] 1 D 1
e ) 1 (] D ,)
&cc ) =1 1 D &1e D =e 1 (] D ,)
&cc I &1e ) =1 D =e ( ] D ,)
1
&cc I &1e ) 1
=1 D =e ( ] D ,)
Del 61%6518o C < E
&cc ) =c c D &ce D =ee
*onsiderando que e H c
&cc ) =c c D &ce D =e c
&ce ) &cc I ( =c D =e ) c
CIRCDITO DE POLARIZACION POR DI+ISOR DE +OLTA#E
+1
RM R6
+o
Re
+Me
+6e
&+66
(esarrollo : Empleando el equivalente de t;evenin en la 1ase encontramos el si'uiente
circuito.
+;ora utili3ando divisor de volta"e
=1 ) =, 66 =2
&11 ) &cc=2 6 ( =, D =2 )
NOTA: <e puede considerar que c ) e cuando la 1eta del transistor es muy 'rande ,
solo as% 1 es desprecia1le.
?761e4$o 547 m7ll7 $e l7 M7se 7l em1so%
&11 ) =1 1 D &1e D =e e
+1
R6
RM1
RM2
Re
+o
IM
I6
+MM
RM
Re
R6 I6
Ie
IM
+66
&11 ) =1 1 D &1e D =e 1 ( ] D ,)
1 ) &11 I &1e 6 (=1 D =e ( ] D ,)
A:o%7 :761e4$o 547 m7ll7 $el 6ole68o% 7l em1so%:
&ce ) &cc I c ( =c D =e )
*onsideracin so1re la independencia del circuito del valor de la 1eta.
Del 61%6518o B < E
&11 ) =1 1 D &1e
&11 ) =1 ( c 6 ] ) D &1e D =e c
&11 I &1e 6 ( =e D =1 6 2 ) ) c
<i =e KK =1 6 1
c ) ( &11 I &1e ) 6 =e )
NA9+ @PA=9+N9E : Para diseMo =e ) ,/ Z ( =1 6 ] )
*alculo de =, X =2 para diseMo:
<i =1 ) =, Z =2 6 =, D =2....................,
&11 ) (=2 6 =, D =2) Z &cc .................2
De l7 e65761N4 1
=1=, D =1=2 6 =2 ) =,
=1 Z ( =, D =2 ) 6 =2 ) =,
como &11 6 &cc ) =2 6 ( =, D =2)
Entonces
=, ) =1 Z ( &cc 6 &11 )
De l7 e65761N4 2
=2 ) &11 Z ( =, D =2 ) 6 &cc
(&11 6 &cc ) Z =, ) =2 I =2 ( &11 6 &cc )
(&11 6 &cc ) Z =, ) =2 Z ( , I &11 6 &cc )
S5s8185Oe4$o R1
&11 6 &cc ( =1 Z ( &cc 6 &11 )) ) =2 ( , I &11 6 &cc )
=1 ) =2 ( , I &11 6 &cc )
=1 6 a , I ( &11 6 &cc ) b
E#EMPLO : (el si'uiente circuito calcule los valores para c y &ce los cuales Bi"an el
punto de operacin.
& 22 ;
Sol561N4:
1 ) &11 I &1e 6 a=1 D =e ( ] D , )b
<i =1 ) =, Z =2 6 =, D =2 ) 4EFE.FE c
1 ) 2 I /.? 6 ( 4.E 8 D a,.E 8 Z ,F,b )
1 ) -./F _ +
c ) ] 1 ) ,F/ ( - ./F _ +)
c ) /..F m+
P7%7 oM8e4e% +6e
&ce ) &cc - a=c D =eb c
&ce ) 22 I ( ,,.E 8 ) ( /..F )
&ce ) ,2.4F v
E#EMPLO 2.
+1
+o
& 2' ;
c d) 1 D c
c d) 1 D 2 Z 1
c d) ( ] D , ) 1
Sol561N4 :
?761e4$o 547 m7ll7 $e l7 M7se 7l em1so%:
&cc ) =c Z cdD =1 1 D &1e D =e e
&cc I &1e ) 1 a( ] D , ) =c D =1 D ( ] D , ) =eb
1 ) &cc I &1e
( ] D , ) =c D =1 D ( ] D , ) Z =e
1 ) 2/ I /.?
