SISTEMAS

ELECTRNICOS

UNIDAD 1: Diodos de unin y

Transistores de Unin Bipolar

1.1. Introduccin a los elementos de electrnica bsica.

1.2. Unin PN.

1.3. Curva caracterstica tensin-corriente.

1.4. Diodo ideal, diodo real, y aplicaciones de los diodos.

1.5. Caractersticas y funcionamiento del transistor BJT.

1.6. Amplificacin y conmutacin con transistores BJT.

1.7. Caractersticas, funcionamiento y aplicacin de

Transistores de Efecto de Campo (FET) y Mosfet.

Rectificadores de media onda

V

V
1

v; = V111

--

sin wt

+
+

+
R

11

\'o

+
----+-

11

+
R

"o

\'o =\',

+
11

o-------o

+
R

\'o

----+-

+
R

1'0

"o

=0 V

Valor promedio Vdc=0.318VP

Vdc=0.318Vm

Valor promedio del voltaje

de salida:
Valor que se medira con un
voltmetro de cd.
Es el rea neta positiva
arriba del eje sobre un
periodo completo.
Matemticamente se
determina:
Calculando el rea bajo la
curva correspondiente a un
ciclo completo y dividiendo
entre 2

Influencia del diodo en el

valor promedio
=

Donde VT es la cada
de tensin en el diodo
debida a la barrera de

= 0.318

potencial de este.
(Si=0.7V, Ge= 0.3V)

Ejercicio de rectificador de media onda

a) Dibujar la salida vo y determinar el nivel de dc a la salida del cto.

(Considerando un diodo ideal)
b) Repetir inciso a) si el diodo ideal es reemplazado por uno de silicio.

Rectificador de onda completa

con puente de diodos

Semiciclo positivo

Semiciclo negativo

Resultado final

Voltaje Pico Inverso PIV

PIV Peak Inverse Voltage
Es el valor de voltaje que no debe excederse en la
regin de polarizacin inversa pues si no el diodo
entrar en la regin de saturacin.
El PIV es igual al valor pico del voltaje de entrada y
el diodo debe ser capaz de soportar esta cantidad
de voltaje en inversa repetitivo.

Por lo tanto, la capacidad del diodo deber

ser por lo menos 20% ms alta que el PIV.

10

Valor promedio

Debido a que el rea arriba del eje para

un ciclo competo es ahora del doble, en
comparacin con la obtenida en el
rectificador de media onda, el nivel de
dc tambin se duplica.

Vdc=0.636Vm

2
=

11

Empleando diodos de silicio

= 2

Donde VT es la cada
de tensin en el diodo
debida a la barrera de
potencial de este.

 = 0.636 2

(Si=0.7V, Ge= 0.3V)

12

Rectificador de onda completa

usando transformador con derivacin central.

Dos diodos conectados al secundario de un

transformador con derivacin central. La
mitad del voltaje secundario total aparece
entre la derivacin central y cada extremo
del devanado secundario.

13

El voltaje de salida de un rectificador de onda

completa con derivacin central es siempre la
mitad del voltaje del secundario menos la cada

=
0.7

de tensin en el diodo.

14

RECORTADORES

Circuitos que pueden recortar una porcin

de la seal de entrada sin distorsionar la parte
restante de la forma de onda alterna.

Tipos de recortadores:

En serie El diodo est en serie con la carga.

En paralelo El diodo en paralelo con la carga.

15

Recortadores en SERIE

Se pueden aplicar a cualquier tipo de

seal.

El recortador bsico es el de un cto.

Rectificador de media onda.

16

Recortador en serie con una fuente dc.

