TIRISTORES

SAN JUAN BAUTISTA, TUXTEPEC OAXACA A 2 MAYO DE 2014

- Introduccin
Los tiristores constituyen una familia de dispositivos que pueden tomar
diferentes nombres y caractersticas, pero donde todos los elementos que
la componen se basan en el mismo principio de funcionamiento.
Constructivamente son dispositivos de 4 capas semiconductoras N-P-N-P y
cuya principal diferencia con otros dispositivos de potencia es que
presentan un comportamiento biestable. Su construccin se debe en su
origen a General Electric en 1957 y la comercializacin general comienza
hacia 1960.
Los tiristores pueden tener 2, 3 o 4 terminales, y ser de conduccin
unilateral (un solo sentido) o bilateral (en ambos sentidos). Ante una seal
adecuada pasan de un estado de bloqueo al de conduccin, debido a un
efecto de realimentacin positiva. El pasaje inverso, de conduccin a
bloqueo se produce por la disminucin de la corriente principal por debajo
de un umbral. Funcionan como llaves, presentando dos estados posibles
de funcionamiento: No conduccin (abierto), Conduccin (cerrado).
La estructura base comn consistente en mltiples capas P y N
alternadas, puede presentar algunas variaciones en los distintos el
miembros de la familia, particularizando su funcionamiento. La carga es
aplicada sobre las mltiples junturas y la corriente de disparo
es inyectada en una de ellas.
Los tiristores pueden tomar muchas formas y nombres, pero tienen en
comn que todos ellos son llaves de estado slido capaces de bloquear
tensiones directas e inversas hasta el momento que son disparados. Al
dispararlos se convierten en dispositivos de baja impedancia, conduciendo
la corriente que fije el circuito exterior, permaneciendo indefinidamente en
conduccin mientras la corriente no disminuya por debajo de un cierto
valor. Una vez disparado y establecida la corriente principal, la corriente
de disparo puede ser removida sin alterar el estado de conduccin del
tiristor. Anlogamente una vez recuperada la capacidad de bloqueo, sta
se mantiene sin otro requisito hasta la ocurrencia de un nuevo disparo.

Los dispositivos ms conocidos de la familia de los tiristores para

aplicaciones de potencia son:
SRC (Silicon Controled Rectifiers)
TRIACS
GTO (Gate Turn Off)

Los primeros son unidireccionales diseados para conmutar cargas con

corrientes en un solo sentido, cubriendo desde aplicaciones de muy baja
potencia hasta las que requieren el control de miles de voltios y amperes.
Los TRIACS en cambio, son bidireccionales y permiten la circulacin de
corriente en ambas direcciones para aplicaciones de baja potencia.
Finalmente, los GTO (Gate Turn Off) al igual que los SCR son dispositivos
de 6 conduccin unidireccional pero con la particularidad de poder ser
apagados mediante una seal de compuerta. Su uso se encuentra en
aplicaciones de muy elevada potencia.

Principio de Funcionamiento
La estructura fsica base de los miembros de la familia de los tiristores
est formada por cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra
en la Figura, figura donde tambin se ha incluido el smbolo del SCR por
ser el dispositivo ms representativo de la familia...

Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados:

Bloqueado con polarizacin inversa.
Bloqueado con polarizacin directa.
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 Conduccin.

Curvas caractersticas y datos de manuales

En la figura, se representa la curva caracterstica de un tiristor (SCR) en la
que se aprecia la polarizacin directa e inversa de la tensin nodo-ctodo
VAK, con sus cuatro regiones respectivas. Para el primer cuadrante se han
incluido dos grficas, las correspondientes a una baja corriente de gate y a
corriente nula. En estado de conduccin directa, la caracterstica se
asemeja a una resistencia de bajo valor, mientras que con polarizacin
inversa, una eventual conduccin dara lugar a la destruccin del tiristor
en la regin de avalancha por tensin excesiva.

Se incluyen a continuacin los parmetros ms significativos, respetando

los subndices:
F: (Forward) Directo
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R: (Reverse) Inverso
En todos los casos, para asegurar su vida til y una correcta operacin, es
indispensable no superar los valores mximos suministrados por el
fabricante.

Veremos primero el circuito bsico y funcionamiento de rectificador

controlado de media onda.

