Doctorado Emi PDF

Interferencias Electromagnticas
en Sistemas Electrnicos
Universidad de Oviedo
CURSO DE DOCTORADO
Alberto Martn Perna
Introduccin
EMC: (Electromagnetic compatibility) se define como la aptitud de un

dispositivo, de un aparato o de un sistema para funcionar en su entorno
electromagntico de forma satisfactoria, sin verse afectado en su
funcionamiento (inmunidad) y sin producir l mismo perturbaciones
electromagnticas intolerables para todo lo que se encuentre en su
entorno (emisin).
EMI: (electromagnetic interference) el tipo particular de perturbacin

del entorno electromagntico son las interferencias electromagnticas.
reas tpicas
Sistemas electrnicos programables con buses de
comunicaciones digitales
- Generadores de interferencias y muy susceptibles a ellas.
Interferencias en la recepcin de radio

Perturbaciones generadas en la alimentacin elctrica
- Variaciones de tensin, fluctuaciones, distorsin de la forma de onda,
sobretensiones.
Equipos electrnicos de potencia

- Fuentes conmutadas, inversores
Aparatos electroexplosivos
Ejemplos de disfunciones
Sistemas de cierre centralizado, techo solar
- Se accionan al utilizar el telfono mvil
Cajas registradoras
- En tiendas con moqueta y personal con vestidos de nylon, los terminales
quedaban bloqueados o daban datos incorrectos.
Puertas electrnicas de garajes

- se activan con encendedores piezo-elctricos
Aparatos electrnicos de uso mdico

Radar de deteccin de misiles del HMS Sheffild
- en la guerra de las Malvinas el sistema de comunicaciones del barco
bloque el radar que poda haber detectado el misil EXOCET de la fuerza
area Argentina
Perturbaciones electromagnticas:
Campo
electromagntico
Captador
Sistema de procesamiento
1
0
1
0
+24
?
1
1
0
0
Seal til
+24
1
0
Perturbacin electromagntica
Perturbaciones conducidas
en sistemas elctricos
Onda normal
Origen :Natural
Provocado
Transitorios
Sobretensin
Huecos de tensin
Ruido de alta frecuencia

Interrupcin breve
Circuitos resonantes
Contactores
Arcos
Semiconductores
Imperfecciones de la red
Descargas atmosfricas
Interferencias tpicas
Conmutacin de un circuito inductivo por
contactos secos
Tensin en los bornes de un contacto despus

de un corte de corrientes inductivas
Pulsos
Pulsosposicionados
posicionadosde
deforma
formairregular
irregularoo
intermitente
intermitentesobre
sobrela
laonda
ondade
detensin:
tensin:
1.
1.Sistemas
Sistemasde
decontrol
controlde
deluces
lucesintermitentes
intermitentes
2.
2.Termostatos
Termostatos
3.
3.Contactores
Contactores
4.
4.Elementos
Elementosde
deconex.-desconex.
conex.-desconex....
...
Oscilograma obtenido tras la apertura de un

contactor de 9A sin limitacin de cresta
Espectro
Espectro de
de frecuencia
frecuencia de
de las
las
perturbaciones
emitidas
perturbaciones emitidas
comprendido
comprendido entre
entre algunos
algunos kHz
kHz
yy varios
MHz
varios MHz
Conduccin
Radiacin
Conmutacin de un circuito inductivo
por semiconductores
ngulo
ngulode
dedisparo
disparo
UUNN
RRdd
XXdd
++
CARGA
CARGA
RRNN
EE
XXNN
++
Esquemas simplificado de un
accionamiento para un motor de
corriente continua
IdId
Corriente
Corriente
demandada
demandada por
por el
el
accionamiento
accionamiento
Tensin
Tensin en
en el
el punto
punto de
de
conexin
comn
PCC
conexin comn PCC
Motores elctricos
Los motores con escobillas y colector generan perturbaciones

de tipo transitorio con frentes rpidos (dv/dt elevada) que se
producen en la fase de conmutacin de las escobillas
Circuitos de control de lmparas fluorescentes y balastos
electrnicos
Fuentes de alumbrado que

funcionan segn el principio de un
arco elctrico que se enciende y se
apaga alternativamente
Perturbaciones en un
espectro de frecuencias muy
amplio:
0 -100 kHz - 5 MHz
Dos nubes principales de pulsos,
separadas por pulsos individuales
uniformemente repartidos
Pulsos procedentes de los circuitos de
control de lmparas fluorescentes
Emisor de radio
Ondas senoidales de alta
frecuencia modulada
Amplificadores u osciladores
industriales de alta potencia
Ondas senoidales no moduladas
Acoplamientos por conduccin
Acoplamiento
Acoplamiento aa
travs
travs de
de la
la red
red de
de
tierras
tierras
Acoplamiento
Acoplamiento aa travs
travs de
de los
los
conductores
conductores que
que forman
forman parte
parte
de
de la
la instalacin
instalacin
Las perturbaciones conducidas

se transmiten a travs de los conductores
red de distribucin,
cables de control,
cables de transmisin de datos,
cables de proteccin (PE-PEN),
tierra,
capacidades parsitas
Acoplamiento
Acoplamiento
mediante
mediante un
un medio
medio
fsico
fsico slido
slido

Acoplamiento en modo diferencial
+
UN
ZMD1
ZMD2
Red de
distribucin
Sistema
perturbado
Sistema
perturbador
Este tipo de perturbacin se reduce mediante la correcta

eleccin de las impedancias de lnea de los diferentes
circuitos y/o la utilizacin de filtros

Equipos electrnicos monfsicos
Corriente
Corriente
demandada
demandada por
por
el
el ordenador
ordenador
Tensin
Tensin en
en el
el punto
punto de
de
conexin
conexin comn
comn PCC
PCC

Acoplamiento en modo comn
+
UN
Z
Red de
distribucin
Sistema
perturbado
Cp
Sistema
perturbador
ZMC
Cp
IMC
Corriente de modo comn que circula por la red de tierra a

travs de las capacidades parsitas

Medida de corriente en modo comn y en modo
diferencial
Instrumento
de medida
Instrumento
de medida
Acoplamientos por radiacin
Acoplamiento inductivo
Acoplamiento
Acoplamiento capacitivo
capacitivo
El
El acoplamiento
acoplamiento tiene
tiene lugar
lugar mediante
mediante la
la
existencia
existencia de
de campos
campos electromagnticos
electromagnticos
creados
creados por
por el
el emisor
emisor yy recogidos
recogidos por
por el
el
receptor
receptor susceptible
susceptible que
que se
se encuentra
encuentra en
en su
su
entorno
entorno
Clasificacin de las perturbaciones atendiendo

a la frecuencia de la seal perturbadora
Perturbaciones
radiadas
Perturbaciones
radiadas por cable
Perturbaciones
conducidas
Perturbaciones de baja
frecuencia o armnicas
9 kHz
30 MHz
300 MHz
1 GHz
Aproximacin circuital
(variacin temporal lenta)
Ec. De Maxwell
r
r
B
rot E =
t
r
div D =
r
r r D
rot H = J +
t
r
div B = 0
r
r
J = E
r
r
D
J >>
t
Ec. Constitutivas
del medio
r
r
D = E
r
r
B = H
r
r
J = E
Condiciones de
contorno
Solucin de:
r r r r
D,E, B,H
r
r
D
J >>
t
Electrosttica
r
r r
divEdv = Eds
S
T. de Gauss
r
r
r
B
r r
r r
rot E =
= 0 E = grad V
dV = Ed l V = Ed l
t
dV = gradVdl
r r
r
Q v dv div Edv s Ed s
C= = r r =
r r = r r
V Ed l
Ed l
Ed l
r
r
r
r
J r
dl
J = E V = d l = I
=RI
S
Ley de Ohm
r
r
D
J >>
t
Magnetosttica
r
r r D
rot H = J +
t
r
div B = 0
r
r
rot B = J
v r
s Hd s
L= =
r r
I
Hd l
c
r r
r
rotBds = J
s
Tma. de Stokes
r r
Bd l = I
r r
Hd l = I
Ley de Ampere
Inductancia
Campos variables
r
r
B
rot E =
t
r
r
r r
r r
rot Eds = Ed l = V
r
B r
V = d s
s t
r
r r
r
A
= Bd s
E = grad V
t
r
r
r
J
A
E gen = + grad V +
t
r
r
r
r
r
r
J
A r
Egen d l = d l + grad Vd l + t d l
div B = 0 B = rot A
r
r
D
J >>
t
i(t)
1
fem = i(t)R + i(t)dt + L
t
C
T. de Stokes
t Ley de Faraday
(LI)
I
fem =
= L
t
t
V=
i(t)
L
fem
2 Ley de Kirchoff
(elementos concentrados)
Resistencia
Capacidad
Inductancia
r
r
v(t)
J = E R =
i(t)
Q i(t)dt
C= =
V
v(t)
v(t)dt
L= =
I
i(t)
COMPONENTES PASIVOS:
CONDUCTORES
Ley de Biot-Savart:Campo creado por un elemento de corriente
r
dB =
r r
I uT xu r
dl
4
2
r
uT
dl
Ley de Ampere
J(x)
Jo
dB
Distribucin de corriente en el interior de un conductor
-R
ur
v v
H dl = i
J ( x) = J o e
Jo: densidad de corriente en la superficie
=
f
: profundidad skin
Aproximacin de Meike y Gundlach