(.,) ( 2.2 8 ) D 2?/ 8 D (.,) (, 8)
1 ) 4-.F? _ +
e ) ( ] D , ) Z 1 ) 2.0E m+
De l7 m7ll7 C < E
&cc ) cd=c D &ce D e =e
cd) e
&ce ) &cc I e ( =c D =e )
&ce ) ,/.EF v
CIRCDITO DE POLARIZACION DE MGIMA EGCDRSIN SIMETRICA
Para el si'uiente circuito
K 2 /'
+1
+o
De l7 m7ll7 6ole68o%)em1so% se oM81e4e l7 e65761N4 $e l7 %e687 $e 67%97P
&cc ) c =c D &ce D e=e
c H e
&cc )c=c D &ce Dc=e
&ce ) &cc I (=c D =e ) c
P7%7 el p548o $e 6o%8eP
P7%7 el p548o $e s785%761N4P
MAGIMA EGCDRSION SIMETRICA MES!
$a m#ima e#cursin sim!trica se reBiere a que el punto de operacin e queda
e#actamente en el centro de la recta de car'a. En el si'uiente e"emplo se vera lo anterior.
&+66
+1
R6
RM1
RM2
Re
+o
IM
I6
E#EMPLO
SOLDCION:
Primero se di1u"a la recta de car'a
&cc ) c ( =c D =e ) D &ce
+plicando M.E.S. se de1er dividir entre dos los puntos que determinaran el punto de
operacin, es decir la coordenada f Wg para c ) / y la coordenada fXg para &cc )/.
cq ) &cc 6 2 ) 4.?E m+
=c D =e
&ceq ) &cc 6 2 ) F.E volts
CONSIDERACIONES DE DISEQO
METODO RAPIDO!
+) &e ) ,/ S &cc
2) =e ) &e 6 e ( e ) c )
0 ;
1 @
2'' R
+1
+o
K 2 1''
,.-;
*.(- mA
+6e
I6
F
(.- mA
0 ;
+66
R6
Punto de operacin para
@.E.<
*) <i &e ) /., &cc
&ce ) /.E &cc (@.E.<)
&c ) /.F &cc
=c ) F =e
() =1 ) ] =e 6 ,/ (N(EPEN(EN9E (E ] )
&11 ) &1e D &e
=, ) =1 &cc 6 &11 =2 ) =1 6 , I (&11 6&cc )
E#EMPLO 1 .- (iseMar un circuito de polari3acin de *( para @E< de un
ampliBicador emisor comUn por divisor de volta"e con los datos que se indican.
&e ) /., &cc
&e ) /., (2/)
&e ) 2 v
=e ) &e 6 e ) 2 v 6 E m+ ) F// [
=c ) F =e ) F (40/) ) ,E-/ [ h ,E// c
=1 ) ] =e 6 ,/ ) (./) (40/) 6 ,/ ) 4,2// 6 ,/ ) 4,2/ R
&11 ) &e D &1e ) 2 D /.? ) 2.? v
=, ) =1 &cc 6 &11 ) (4,2/) (2/) 6 2.? ) -2F// 6 2.? ) 24 8 R
=2 ) =1 6 , I ( &11 6 &cc ) ) 4,2/ 6 , I ( 2.? 6 2/ ) ) 4.-. 8 R
ING. ELECTRNICA DR. MARIO
ALBERTO GARCIA MARTINEZ
(iseMar un circuito de
polari3acin de *( para @E<
de un ampliBicador.
R1
R2
R6
Re
2' ;
I6 2 - mA
K 2 /'
& 2' ;
&e ) /., &cc
&e ) 2 ;
=e ) &e 6 e ) 2v 6 2 m+ ) 1 @ A
=c ) F =e ) , @ A
&cc ) =1 1 D &1e D &e
2/ ) &=1 D /.? D 2
&=1 ) 2/ I /.? I 2
&=1 ) 1(.* ;
c ) ] 1
1 ) c 6 ] ) 2 m+ 6 ,E/ ) 1*.** SA
=1 ) ,?.4 6 ,4.44 ) 1P20(P/2, A T 1.2 MR
DNIDAD III
ANLISIS DE SEQAL PEFDEQA
*onsidere el si'uiente circuito:
RM
Re
I6 2 2 mA
+1
+o
K 2 1-'
Para el anlisis a *+ del circuito anterior se ;arn las si'uientes consideraciones:
,.- 9odas las Buentes de *( se i'ualaran con cero ( Buente de volta"e en corto circuito y
Buente de corriente en circuito a1ierto).
2.- =s y &s representan al 'enerador de seMal ( en la practica =s no se conectara
B%sicamente.