Pasos para analizar este tipo de circuitos:

1.- Hacer un dibujo mental de la respuesta de la red basndose en

la direccin del diodo y en los niveles de voltaje aplicados.
2.- Determinar el voltaje aplicado que causar un cambio en el
estado del diodo.
3.- Estar consciente continuamente de las terminales definidas y la
polaridad de Vo
4.-Dibujar la seal de entrada arriba de la seal de salida y
determinar los valores instantneos de entrada.

r-

Ve = o V

--

--

V
1

V l

KVL

V
1

+
o

IT

+
V1 = Vm
Vo

V111 - V

T
2

V1

Vo

vr
v

T t

= V (diodes change tate)

Recortadores en serie
1

Recortadores en para e o

21

DIODO ZENER

Dispositivo semiconductor con unin

PN diseado para operar en la regin
de ruptura en inversa.

El voltaje de ruptura de un diodo Zener se

ajusta controlando el nivel de dopado
durante su fabricacin.

En la figura se muestra el
smbolo de diodo zener
(A - nodo, K - ctodo).

El sentido de la corriente
para que funcione en
regin de ruptura es en
contra de la flecha que
representa el diodo.

22

Tipos de ruptura

En un diodo zener ocurren dos

tipos de ruptura en inversa: la de
avalancha y zener.

Ruptura avalancha o de
saturacin.- Ocurre tanto en
diodos rectificadores como en
diodos zener a un voltaje inverso
muy alto.

Ruptura Zener.- Ocurre en un

diodo zener a voltajes en inversa
bajos.
Ruptura zener
Ruptura avalancha

23

Polarizacin de un diodo zener

Si el diodo zener se polariza en directa se

comporta como un diodo rectificador
comn.

Cuando el diodo zener se polariza en

inversa funciona como un regulador de
voltaje, pues mantiene entre sus
terminales un voltaje constante.

24

Zener como regulador de voltaje

La caracterstica del diodo Zener es su

capacidad de mantener el voltaje en
inversa esencialmente constante a travs
de sus terminales, por lo que:

Un diodo zener que opera en condicin

de ruptura acta como un regulador de
voltaje pues mantiene un voltaje casi
constante a travs de sus terminales
durante un intervalo especificado de
valores de corriente en inversa.

25

Zener como regulador de voltaje

Un regulador con diodo zener ideal

mantiene un voltaje predeterminado fijo a
su salida, sin importar:

Las variaciones de
voltaje en la fuente de
alimentacin.

y/o las variaciones de

corriente en la carga.

26

Regulacin zener

El zener como regulador de voltaje mantiene un voltaje casi constante a travs

de sus terminales durante un intervalo especificado de valores de corriente en
inversa.
Se debe mantener un valor mnimo de corriente en inversa IZK para mantener el
diodo en condicin de ruptura para regulacin de voltaje.
Pues cuando la corriente en inversa se
reduce por debajo de la inflexin de la
curva, el voltaje se reduce
drsticamente y se pierde la
regulacin.
Adems existe una corriente mxima
IZM por encima de la cual el diodo
puede daarse por la excesiva
disipacin de potencia.
El zener mantiene un voltaje casi
constante a travs de sus terminales
con valores de corriente en inversa que
van desde IZK hasta IZM.
Normalmente se especifica un voltaje
nominal del zener VZ, en una hoja de
datos a un valor de corriente en inversa
llamada corriente de prueba zener

27

Valores comerciales:

Existen diodos zener comercialmente

disponibles con voltajes de ruptura de
menos de 1V hasta 250V.

28

Introduccin a los LEDs

En cualquier unin P-N con polarizacin
directa existe, dentro de la estructura
cerca de la unin una recombinacin de
huecos y electrones.
Esta recombinacin requiere que le
energa que posee un electrn libre se
transfiera a otro estado.
Parte de esta energa se emite como
calor y otra parte en forma de fotones.

29

Electroluminiscencia

En el silicio y el
germanio el mayor
porcentaje de
energa se genera
en forma de calor
y la luz emitida es
insignificante.

En materiales como el
fosfuro arseniuro de
galio (AsGaP) o
fosfuro de galio (GaP),
el nmero de fotones
de energa de luz
emitida es suficiente
para crear una fuente
de luz muy visible.

Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una

fuente de energa elctrica se le llama electroluminiscencia

30

LEDs (Diodo Emisor de Luz)

Diodo Emisor de Luz (LED)

Cuando se polariza en directa, los electrones
atraviesan la unin PN desde el material tipo N y
se recombinan con huecos en el material tipo P
Los electrones que se recombinan liberan energa
en forma de fotones y estos se emiten como luz
visible. A este fenmeno se le conoce como
electroluminiscencia.

31

El color de la luz depende de:

Para establecer el color de la luz emitida, se agregan

impurezas durante el proceso de dopado para
establecer la longitud de onda.

Algunos LEDs emiten fotones con longitudes de onda

localizadas en la parte infrarroja (IR) del espectro.

32

Materiales para fabricacin de LEDs

Material
Semiconductor

Compuesto

Color de luz
emitida

Notas importantes

Arseniuro de galio

GaAs

IR (invisible)

Radiacin infraroja (invisible).

Se utiliz en los primeros LEDs

Rojo

Fosfuro Arseniuro de
Galio

GaAsP

Fosfuro de galio

GaP

Rojo brillante y
naranja

Los primeros leds visibles estaban sobre un

sustrato de Arseniuro de Galio.
Se increment la eficiencia utilizando sustrato de
fosfuro de galio (GaP)

Verde plida
Amarilla

Usando una porcin de material rojo y una

verde

Fosfro Arseniuro de
Galio-Aluminio

GaAlAsP

Rojo, verde,
amarillo

Colores super brillantes

Fosfuro de AluminioGalio-Indio

InGaAlP

Rojo, naranja,
amarillo, verde

A principios de los 90 se fabricaron LEDs

ultrabrillantes

Carburo de Silicio

SiC

Azul

Nitruro de Galio

GaN

Azul brillante

Nitruro de Galio-Indio

InGaN

Verde, azul

LEDs de alta intensidad blancos que producen

luz verde y azul

33

Polarizacin de los LEDs

El voltaje de polarizacin en directa a travs de un LED

es ms grande que a travs de un diodo de silicio (VF
=1.2V y 3.2V dependiendo del material).

El LED emite luz en respuesta a una corriente suficiente

con polarizacin en directa. Un incremento de I F
corresponde proporcionalmente a un incremento de la
salida de luz.

34

Aplicaciones de LEDs

Se utilizan LEDs estndar en lmparas indicadoras,

pantallas para salida de datos, displays de 7
segmentos.

Se utilizan LEDs infrarrojos en

controles remotos de dispositivos
electrnicos.

Por ejemplo: al pulsar un botn, el

IR-LED genera una seal de luz
infrarroja codificada que es
captada por el receptor de la TV.

35

Aplicaciones de LEDs

Los LEDs que producen luz de mayor intensidad que

los estndar, se utilizan para semforos, faros
automotrices, seales de informacin, publicidad e
iluminacin domstica.

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que

cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador.
El

trmino "transistor" es la contraccin en ingls de

transfer resistor ("resistencia de transferencia").
El primer transistor no era un
dispositivo de unin bipolar,
pero signific el comienzo de
una revolucin tecnolgica.

Clip para
presionar el
contacto
elctrico

Emisor
Colector
Doble contacto
puntual de oro

Base
Sustrato de Germanio

 Actualmente

se les encuentra prcticamente en todos los aparatos

domsticos de uso diario:

Radios,

televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,

hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de
refrigeracin, alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras,
impresoras, lmparas fluorescentes, equipos de rayos X,
tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3, telfonos mviles, etc.

Fue inventado por tres investigadores de laboratorios

Bell en 1947.

John Bardeen, Walter Houser Brattain y William

Bradford Shockley
El transistor de efecto de campo (FET) fue descubierto
antes que el transistor (1930), pero no se encontr
una aplicacin til ni se dispona de la tecnologa
necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores
bipolares y luego los denominados transistores de
efecto de campo (FET).