Rac/Rdc=1
si <3
Rac/Rdc=d/4+0.25 si >3
RAC / RDC
1000
d=20mm
(Cu)
100
10
1
102
d=2mm
103
104
105
106
CONDUCTORES
La presencia del campo magntico externo se asocia a una inductancia L
El campo elctrico debido a las cargas presentes en el conductor se asocia a
una capacidad C
Ambas dependen de la:
- forma, seccin del conductor
- configuracin (lazo de corriente)
- los alrededores del circuito
Pueden tratarse como LNEAS DE TRANSMISIN
L=
l 4l
ln 1
2 d
[H]
CONDUCTORES
l 2D D
L = ln
d l
[H]
H
E
I
V
Py
H
E
d
R
Py
E
H
Py
La potencia electromagntica que fluye se calcula:
P = Py dS
r r
siendo Py = E x H
CONDUCTORES
E
I
V
Py
H
E
Py = E x H
E
H
Py
Py
En el exterior del los conductores H y E son perpendiculares

La direccin de propagacin de Py es de la fuente a la carga.
La energa se transmite por el aire hacia la carga. El
conductor solo sirve de gua para el transporte.
CONDUCTORES
Difusin en conductores
En el interior de los conductores la energa electromagntica (Py)
se transmite hacia el centro
H
Py
Propagacin
Py
Py
Py
Py
Si , E0 luego Py0
Un buen conductor debe evitar
la penetracin del campo E en
su interior
Py
Py
Py
I
Difusin
Py Py Py
Py
CONDUCTORES
Propagacin en cables coaxiales
El campo H en el exterior del
cable coaxial es cero al no tener
corriente neta
H=0
Py
r r
Hd l = I = 0
El campo en el interior ser:

V
Py
V I
Py = E x H =
e 2r
I
H=
2r
V
E=
e
P = Py dS = Py S = Py (e2r )
V I
P=
(e2r ) = VI
e 2r
CONDUCTORES
Impedancia externa: Capacidad
C12
C12
h
d
D
C12 =
l
2D
ln
Cr =
Cr
Cr
2l
2
2h
2
4
h
+ 1
ln

d D
2h
2
2lln
+ 1
D
Impedancia caracterstica C =
12
1
1
2
2
2
2
4h 2h
4h 2h
L
ln
+ 1 ln
+ 1
Zo =
d D

d D
C
CONDUCTORES
Impedancia por unidad de longitud
segn el tipo de conductor
Z2
Z1
Cable desnudo
Z3
Para
Para una
una misma
misma
longitud:
longitud:
Z1
Z1 >> Z2
Z2 >> Z3
Z3 >> Z4
Z4
Cable sujeto a una

superficie metlica
Z4
Malla metlica con contacto en

todos los cruces
Plano metlico
CONDUCTORES
Velocidad de propagacin
El material aislante es el canal de propagacin de la energa
electromagntica. La velocidad de propagacin ser:
v=
v=
(
E
P[W ] =
d
t
mag
+ Eelec )
t
H=0
= EH(e2r)
P
EHe(2r)
d
= d
=
Emag + Eelec
Emag + Eelec
t
Emag = 1 o r H 2 ed(2 r)
2
Eelec = 1 o r E 2 ed(2 r)
2
v=
1
E 1
H
1
2

H 2 E
Impedancia del campo

electromagntico E/H []
Py
Py
CONDUCTORES
E/H=(/)1/2 Impedancia de onda [],
depende del medio
Si Emag=Eelec
v=
1
E
H
1
2 + 12
H
E
En el vaco E/H= (o/o)1/2 =410-7/(8.8510-12)=377

V=300 000 Km/s
Si Emag<Eelec
La impedancia Z=E/H es elevada
V=2E/(E) << 3108 m/s
H0 v0
Si Emag>Eelec
La impedancia Z=E/H es baja
V=2E/(H) << 3108 m/s
E0 v0
CONDUCTORES
Lnea bifilar. Anlisis como lnea de transmisin:
H
E
I
V
Py
H
E
dV
Py
d
dx
I
E
H
d2V
1 d2V
=
2
2
dt
LC dx
Py
Impedancia de lnea
v = LC
L
Z=
C
[m/s ]
[]
CONDUCTORES
Resumen
L = o r d F
d
C = o r
F
o r
L
Z=
= F
C
o r
L C = d o r o r
F:
depende de la geometra transversal
Z y (LC)1/2 :
depende del material (,)
y de la geometra transversal (F)
NO depende de la longitud (d)
CONDUCTORES
Lnea bifilar
1
2h
F = Log
I
V
h
d
I
d
e
R1
R2
Cable coaxial
1
R2
Log
F=
2
R1
Conductores planos
e
F=
a
I
Py
e H
E
a
CONDUCTORES
Impedancia
de onda E/H=377
Ejemplo
Lnea bifilar 16A/220V
Emag=1/2LI2=2.3mJ
Z=V/I=14
d=20m
F=0.73
Eelec=1/2CV2=6.3 J
a=2mm
L=18H
h=10mm
Eelec /Emag=2.710-3
C=240pF
r= r=1
COMPORTAMIENTO INDUCTIVO, (E/H<<377)
Conductores planos 2A/20V
d=10m
Z=V/I=10
e=1mm
F=0.02
a=5cm
L=250nH
C=4.4nF
Emag=1/2LI2=500nJ
Eelec=1/2CV2=880nJ
Eelec /Emag=1.8
COMPORTAMIENTO CAPACITIVO, (E/H>>377)
CONDUCTORES
Log(Z/Z0)
Z=1/(wC)
Z=wL
Si Z tpropagacin
Si Z tpropagacin
2
I
3
I
-1
2
I
-2
-3
-2
-1
Log(w/w O)
La zona 1 se utiliza para transporte de energa

Las zonas 2 y 3 no permiten la transmisin de potencia a determinadas frecuencias
En general la zona 4 no se utiliza para el transporte de energa.
Un caso particular de la zona 4 se utiliza para transmisin de seales (Z=Zo).
En este punto aunque el tiempo de propagacin es elevado (mayor que el periodo
de la seal), sta se transmite correctamente evitandose reflexiones en la carga
si Z=Zo .
CONDUCTORES
Para evitar resonancias parsitas en las fuentes de alimentacin,
el tiempo de propagacin en la lnea debe ser inferior que el tiempo
de conmutacin de los semiconductores
L=d(e/a)
C=d(a/e)
(L/C)1/2=(e/a)(/ )1/2
(LC)1/2= d()1/2 mxima velocidad
de propagacin
Tenemos que:
Ha=I , Ee=V E/H=(V/I)(a/e)
(a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V)
donde
(/ )1/2
(L/C)1/2
(E/H)
(V/I)
impedancia del material

impedancia de lnea
impedancia de onda
impedancia del circuito elctrico
I
Py
e H
E
a
CONDUCTORES
Tiempo de propagacin
Velocidad de propagacin es:
v=
1
E 1
H
1
2

H 2 E
Tiempo de propagacin
t=
t=
Como (E/H)=(a/e)(V/I)
d
E
H
= d 1 + 1
v
2 H 2 E
E H
d
2
H E
d
1
X +
2
X
a V
X=
e I
t=
El tiempo de propagacin depende de:
- las distancias d y (a/e)
- el material (, )
- la impedancia del circuito (V/I)
CONDUCTORES
Tiempo de propagacin mnimo
dt d
1
= 1 2
dX 2
X
mnimo
dt
=0 X =1
dX
L V
=
C I
Como
(a/e)= (/ )1/2 (C/L)1/2=(E/H)(I/V)
a
= (I/V)
=
H
tp es mnimo si
la impedancia de lnea= impedancia del circuito elctrico
la impedancia de onda = la impedancia del material
CONDUCTORES, Ejemplo
Mxima velocidad de propagacin en un circuito diseado
sobre una PCB (r=4.5) , de 100 W, 10 V, 10 A:
(V/I)=1
(/)1/2=377/4.51/2=178
10V
La mxima velocidad se obtiene si
=
H
necesitamos que E/H=178

luego
178
a
= (I/V)
=
1
e
e=0.2 mm
a=36 mm
La velocidad de propagacin ser:
v=
1
= 141106 [m/s ]

