Está en la página 1de 4

1

I. RESUMEN

inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor

Las Caractersticas del Transistor Bipolar


En el siguiente informe nos propusimos observar las
caractersticas del transistor bipolar, esto es, como se comporta
su salida para as tener una familia de curvas caractersticas y
analizar dichas curvas.

atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca


recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte,
estado de saturacin y estado de actividad.
La ganancia de corriente emisor comn est representada por

II. INTRODUCCIN
Cabe preguntarse: para qu sirve un transistor?, para
responder esta pregunta analizamos su comportamiento con
determinada seal de entrada. Se sabe que es un dispositivo
muy utilizado, tiene muchas funciones esenciales en
electrnica.
III. OBJETIVOS
[1]
[2]
[3]
[4]

Determinar la ganancia de corriente () a partir de la


familia de curvas de salida.
Graficar las curvas caractersticas de entrada de un
transistor, a partir de valores medidos.
Determinar el valor de la ganancia de corriente a
partir de valores medidos.
Probar un circuito de emisor comn para determinar
si es una fuente de corriente constante.

. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de


colector a la corriente continua de la base en la regin activa
directa y es tpicamente mayor a 100.

En los transistores ideales, el beta tiene un solo valor, tal como


125. En los transistores reales, el beta vara al modificarse la
corriente de base. Las caractersticas de salida del transistor
muestran las relaciones existentes entre la corriente de base y
de colector, y la tensin de colector. Dichas relaciones toman
la forma de una familia de curvas caractersticas.
V. MATERIALES Y EQUIPO
[1]
[2]
[3]
[4]

1 computador base PU-2000.


1 tarjeta de circuito impreso EB-111.
1 multmetro.
1 osciloscopio.

IV. MARCO TERICO


El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de
estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs
de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que
la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su
impedancia de entrada bastante baja.

VI. PROCEDIMIENTO
[1]
[2]

Primeramente se ubic el circuito que contena al


transistor Q1.
Se arm el circuito y se puso el ampermetro y el
osciloscopio como se indica en la figura.

Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y


se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin
en algunas aplicaciones de electrnica digital.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del
colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin
epitaxia. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor
est polarizada en directa, mientras que la base-colector en

[3]
[4]
[5]

Se ajust RV1 para obtener los valores de corriente


de base que se indican en la Tabla 1.
Para cada valor de corriente de base se midi la
tensin de base y se anot en la Tabla 1.
Seguidamente se dibuj el grafico de la corriente de
base en funcin de la tensin de base a emisor.

GANANCIA DE CORRIENTE

[6]

Se ajust la tensin de PS-1 a 10V y se observ el


voltaje en el canal 2 del osciloscopio.

[7]

Se vari la corriente de base con el potencimetro


RV1 como se indica en la Tabla 2.
Se determin la corriente de colector midiendo la
tensin sobre R5 con el osciloscopio trabajando en el
modo diferencial y se calcul IC de la siguiente

[15]

[8]

manera:
[9]

10 vVCE
Ic=
470

[16]

[17]

y se anot los

resultados en la Tabla 2.
Finalmente se calcul el valor de la ganancia de
corriente de los resultados anotados en la Tabla 2.

EL TRANSISTOR COMO FUENTE DE CORRIENTE


[10]
Se arm el siguiente circuito.

[18]

[19]
[20]
[21]
[22]

La corriente de base IB se mide con un ampermetro


conectado entre RV1 y la alimentacin de 5 voltios.
Se ajust RV1 para obtener una corriente de base de
10 uA. Se quit el ampermetro y se hizo un puente
de la alimentacin de 5 voltios a RV1.
Luego se ajust la fuente PS-1 a o.5 voltios. Se
conect el ampermetro en serie con PS-1 y se anot
la medicin en la Tabla 4.
Seguidamente se vari a PS-1 a todos los valores de
VCE de la Tabla 4. Para cada tensin se anot la
corriente de colector sin alterar RV1.
Se repitieron los pasos para corrientes de base de 20,
40, 60, 80 y 100uA.
Luego se grafic la familia de curvas de Ic en funcin
de VCE con IB como parmetro.
Se identific las tres zonas de trabajo (activa,
saturacin y corte) en el grfico.
Finalmente de las curvas, se hall la ganancia de
corriente de la zona lineal. La ganancia de corriente
tpica es: =Ic/IB

VII. TABLAS Y GRFICAS


Tabla 1:
IB(A)-nominal
IB(A)-real
[11]
[12]
[13]

Se ajust la tensin de PS-1 a 2 voltios.


