Tecnologa Electrnica

Departamento de Tecnoloxa Electrnica

TECNOLOGA ELECTRNICA

Tema 2: Transistores

Transistores

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Definicin y clasificacin de los transistores.

El transistor bipolar, funcionamiento y curvas caractersticas.
Zonas de trabajo.
Clculo del punto de polarizacin.
El transistor como amplificador.
El transistor en conmutacin.
Transistores unipolares.

Transistores

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DEFINICIN Y CLASIFICACIN
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales, que puede usarse para
amplificar la potencia de una seal elctrica.
NPN
BIPOLARES

PNP

* FET : Field Effect Transistor

CANAL N (JFET-N)

TRANSISTORES

UNIN

CANAL P (JFET-P)

EFECTO DE
CAMPO
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

Transistores

CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)
3

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ESTRUCTURA BSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR

Independientemente del nombre de las capas, los terminales reciben el
mismo nombre.
Colector

IC

IB

N
Base

Emisor

Base

Colector

Emisor

IE

Colector

IB

IC

Base
Emisor

Base

Colector
Emisor
Transistores

IE
4

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En principio es necesario conocer 3

tensiones y 3 corrientes:

Transistor NPN
IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada

IC, IB, IE

IC
VCB
+

IB

VCE

VCE, VBE, VCB

En la prctica basta con conocer solo 2
corrientes y 2 tensiones.

Normalmente se trabaja con IC, IB, VCE y VBE.

VBE

IE
-

Por supuesto las otras dos pueden

obtenerse fcilmente:
IE = IC + IB
VCB = VCE - VBE

IC = f(VCE, IB) Caracterstica de salida

Transistores

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Transistor NPN
VCE

IB = f(VBE, VCE) Caracterstica de entrada

IB

IC
+

IB

VCE

VBE
-

VBE

Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo.

Transistores

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Transistor NPN
IC = f(IB, VCE) Caracterstica de salida
IC

IC
+

IB

IB

VCE

VBE
-

VCE

La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.
Si la VCE supera cierto valor (0,2 V tip.), IC es proporcional a IB. IC=IB
Transistores

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EJEMPLO: Resolucin grfica

IB (A)
35

RC

IC

RB
65 kW

2 kW

IB

25
VCC
14 V

VBB
2V

30

E
IE

20

15
10
5

VBB=IBRB+VBE

2
VBE (V)
Se lleva la ecuacin de la recta de carga de la entrada sobre las curvas de entrada.
La interseccin da la solucin (IB, VBE)
Transistores

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EJEMPLO: Resolucin grfica

IC (mA)
(continuacin)
7
IC

RB
65 kW

RC
C

IB

30 mA

6
5

20 mA

4
VCC
14 V

VBB
2V

2 kW

IB (A)

E
IE

VCC=ICRC+VCE

3
10 mA

2
1
2

10 12 14 16 18

Se lleva la ecuacin de la recta de carga de la salida sobre las curvas de salida.

La interseccin da la solucin (IC, VCE)

Transistores

0 mA
VCE (V)

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Zona activa: IC=IB

IB (A)

Regiones de funcionamiento:
IC (mA)

IC
+
+

IB

VCE

VBE
-

40

400

30

300

20

200

10

100
0
VCE (V)

Zona de
saturacin

Zona de corte
Activa: La unin de emisor est polarizada en directa y la de colector en inversa:
IB > 0
VCE > 0,2 V
Se utiliza en aplicaciones de amplificacin.
Corte: Ambas uniones estn polarizadas en inversa:
VBE < 0,7 V
VCE 0
Se utiliza en aplicaciones de conmutacin.
Saturacin: Ambas uniones estn polarizadas en directa:
IB > 0 IB > IC > 0 VCE = 0,2 V
Se utiliza en aplicaciones de conmutacin
Transistores

10

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Modelos del transistor en las diferentes regiones de funcionamiento:

IC
IC
+
VBE

IC

IB

Zona activa

IB

+
VBE = 0,7V

VCE

VCE

IB

IC IC<IB

Zona de
saturacin
IB

IB

VBE = 0,7V

+
VCE= 0,2V
IC=0

Zona de corte
+

VCE

VBE
Transistores

IB

+
VCE
11

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Modelos del transistor en las diferentes regiones de funcionamiento:

Zona

Suposiciones

Comprobaciones

Corte

IC = IB = IE = 0

VBE < VBEcond

VCE > 0

Activa

VBE = VBEcond
IC = IB

IB > 0
VCE > VCEsat

Saturacin

VBE = VBEcond
VCE = VCEsat

IB > 0, Ic > 0
IC < IB

VBEcond = 0,7 V (tip.), VCBsat = -0,5 V (tip.), VCEsat = 0,2 V (tip.)