Longitud de la pista
Si utilizamos un MOSFET que conmute

con 3ns trataremos de que el tiempo de
propagacin sea tambin de 3ns
d=vt=141106 m/s 3 ns=40 cm
CONDUCTORES
CONCLUSIN:
Si (V/I) < (/)1/2 necesitamos elevados
valores de (a/e) para
tener X=1 y reducir el
tiempo de propagacin.
CONDENSADORES
I
Tenemos E
y H
Py
H
Py
E
I, H, Py
Las placas estn a igual tensin

aumentando sta con el tiempo
a medida que circula corriente.
E, V
t=0
x
CONDENSADORES
Una variacin de tensin induce corriente
|Z|
10
1 / | C|
| L|
1
Rs
0,1
0,01 4
10
10 5
10 6
10 7
10 8
CONDENSADORES
Tipos:
Electrolticos
Cermicos
Plastico Metalizado
Condensador
A
Condensador
A
Si A aumenta la inductancia parsita tambin aumenta
BOBINAS
BOBINAS
Modelo elctrico
di
u = L
dt
L
Cp
Una variacin de corriente induce tensin
Rs
Efectos a tener en cuenta:

- efecto skin
- efecto proximidad
- efectos capacitivos
ZL
Rs
|wL|
1/|wC|
fR
BOBINAS
1
Cp = C/5
Cp=2C
Menor capacidad
5
2
BOBINAS
En el caso de bobinas devanadas convencionales
El condensador parsito puede provocar
oscilaciones al resonar con la inductancia.
Para evitar dichas oscilaciones (LC)1/2 debe
ser inferior al tiempo de conmutacin del
semiconductor.
Para reducir C:
- aumentar d
- reducir h
- manteniendo (dh)=cte
h
d
BOBINAS
iMC1
iD
iMC1
iMC2
(Campos se anulan: =0)
dB
iD
iMC2
MODO DIFERENCIAL
RS
(Campos se suman: T)
fC
LL1
MODO COMN
RS
LL2
L D = L L1 + L L 2
fC =
RL
RL
2L D
R
fC = L
2L
R
fC = S
2L
LL1
L
LL2
RL
TRANSFORMADORES
MODELO
C12
LD1
LD
2
Lm
2
Cs
Cp
C12
CC
Cp
Cpc
2
5
Cpr
3
ncleo
Cs
Csc
Ccr
REFERENCIA
4
Csr
TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO COMN?
- Bajar el valor de CC
- Separar primario de secundario
- Colocar una pantalla entre ambos conectada a referencia
- La pantalla ha de rodear el devanado sin formar un bucle cerrado
(evitar espira en cortocircuito)
CC
1+2
Cpc
Cpr
3+4
Csc
Ccr
Csr
REFERENCIA
Cpf
1+2
Cpc+Cpr
Csf
pantalla
3+4
Csc+Csr
REFERENCIA
minimizar inductancia
Configuracin MC-MC
El ncleo se conecta a tierra

Ccr queda cortocircuitado
TRANSFORMADORES
Cmo reducir las interferencias en MODO DIFERENCIAL?
- Colocar una pantalla en cada devanado conectndola
al propio devanado en un nico punto
CC
3
Cpc+Cpr
2
Csc+Csr
4
3
Cp
Lp
Ls
pantalla
Cs
4
TRANSFORMADORES
Secundario
Pantalla de modo
comn
Primario
Pantalla doble
Secundario
Primario
Pantalla simple
Aislamiento
Secundario
Normal
Esquema
Primario
Transformador
LF
HF
OK
INEFICAZ
OK
MEDIO
OK
BUENO
TN-S
PE
RESISTENCIAS
Tipos:
Carbn
Bobinadas, etc
L
Cp
R
Ojo con las patas!: aumentan la L parsita
ACOPLAMIENTOS : Acoplamiento por
conduccin (impedancia comn)

Rg1
i1
E1
Rg2
E2
Recomendaciones:
Masas cortas
Evitar bucles
Punto central de masas
Radiacin: dos lazos
RL1
referencia
ZC
i2
RL2
Si A-B demasiado largo el AMP2

amplificar la salida de AMP1 y la
cada de tensin en RAB
I
Amp
Amp
2
Z
b
VRab
ACOPLAMIENTOS :
Acoplamiento por
conduccin (impedancia comn)
Rg1
i1
E1
referencia
Rg2
E2
RL1
i2
RL2
Solucin
ACOPLAMIENTOS :
Tambin llamado acoplamiento electrosttico
Induccin
electrosttica
1
Rg1
RL2
RL1
Rg2
Ug1
Ug1
C12
RL1
Proporcionales a la
superficie entre los dos
circuitos
Inversamente
proporcionales a la
distancia entre los
circuitos
1
Rg1
Para cuantificar este

fenmeno:
Capacidades parsitas
C1r
C2r
Rg2
RL2
uu
ACOPLAMIENTOS :
1500
2000 V
100 pF
Configuracin fsica
Circuito equivalente
ACOPLAMIENTOS :
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt
La variacin de carga modifica la distribucin de campo elctrico en el conductor y eso
afecta a su vez a la distribucin de carga en el resto de los conductores.
L2
U
C
Rc
L1
Ug
us
Us
Ug
RL
RL
RL+Rg
U
t
ACOPLAMIENTOS :
La intensidad de la perturbacin depende de dv/dt
C12
d
D
12.1
2D
log
Cmo se evita el acoplamiento capacitivo?

- PANTALLAS
1
Rg1
Ug1
C1S
RL1
El bucle 2 queda aislado

de las interferencias
Cr
C2S
pantalla
Rg2
uu
RL2
ACOPLAMIENTOS :
Cable
(potencia)
Corriente
variable
Campo
magntico
variable
Par de hilos
(seal)
Una
Una variacin
variacin de
de
corriente
corriente en
en un
un cable
cable
produce
produce un
un campo
campo que
que aa
pequea
pequea distancia
distancia
puede
puede considerarse
considerarse
exclusivamente
exclusivamente
magntico
magntico ee induce
induce
entonces
entonces una
una tensin
tensin
perturbadora
perturbadora en
en los
los
cables
cables que
que forman
forman un
un
bucle
bucle
Ley de Faraday
d
u = N
dt
ACOPLAMIENTOS :
Es debido a los campos magnticos que enlazan a los conductores.
Se traduce en la presencia de inductancias mtuas.
Ley de Lenz V=-L(di/dt)
u g = (R g + R L )i1 + L
di1
di
+M 2
dt
dt
t
RL
M
u s (t) = u g
i1 R L I 2 e
(R g + R L ) L
i1
i2
M
Rg
ug
L
(R g + R L )
I2(M/L)
t
i1
RL
; =
us
t
us
I2
ACOPLAMIENTOS :
Cmo podemos reducir estas interferencias?
- Encerrar el equipo en un recinto ferromagntico que canalice el flujo
- Modificar los cableados para evitar bucles de mucha rea
- Cruzar los cables a 90
- entrelazar los cables
d
u = N
dt
= Bds
ACOPLAMIENTOS :
Acoplamiento inductivo+ZC
50
50
u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2
ug
C
L2
u V = I 2 R , normalizando respecto a u o =
uV
2R (Z1 jwM )
=
u o 2R (Z1 + Z 2 jw 2M ) + Z1Z 2 + w 2 M 2
RW1
R
F
i1
i2
L1
G
uv
ug
RW2
ug
0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2
50
2R
Z1 = R W1 + jwL1
Suponiendo R>>Z1
R>>Rw2+jwL2
u V Z1 jwM
=
uo
R
ACOPLAMIENTOS :
u V Z1 jwM
=
uo
R
La tensin tensin inducida uV esta influenciada por la impedancia comn Z1 y

la inductancia mutua M
Podemos desdoblar los bucles en dos circuitos independientes que se correspondern con
cada ecuacin
ACOPLAMIENTOS :
B
2R
ug
D
M
L1
L2
RW1
RW2
L1
-Z1I2
-Z1I2
R
i2
jwMI 2
jwMI 2
2R
u V = Z1I1 jwMI1
RW1
G
i1
I1
ug
El acoplamiento inductivo (M)

no siempre juega un papel negativo.
Observese que wMI1 tiene polaridad
opuesta a Z1I1
u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2
0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2
CABLES
Se emplean como elementos de interconexin entre circuitos y equipos
Son una de las fuentes ms importantes de radiacin.
RG174
RG188
RG58C
RG142B
Garantizar:
- Mnimas prdidas de seal
- mnima degradacin de la seal
- mnima captacin de EMI
Parmetros a considerar:
- Longitud del cable
- Prdidas aceptables
- Frecuencia y potencia que se desea transmitir
- Ruido en el entorno del cable
- Mrgenes de temperatura de trabajo
- Precio
Tipos:
- Sin apantallar: pares trenzados, cables planos
- Apantallados: coaxial, triaxial, etc.
CABLES
Cables como radiadores/sensores de EMI:
Balanceado
No balanceado
Single-ended
Coaxial
- Acoplamiento a otros circuitos

