REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITECNICO

SANTIAGO MARIO
EXTENSIN MATURN

Diodos Zener y transistores

AUTOR:
-

Maturn, Diciembre 2014.

Diodos Zener y transistores

El diodo Zener es un tipo especial de diodo que siempre se utiliza polarizado
inversamente. Si el diodo Zener se polariza en sentido directo se comporta como un
diodo rectificador comn. Cuando el diodo Zener funciona polarizado inversamente,
mantiene entre sus terminales un voltaje constante.

Este tipo de diodo, posee caractersticas en polarizacin directa anlogas a las

del diodo de unin, pero que en polarizacin inversa se comporta de manera distinta,
lo que le permite tener una serie de aplicaciones distintas a otros.
Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula
por l, llamada corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente
constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de esta alcanza
Vz, llamada tensin Zener (la cual no es la misma que la tensin de ruptura Zener),
para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a
incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de
corriente. El diodo Zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus
extremos para un amplio rango de corriente inversa.
Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.
El diodo Zener viene caracterizado por:

Tensin Zener
Rango de tolerancia de Vz. (tolerancia: C: 5%).

Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz.

Mxima potencia disipada.
Mxima temperatura de operacin del Zener.

Caractersticas elctricas de transistores BJT y JFET

Para describir las caractersticas elctricas de estos transistores, a continuacin

un cuadro comparativo de las diferencias entre ambos y as realzar sus caractersticas
tpicas.

Transistor BJT

Transistor JFET

Controlado por corriente de base.

Controlado por tensin entre Puerta y

Fuente.

Dispositivo bipolar que trabaja con las

cargas libres de los huecos y electrones.

Dispositivo unipolar que trabaja con las

cargas libres de los huecos (canal p) o
electrones (canal n) .

Ic es una funcin de Ib.

Id es una funcin de Vgs.

(Beta es un factor de amplificacin).

Gm (factor de transcoductancia).

Altas ganancias de corriente y voltaje.

Ganancias de corriente indefinidas y

ganancias de voltaje menores a las de
los BJT.

Relacin lineal entre Ib e Ic.

Relacin cuadrtica entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) M.

Generan un nivel de ruido menor que los BJT.

Son ms estables con la temperatura que los BJT.

Son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar ms dispositivos en un Ci.
Se comportan como resistencias controladas por tensin para valores
pequeos de tensin drenaje fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo
suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Desventajas de los transistores FET

Los FETs presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta

capacidad de entrada.

Los FETs presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.

Los FETs se pueden daar debido a la electricidad esttica.