4.- $os capacitores en alta Brecuencia tienen una reactancia muy pequeMa, as% es que
prcticamente se consideraran como cortos circuitos.
ING.
ELECTRNICA DR. MARIO ALBERTO GARCIA
MARTINEZ
+s
C1
R2
R1 R6
Re
Ce
C2
& +66
+o
+s
Rs
R2
R1
R6
+o
C1%6518o eU51;7le48e 7 CA
=1 ) =, 66 =2
i ) *orriente de entrada
o ) *orriente de salida
&i ) &olta"e de entrada
&o ) &olta"e de salida
Ti ) mpedancia de entrada
To ) mpedancia de salida
+v ) &o 6 &i ) >anancia en volta"e
+i ) o 6 i ) >anancia en corriente
Para la determinacin del circuito equivalente del transistor para seMal pequeMa (@odelo
dinmico del transistor).
SISTEMA DE DOS PDERTOS
$as varia1les se pueden relacionar de la si'uiente manera:
+s
Rs
+1 RM
Io
+o
Zo Z1
E
B C
*9A Eq
(el transistor
<eMal pequeMa
CDADRIPOLO
+o
+1
Io
I1
& &
J
J
+1 2 :11 I1 & :12 +o
Io 2 :12 I1 & :21 +o
Para cada parmetro ; ( L2=(A )
L,, ) &i (AL@<) mpedancia de entrada en corto circuito
&o ) /

L,2 ) &i (+(@EN<AN+$) =elacin de volta"e de transBerencia
&o i ) / inversa en circuito a1ierto.
L2, ) o (+(@EN<AN+$) =elacin de corriente de transBerencia
i &o ) / directa en corto circuito.
L22 ) o (AL<@, <E@EN<) +dmitancia de salida en cto. +1ierto.
&o i )/
EL CIRCDITO EFDI+ALENTE SERA:
Do4$e:
;i ) ;,,
;r ) ;,2
;B ) ;2,
;o ) ;22
P7%7 el em1so% 6omV4
:%+o
:=I1
1 > :o
:1
+1
+o
Io
I1
&
&
J J
I6
MODELO ?LBRIDO DEL EMISOR COMDN
&i ) &1e ) ;ie 1 D ;re &ce
o ) c ) ;Be 1 D ;oe &ce
En el caso practico , para conBi'uracin de emisor I comUn en 'eneral:
;r +P=AW. / h ;r ) /
, 6 ;o +P=AW. nBinito
NOTA : ;ie ) r Q D r# N en 'eneral r Q KK r#
;ie ) r Q
ANLISIS DE DIFERENTES CONFIGDRACIONES
Ie
IM
:1e
:%e+6e
:=eIM 1 > :oe
IM
I6
Ie
I6
IM
Ie
:=eIM
& +66
El circuito equivalente
P7%7 l7s 1mpe$74617s
To ) =c
Ti ) =1 66 ;ie
P7%7 l7 97474617 e4 ;ol87je
+v ) &o 6 &i ) &o 6 o o 6 1 1 6 &i
&o ) -=c o o ) ;Be 1 &i ) 1 ;ie
&o 6 o ) - =c o 6 1 ) ;Be 1 6 &i ) , 6 ;ie
+v ) - =c (;Be 6 ;ie)
P7%7 l7 97474617 e4 l7 6o%%1e48e
+i ) o 6 i ) o 6 1 1 6 i
o ) ;Be 1 1 ) i =1 6 ( =1 D ;ie )
o 6 1 ) ;Be 1 6 i ) =1 6 (=1 D ;ie)
+i ) ;Be =1 6 ( =1 D ;ie )
E#EMPLO 2. (i1u"e el circuito equivalente para seMal pequeMa y determine las
e#presiones para Ti , To y +v.
+1
C1
RM R6
+o
Re
Ce
Z1
Zo
RM :1e
:=eIM R6
I1
+o
+1
IM
Io
Zo Z1
A! El 61%6518o eU51;7le48e
El circuito puede modiBicarse como si'ue:
NA9+: <e ;ar circular a 1 a trav!s de =e lo que permitir separar a la Buente de
corriente Be1 de su cone#in en el emisor ( esto implicara multiplicar a =e por el Bactor
] D , ).
Ie 2 IM K & 1 !