- Modo de transmisin del circuito (comn o diferencial)
Estructura fsica del circuito
Puesta a masa (lazos de masa)
Interacciones con otros circuitos
CABLES
La conexin del segundo conductor puede verse como una impedancia comn entre
el conductor activo y el resto del circuito.
generador
Rg
ug
carga
R1
L1
B conductor1 C
RL
Rg
R2
L2
ug
ZCM
uCM
referencia
Podemos desdoblar el circuito en dos

R1
M
E
conductor2
I1
RL
uCM
D
L1
I2
R2
L2
Rg
M
ug
RL
ZCM
Z 12 I1
A
R2
Z12 = R 2 + jw ( L 2 M )
Z12I1
L2
uCM
CABLES
Para determinar la contribucin del cable, desdoblamos Z12
Rg1
Lg1
Rc1
Lc1
RL1
LL1
Rg
ug
Mg
Mc
RL
Z12I1
Rg2
Lg2
Rc2
GENERADOR
A
Rg2
Lg2
Lc2
RL2
CABLE
F
Rc2
Lc2
ZCM
uCM
Z12I1
LL2
CARGA
E
RL2
LL2
CABLES
Impedancia de transferencia global ZTG
ZTG = R C 2 + jw (L C 2 M C ) = R C 2 + jwL C 2 (1 k )
La parte inductiva se reduce cuanto mejor es el acoplamiento
k=1 cable coaxial con apantallamiento slido
(LC2-M): Inductancia mutua no compensada
Como afecta el efecto skin? aumenta la impedancia ZT?
Normalmente el efecto skin disminuye ZT por que?
Supongamos k=1 y <espesor de la pantalla
J/Jsup
J1 esta asociada a I1en el circuito interno
J2 esta asociada a I2 en el circuito externo
1
Como resultado de dichas distribuciones de corriente
la impedancia comn efectiva es menor que si tenemos
una distribucin uniforme. (Las corrientes circulan por
caminos distintos). Si la frec. Aumenta suficientemente
el efecto skin provocar la separacin total de los dos lazos
de corriente.
J1
J2
CABLES: Ejemplos
(1) Cable coaxial 50 (RG58)

Recubrimiento de la pantalla 94%
RC=16 m
(LC2-M)=3.6nH y
LC2=1uH/mk=0.996
ZTG(44MHz)=1 una corriente de modo comn de 10uA provocara 10uV
(el ruido generado puede llegar a ser similar a la seal a transmitir)
REGLA: campos EM pueden inducir corrientes de 10mA por V/m.

As para tener 10uA necesitamos un campo de 1mV/m (60dBuV/m) el cual
es fcilmente alcanzable
CABLES: Ejemplos
(6) Cable coaxial con varios apantallamientos (2 o 3) y
una capa conductora de r >>1 (mu-metal) entre cada par trenzado
Podemos observar como si frec. aumenta ZTG
disminuye rpidamente debido al mu-metal.
Este provoca la separacin de los lazos de
corriente (seal en la parte interior y corrientes
de ruido en la parte externa.
Vlido hasta 1MHz, el recubrimiento
de la pantalla no es perfecto
CABLES: Ejemplos
Influencia de una fuente externa (uCM) sobre una carga (uu) a travs de un cable
K=0, dos conductores separados
A partir de esta frec wL1>(Rg+RL)
f1 =
Rg + RL
2L1
K=0.6, dos conductores

adyacentes en un nico cable
f2 =
R2
2L 2
K=0.996, cable coaxial

f3 =
R2
2(1 k )L 2
Si k aumenta menor efecto del ruido externo
CABLES: Tipos
Blindaje trenzado
Cobertura:80%
Blindaje en forma de espiral
Blindaje laminado
Cobertura:97%
Cobertura:100%
Blindaje laminado
Blindaje combinado
Blindaje combinado
La pantalla se conecta soldando a 360.

Blindaje en espiral no esta indicado para frec>20kHz
debido al efecto inductivo de la espiral
CABLES: Caractersticas
CABLE
Par trenzado
Capacidad
(pF/m)
5a8
Impedancia Zo
()
115 a 70
Coaxial
44 a 101
95 a 50
Par paralelo
5a6
90 a 82
Atenuacin
dB/100m
Depende del n
de vueltas
17 a 57 (400
MHz)
59 (75 MHz)
- pares trenzados se utilizan con frecuencias <100kHz

- cable coaxial se utiliza en UHF (1GHz)
- Cable triaxial. Se conecta el blindaje interno a masa del equipo en un solo punto
y el externo a tierra (chasis). Si masa y tierra no estn separadas se conectan al
mismo punto.
Tambin se puede conectar el blindaje interno a masa del receptor y el externo
a la masa del emisor.
Un cable coaxial se comporta como un cable triaxial (dos blindajes externos)
en alta frec debido al efecto skin, el cual comienza a tener importancia a partir
de 1 MHz.
CABLES: Aplicacin
Gama de frecuencias y tipo
de acoplamiento de las
interferencias
C.Continua
Capacitivo
Conduccin
Conduccin/induccin
Cond./induc./capac.
Frecuencia: 15 kHz
Capacitivo
Conduccin
Conduccin/induccin
Cond./induc./capac.
Frec. 10 MHz a 1 GHz
Capacitivo
Conduccin
Conduccin/induccin
Cond./induc./capac.
Trenzado
95%
cobertura
Espiral
Laminado
Laminado/
trenzado
Laminado/trenzado/
laminado
B
BBB
BB
B
BBB
I
BBB
BBB
BBB
BBB
B
BBB
BB
F
BBB
I
BBB
BBB
BBB
BB
BB
BBB
BB
BBB
BBB
BBB
F
F
I
I
B
B
BB
BB
BBB
BBB
BBB= el mejor, BB=muy bueno; B=bueno;

F=funcional; I =insatisfactorio
Identificar
Identificaranticipadamente
anticipadamenteeleltipo
tipode
deinterferencias
interferenciasdeterminando
determinando
su
sumargen
margende
defrecuencias
frecuencias
CABLES: Seleccin
Identificar el tipo de acoplamiento predominante
a) Acoplamiento capacitivo
- Se conecta la pantalla a masa en un nico
punto
- A frecuencias <100kHz
- A frecuencias >100kHz acoplamiento
capacitivo e inductivo
- Se bloquea mediante un alto porcentaje
de cobertura de la pantalla
- No circula prcticamente corriente por el
blindaje externo
CABLES: Seleccin
b) Acoplamiento inductivo
- Se conecta la pantalla a masa en los dos extremos
- A partir de 70MHz todos los blindajes presentan un aumento de Zt
- A partir de 500kHz los blindajes trenzados y en espiral presentan un
aumento de Zt
- Mejorar la cobertura, trenzar con espirales opuestas etc, reducen el
acoplamiento inductivo normalmente a costa de aumentar el capacitivo
c) Acoplamiento por conduccin
- La interferencia inducida es Vt=ZtIO
Zt : impedancia de transferencia
IO : Corriente de retorno que circula por el blindaje externo
CABLES: Resumen
- Todos los retornos deben estar ntimamente acoplados a su seal,
normalmente mediante conductores trenzados.
- No compartir los retornos entre las lneas de alimentacin y seal
- Evitar el acoplamiento por impedancia comn
- El trenzado es muy eficiente a baja frecuencia
- Separar los cables segn el tipo de seal
(coaxial para RF, par trenzado para seales digitales)
- Apantallar o alejar los cables que llevan corrientes parsitas de alta frec.
(pueden acoplarse a otros conductores y generar emisiones conducidas
de modo comn)
CABLES: Resumen
1
iret1
2
iret2
Par trenzado: Reduce el acoplo inductivo