Existen dos tipos bsicos de transistores:

Transistor de unin bipolar (BJT)
Bipolar
BJT
Junction
Transistor
Transistor de efecto de campo (FET)
Field
FET
Effect
Transistor

Transistores de Unin Bipolar

(Bipolar Junction Transistor)

 Se

constituye con tres regiones de semiconductor dopadas,

separadas por dos uniones p-n. (Como si fuesen dos diodos encontrados).

Las

tres regiones son:

Transistor

Emisor
Base
Colector

npn (Dos regiones n separadas por una regin p)

Transistor pnp (Dos regiones p separadas por una regin n)

La unin pn que conecta la regin de la base

con la del emisor se denomina un in base emisor
La unin pn que conecta la regin de la base
con la del colector se denomina un in basecolector
La regin de la base est ligeramente dopada y
es muy estrecha en comparacin con las regiones
intensamente dopadas del emisor y
moderadamente dopada del colector.

El trmino bipolar se refiere al uso de huecos y electrones

como portadores en la estructura del transistor.
Sus smbolos son:

NOTA:

(La flecha se dirige hacia el material tipo n)

npn

pnp

 Para

que el transistor funcione como amplificador, las dos uniones

deben estar polarizadas correctamente por voltajes externos.

unin base-emisor (BE) est polarizada en directa

La unin base-colector (BC) est polarizada en inversa
La

Se

describir el comportamiento interno de un transistor npn, y para

conocer el comportamiento de un transistor pnp, slo es necesario

invertir los papeles de electrones y huecos, las polaridades de las
fuentes externas y las direcciones de las corrientes.

La polarizacin en directa base-emisor

estrecha la capa de agotamiento (BE)
La polarizacin en inversa base-colector
ensancha la capa de agotamiento (BC)

La regin tipo n del emisor genera electrones de la

banda de conduccin (libres), que se difunden
fcilmente a travs de la unin BE polarizada en directa
hacia la regin tipo p de la base (Como ocurre con un
diodo polarizado en directa)

La base est dopada ligeramente y es muy estrecha (tiene un

nmero limitado de huecos)
Esto provoca que no todos los electrones (que cruzan la unin BE)
provenientes del emisor se recombinen en la base.
Los pocos electrones recombinados forman la corriente de
base IB que es muy pequea.

Casi todos los electrones que fluyen del emisor no se recombinan con los
huecos de la base.
Por lo que se difunden en la regin de vaciamiento base-colector (BC)
Despus son llevados hacia el colector (atravesando la unin BC polarizada en inversa )
por la accin del campo elctrico en la regin de empobrecimiento (establecido
por la fuerza de atraccin entre iones positivos y negativos).
Es como si se tirara de los electrones a travs de la unin BC mediante la
atraccin de los iones positivos que estn en el material n
Los electrones se
mueven a travs del
colector, y salen hacia
la terminal positiva de
la fuente de cd externa
formando la corriente
de colector IC

Existen tres tipos bsicos de configuracin de

transistores:
Base comn
Colector comn
Emisor comn

flujo de corriente
convencional

 Se

denota as pues la base es comn tanto a la entrada como a la

salida. (Por lo general la base es la terminal ms cercana o se encuentra conectada a tierra )
Para polarizar correctamente el transistor se debe comparar la
direccin de IE con la polaridad de VEE y la direccin de IC con la
polaridad de VCC

IE =IC+IB

Se requieren dos conjuntos de caractersticas

para describir el comportamiento de un
dispositivo de tres terminales:
Los parmetros de entrada (o punto de excitacin)
Los parmetros de salida

Parmetros de entrada

Relacin de corriente de
entrada (IE) con un voltaje de
entrada (VBE) para varios
niveles de voltaje de salida
(VCB)

Parmetros de salida

Relacin de corriente de salida (IC) con

un voltaje de salida (VCB) para varios
niveles de corriente de entrada (IE)

El conjunto de caractersticas de salida tiene tres

regiones de inters:

Regin activa:

Regin de corte: (Ambas uniones en inversa)

Regin de saturacin: (Ambas uniones en directa)

La unin base-colector se polariza inversamente.

