Fuente Conmutada Diseno

F FF F
F FF F
u uu u
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t tt t
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C CC C
C CC C
o oo o
o oo o
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n nn n
m mm m
m mm m
u uu u
u uu u
t tt t
t tt t
a aa a
a aa a
d dd d
d dd d
a aa a
a aa a
A AA A
A AA A
i ii i
i ii i
s ss s
s ss s
l ll l
l ll l
a aa a
a aa a
d dd d
d dd d
a aa a
a aa a

d dd d
d dd d
e ee e
e ee e
M MM M
M MM M
e ee e
e ee e
d dd d
d dd d
i ii i
i ii i
o oo o
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P PP P
P PP P
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F Fu ue en nt te e C Co on nm mu ut ta ad da a d de e M Me ed di io o P Pu ue en nt te e - Hoja: 1
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Introduccin:

Una fuente conmutada es un dispositivo electrnico que transforma energa elctrica mediante
transistores en conmutacin. Mientras que un regulador de tensin utiliza transistores polariza-
dos en su regin activa de amplificacin, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmut-
tndolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos tpicamente) entre corte (abiertos)
y saturacin (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores
con ncleo de ferrita (Los ncleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias) para
obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (con
diodos rpidos)y filtrados (Inductores y capacitores)para obtener los voltajes de salida de co-
rriente continua (CC).

Requerimientos:

Medio puente - Off-Line
Potencia salida: 50w
Lnea de alimentacin: 200 a 240V RMS, 50 Hz
Frecuencia de conmutacin: 80Khz
Salida: 24V, 2,5A, lmite de corriente 3,5A.
Salida: Ripple de 400mV
p-p
, regulacin en lnea y carga +/- 1%.
Eficiencia 75%
Aislacin de lnea 3750V


Desarrollo:

El trmino Off-Line significa que el regulador (PWM) va en el primario del transformador de po-
tencia y opera en forma independiente de la lnea. Aunque, el regulador PWM puede estar conec-
tado en el lado de la carga. Adems, no utiliza transformador de alimentacin adicional, ya que se
rectifica la lnea y se convierte a la tensin de salida V
0
sin utilizar transformador adicional.

El siguiente diagrama en bloque muestra los componentes de una fuente conmutada:

El circuito de Entrada de lnea

El circuito de entrada tiene un supresor de RFI (Interferencia de Radiofrecuencia), para evitar que
la fuente conmutada genere ruido en la lnea.
Adems posee una NTC para generar un arranque suave. La NTC es un componente, que vara su
resistencia en funcin de la temperatura. As, cuando reciben una temperatura mayor que la de am-
biente disminuye su valor hmico y cuando es baja o de ambiente aumenta.
La red supresora de RFI tiene los capacitores de alta tensin (> 500V ) y de alta frecuencia. Los
capacitores C5 C6 tienen un valor de 150nF.
Los diodos D5 a D8 funcionan como puente rectificador de onda completa para 220 voltios.

El clculo de los capacitores C
8
y C
9
es el siguiente:

RIPPLE
V
t I
C
=

Circuitos auxiliares
de
proteccin
Transformador de
potencia

Rectificador y
Filtro

Elementos
de
conmutacin

Filtro RFI + arranque
suave

Rectificador
y
filtro

Realimentacin
aislada y lgica
de control
V
0

Entrada
Vlinea


donde I = corriente de carga
t = tiempo en el que el capacitor suministra corriente
V
RIPPLE
= mxima tensin de ripple permitido

L
i
n
e

i
n
_
a
L
i
n
e

i
n
_
b
E
a
r
t

i
n
V
_
P
o
w
e
r

i
n
V
_
P
o
w
e
r

i
n
/
2
0
U
3
01
2
U
4
01
2
C
B
1
1
2
L
_
E
M
I
/
R
F
I
C
5
1
5
0
n
C
6
1
5
0
n
C
7
4
7
0
n
D
5
D
1
N
4
0
0
7
D
6
D
1
N
4
0
0
7
D
7
D
1
N
4
0
0
7
D
8
D
1
N
4
0
0
7
R
1
6
1
0
0
k
R
1
7
1
0
0
k
C
8
2
2
0
u
C
9
2
2
0
u
N
T
C
1
0
H
i
g
h