B!L7s 1mpe$74617s
Ti ) =1 66 a;ie D =e ( ] D ,)b
To ) =e 66 =l
& +66
+s
Rs
R2
R1
Re
R6
RL
C2
C1
Z1
Zo
+s
Rs
RM :1e
Re
:=e IM
R6
RL
+o
Z1
Zo
Ie
Rs
RM
:1e
:=e IM R6
RL
+o
+s
Re K & 1
Z1
Zo
Io
Io
IM
IM
+p
C! L7 97474617 A;
+v ) &o 6 o ) &o 6 o Z o 6 1 Z 1 6 &1 Z &1 6 &s
&o 6 o ) =$
o 6 1 ) -;Be =c 6 ( =c D =$ )
1 6 &1 ) , 6 a ;ie D =e ( ] D , ) b
&1 6 &s ) Ti 6 ( =s D Ti )
E#EMPLO *. (i1u"e el circuito equivalente para seMal pequeMa y calcule Ti , To y +v
del si'uiente circuito.
& 22 ;
A! El 61%6518o eU51;7le48e
B! Impe$74617s
Ti ) =1 66 ;ie
) (E8 ) ( ,8 ) 6 Ek D ,k
) .44 R
To ) =c 66 =$
) (,/) (F.?k) 6 ,/ D F.? k
) 4.,0 kR
*) >anancia en volta"e:
+v ) &o 6 &s ) &o 6 o Z o 6 1 Z 1 6 &1 Z &1 6 &s
&o ) o =$
&o 6 o ) =$
+s
Rs
Io
+o
Ce
+s
Rs
RM :1e :=e IM
R6
RL
+o
Io
+M IM
Z1
Zo
) F.? k
o 6 1 ) -;Be =c 6 (=c D =$ )
) - (0/) (,/) 6 ,F.?
) --,.2
1 ) &1 6 ;ie
1 6 &1 ) , 6 ;ie
) , E#p I4
&1 6 &s ) Ti 6 =s D Ti
) /.FE
+v ) (F.? k)(--,.2)(, E#p I4 ) (/.FE)
) -,20.F.
No87: *omo una variante para el circuito de entrada se propone la aplicacin de
t;evenin en la 1ase.
+v ) &o 6 o ) o 6 1 Z 1 6 &1
&o 6 o ) =$
o 6 1 ) - ;Be =c 6 =c D =$
&1 ) a( =1 66 =s) ;ieb 1
1 6 &1 ) , 6 =1 66 =s ( ;ie)
&1 6 &s ) =1 6 =1 D =s
E#EMPLO , . (el circuito mostrado ( Emisor se'uidor ) determinar las impedancias
de entrada y salida , as% como las 'anancias de corriente y volta"e.
RM >> Rs
IM
IM
+66
Laciendo su circuito equivalente
RM 2 RM1 >> RM2
+)Para las impedancias solo se ilustran las Bormulas para cada una de ellas.
Ti ) =1 66 a;ie D ( =e, 66 =e2 ) Z ( ] D , )b
+o
Zo
Z1
+s
Rs
RM
:1e
Re1
Re2
:=e IM
+M
IM
+o
Z1
Zo
To ) =e, 66 a;ie D (=1 66 =s )b
( ] D ,)
2) Para determinar las 'anancias se pude aplicar una t!cnica que consiste en o1tener un
equivalente de t;evenin para la re'in de entrada del circuito.
>anancia de volta"e : +v ) &o 6 &s y del circuito
&o ) &1 a=e, 66 =e2b ( ] D , )
=s 66 =1 D ;ie D a=e, 66 =e2b ( ] D , )
&o 6 &1 ) /.00
&1 6 &s ) =1 6 ( =1 D =s )
&1 6 &s ) /.?2
M5l81pl1674$o 7mMos %es5l87$os
+v ) (&o 6 &1 ) Z ( &1 6 &s)
+v ) /.?,
B!P7%7 l7s 97474617s $e 6o%%1e48e
+i ) o 6 s ) (o 6 e ) Z ( e 6 1 ) Z ( 1 6 s)
o 6 e ) =e, 6 ( =e, D =e2 )
o 6 e ) /.0
e 6 1 ) ( ] D , ) ) ,/,
1 6 s ) =1 6 a=1 D ;ie D (=e, 66 =e2) Z ( ] D , )b
1 6 s ) /./2-
+i ) 2.FE
E#EMPLO - . (eterminar +v , Ti , To del si'uiente circuito:
:1e
Re1 >> Re2!K & 1!