La unin emisor-base se polariza directamente.
Unin base-colector tiene polarizacin inversa.
Unin emisor-base tiene polarizacin inversa.
Unin base-colector en polarizacin directa
Unin emisor-base en polarizacin directa

En la regin activa, cuando la corriente de emisor IE se

incrementa por arriba de cero, la corriente de colector IC
aumenta a una magnitud aproximadamente igual a la de IE, por
lo que ICIE
la regin de corte,
la corriente de
colector de cero
amperes (0 A).

En

la regin de
saturacin (a la
izquierda de VCB=0),
la corriente del
colector IC se
incrementa
exponencialmente
cuando el voltaje se
incrementa hacia 0V.

En

 Se

utiliza la aproximacin ICIE suponiendo en un inicio que IB0A

La

flecha del smbolo define la direccin del flujo convencional de

corriente como se indica en la figura.

Despus

se insertan las fuentes de dc con polaridad de acuerdo a la

direccin de corriente indicada.

Relaciones de corriente importantes:

IE=IC+IB
=IC / IE
IC= IE

Para cualquier configuracin de transistor en

el modo de cd (corriente directa) el voltaje
base-emisor VBE es de 0.7V

 Denotado

colector.

Se

as pues el emisor es comn a la terminal de la base y al

requieren dos conjuntos de caractersticas para describir su

comportamiento: las caractersticas del cto. de entrada (baseemisor) y las de salida (colector-emisor).

Las corrientes IE, IC, e IB se muestran en su

direccin convencional.
Cambia la configuracin, pero se puede
seguir utilizando las de corriente establecidas
para la configuracin base comn.

IE
IC

=IC+IB
=IE

Parmetros de entrada

Grfica de la corriente de salida

(IC) en funcin del voltaje de
salida (VCE) para un rango de
valores de corriente de entrada
(IB).

Parmetros de salida

Grfica de la corriente de entrada

(IB) en funcin del voltaje de
entrada (VBE) para un rango de
valores de voltaje de salida (VCE).

La magnitud de IB est en microamperes

La magnitud de IC est en miliamperes

Las curvas de IB no son tan horizontales como las de IE,

en la configuracin base comn.
Esto indica que el voltaje del colector al emisor influir
sobre la magnitud de la corriente del colector.

 La

regin activa de la configuracin de emisor comn se puede

emplear tambin para la amplificacin de voltaje, corriente o
potencia.

Cuando se utiliza como

interruptor en el circuito
lgico de una
computadora, un
transistor tendr dos
puntos de operacin: uno
en la regin de corte y
otro en la regin de
operacin.
En la figura se muestran las tres regiones
de salida.

Regin activa:
La unin colector-base se
polariza inversamente.
La unin base-emisor se
polariza directamente.

El factor de amplificacin de corriente directa

es conocido como o hFE (en las hojas de
especificacin) y est en un rango de 50 a 400.

Si =200, esto indica que, la corriente del

colector equivale a 200 veces la magnitud de
la base

dc= IC / IB

Tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de

salida a diferencia de las configuraciones anteriores.
Para propsitos prcticos, las caractersticas de salida para
config. de colector comn son las mismas que para config.
emisor comn.

Entrada.- Grfica de la corriente de entrada (IB) en funcin del

voltaje de entrada (VBC) para un rango de valores de voltaje de
salida (VCE).
Salida.- Grfica de la corriente de salida (IE) en funcin del
voltaje de salida (VEC) para un rango de valores de corriente
de entrada (IB).
La corriente de entrada (IB) es la misma para las
caractersticas de ambas configuraciones.
El eje horizontal de voltaje para la config de colector comn
se obtiene cambiando el signo del voltaje colector-emisor
(VCE) de la config. de emisor comn, para obtener (VEC).

Para un transistor existe una regin de operacin

sobre las caractersticas, las cuales aseguran:
Que No se rebasen los valores mximos.
Que la seal de salida exhiba una distorsin mnima.