En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y

compuerta (gate). La corriente principal circula entre nodo y ctodo. La
tensin de disparo o control, se aplica entre la compuerta y el ctodo. Esta
ltima tensin, como veremos, es generalmente de tipo pulsante, generada
por un circuito electrnico especial, denominado circuito de disparo
Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las
tensiones elctricas intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.
En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin
positiva entre nodo y ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo
que: vL= 0 y vac= vs. En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de
corriente a la compuerta, haciendo que el SCR pase al estado de
conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y aparece un
voltaje en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin
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pasa por cero (t2) y si la corriente de carga est en fase, esta tambin cae a
cero, lo que hace que el SCR se apague y deje de conducir. La tensin en
sus extremos se eleva hacindose negativa y de valor vac = vs; vl = 0.
Posteriores disparos durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada
(t3), no logran encender al SCR. En el prximo semiciclo positivo, en t4, al
aplicarle otro pulso en la compuerta, nuevamente el SCR comienza a
conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).

Caractersticas de los tiristores

Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro
capas pnpn con tres junturas J1, J2, J3, como muestra el siguiente
dibujo:

Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las

junturas J1 y J3 se polarizan directamente y la juntura J2 inversamente.
Entre ambos terminales fluye una pequea corriente. Se dice que el tiristor
est en estado de bloqueo directo o desactivado. Si aumentamos la
tensin nodo-ctodo (vac), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha
(vac = VBO), denominado voltaje de ruptura directo. Por el tiristor
circulara una gran corriente, solo limitada por la carga conectada al
circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o
activado. En esta condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr
circulando, solo si esta supera un valor, denominado corriente de
retencin o enganche. Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo
respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan inversamente, y J2 se polariza
directamente. En esta condicin, las junturas J1 y J3, se comportan como
dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que
circulara una pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente
inversa). Se dice que en esta condicin, el tiristor est en estado de
bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente.
Modelo del tiristor con dos transistores bipolares:
La accin regenerativa, por realimentacin positiva, que hace que el tiristor
pase del estado de bloqueo directo al estado conductor, se puede
demostrar utilizando un circuito equivalente con dos transistores bipolares
como se muestra en la figura siguiente:

A continuacin vamos a analizar este modelo aplicado a un circuito bsico

formado por los dos transistores bipolares una impedancia de carga y una
fuente de alimentacin.
Con este circuito, vamos a calcular analticamente la corriente de nodo
iA, en funcin de los parmetros elctricos de ambos transistores. Como
caso general, consideraremos dos puertas, una en la base del transistor
npn y la otra en la base del transistor pnp.

La corriente de colector IC, de un transistor bipolar, se relaciona en Gral.

Con la corriente de emisor IE y la corriente de fuga de la juntura colectorbase, ICBO como:
IC = IE + ICBO
Donde IC/ IE representa la ganancia de corriente en base comn
Para nuestro caso la corriente de colector IC1 del transistor Q1 resulta:
IC1 = 1IA + ICBO1 (1)
Donde 1 es la ganancia de corriente e ICBO1 es la corriente de fuga para
Q1. De la misma manera para Q2:
IC2 = 2IC + ICBO2 (2)
Por otra parte, de acuerdo al circuito tenemos:
IA = IC1 + IB1 (3)
IB1 = IC2 + IGN (4)
IC = IGP + IA - IGN (5) igualdad que sale de las corrientes entrantes es igual a
las corrientes salientes.
Con las expresiones anteriores despejamos la corriente de nodo,
resultando:
IA = [ICBO1 + ICBO2 + (1- 2) IGN + 2. IGP] / [1- (1+2)]
1) Si en la ecuacin anterior hacemos IGN = IGP = 0, es decir no hay
activacin por compuerta, la corriente de nodo vale:
IA = ICBO1 + ICBO2 En este caso 1 =2 0 dado que IE 0
2) Si hacemos IGN = 0 e IGP 0 o sea tenemos activacin por la compuerta
del transistor npn (corriente de base entrante) comienza a producirse la
realimentacin interna positiva , dado que aumenta la corriente de colector
de Q2 que a su vez es corriente de base de Q1 y por efecto de amplificacin
aumenta su corriente de emisor (corriente de nodo del tiristor); de la
misma forma aumenta la corriente de colector de Q1 y esta corriente
alimenta nuevamente la base de Q2 y as sucesivamente hasta que ambos
transistores pasan a la saturacin. En la formula el crecimiento de la
corriente de nodo se nota al aumentar las ganancias de corrientes de los
transistores por efecto del aumento de las corrientes de emisor de los
transistores, segn la grafica:

Cuando 1 + 2 = 1 el denominador de la formula se hace cero y la

corriente del nodo del tiristor se hace infinita. En la prctica, queda
limitada por el circuito externo.
3) Si hacemos IGP = 0 e IGN 0 o sea tenemos activacin por la compuerta
del transistor pnp (corriente de base saliente) comienza a producirse el
mismo efecto de realimentacin pero en este caso requerir mayor
corriente de compuerta dado que en la expresin de la corriente de nodo
el termino de IGN en el numerador, est afectado por (1-2).