- Muy efectivo en baja frecuencia
- Hay que cuidar la terminacin
- No sirve en alta frecuencia (Zo vara a lo largo de la lnea)
- La efectividad depende del nmero de vueltas
CABLES: Resumen
APANTALLAMIENTO CAPACITIVO
No tiene efecto en interferencias magnticas.
Rs
Si
n
Vn
pa
nt
al
la
Vn
Apantallado
Ls
Vn
c =
is
APANTALLAMIENTO MAGNTICO
Ambos extremos a masa de modo que
la corriente inducida is anula las corrientes
inducidas en el conductor central.
Rs
Ls
Por encima de 5 veces c

(5-10kHz aprox.), la induccin
sobre el conductor central
permanece constante.
CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla?
- En ambos extremos?
Se convierte en un circuito conductor y cualquier cada de tensin
en la resistencia de la pantalla puede ser inyectada en serie con la seal.
La pantalla previene el acoplamiento
capacitivo y el trenzado el acoplamiento
magntico
Conexin ms recomendable
Slo se conecta a masa en un
punto de la pantalla
Si fuente y entrada estn a masa,

se conecta la pantalla en ambos puntos
(menor eficacia)
La pantalla no debe formar parte del circuito
CABLES: Resumen
Donde conectar a masa la pantalla?
- Apantallamiento de cables de RF
Cuando la longitud del cable se aproxima a /4 (1GHz) un circuito
abierto en un extremo se transforma en un corto a una distancia
de /4 y las corrientes fluyen siguiendo un modelo de onda
estacionaria tanto si hay como si no hay conexin externa.
Is
masa
Atenuacin de
Is=8,7dB
is
/2
La parte exterior e interior de la pantalla estn aisladas por el efecto

skin.
Las corrientes de seal en la parte interior de la pantalla no se acoplan
con las de interferencia de la parte exterior la conexin a masa en
ambos extremos no introduce tensiones de interferencia.
MASAS Y TIERRAS
MASA:
Es el conductor de referencia de potencial cero con respecto al cual se miden
el resto de los potenciales. Es el conductor por donde se suelen realizar los
retornos de las seales activas. Pueden existir varios sistemas de masa aislados
TIERRA:
Se refiere al potencial de la tierra fsica
Podemos tener masas flotantes respecto a tierra (aviones, laboratorios, etc.)
Tipo de Terreno
Arcilla plstica
Arena arcillosa
Suelo pedregoso
granito,gres
Resistividad m
50
50-500
1500-3000
1500-10000
Toma de tierra
Seguridad
Toma de tierra de seguridad

Un sistema aislado de tierra puede ser peligroso debido a:
- contacto accidental de algn conductor
- descarga electrosttica
La impedancia de conexin a tierra debe ser MNIMA para reducir el
acoplamiento por impedancia comn.
Hay que tratar de evitar los bucles y minimizar el cableado para reducir
el acoplamiento inductivo.
Recomendacin espaola MI-BT-039:
La resistencia de puesta a tierra ser tal que cualquier masa metlica no
puede superar 24 V en un local y 50V en los dems casos.
La resistencia de puesta a tierra no debe ser superior a 5 en las proximidades
de los centros de transformacin.
Un factor a considerar ser la frec. Ya que incrementa la impedancia de la
puesta a tierra lo que se traduce en interferencias.
MASA CENTRALIZADA
U C = ( I1 + I 2 + I 3 ) Z 3 + ( I1 + I 2 ) Z 2 + ( I1 ) Z1
Conexin en serie:
- muy simple
- problemas de acoplamiento por impedancias comunes
- es el peor sistema de conexin
No utilizar con circuitos que trabajen a frec elevadas o con niveles de
energa muy diferentes (potencia y seal)
Circuito 1
I1
C
Circuito 2
Z1
Muy
Muyhabitual
habitualen
enequipos
equipos
elctricos
y
electrnicos:
elctricos y electrnicos:
simplicidad
simplicidadyyeconoma
economade
de
cableado
cableado
I2
Z2
Presentan
Presentan
impedancias
impedanciasmuy
muy
elevadas
elevadasen
enHF
HFentre
entre
dos
puntos
a
veces
dos puntos a veces
cercanos
cercanos
Circuito 3
I3
Z3
Se
Se evitar
evitar especialmente
especialmente la
la
interconexin
interconexin de
de equipos
equipos de
de
potencia
y
de
mando
potencia y de mando
MASA CENTRALIZADA
Conexin en paralelo:
- Mejor mtodo a BF (til a frec. < 1MHz )
- Las tensiones en los distintos puntos no se ven afectadas por
variaciones en otros puntos
- En alta frecuencia la mayor longitud del cableado provoca
efectos inductivos importantes. (Posibles acoplamientos
inductivos, capacitivos).Conductores pueden actuar como antenas.
Circuito 1
I1
Circuito 2
C
Z1
I2
U C = I1 Z1
La
Latensin
tensinVVccslo
slose
seve
veafectada
afectada
por
la
corriente
e
impedancia
por la corriente e impedanciade
de
su
supropia
propialnea
lneade
demasa
masa
Circuito 3
I3
Z2
Z3
MASA DISTRIBUIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA:
- Buen mtodo (til a frec >10MHz )
- El plano de masa es el que introduce la impedancia comn
pero de baja resistencia e inductancia.
Circuito 1
Circuito 2
Circuito 3
R1
R2
R3
L1
L2
L3
Plano
Plano de
de masa
masa
HF: las distancias de conexin
Baja resistencia e inductancia
menores de 2 cm
Plano de masa cerca de los circuitos:
Zc
Impedancias comunes
comunes
Zc:: Impedancias
apant. electrosttico
MASA HBRIDA
Se utiliza un PLANO DE MASA:
- Distinto comportamiento a diferentes frecuencias
- A baja frecuencia tenemos una masa centralizada
- En alta frecuencia tenemos una masa distribuida
Interesante para conectar la masa de un cable blindado.

En alta frecuencia tenemos una conexin multipunto
Para conectar por razones de seguridad varios chasis

a tierra, mientras que para mayores frecuencias interesa
un nico punto
Conexin a masa de los cables blindados

Cable coaxial con dos conexiones a masa
En HF la inductancia del bucle exterior
aumenta debido a su mayor rea (A) prcticamente
toda la corriente circula por el cable blindado
Vg
El campo neto exterior generado por la

corriente de ida se anula con el
generado por la corriente de vuelta
Efectivo
Efectivocontra
contralalageneracin
generacinyy
recepcin
recepcinde
deinterferencias
interferencias
En BF las corrientes retornan por el plano de masa, adems

aparece un bucle de masa en el que se pueden generar
tensiones de interferencia que se acoplaran al circuito.
No
Noes
esefectivo
efectivo

Cable coaxial con dos conexiones a masa
Ls
Vg
BF
1.
1.El
Elblindaje
blindajeno
nodebe
debeser
ser
uno
unode
delos
losconductores
conductores
de
deseal
seal
Rs
La corriente retorna por el blindaje si la

frecuencia es mayor que 5 veces la
frecuencia de corte del blindaje
Frecuencia de corte
Pantalla
trenzada
1-2 kHz
Pantalla
laminada Al
7-10 kHz
2.
2.Uno
Unode
desus
susextremos
extremos
debe
debequedar
quedaraislado
aisladode
de
masa
masa
A FRECUENCIA DE MENOS
DE 1 MHz
Blindajes deben conectarse
a masa solamente en un
extremo y no utilizarse
como conductores