Los lmites de operacin para transistores se

definen en su hoja de especificaciones y los
principales son:
Corriente mxima de colector corriente continua del
colector.
Voltaje mximo de colector al emisor VCEO V(BR)CEO

Los transistores se encuentran disponibles en

una amplia variedad de tipos de
encapsulados para diversas aplicaciones.

Los que tienen bornes o disipadores de calor

suelen ser transistores de potencia.

Los de baja y mediana potencia tienen

encapsulados de metal o plstico.

Los fabricantes suelen clasificar los transistores BJT

en tres categoras:
Dispositivos de propsito general y seal pequea

Amplificadores de baja a mediana potencia o para circuitos de conmutacin.

Encapsulado metlico o de plstico. Algunos encapsulados tienen transistores
mltiples

Dispositivos de potencia
Aplicaciones para manipular grandes corrientes mayores a 1A y/o grandes
voltajes, por ejemplo en la etapa final de audio en un sistema
estereofnico para excitar las bocinas. (Generalmente la lengeta metlica
es comn al colector y suele estar conectada a algn disipador de calor)

Dispositivos de RF (radiofrecuencia/microondas)

Diseados para operar a frecuencias extremadamente altas y suelen

usarse para varios propsitos en sistemas de comunicacin y otras
aplicaciones de alta frecuencia.

Para verificar el funcionamiento de un

transistor se puede utilizar:
Un hmetro (Indica niveles de resistencia entre las
terminales)
El medidor digital incluido en el multmetro (indica
el nivel de hFE)

Para un transistor en la regin activa, la unin base-emisor tiene

polarizacin directa y la unin base-colector polarizacin inversa. Por lo
tanto:
La unin con polarizacin directa debe registrar una resistencia relativamente baja
(100 a unos cuantos k),
Mientras que la unin en polarizacin inversa debe indicar una resistencia mucho
mayor (excede 100k).

Si el transistor no muestra este comportamiento quiere decir que est

daado.

Adems de haber determinado el buen

funcionamiento del transistor con el hmetro, el
tipo de transistor tambin puede determinarse
observando la polaridad de las puntas de prueba.

Unin base emisor: Punta positiva a base y punta

negativa a emisor, una lectura de baja resistencia
indicar un transistor npn y una lectura de baja
resistencia, indicar un transistor pnp

Proporciona el nivel de hFE

Se tiene la opcin pnp y npn
En el modo de verificacin de diodos se pueden
verificar las uniones p-n de un transistor.
Con el colector abierto, la unin base-emisor debe dar
por resultado aproximadamente 0.7V con la punta roja
(positiva) conectada a la base y la punta negra (negativo)
conectada al emisor.
Con el emisor abierto, se puede verificar los estados de
polarizacin directa e inversa de la unin base-colector.

Transistor de Efecto de Campo

(Field Effect Transistor)

Transistor de Efecto de Campo

FET (Field Effect Transistor)

FET

BJT

Existen dos tipos de FET:

JFET Transistor de Efecto de Campo de
Unin
(Junction Field Effect Transistor)
MOSFET Transistor de Efecto de Campo
Semiconductor de Oxido Metlico
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

Transistor de Efecto de Campo

de Unin

Dispositivo controlado por voltaje en donde el

voltaje entre dos terminales (compuerta-fuente)
controla la cantidad de corriente a travs del
dispositivo.

Tienen una muy alta resistencia de entrada. (De 1 a

varios cientos de megaohms respecto de la entrada del BJT).

Ms estables a la temperatura.

Ms pequeos en construccin que los BJT

Opera con una unin polarizada en inversa para

controlar la corriente a travs del dispositivo.

Existen transistores de efecto de campo de canal n y

de canal p

FET
La

de canal n:

mayor parte de la estructura es de material tipo n

En el material tipo n se difunden dos regiones de material tipo p
para formar un canal y ambas regiones se conectan a la terminal de
la compuerta G (gate)
La parte superior del canal est conectada al drenaje D (drain)
La parte inferior del canal est conectada a la fuente S (source)

Smbolo
Drenaje

Drenaje

Fuente

Fuente

Canal n

Canal p

. .