V
o
l
t
a
g
e
C
a
p
a
c
i
t
o
r
S
w
i
t
c
h
L
i
n
e

P
o
w
e
r

R
e
c
t
i
f
i
e
r
E
M
I
/
R
F
I

F
i
l
t
e
r
P
o
w
e
r

F
i
l
t
e
r


Trabajando a 115V, 50Hz, una potencia de conmutacin de 50W y =75% en el peor de los casos.
Entonces:

W
W P
P
in
67 , 66
75 , 0
50
0
= = =

Vpico V V 311 2 * 220
0
= =

A
V
W
V
P
I
in
CARGA
21 , 0
311
67 , 66
0
= = =

Se asumir un ripple mximo de 30V
PP
y que el capacitor deber mantener la corriente durante el
semiperodo (10ms para lnea de 50Hz).

F
V
s A
C 70
30
10 * 10 * 21 , 0
3
2 1
= =

Se emplearn condensadores de 100uF y 200v de aislacin.

Los transistores de potencia

Ahora se estimar la corriente pico del transistor en una fuente conmutada semipuente simtrica
forward.
En el semiperiodo de la frecuencia de conmutacin, la corriente de trabajo es el doble.

in MAX
0
D
V D
P 2
I
=

Si = 80% D
MAX
= 0,8 (2 * 0,4), entonces Id queda:

A 6 . 0
258
50
125 . 3
V
P
125 , 3 I
MIN in
0
MAX D
= =

A 6 , 0 I
MAX D

V 4 , 339 V V o V
MAX in DSS CEV
=

Se elige el IRF820, con una corriente mxima de 2,5A y una tensin mxima V
DSS
=500V.


Los rectificadores de salida

( )
V 2 , 34
258 * 8 . 0
4 . 339 8 . 0 20
inductivas perdidas
V D
V ) V V (
V
MIN in MAX
MAX in F 0
RRM
=
+
= +
+

A 25 , 1 2 / 5 . 2
2
I
I
MAX 0
) AV ( F
= =

El transformador de potencia

1. Seleccionar el tipo de material, tipo de cazoleta. Los materiales Siemens ms usados en fuentes
conmutadas son:

Material Rango de Frecuencia

N27 y N41 25 a 150 KHz
N67 100 a 300 KHz

Los tipos de cazoletas ms utilizados son:

Tipo Usado en

RM Transmisin de mediana y baja potencia (preferentemente sin agujero central)
ETD Mediana potencia (posibilidades de bobinado automtico)
Pot Tcnicas de filtros de baja perdidas de flujo
PM Potencias en rangos de 250W a 2KW
EC y ER Potencia mediana. Permite gran rea de bobinado. Puede ser montado horizontal o verticalmente
E Idem anterior
U Gran potencia. Hasta 20 KW
Toroides Drivers y filtros de salida. Bajas prdidas. Baja potencia.

2. Determinar la excursin de la densidad de flujo

El transformador se deber disear para operar en el mayor valor de B posible, resultando en una
cantidad de vueltas menor en el devanado, incrementando el rango de potencia y obtenindose
menores prdidas de inductancia debidas al devanado. El valor mximo de B est limitado por el
valor de saturacin.

Del manual Siemens SIFERRIT:

Selected curve: material N27T25


Se utilizar un B de 300mT. A medida que aumenta la frecuencia se debe reducir la excursin
mxima de densidad de flujo.

3. Determinar el tamao de la cazoleta.

Este ser un procedimiento iterativo que permitir seleccionar un ncleo especfico que sea capaz
de soportar los voltios por segundos sin saturar y con prdidas en el ncleo y en el devanado acep-
tables.
Un mtodo til es aplicar la ecuacin del rea de producto, AP que es el producto del rea de la
ventana del ncleo A
W
multiplicada por el rea efectiva del ncleo A
e
. El valor de AP del ncleo
seleccionado deber ser mayor o igual.
Las siguientes ecuaciones se utilizan cuando el valor de B est limitado por el valor de satura-
cin, y cuando est limitada por las prdidas en el ncleo.