Cable coaxial con una conexin a masa
Ls
Vg
- El blindaje no lleva corriente

- El campo creado por el conductor central
no se cancela.
Rs
Solo permite proteccin electrosttica
Ls
Rs
Vg
Es
Es efectivo
efectivo frente
frente aa campos
campos
magnticos
magnticos ya
ya que
que toda
toda la
la
corriente
corriente retorna
retorna por
por l
l yy no
no
existe
existebucle
buclede
demasa.
masa.
YYfrente
frenteaacampos
camposelctricos
elctricos
No hay conexin a
masa
Cable coaxial en el que

el blindaje se utiliza
como conductor
La circulacin del retorno de corriente

por el blindaje NO ES RECOMENDABLE
en general. Aparecen cadas de tensin
en el blindaje que pueden tener valores
elevados.
Regla general
Frecuencias
Frecuencias << 11 MHz
MHz
Frecuencias
Frecuencias >> 11 MHz
MHz
Longitud
/20
Longitud del
del cable
cable >> /20
Blindajes
Blindajes deben
deben estar
estar conectados
conectados
aa masa
masa solamente
solamente en
en un
un extremo
extremo
Blindajes
Blindajes deben
deben estar
estar conectados
conectados
aa masa
masa en
en ms
ms de
de un
un punto
punto
Descargas electrostticas
Los cuerpos no conductores acumulan carga esttica debido
principalmente al efecto triboelctrico y alcanzan potenciales
de hasta decenas de kV.
Cuando esta carga encuentra un camino hacia tierra, se produce
una descarga violenta y rpida:
- Intensidades de varios amperios
- Tensiones de decenas de kV
- Duracin <100ns
- grandes anchos de banda.
No es necesario el contacto, pueden saltar arcos
Dependencia con los factores ambientales
Triboelectricidad
Descripcin:
Por el mero hecho de poner dos cuerpos en contacto
se produce una transferencia de carga que se traduce
en una diferencia de potencial al separarlos.
La magnitud de esta transferencia de carga depende
de la separacin de los materiales en la serie
triboelctrica
(Algodn=referencia)
Fenmenos debidos a la presencia de cargas elctricas estacionarias o mviles
y a su interaccin cuando esta es debida exclusivamente a las cargas y a su
posicin
IMPORTANCIA:
Se debe a la utilizacin de plsticos y metales
Equipos electrnicos sensibles a descargas electrostticas
Presencia de materiales inflamables
GENERACIN DE CARGAS
ELECTROSTTICAS
Contacto y separacin de materiales
Induccin por campos elctricos externos
Efecto corona
Cambios de temperatura rpidos
Fractura mecnica y piezoelectricidad
Piezoelectricidad
Tendencia a la generacin
de cargas:
Positivo
Negativo
Aire
Manos
Vidrio
Mica
Pelo
Lana
Piel
Aluminio
Acero
Madera
Ambar
Niquel, Cobre
Oro, Platino
PVC
Tefln
Polister
Valores de potenciales en distintas situaciones bajo condiciones
de humedad relativa entre 65-90 %:
Caminando sobre alfombra
1500 V
Caminando sobre suelo de PVC
250 V
Al tocar equipos en una mesa de trabajo
100V
Al abrir un sobre de PVC
1200 V
Al coger una bolsa de plastico
1200 V
Al sentarse en una silla
1500 V
Aislantes:
- Se cargan por efecto triboelctrico
- Pueden almacenar cargas sobre su superficie largo tiempo
Conductores
- Distribuyen rpidamente la carga sobre la superficie
- Se cargan tambin por efecto triboelctrico
- Si no se ponen a tierra mantienen la carga largo tiempo
Induccin de carga por campo elctrico externo:
Q=CV
+Q
+Q
+V
-Q
- - - - - - - - -
+V
I
R
A)
+Q
d1
d2
-Q
- - - - - - - - +++++++++
+Q
-Q
+V
+V
C1
C2
C)
+V1
-Q
- - - - - - - - -
+V2
D)
B)
Un campo externo no puede inducir un campo dentro de un recinto
con paredes conductoras Recubrimientos antiestticos.
La presencia de cargas producen una elevacin de potencial y energa
que puede ser descargada sobre una parte sensible de un circuito.
Modelo de descarga
CH=80-500 pF
Cuerpo humano
RH=1000-2000
Io
RH
15A
QH=0.1-5 C
Real
30 kV
CH
VO
300ns
Vo= 10-15 kV
Modelos ms complejos consideran la inductancia del cuerpo humano (0.5-2 H)
Se clasifican los dispositivos

(segn el modelo de cuerpo humano):
Clase 0
Clase 1A
Clase 1B
<250 V
250-500 V
500-1000V
etc.
Normativa Europea:
Lmites UNE-EN50082-1-1992
Condiciones del ensayo CEI 801-2-1991
Recomendaciones:
- Evitar contactos directos entre usuarios y
cables o cualquier parte conductora
- Buscar caminos adecuados para corrientes de descarga
- Aumentar la inductancia del camino peligroso
- Minimizar la inductancia de las tomas de tierra
- No dejar elementos sin conectar a tierra
Diseo de circuitos impresos
Fuentes de emisiones. C I como generadores de EMI

- Reloj (osciladores de alta frecuencia)
Genera armnicos de alta fecuencia
Se trata de seales distribuidas por todo el sistema
- Circuitos de alta di/dt
- Amplificadores de baja frecuencia
Oscilaciones debido a inestabilidades
- Fuentes de alimentacin conmutadas
Genera emisiones conducidas en MC y MD
Tambin emisiones radiadas

Control de emisiones
- Pensar en el trazado de las masas
- Control de las emisiones de RF en el chip (microcontrolador Philips)
- Diseo cuidadoso de los encapsulados
- Condensadores de desacoplo
- Las seales crticas se han de llevar junto a su retorno de masa
- reducir al mnimo la impedancia del conductor de masa
- reduciendo la longitud
Emisiones en modo comn

- Debido a los cables y grandes estructuras metlicas
- Son la fuente principal de las emisiones radiadas
- Resonancias del cable entre 30 y 100 MHz
- La ICM por el cable se debe al ruido en la masa
- La lgica empleada impone unas longitudes mximas
para no superar las especificaciones referentes a emisiones
radiadas
Familia
CMOS (a 5V, 40ns)

74HC (6ns)
Long. De pista en cm
4MHz 10MHz (reloj)
180
75
8.5
3.2

Emisiones en modo comn
- Evitar el flujo de corrientes lgicas por trazas a las que se conectan cables
- Usar cables cortos
- Filtrar las interferencias de los cables a masas limpias
- Blindaje adecuado de los cables
- Preferible plano de masa
- Usar choque en modo comn
- Reducir las corriente de modo comn
Emisiones en modo diferencial

- Emisiones debidas a los bucles que llevan la seal de ida y su retorno
- Familias lgicas rpidas, utilizar plano de masa
- Indicado el filtrado y apantallamiento
- Areas mximas para cumplir especificaciones:
Familia
CMOS (a 5V, 40ns)
74HC (6ns)
Area del bucle en cm2

4MHz 10MHz (reloj)
1000
400
45
18

Emisiones en modo diferencial
- Reducir los lazos
- Retardar flancos
- Segregar los circuitos por velocidad
- Evitar discontinuidades en las trazas:radian
- Controlar las seales de los buses de datos, direcciones y reloj
Usar placas multicapa
Los conectores deben incluir una pata de masa por pista de reloj
y otra por cada bus de direcciones y datos
Traza de masa al lado del bit de menor peso
Retorno a GND del reloj junto a dicha seal
Diafona. (Atenuacin transversal) La seal elctrica transmitida por

un par induce corrientes en pares vecinos
- Disminuir las capacidades entre pistas
Separar pistas
Colocar trazas de masa entre pistas
Utilizar plano de masa
(a mayor h mayor C12 con s y w ctes)
w
h

Retorno de masa
- Segregacin de masas
Circuitera digital
Receptores de datos analgicos
etc.
- Evitar sobreoscilaciones en la tensin de masa
Reducir la L de los conductores que van a GND
VC
Ig
Vg
VC
Ig
Vg
ruido

- Masas en forma de rejilla
Combina masa en serie y paralelo
Eleva el n de trayectorias diferentes (menor inductancia)
Las pistas de seal ofensiva (di/dt) cerca de pistas de masa
para evitar bucles
di
dt

Distribucin de las alimentaciones
- Incorporar condensadores de desacoplo en las proximidades de los CI
(1 cm max.)
(condensadores de baja resistencia en alta frecuencia, cermicos)
- Incorporar dos condensadores en paralelo (de alta capacidad mala
resistencia serie para la baja frecuencia y otro de baja capacidad y
baja res. para la alta frec.
- Aadir perlas de ferrita para incrementar la inductancia serie de los cables
pues actua como filtro.
- en HF
Sistemas con relojes: se usan modelos de LT
Reducir la Zo
- minimizar el rea de los lazos
- juntar los conductores tanto como sea posible