.'

Durante la ausencia de cualquier potencial aplicado, el JFET

tiene dos uniones p-n.
En cada unin se forma una regin de agotamiento.
(Semejante a la regin de un diodo sin polarizacin)

VDD proporciona un voltaje del drenaje a la fuente y

suministra una corriente del drenaje a la fuente.
VGG establece el voltaje de polarizacin en inversa entre la
compuerta y la fuente.

La polarizacin inversa entre compuerta y fuente produce una regin de

agotamiento en el canal, incrementando su resistencia.
El ancho del canal puede controlarse variando el voltaje de la compuerta,
con lo cual, tambin se controla la cantidad de corriente del drenaje ID.
Las reas sombreadas representan la regin de empobrecimiento creada
por la polarizacin inversa.

La regin de agotamiento es ms amplia hacia el extremo del

drenaje del canal pues el voltaje de polarizacin en inversa
entre compuerta y drenaje es mayor que el existente entre
compuerta y fuente.

Ejemplo de operacin bsica del

JFET
+
D

(a) JEFf polarizado por conduccin

(e) Un Vas menor ensa ncha al canal e incrementa la ID

\.\.

VGS=0 se logra poniendo en corto circuito la compuerta y la fuente

(Mandando a tierra tanto la compuerta como la fuente).

Cuando VDD (y por tanto VDS) se incrementa desde cero, la ID crece

proporcionalmente entre los puntos A y B.

En esta regin
(regin hmica),
la resistencia del canal
es constante, pues la
regin de empobrecimiento
no es suficientemente
grande para tener un
efecto significativo.

En el punto B los niveles de la curva se

estabilizan e ID se vuelve constante.
Cuando VDS va creciendo desde el punto B al
punto C, los niveles de ID permanecen
constantes.
Cuando VDS va
creciendo desde el
punto B al punto C, los
niveles de ID
permanecen
constantes.

(La

regin de
empobrecimiento es
suficientemente grande para
compensar el incremento de
VDS manteniendo ID
constante).

Para VGS=0
Voltaje de estrangulamiento VP: Es el valor de VDS al que ID se vuelve
constante y siempre se mide cuando VGS=0(punto B de la curva).
(Tiene un valor fijo para cada FET)

IDSS (Corriente de drenaje a la fuente con la compuerta en corto VGS=0):

Es la mxima corriente del drenaje que un JFET es capaz de producir, sin
importar el circuito externo.
(Su valor siempre se encuentra
en la hoja de datos y siempre
se especifica para la condicin
de VGS=0 V)

Se

puede ver que al

incrementar VDS
por encima del voltaje
de estrangulamiento VP,
ID se establece en un valor IDSS
(punto B a punto C) cuando VGS=0.

La ruptura ocurre en el punto C cuando ID empieza a crecer muy rpido

con cualquier incremento adicional en VDS.

La ruptura puede daar irreversiblemente el dispositivo.

Por lo que siempre se debe operar por debajo de la ruptura, dentro de la

regin de corriente constante (entre los puntos B y C)

Como se haba mencionado, cuando se conecta un voltaje de

polarizacin VGG de la compuerta a la fuente se puede controlar el ancho
del canal y por lo tanto la cantidad de corriente del drenaje ID.

A medida que VGS se establece en valores ms negativos (mediante el ajuste de

VGG), se obtiene una familia de curvas caractersticas del drenaje.

ID decrece a medida que la

magnitud de VGS se
incrementa a valores
negativos.

Observar

que por cada

incremento negativo de
voltaje VGS, se alcanza
el estrangulamiento
(donde comienza la corriente a ser
constante) a valores
menores que Vp.

El valor de VGS que hace que ID sea aproximadamente

cero, es el valor de corte y se le conoce como VGSapag

Mientras ms negativo sea

VGS menor se vuelve ID en
la regin de corriente
constante.