Luego se ajust RV1 para obtener una corriente de
colector de 2mA.
Finalmente se puso PS-1 en los valores de la Tabla 3
y se anotaron las corrientes de colector en dicha
tabla.

CARACTERISTICAS DE SALIDA
[14]
Se arm el circuito que se indica en la siguiente
figura y se puso el resistor R5 en cortocircuito.

VBE(V)

5-10

16-25

30-50

20.6

41.6

120200
118.9

0.52
2

0.547

0.569

0.603

Corriente de base en funcin de la tensin

Caracteristicas de salida para diferentes corrientes de entrada (IB)

140

16

120

14

100

12

80

IB(A)

10

60
40

Ic(mA) 8

20

0
0.5 0.52 0.54 0.56 0.58 0.6 0.62

4
2

VBE(V)

Tabla 2:
IB( 1
A) 0
VC 9.
E(
4
V)
Ic( 1.
mA 2
)
7
=I 1
c/I
2
B
7
Tabla 3:
PS1(V)
Ic(mA
)
Tabla 4:
IB(uA)
VCE(V
)
0.5
1
2
4
6
8
10

10 12

VCE(V)
20

30

40

8.
8

8.1

7.5

2.
55

4.0
4

5.3
1

12
7.
5

13
4.6
7

13
2.7
5

5
0
6
.
8
6
.
8
1
3
6

60

70

80

90

6.1

5.5

4.8

10
0
3.
4

8.2
9

9.5
7

11.
06

12.
76

13
8.1
7

13
6.2
5

13
8.2
5

14
1.7
8

14
.0
4
14
0.
4

10

1.
5

2.
1

2.
1

2.
1

2.
1

2.
1

VIII. ANLISIS DE LOS RESULTADOS


Al observar los resultados obtenidos y basndonos las grficas
y tablas, notamos que n transistor est en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0) y
por lo tanto no hay zona de corte.
Un transistor est saturado cuando: corriente de colector
corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imx) y
esto no ocurre.
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni
en la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la
regin activa.
La ganancia de corriente para cada curva es:
1, 2.5, 5.1, 11.3 y 14.3 respectivamente.

IX. CONCLUSIONES
10

20

40
IC(mA)

80

100

[1]

1.1
1.1
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2

2.4
2.4
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5

4.9
4.9
5.0
5.1
5.1
5.2
5.2

10.8
10.9
11
11.1
11.3
11.4
11.6

13.1
13.3
13.6
13.8
14.2
14.4
14.7

[2]

[3]
[4]

Se concluye que identificar las regiones operativas


del transistor es muy fcil observando los datos
graficados.
Observamos que en el transistor la regin utilizada es
la activa, que es importante si se desea utilizar el
transistor como amplificador de seal.
Se concluye que el transistor se puede utilizar como
una fuente de corriente constante.
Se concluye que el transistor tiene muchas
aplicaciones muy importantes que nos sirven mucho
en el mundo de la electrnica, como ser
amplificadores, fuentes de corriente, etc.

X. GLOSARIO
[1]

[2]

[3]

[4]

Transistor: es un dispositivo electrnico de estado


slido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre s, que permite controlar el paso de la corriente
a travs de sus terminales.
Polarizacin: es el proceso por el cual en un conjunto
originariamente indiferenciado
se establecen
caractersticas o rasgos distintivos que determinan la
aparicin en l de dos o ms zonas mutuamente
cargadas.
Germanio: es un elemento qumico con nmero
atmico 32, y smbolo Ge perteneciente al perodo 4
de la tabla peridica de los elementos.
Saturado: Llenar, ocupar completamente o utilizar
una cosa hasta el lmite de su capacidad

[5]

Colector: Que recoge.

XI. BIBLIOGRAFIA
[1]

[2]

[3]

[4]

DEGEM SYSTEMS Curso EB-111 Fundamentos de


los semiconductores I, Segunda edicin. I.T.S Inter
Training Systems Ltd 1992.
Boylestad, R - Nashelsky, L, Electrnica: Teora de
Circuitos y dispositivos electrnicos, sexta edicin
PRENTICE HALL 1999.
Hayt, W. Kemmely, J. Anlisis de circuitos en
ingeniera, sptima edicin, MCGRAW HILL 2007.
https://www.google.hn