[ ]
4
t
out
31 . 1
t p u t
4
out
e W
cm
f B K
P 1 . 11
f 2 B 420 K K K
10 P
A A AP

= =

( ) [ ]
4
66 . 0
2
t E t H
58 . 1
t
4
out
e W
cm f k f k .
f 2 B 120 K
10 P
A A AP +

= =

donde :

K
u
es la fraccin del rea de la ventana del ncleo que est llenada ahora con el bobinado. Ku se
reduce por la aislacin, por la distancia en el final del recorrido de la bobina en aplicaciones de
alta tensin, y por el factor de llenado (forma del rea del cableado y capas). Ku es tpicamente
entre 0.4 y 0.3en fuentes off-line de alta aislacin.

out
P Potencia de salida
) RMS ( P
) DC ( in
T
I
I
K = relac. I entrada /I primario, y depende de la topologa
w
w
u
A
' A
K = factor de utilizacin de la ventana
w
p
p
' A
A
K = factor de rea del primario (el rea relativa del primario
respecto al rea
total de todos los devanados, proporcionados )
p u t
K K K K =
J densidad de corriente (420 A/cm
2
)
t
f frecuencia de operacin del transformador


K
P
es el rea relativa del primario respecto al rea total de todos los devanados, proporcionados de
manera tal que todos los devanados operen a la misma densidad de corriente RMS y la misma
densidad de potencia.

Para la mayora de los materiales ferrites, el coeficiente de histresis es
5
H
10 . 4 k

= y el
coeficiente de corriente de Eddy es
10
E
10 . 4 k

=

En las ecuaciones se asume que el bobinado ocupa el 40% del rea de la ventana, que las reas del
primario y el secundario estn proporcionadas por igual densidad de potencia y que las prdidas
del conductor y del ncleo resultan en una subida de 30 con enfriamiento por conveccin natural.
La tabla siguiente muestra los valores tpicos de las constantes K:

Table I. K factors
K Kt Ku Kp
Forward converter SE/SE 0.141 0.71 0.40 0.50
Bridge / Half Bridge SE/CT 0.165 1.0 0.40 0.41
Full wave center-tap CT/CT 0.141 1.41 0.40 0.25

Note: Throughout the following calculations:
Half-bridge Vin equals 1/2 the rail-to-rail input voltage
C.T. primary All primary references are to 1/2 the total primary

SE/SE: Single-ended primary / secundaries (forward converter, fly-back, boost)
SE/CT: Single-ended primary / center- tap secundaries (Half bridge, Bridge)
CT/CT: Center-Tap primary / secundaries (Full Wave Center-Tap)

Material= N27 & N41
Volumen (Cm
3
)
Potencia
(W)
RM8
100W
Push pull feed forward converter at 100khz
B
t
B150mT


De la anterior se puede ver que con una potencia de 50W/0,8=62.5W se puede utilizar el RM8 con
un volumen efectivo con agujero central de V
EFECTIVO
=1840mm
3
(sin agujero central 2430 mm
3
). Por dis-
ponibilidad, se buscar en el manual una cazoleta E que tenga un volumen efectivo mayor o
igual que 1840mm
3
. La cazoleta EE25.4/10/7 tiene un volumen efectivo de 1910 mm
3
con mate-
rial N27.
El B del material N27 que se utilizar ser de 200mT

4. Calcular la cantidad de vueltas del devanado primario. Este es el clculo ms crtico. Por lo que
deber ajustarse al valor definitivo por ensayo y error en laboratorio. EE25.4/10/7 con Amin=
38,4mm
2
.
La frmula utilizada es la Ley de Faraday modificada, donde V es la tensin pico, si se considera
que Dmax=0.45 por cada semiciclo,

06 . 39
4 , 38 * 300 f
10 * 160 * 225 , 0
A B f
10 V
225 , 0
N
Sw
9
min max Sw
9
P
= =
Se adopta en el primer ensayo 40 N

P
=

( )
( )
9 , 7
8 . 0 * 258
40 8 . 0 40
D * V
N V V
N
MAX MIN prim in
P diodo F out
S
=
+
=
+
= Se adoptar 8 N
S
=