Cuando VGS adquiere un

valor negativo
suficientemente grande, ID
se reduce a cero.

El

efecto del corte es provocado por el ensanchamiento de la

regin de empobrecimiento hasta un punto en el que cierra por
completo el canal.

La

operacin bsica del

JFET canal p es igual a
la de un dispositivo canal
n, excepto que
requieren un VDD
negativo y un VGS
positivo.

Para un rango de voltajes de compuerta-fuente entre

VGS=0 y VGSapag la corriente ID variar desde un mximo de IDSS
hasta un mnimo casi igual a cero.

Existen diferencias entre el estrangulamiento

y el corte, pero tambin una relacin:

VGSapag

opuesto.

y VP siempre son iguales en magnitud pero de signo

En

las hojas de datos slo se menciona uno de estos valores,

pero cuando se conoce uno, slo se tiene que invertir el signo
para conocer el otro.

Ejemplo:

Si VGSapag =-5V entonces VP=5V

Transistor de Efecto de Campo

Semiconductor de Oxido
Metlico

Difiere del JFET en que no tiene estructura de

unin p-n.
Sino que tiene la compuerta aislada del canal
por medio de una capa de bixido de silicio
SiO2
Existen dos tipos:
MOSFET D (De empobrecimiento)
MOSFET E (De enriquecimiento)

El drenaje y la fuente se difunden en un

material de sustrato y se conectan a la
compuerta aislada mediante un canal
estrecho.

Smbolos del MOSFET D

Drenaje

Fuente
Canaln

Drenaje

Fuente
Canalp

Puede funcionar

tanto en modo de empobrecimiento,

como en modo de enriquecimiento.

Como la compuerta est aislada del canal , es posible aplicar voltajes de

compuerta tanto positivos como negativos.

POLARIZACIN DE MOSFET CANAL N:

Cuando el voltaje entre compuerta y fuente es negativo (-VGS), el

MOSFET D opera en modo de empobrecimiento.

Cuando el voltaje entre compuerta y fuente es positivo (+VGS), el MOSFET

D opera en modo de enriquecimiento.

NOTA: La operacin del MOSFET canal p es la misma, pero las polaridades de

voltaje son opuestas.

Imaginar un capacitor de placas paralelas.

La compuerta sera una placa, el canal sera la otra placa y el
dielctrico sera el bixido de silicio SiO2.
Con un voltaje de compuerta negativo (-VGS), las cargas
negativas sobre la compuerta repelen a los electrones de
conduccin procedentes del canal, dejado iones positivos en
su lugar.
A consecuencia de esto, el canal n es despojado de algunos
electrones, decreciendo la conductividad del canal.

A mayor voltaje negativo en la compuerta, ser mayor el

empobrecimiento de electrones de canal n
Con un voltaje
compuertafuente VGS
suficientemente negativo
VGS(apag), el canal queda
totalmente despojado de
electrones y la corriente
de drenaje ser cero.

Con un voltaje de compuerta positivo, hacia el canal son

atrados ms electrones de conduccin, incrementando
(enriqueciendo) la conductividad del canal n.

Este slo opera en modo de enriquecimiento

y no cuenta con modo de empobrecimiento.
Carece de canal fsico
(en esto difiere del MOSFET D)

Observar en la figura
cmo el sustrato se
extiende por completo
a la capa de SiO2.

En los smbolos, observar que las lneas

discontinuas simbolizan la ausencia de un
canal fsico

Para

un MOSFET E de canal

n, un voltaje de compuerta

positivo por arriba de un

valor de umbral induce un
canal, creando una capa
delgada de cargas negativas
en la regin del sustrato
adyacente a la capa de SiO2.

La conductividad del canal se activa

incrementando el voltaje compuerta-fuente,
atrayendo as ms electrones hacia el canal.
Para cualquier voltaje de compuerta por debajo
del valor de umbral, no existe canal.

Terminamos la unidad!

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TRANSISTORES