Rs >> RM
IM
Rs R, Re1 Re2
+66
+mpliBicador emisor comUn de 2 etapas
A!El 61%6518o eU51;7le48e
Ti ) =1, 66 a;ie, D =e, ( ] D ,)b
To ) =$ 66 =c2
B!G7474617 $e ;ol87je
+v ) &o 6 &s ) &o 6 oZ o 6 12 Z 12 6 1, Z 1, 6 &1 Z &1 6 &s
&o 6 o ) =$
o 6 12 ) -;Be2 =c2 6 =c2 Z =$
22 6 1, ) -;Be, (=c, 66 =12 ) 6 (=c, 66 =12 ) D ;ie2
1i 6 &1 ) , 6 ;ie, D =e, ( ] D ,)
&1 6 &s ) =1, 66 a;ie, D =e, ( ] D , )b 6 =s D =1, 66 a;ie , D =e, ( ] D ,)b
DNIDAD I+
+s
R2
R1 R* R61 R62
RL
R, Re1
Re2
+o
+s
Rs
RM
:1e1
Re1 K & 1!
R61 RM2 :1e2
R62 RL
+o
Io
+M
IM2 IM1
?=e1IM1 ?=e2IM2
RESPDESTA EN BA#A FRECDENCIA
$a respuesta en Brecuencia de un ampliBicador se pueden ilustrar en la Bi'ura si'uiente.
Do4$e :
+v ) >anancia en volta"e
B ) Grecuencia
Bl ) Grecuencia de corte 1a"a
B_ ) Grecuencia de corte alta
2_ ) +nc;o de 1anda ) ( BL I B$ )
+dems considerar la respuesta en Brecuencia de un capacitor con la relacin si'uiente:
F6 2 1 > 2 W C Z6
(onde :
FRECDENCIA DE CORTE DEL CAPACITOR
* ) *apacitancia
Tc ) mpedancia que el capacitor vera desde sus e#tremos a tierra.
E#EMPLO . (eterminar la Brecuencia de corte 1a"a del si'uiente ampliBicador.
=L
=?
BS
A;
=
& +66
El circuito equivalente
=1 ) =, 66 =2 ) 0./0 k
:=eIM 2 C1%6518o 7M1e%8o! 3 +1 2 Co%8o 61%6518o!
Tc2 ) =c D =$
) 2 k
Tce ) =e 66 a;ie 6 ] D ,b
) ,// 66 a ,.2 k 6 ,/, b
) ,/.-, R
Bc2 ) , 6 2 Q Tc2 *2
) 4.0? ;3
Bce ) , 6 2Q Tce *e
) ,F0. ;3
E#EMPLO: (iseMar un ampliBicador como el mostrado para que opere con una B$ ) E/
;3.
+1
+o
+s RM
Ce
:=eIM
C2
RL
R6
IM
X
B!C1%6518o eU51;7le48e
=1 ) =, 66 =2 ) ,.4 k
NOTA: *uando e#aminamos la impedancia que esta siendo de los capacitores , se
consideran en corto circuito.
B!Impe$74617s
Tc, ) =s D =1 66 a;ie D =e, ( ] D ,)b
;Be ) ,E/
;ie ) 2 k
Ce
+s
C1
C2
:=eIM
IM
RM
) 2./E k R
Tc2 ) =c D =$
) 0.F kR
Tce ) =e2 66 a=e, D ;ie D =s 66 =1b
^ D ,
) 04.-0 R
B! C7p7618o%es
*, ) , 6 2 Q Tc, B$
) , 6 2 Q (2k)(E/)
) ,.E0 _ G
*2 ) , 6 2 Q Tc2 B$
) , 6 2 Q (0.F k)(E/)
) /.44. _ G
*e ) , 6 2 Q Tce B$
) , 6 2 Q (04.-0)(E/)
) 4F.,, _ G
NOTA: *uando ;ay mas de un capacitor en el circuito de diseMo se esco'e al capacitor
mayor para que Bi"e la Brecuencia de corte 1a"o y a los dems se les manda a tra1a"ar una
d!cada a 1a"o de la Brecuencia de corte multiplicando a estos capacitores Z ,/.
G I $ .-=elacin inversamente proporcional
Ginalmente (implementar B%sicamente )
*e ) 4F .,, _ G a E/ ;3
*, ) ,- _ G a E ;3
*2 ) 4.4. _ G a E ;3

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ING. ELECTRNICA DR.

MARIO ALBERTO GARCIA MARTINEZ

X 2 ) >anancia en corriente ( ;Be )

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