Transistores

12

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CIRCUITOS DE POLARIZACIN
En aplicaciones de amplificacin, los circuitos estn diseados para trabajar en zona activa.
Polarizacin mediante divisor de tensin: Es el ms ampliamente utilizado
+VCC
+VCC

+VCC

RC

R1 y R2
forman un
divisor de
tensin

R1

RC

R1 R2

R1
+VBB

VBB
R2

RE

R2
VBB =
Transistores

R2
R1 + R2

VCC

RE

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EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
Los transistores, sobre todo en aplicaciones de electrnica digital y de potencia, trabajan
en saturacin y en corte como elementos de conmutacin.
En conmutacin, el transistor se comporta como un interruptor controlado por la
corriente de base.

Vcc
Si se inyecta suficiente
corriente por la base,
el transistor se satura.
RC
2k

VCC

0V

vin

Vcc

0V

vout
hFE = 200

RB
65k
Transistores

Si no se inyecta
corriente por la base,
el transistor pasa a
zona de corte
14

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EJEMPLO: Resolucin grfica

IB (A)

IC (mA)
7

IC

RB
65 kW

RC
C

2 kW

IB

30 mA

6
5

20 mA

4
VCC
14 V

VBB

E
IE

10 mA

2
1

10 12 14 16 18

Si IB supera los 35A, el transistor se satura.

Si IB es cero, el transistor estar en corte.
Transistores

0 mA
VCE (V)

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EL TRANSISTOR EN CONMUTACIN
+VCC

2KHz

RC
RB

200KHz

El paso de corte a
saturacin y viceversa,
no se realiza en un
tiempo nulo.
Transistores

16

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EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

RC

IC

Vi

RB
65 kW

2 kW

IB

Vi = VBB

Vi = VBB + VS

VCC
14 V

Vi

2V
VBB

IE

Transistores

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EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

IB (A)

IC (mA)

35

30

25

20
15

10

IB (A)
30 mA
20 mA

VBE (V)

10 mA

Transistores

10

12 14 16

18

0 mA
VCE (V)

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ACOPLAMIENTO DE LA SEAL ALTERNA

Una vez que el transistor est polarizado en la zona activa, se le puede acoplar una
pequea tensin alterna en la base, lo que producir una tensin alterna ms grande en
el colector.

La tensin alterna del colector es una versin amplificada de la tensin alterna de base
pues ser similar a sta pero de mayor amplitud.
La tensin de alterna se suele acoplar a travs de un condensador. De la misma forma, la
salida del transistor tambin se suele acoplar a travs de un condensador con la carga.
XC
dc = 100
R

Transistores

100 kW

19

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ACOPLAMIENTO DE LA SEAL ALTERNA

Dado que la impedancia del condensador es inversamente proporcional a la
frecuencia, el condensador bloquea la tensin continua y transmite la tensin de
alterna.
XC

R
XC = -----2fC

Circuito abierto

Cortocircuito

Para anlisis dc, el condensador es un circuito abierto. ( Si f = 0 XC = )

Para anlisis ac, el condensador es un cortocircuito.

Transistores

( Si f y C XC 0 )

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AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN:

Se caracteriza porque su emisor est conectado a un punto de masa de alterna. La seal de
alterna se acopla a la base y la seal amplificada aparece en el colector.
+10 V
3.6 kW
+6.04 V
10 kW
0

+1.8 V
0

100 kW
+1.1 V

100 mV
2.2 kW

1 kW

Transistores

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LECTURA DE HOJA DE CARACTERSTICAS

Los transistores deben trabajar dentro de unos rangos mximos de tensin,
corriente y potencia. Es decir, dentro de un rea de operacin segura (Safe Operating
Area, SOAR)
IC
C
Ejemplo transistor 2N3904:
VCBO = 60 V
VCEO = 40 V
VEBO = 6 V
ICmax = 200 mA

ICMAX

B
E
PMAX

Estos valores corresponden a tensiones inversas de

ruptura con uno de los terminales del transistor abierto
(por ej.: VCBo es la tensin colector-base con el terminal de
emisor abierto.

Transistores

SOAR
VCE-MAX

VCE

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EL FOTOTRANSISTOR

hf
Emisor

Base

Colector
e

Ir

Equivalente

h+

E
n+

Z. deplex.

Z. deplex.

VBE

VBC

VCC

IB

IC = Ir
Transistores

IE = (1+) Ir
23

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EL FOTOTRANSISTOR
El encapsulado transparente permite que los fotones incidan directamente en la
base del fototransistor

Para aumentar la sensibilidad a la radicacin (IR, luz, UV), la mayora de los

fototransistores no tienen terminal de base (dispositivos de 2 terminales)

IC = Ir

IE = (1+) Ir
Transistores

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TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Un transistor de efecto campo es un dispositivo de estado slido, en el que un
campo elctrico controla el flujo de corriente entre dos de sus terminales.