Diseo para inmunidad
- Alejar las trayectorias de las interferencias
Derivan a masa provocando ruido de masa MC y MD
Uso de masa limpias
Filtrado o apantallamiento de los cables
Reduccin del rea de los lazos
Restringir el ancho de banda de los circuitos susceptibles
- Usar familias lgicas con umbral de ruido alto
- Diseos sncronos
- Proteccin en los micros y en los programas
Perro guardin
Lneas de programa de control
Superficie metlica dispuesta entre dos regiones del espacio que se

utiliza para atenuar la propagacin de campos magnticos.
- Se considera el ltimo recurso
- Las menores efectividades se obtienen con los campos magnticos
de baja frecuencia
- Las uniones de los blindajes son crticas
Cuando blindar?
- Si los campos en modo diferencial son elevados
- Solo en circuitos crticos
- Si el montaje consta de interfaces dispersos
Material a emplear
Buen conductor-campos elctricos
Alta permeabilidad-campos magnticos
Blindajes
Campo
Espacio externo sin
campo
electromagntico
Circuito
generador de
interferencias
Blindaje
Campo
Blindaje
Espacio interno sin campo
Fuente de EMI
Circuito
receptor de
interferencias
mbito
- 11THz
mbitode
deatenuacin:
atenuacin:11Hz
HzTHz
Sistemas:
Sistemas:Cajas,
Cajas,armarios,
armarios,pinturas
pinturasconductoras,
conductoras,lminas
lminasmetlicas,
metlicas,cables
cables
apantallados,
apantallados,depsitos
depsitosconductores
conductoressobre
sobreplsticos,...
plsticos,...
Blindajes
Campos electromagnticos
-Generador
-Frecuencia
Caractersticas -Medio de propagacin
-Distancia entre generador y receptor de la interferencia
Campo cercano
Campo lejano
2
(m) = C / f = 2,997925 108 (m / s ) / f ( Hz )
d>
Caractersticas determinadas
por el medio de propagacin
Impedancia
Impedancia de
de onda
onda
E
intensidad de campo elctrico
=
H intensidad de campo magntico
Campo cercano
Campo lejano
1. Las caractersticas del campo

dependen de la fuente
2. Distancia de la fuente al punto
desde donde se observan los
efectos del campo
Las propiedades del campo dependen

del medio
d=
E
= Z 0 = 377
H
Blindajes
E/H >377
E/H <377
Regiones caractersticas en funcin de la distancia entre la fuente del campo y el

punto de observacin
Blindajes
alta
impedancia
Baja
impedancia
Intensidades de campo en funcin del tipo de fuente de campo radiado

Campo puede considerarse cercano hasta una d 1/6 de la longitud de onda del generador
f= 100 kHz
d=450 m
f=10 MHz
d= 4,5 m
Si
Si el
el generador
generador de
de EMI
EMI se
se encuentra
encuentra en
en la
la
misma
sala
que
el
circuito
interferido,
es
fcil
misma sala que el circuito interferido, es fcil
tener
tener un
un problema
problema de
de campo
campo cercano
cercano
Campos
Camposelctrico
elctricoyymagntico
magntico
se
deben
considerar
se deben considerarpor
por
separado
separado
Blindajes
Efectividad de los blindajes
Efectividad para campos elctricos
SS == 20
20 log
log (E
(E00/E
/E11)) (dB)
(dB)
E0 (H0) = intensidad del campo incidente

E1 (H1) = intensidad del campo que traspasa el blindaje
Efectividad para campos magnticos

SS == 20
/H11)) (dB)
(dB)
20 log
log (H
(H00/H
Onda reflejada
Onda incidente
en una superficie
metlica
Onda transmitida
La
Laefectividad
efectividadvara
varacon:
con:
frecuencia
La
La frecuencia
La
geometradel
delcampo
campo
Lageometra
La
posicindel
deldetector
detector
Laposicin
de
campo
Tipo
Tipo de campo
Polarizacin
Polarizacin
Direccin
dela
laincidencia
incidencia
Direccinde
Prdidas por
reflexin
Atenuacin
Tipo de campo (cerc/lej)

Impedancia de la onda
Prdidas por
absorcin
Blindajes
Efecto de las radiaciones sobre un blindaje con un agujero
SS == AA ++ RR ++ MR
MR
S = efectividad total del blindaje

A = Prdidas por absorcin
R = Prdidas por reflexin.
MR = Reflexiones mltiples. Despreciable si A> 9dB
Blindajes
Prdidas por absorcin A

(para campos E, H y ondas planas)
La atenuacin A es independiente del tipo de campo (E, H) y se
describe a travs de la profundidad skin
E O HO
d
d/
=
= e = 8.7 [dB]
A=
E d Hd
=
f
Las prdidas por absorcin
constituyen el principal
mecanismo de apantallado en el
caso de campos magnticos de
baja frecuencia
AAbajas
bajasfrecuencias
frecuenciases
esdifcil
difcilapantallar
apantallar
eficientemente
contra
campos
magnticos
eficientemente contra campos magnticos
porque
porquesu
suefectividad
efectividades
esbaja
baja
A = prdidas dadas en dB
d = espesor
f = frecuencia
= profundidad skin
= resistividad
Hd=campo en el metal a la
distancia x=d
X=0
X=d
aire
Metal
EIN
aire
ZO
Zm
Ero
EO
Erd
EOUT
Prdidas por absorcin A

(para campos E, H y ondas planas)
8dB por cada que aumentemos d
Prdidas por reflexin R
(
E IN
H IN
ZO + Z m )
=
=
R=
EOUT H OUT
4(Z O Z m )
aire
Metal
EIN
Zm
Impedancia de cualquier medio
Ero
Zm =
jw
2
=
jw +
aire
ZO
EO
Erd
EOUT
Prdidas por mltiples reflexiones MR
Profundidad de penetracin :
Distancia requerida para que la onda sea atenuada
1/e veces (36,7 % de su valor inicial (9dB)
MR = 20log1 e
2 d
2d
=
[dB ]
aire
Metal
EIN
aire
ZO
Zm
EO
Ero
EOUT
Erd
(para valores bajos de d/)
MR (dB)
Blindaje metlico (ZO>>Zm),
- R aumenta al disminuir la frec. y
aumentar la conductividad del material.
-20
-10
0.5
d/
El trmino MR es relevante cuando las prdidas por absorcin son bajas
Atenuacin del campo cercano E de un dipolo

Particularizando en el caso de campo cercano E tendremos que :
RE =
Z
(Z
E + Z
4Z EZ
)2
1
=
2 f r
2 w o r
ZE>>Zm
w: 2f
r: distancia pantalla-fuente
Para valores bajos de (d/) se ha introducir la correccin debido

a las mltiples reflexiones
d
1
R MR =
2 2 o r
Atenuacin del campo cercano E de un dipolo
Las
Lasprdidas
prdidaspor
porreflexin
reflexin
constituyen
constituyenel
elprincipal
principalmecanismo
mecanismo
de
apantallado
en
el
caso
de apantallado en el casode
decampos
campos
elctricos
de
baja
frecuencia.
elctricos de baja frecuencia.AAalta
alta
frecuencia
frecuencialo
loes
esla
laabsorcin
absorcin
dB
d: distancia de la fuente al blindaje
Lmina de Cu (d=0.1mm, r=100mm)
250
R+A
A
- R se reducen con f y r
100
- Se pueden conseguir buenos
apantallamientos con espesores muy bajos
R
1 MHz
Blindajes contra el acoplamiento capacitivo

(Frente a un campo elctrico)
Debe incluir todos los componentes a proteger

Debe conectarse a un potencial constante que puede ser la masa del sistema
Debe tener alta conductividad: cobre y aluminio
Encerrar
Encerrar el
el circuito
circuito oo el
el conductor
conductor
dentro
dentro de
de un
un blindaje
blindaje metlico
metlico
hermtico
hermtico
Blindaje electrosttico
o de Faraday
Jaula de Faraday:
cobertura del 100%
Atenuacin del campo cercano H de un dipolo
Z H = 2 f r
w o r
(Z H + Z m )2
4ZHZm
4 2
Se supone que ZH >>Zm . A muy baja frec. no es correcto y tendamos

que utilizar la expresin general:
2
R=
(Z O + Z m )
4(ZO Z m )
- Baja frec. Difcil apantallar. El trmino de

MR tiene importancia y ha de aadirse a RH
- Alta frec. Absorcin
- AH (absorcin) aumenta si aumenta f y r
- AH aumenta si los materiales tienen
alta permeabilidad
- La atenuacin aumenta con d
d: distancia de la fuente al blindaje
Un campo magntico a bajas frecuencias

presenta baja reflexin ya que las reflexiones
son funcin del cociente entre la impedancia
de onda y la del blindaje
Blindajes contra el acoplamiento inductivo