Adoptando una densidad de corriente de
2
mm / A 2 . 4 , los dimetros de los conductores ser:

42 , 0
2 . 4 *
6 , 0 * 4
J .
I 4
P
=
=

El dimetro del primario ser de

mm 45 , 0
P
=

Por el secundario se reparte la mitad en un sector, y la mitad en el otro. Por lo que, si I
Out
=2,5A:
Si Dmax=0.8

A 581 , 1
2
D
5 , 2 I
MAX
RMS
= =

69 , 0
2 . 4 *
581 , 1 * 4
J .
I 4
S
=
=

mm 7 , 0
S
=


Clculo del choke L2, C3 y C10 de salida

Vout_gnd
+Vout
C10
470n/250V
T_Power
D2
MUR420
D3
MUR420
L2
C3
100u/63V HFC
Polyester

Este deber tener las siguientes caractersticas:

Material de alto valor de saturacin de densidad de flujo en el material
Alta capacidad de almacenamiento de energa
Entrehierro inherente y calibrado (si es necesario), ya que ste operar en CC.

El inductor operar con CC superpuesta que no se anular, y adems, trabajar en un slo cuadran-
te del ciclo B-H. Tpicamente se disea con una capacidad del 50% ms que la que requiere la car-
ga, durante el ciclo de operacin.

La cantidad de energa que almacena el inductor durante cada ciclo es:
( )
2
min PK
i i L
2
1
E =

La cantidad de energa remanente en el ncleo est dada por:
E Li
resid min
=
1
2
2

La frecuencia aplicada en L es el doble que la de la fuente conmutada.

iL(low) iL(high)
I
pk

V
i
t
on

t
of
40V
i
I
min

2T T
t
t


S 125 , 3
3 E 80 * 2
40
20
1
f 2
V
V
1
t
in
out
) MAX ( off
=
=

L
V t
I
H
out off MAX
out
= = =
( )
, *
* , *
, * , 0 25
20 3125 10
0 25 2 5
100
6

P L I f W
L L
= = =
1
2
1
2
100 10 2 160 10 32
2 6 3
* * * P W
L
32

Usando el E20/6, con un A
L
= 900nH

A
L
N
L
=
2
N
L
A
vueltas
L
= = =
100 10
900 10
10 54
6
9
*
*
,

Si Dmax=0.8

A 581 , 1
2
D
5 , 2 I
MAX
RMS
= =
69 , 0
2 . 4 *
581 , 1 * 4
J .
I 4
choke
=
= mm 7 , 0
choke
=

Para calcular C3:

F
V
T I
C
MAX Ripple
MAX off MAX out
6 , 19
10 * 400
10 * 125 . 3 * 5 , 2
3
6
) (
) ( ) (
(min) 3
= = =

F C 100 3=

Clculo C10:

La topologa medio puente es muy usada en convertidores off-line debido a que la tensin de
bloqueo de los transistores no es el doble de la alimentacin, como en el caso de los convertidores
forward de simple switch, y la topologa push-pull. Otra ventaja de sta topologa es que permite
balancear los Volts/segundo de cada transistor de conmutacin automticamente para prevenir la
saturacin utilizando un mtodo sencillo de balanceo del intervalo de cada transistor sin emplear
ncleos con entrehierro, y sin correctores de simetra.
Este capacitor de acoplamiento es normalmente del tipo sin polaridad capaz de manejar la
corriente del primario.
Un aspecto importante relacionado con el valor del capacitor de acoplamiento es la tensin de
carga de ste.

N=11 vueltas


Debido a que el capacitor se carga y descarga todos los semiciclos de f
S
, la componente en
continua se adicionar a
V
in
2
.
t
C
I
V
C
= es la tensin de carga del capacitor.
. arg int
.
capac del a c de tiempo de ervalo t
capacitor del valor C
primario el en corr I
=
=
=

t = T D
MAX
= t
ON
y T
f
S
=
1

Para un convertidor de 80Khz, el ciclo de trabajo D
MAX
= 0,8.
El intervalo de carga es:

t = T D
MAX
= 12,5 * 10
-6
* 0,8 = 10 s.