CANAL N (JFET-N)
UNIN

CANAL P (JFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)

TRANSISTORES DE
EFECTO CAMPO
* FET : Field Effect Transistor

Acumulacin
METAL-OXIDOSEMICONDUCTOR

Deplexin

CANAL P (MOSFET-P)
CANAL N (MOSFET-N)
CANAL P (MOSFET-P)

Tambin se les denomina transistores unipolares.

Transistores

25

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EL TRANSISTOR MOSFET
D

G
S

Canal N

G
S

G
S

Canal P

Canal N

MOSFET acumulacin

Canal P

MOSFET deplexin

G - Puerta (Gate)

D - Drenador (Drain)
S - Surtidor o fuente (Source)

Transistores

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EL TRANSISTOR MOSFET
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N:
G
S

Metal
O xido (aislante)
S emiconductor

P
SUSTRATO

Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra conectado con la fuente (S)

La puerta est aislada del sustrato mediante una capa se SiO2. Por lo tanto, entre
puerta y fuente el MOSFET se comporta siempre como un circuito abierto.

Transistores

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EL TRANSISTOR MOSFET
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N:
ID (mA)
ID

V GS

10

40
30

20

G
S

10

4
2

V DS (V)

- Por la puerta (G), no circula corriente.

- Entre drenador (D) y surtidor (S) puede circular corriente, si la tensin entre puerta
y surtidor (VGS) alcanza un valor mnimo.

- Cuanto mayor es VGS, ms corriente puede circular entre drenador (D) y surtidor (S).
- A partir de cierto valor de VDS, la corriente depende slo de VGS.
Transistores

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EL TRANSISTOR MOSFET
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N:
ID (mA)
10
40
ID

RD
200W

VGS (V)

20

S
V1

30

VCC
8V

6
10
4

6V
2

Transistores

VDS (V)

29

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EL TRANSISTOR MOSFET
El MOSFET canal N como dispositivo de tres estados:
Estados de MOSFET canal N

Vt = tensin umbral
(valor mnimo de VGS
necesario para que pueda
haber corriente entre
drenador y surtidor)

Corte

Conduccin
VGS Vt > 0

VGS Vt > 0
ID (mA)

V GS
10

40
30

20
6

10

Por debajo de
esta tensin no
Circula corriente

4
2

V DS (V)

Transistores

hmico
VDG - Vt

Activo
VDG - Vt

Valor lmite: VGS VDS = Vt

VDG = -Vt
30

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EL TRANSISTOR MOSFET
El MOSFET como dispositivo de tres estados:

Estado de corte: El transistor se modela como un circuito abierto.

S
Estado hmico: El transistor se modela como una resistencia no
lineal controlada por tensin.

ID = K [ ( VGS Vt)VDS

VDS
]
2

Estado activo: El transistor se modela como una fuente de corriente

no lineal controlada por tensin.

VDS > VGS - Vt

K
2
ID =
( VGS Vt)
2
Transistores

D
S
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TRANSISTORES BIPOLARES COMERCIALES

TOSHIBA

VCE = 1500
IC = 8
HFE = 20

Transistores

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TRANSISTORES MOSFET COMERCIALES:

Transistores

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BIBLIOGRAFA
MATERIAL BSICO:
PRINCIPIOS DE ELECTRNICA. A. Malvino, D.J. Bates. Ed. McGraw Hill. 7 Edicin. 2006.
Captulos 6, 7, 8,9,10,11 y 14.
CIRCUITOS ELECTRNICOS: Anlisis, Simulacin y diseo. N.R. Malik. Ed. Prentice Hall.
1996. Captulo 4,5,6,7.
ELECTRNICA ANALGICA PARA INGENIEROS. J. Pleite Guerra, R. Vergaz Benito, J.M. Ruiz
de Marcos. Ed. McGraw Hill. 2009. Mdulo 1: temas 6 y 7. Mdulo 2: Problemas vinculados
a los temas 6 y 7. Mdulo 3: Simulaciones vinculadas a los temas 6 y 7.
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRNICOS ANALGICOS: Aplicacin prctica en el
Laboratorio. A. Lago Ferreiro, A.A. Nogueiras Melndez. Ed. Andavira. 1 Edicin. 2012.
Prcticas 5 y 6.
MATERIAL COMPLEMENTARIO:

ELECTRONICA Y AUTOMATISMOS. Area de Tecnologa Electrnica. Escuela Universitaria de

Ingenieras Tcnicas de Mieres. Universidad de Oviedo.
ELECTRNICA. A.R. Hambley. Ed. Prentice-Hall. 2 Edicin. 2001. Captulo 4,5.
Transistores

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