(Frente a un campo magntico)
Debe encerrar a todos los componentes a proteger
Debe tener alta permeabilidad
Resulta
Resulta ms
ms difcil
difcil obtener
obtener
una
una buena
buena efectividad
efectividad
comparativamente
comparativamente con
con el
el
blindaje
blindaje electrosttico
electrosttico
En campo cercano, las EMI pueden tener un 90% de intensidad de

campo magntico y un 10% de campo elctrico, en cuyo caso son
irrelevantes las prdidas por reflexin
Ser
Ser aconsejable
aconsejable reforzar
reforzar las
las prdidas
prdidas por
por absorcin
absorcin aa expensas
expensas
de
de las
las prdidas
prdidas de
de reflexin,
reflexin, escogiendo
escogiendo EL
EL HIERRO
HIERRO como
como
material
material de
de blindaje
blindaje
Minimizar el rea de los bucles de corriente generador y receptor
Apantallar magnticamente con materiales de alta permeabilidad todo el generador de
interferencias
Cables prximos a un plano de masa
Atenuacin de ondas planas

ZO: impedancia de onda cte.=377
Se han de cumplir las condiciones de campo lejano (r>>/2)
Es un caso poco habitual
R EM =
ZO
377
=
4Z m
4 2
Atenuacin por reflexin
A baja frecuencia (d/ pequea) la contribucin debido a mltiples reflexiones y

absorcin no son destacables la atenuacin no depende de la frecuencia.
S (dB)
La mayor contribucin a f
se debe a la reflexin.
- Las prdidas son mayores con
buenos conductores ( elevadas)
200
Cobre con d>3

d=1mm
SAEM
150
SREM
100
10kHz
1 z
100 MHz
Atenuacin de campos en aberturas

- Reducen la efectividad del blindaje
- La prdida de efectividad afecta ms al campo magntico
- La mxima dimensin lineal de la ranura ser el parmetro a considerar
en la evaluacin de la prdida de efectividad.
t
Corrientes inducidas
Metal
EIN
Ero
aire
Eo
v
Ranuras
Erd
D
EOUT
Orificios
Cuanto mas se desven las lneas

peor apantallamiento
Metal
Longitud de onda crtica (c): las ondas cuya

> c se atenuar en el orificio.
Frecuencia crtica. Fc=c/ c (f<fc quedan atenuadas)
A menor distorsin de las lneas de corriente:
- Menor diferencia de potencial entre bordes
- Menor campo elctrico en la apertura
- Menor radiacin a travs de la apertura

Gua ondas circular
Frec. de corte
175109
[Hz]
fC =
D
Efectividad
max =
D
2
S = 32
t
[dB]
D
Gua ondas rectangular
150109
[Hz]
fC =
L
max =
L
2
t
S = 27 [dB]
L
* Unidades de longitud en mm
t: espesor
Cuando el espesor del conductor es comparable a las

dimensiones de la apertura hay que aadir el efecto de
gua onda.
- La atenuacin depender exponencialmente de la
longitud de la gua.
Paso de cables a travs de blindajes

- Los condensadores de filtro deben colocarse al lado del blindaje
Condensadores pasamuros
Valores tpicos: C=1000pF
Incorporar ferritas para atenuar la alta frecuencia
Ncleo de ferrita
Comparacin de los materiales

Materiales magnticos: elevadas a costa de reducir la conductividad
mayores prdidas de absorcin y menor reflexin.
Interesa en baja frec y para campos magnticos
Para ondas planas y campo elctrico interesa tener una alta conductividad
Materiales
Conectores externos
juntas
Filtros
Condensador de desacoplo:
- Acta como una fuente de tensin cercana a la carga.
- Aporta la energa necesaria para absorber los picos de corriente
- Limita el tamao del bucle con un rea menor
- Se requieren condensadores con baja inductancia y resistencia serie
(Cermicos multicapa)
A/D Converter
Vin
D1
GND
D4
0 dB
Vref
Sign
ENB
Rs
fR
Hay que evitar la frecuencia de resonancia

ya que tiene un efecto amplificador
fR =
1
2 LC
Configuracin de los filtros

Objetivo: atenuar la alta frecuencia.
La eficacia del filtro depende de la impedancia vista a cada
extremo de la red de filtros
L
ZS
baja
ZL
baja
L
ZS
ZL
Z alta a media
ZS
alta
ZL
alta
ZS
L
ZS
baja
ZL
alta
L
C
Z baja a media
ZL

Bolt style EMI filter (10 MHz-26 GHz)
Filtros de red elctrica

Incluyen componentes para eliminar las interferencias en modo comn y diferencial
El choke L acta en modo comn. El flujo creado por las corrientes diferenciales
se anula lo que evita la saturacin del ncleo.
La inductancia de dispersin si acta sobre las corrientes en modo diferencial
Ncleos de ferrita
i/2
Alimentacin
i/2
Capacidad
parsita
Receptor
Capacidad
parsita
Filtrado
Filtrado pasivo
pasivo en
en modo
modo comn
comn
En modo diferencial las dos inductancias se

anulan porque estn bobinadas en sentido
inverso sobre el mismo ncleo

id
Cx1
CY2
Cx2
CY2
T
ic
A
Cx1
LLKG
Cx2+0.5CY2
N
Circ. Equivalente
Modo Diferencial
CX (0.1-0.47F)
L (1-10 mH)
A+N
A+N
2CY2
Circ. Equivalente
Modo Comn
El conjunto puede presentar atenuaciones de 40-50 dB hasta 30 MHz

Por debajo de 1MHz la atenuacin disminuye notablemente

Mejora de la eficacia:
- Chokes adicionales en lneas diferenciales
- Choke en la lnea de tierra
- Supresores de transitorios (VDR)
RED
Cx1
N
T
CY2
Cx2
CY2
EQUIPO
N
T
Ensayos realizados en la cmara anecoica

del rea de Tecnologa Electrnica
SAI de 10kW
Chloride

SAI de 10kW
Chloride

SAI de 10kW
Chloride

SAI de 10kW
Chloride

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Interferencias Electromagnticas

Alberto Martn Perna

EMC: (Electromagnetic compatibility) se define como la aptitud de un

EMI: (electromagnetic interference) el tipo particular de perturbacin

Interferencias en la recepcin de radio

Equipos electrnicos de potencia

Puertas electrnicas de garajes

Aparatos electrnicos de uso mdico

Ruido de alta frecuencia

Tensin en los bornes de un contacto despus

Oscilograma obtenido tras la apertura de un

Los motores con escobillas y colector generan perturbaciones

Fuentes de alumbrado que

Acoplamientos por conduccin

Las perturbaciones conducidas

Acoplamientos por conduccin

Este tipo de perturbacin se reduce mediante la correcta

Acoplamientos por conduccin

Acoplamientos por conduccin

Corriente de modo comn que circula por la red de tierra a

Acoplamientos por conduccin

Acoplamientos por radiacin

Clasificacin de las perturbaciones atendiendo

Distribucin de corriente en el interior de un conductor

Jo: densidad de corriente en la superficie

Aproximacin de Meike y Gundlach

Pueden tratarse como LNEAS DE TRANSMISIN

La potencia electromagntica que fluye se calcula:

En el exterior del los conductores H y E son perpendiculares

El campo en el interior ser:

Cable sujeto a una

Malla metlica con contacto en

Impedancia del campo

En el vaco E/H= (o/o)1/2 =410-7/(8.8510-12)=377

COMPORTAMIENTO CAPACITIVO, (E/H>>377)

La zona 1 se utiliza para transporte de energa

impedancia del material

La mxima velocidad se obtiene si

necesitamos que E/H=178

La velocidad de propagacin ser:

Si utilizamos un MOSFET que conmute

Las placas estn a igual tensin

Una variacin de tensin induce corriente

Una variacin de corriente induce tensin

Efectos a tener en cuenta:

(Campos se anulan: =0)

El ncleo se conecta a tierra

Ojo con las patas!: aumentan la L parsita

ACOPLAMIENTOS : Acoplamiento por

conduccin (impedancia comn)

Si A-B demasiado largo el AMP2

Para cuantificar este

Cmo se evita el acoplamiento capacitivo?

El bucle 2 queda aislado

u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2

0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2

La tensin tensin inducida uV esta influenciada por la impedancia comn Z1 y

El acoplamiento inductivo (M)

u g = (2R + Z1 )I1 + (Z1 jwM )I 2

0 = (Z1 jwM )I1 + (Z1 + Z 2 jw 2M )I 2

- Acoplamiento a otros circuitos

Podemos desdoblar el circuito en dos

(1) Cable coaxial 50 (RG58)