La tensin de carga deber tener un valor mximo razonable, del 10 al 20% de
V
in
2
. Esto es, si:

V
in
2
= 160V
NOMINAL

entonces:
16 V
C
32V

Esto ser, para una buena regulacin del convertidor.

C I
dt
dV
C
=
in C
V % 20 y % 10 entre arbitrario valor dV
a arg c de ervalo int dt
promedio primario . corr I
=
=
=

nF 300
20
10 * 10 * 8 , 0 * 6 , 0
V
T D I
C
6
C
MAX MAX D
= =

Finalmente:

C10=330nF/400V

Seleccin del transistor de potencia

Se deber elegir un transistor con una Ic0,6 y una Vds320V por lo tanto el IRF820 ser el
apropiado.
De la siguiente figura de la hoja de datos, y para V
GS
de 10V, la Q = 55nC tenemos:


t
d(on)
=14nS
t
d(off)
=33nS
t
r
=54nS
t
f
=35nS

El tiempo de conmutacin admitido deber ser mayor que t
d(on)
+ t
r
= 68nS, y mayor que
t
d(off)
+ t
f
= 68nS

Se tomar t
c
=100nS

I
Q
t
nC
nS
A
G
G
c
= = =
55
100
0 55 ,

Potencia del Driver: P Q V f nC V KHz mW
drv G GS c
= = = 55 10 80 44 * *

Impedancia del Driver: Parte plana: 15nC a casi 40nC 40-15=25nC

=
= 54 , 54
55 , 0
25 55
I
V V
R
) sat ( G
) plana ( GS ) sat ( GS
G


Mediciones realizadas:

Gate-Surtidor IRF 820


Tensin en el primario del transformador e potencia

Ripple en la carga (8 ohm)


Circuito Completo:

L
i
n
e

i
n
_
a
L
i
n
e

i
n
_
b
E
a
r
t

i
n
V
_
P
o
w
e
r

i
n
V
_
P
o
w
e
r

i
n
/
2
0
U
3
01
2
U
4
01
2
C
B
1
1
2
L
_
E
M
I
/
R
F
I
C
5
1
5
0
n
C
6
1
5
0
n
C
7
4
7
0
n
D
5
D
1
N
4
0
0
7
D
6
D
1
N
4
0
0
7
D
7
D
1
N
4
0
0
7
D
8
D
1
N
4
0
0
7
R
1
6
1
0
0
k
R
1
7
1
0
0
k
C
8
2
2
0
u
C
9
2
2
0
u
N
T
C
1
0
H
i
g
h

V
o
l
t
a
g
e
C
a
p
a
c
i
t
o
r
S
w
i
t
c
h
L
i
n
e

P
o
w
e
r

R
e
c
t
i
f
i
e
r
E
M
I
/
R
F
I

F
i
l
t
e
r
P
o
w
e
r

F
i
l
t
e
r


+12V +12V
0 0 0 0 0 0
V1a
V2a
0
Ref out_a
Ref out_b
CT
6.3n
R8
330
R1
10k
R2
10k
R7
1k
R19
100 C1
1u
RT
10k
U1
SG1525
15
1
2
1
6
1
2
91
0
11
14
13
4
8
5
3
6
7
VIN
ERR-
ERR+
V
R
E
F
G
N
D
C
O
M
P
S
H
U
T
OUTA
OUTB
C O
S
C
START
CT
SYNC
RT
DIS
R4
1k
R3
100k
R6 1k
R5 1k
Pulse Width Modulator
From Optocoupler
V2a
V1a
S_M1
G_M1
G_M2
S_M2
R10a2
100
R10b2
100
Driver Transformer
Driver - option 1


Vout_gnd
V_Power in/2
S_M2
G_M2
+Vout
0
V_Power in
G_M1
S_M1
C10
470n/250V
M2
IRF820
M1
IRF820
T_Power
R11b
1k
R11a
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D3
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15V_0.5W
Dz1a
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Dz1b
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C3
100u/63V
Power Switching
HFC
Power
Transformer
Polyester

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Se adopta en el primer ensayo 40 N

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