Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos.

El
nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos
positivos de una seal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos,
se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica.
Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello,
evita el paso de la corriente en tal sentido.
Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la
frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que
pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que
soportarn.
Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de
alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente.
Un diodo zner es bsicamente un diodo de unin, pero construido especialmente para
trabajar en la zona de ruptura de la tensin de polarizacin inversa; por eso algunas veces
se le conoce con el nombre de diodo de avalancha.

Su principal aplicacin es como regulador de tensin; es decir, como circuito que
mantiene la tensin de salida casi constante, independientemente de las variaciones que
se presenten en la lnea de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas
en la salida del circuito.

El diodo zner tiene la propiedad de mantener constante la tensin aplicada, aun cuando
la corriente sufra cambios. Para que el diodo zener pueda realizar esta funcin, debe
polarizarse de manera inversa.

Generalmente, la tensin de polarizacin del diodo es mayor que la tensin de ruptura;
adems, se coloca una resistencia limitadora en serie con l; de no ser as, conducira de
manera descontrolada hasta llegar al punto de su destruccin.

En muchas aplicaciones de regulacin de tensin, el diodo zner no es el dispositivo que
controla de manera directa la tensin de salida de un circuito; slo sirve de referencia
para un circuito ms complejo; es decir, el zner mantiene un valor de tensin constante
en sus terminales.

3. EL DIODO RECTIFICADOR

3.1. LA UNIN P-N

Lo primero que vamos a hacer es diferenciar entre el dispositivo diodo y el
componente diodo, si bien hay que aclarar que en el uso cotidiano se utiliza el trmino
diodo para referirse tanto al dispositivo como al componente.

Un dispositivo diodo es una unin P-N. Es decir, una unin de un semiconductor
extrnseco de tipo P con un semiconductor extrnseco de tipo N. (A este tipo de unin se le
llama homounin, por realizarse entre dos materiales de la misma naturaleza conductiva.
Existen tambin las heterouniones, que son las que se realizan entre dos materiales de
distinta naturaleza conductiva, por ejemplo la unin entre conductor y semiconductor). La
unin P-N surge como consecuencia del dopado de un cristal de silicio, de forma que una
mitad del cristal resulte en tipo P y la otra en tipo N (o bien por la fusin de dos cristales
aislados, uno de cada tipo).

Al formarse la unin P-N surge el diodo...

- El terminal al que conectemos la mitad de tipo P ser el nodo del diodo.

- El terminal al que conectemos la mitad de tipo N ser el ctodo del diodo.

- Al espacio sin cargas libres situado entre la zona P y la zona N del diodo lo
denominaremos zona de agotamiento del diodo.

Este es el smbolo del dispositivo diodo. En l hemos marcado con una A el
extremo correspondiente al nodo y con una K el extremo correspondiente al ctodo.
(NOTA: en muchos textos el tringulo del smbolo del diodo es un contorno, pero el que
est relleno de negro o no es irrelevante).


Smbolo del diodo
rectificador.

En cambio, el componente diodo es el encapsulado que contiene esta unin P-N y
que se montar directamente en el circuito, con su aspecto y su presentacin.

Esta situacin es anloga a la que puede ocurrir con el "dispositivo" resistencia (la
relacin voltaje-intensidad de corriente, dada por la ley de Ohm) y el "componente"
resistencia (la "resistencia" de un microondas, de un brasero, etc). Fundamentalmente,
aqu trataremos del diodo como dispositivo, no como componente; o lo que es lo mismo,
estudiaremos el comportamiento interno del componente diodo (su fundamento fsico, su
unin P-N, la razn por la que conduce o no segn la tensin aplicada...), sin meternos en
cuestiones como las adecuadas condiciones de temperatura para su funcionamiento,
encapsulado, tolerancia a fallos, modelos, etc.


3.2. COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN ESTTICO

(NOTA: en lo sucesivo, cuando hablemos de "diodo" a secas se deber entender que nos
estamos refiriendo al diodo rectificador).

Hablar de rgimen esttico es hablar de corriente continua. Como primera
aproximacin, y aunque como se ver esto no es del todo exacto, diremos que un diodo es
un dispositivo que deja pasar la corriente en un solo sentido, concretamente de nodo a
ctodo (el que indica la flecha de su smbolo), como se refleja en esta simulacin de
Electronics Workbench realizada a temperatura ambiente (27
o
C):



Diodo en polarizacin directa a temp.
ambiente (conduce)
Diodo en polarizacin inversa a temp.
ambiente (no conduce)


Observamos que en el circuito de la izquierda el diodo se comporta como una
resistencia muy baja, aproximadamente 021 para este ejemplo concreto (y por tanto es
casi como si no estuviera), mientras que en la grfica de la derecha se comporta como un
interruptor abierto. Es decir: un diodo polarizado directamente se comporta como un
cortocircuito, mientras que un diodo polarizado inversamente se comporta como un
circuito abierto.

Y es ahora cuando se trata de puntualizar nuestras palabras, puesto que el diodo s
conduce polarizado inversamente (y de hecho hay aplicaciones que requieren un diodo
polarizado inversamente, e incluso tipos de diodos, como el Zener que ya veremos con
ms detalle-, que trabajan nicamente en polarizacin inversa). Esto es lo que ocurre
exactamente:

- Al polarizar directamente el diodo se produce una corriente apreciable, del orden
de amperios, debido a que los portadores mayoritarios atraviesan la zona de agotamiento
en ambos sentidos (los huecos de la zona P van hacia la zona N y los electrones de la zona
N van hacia la zona P).

- Al polarizar inversamente el diodo los portadores mayoritarios no tienen
tendencia a atravesar la zona de agotamiento sino a alejarse de ella, lo cual provoca un
ligero ensanchamiento de la zona de agotamiento. La unin es atravesada por los
portadores minoritarios, que generan una pequea corriente llamada inversa o de
saturacin dirigida de ctodo a nodo. Dicha corriente de saturacin es del orden de
microamperios, y por tanto habitualmente despreciable a temperatura ambiente pero no
a temperaturas ms elevadas, como se puede apreciar en la siguiente simulacin de
Electronics Workbench realizada a 50
o
C:



Diodo en polarizacin inversa a temp. superior a la ambiente
(conduce)



3.3. PARMETROS QUE CARACTERIZAN EL COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN
ESTTICO

V
D
= ddp entre los terminales del diodo
I
D
= intensidad de corriente que lo atraviesa
V
Z
= tensin de ruptura (valor de tensin que en un diodo rectificador no conviene
que se alcance si no queremos inutilizar el diodo; este parmetro adquiere otro
significado en los diodos Zener, como ya veremos)
V
g
= tensin umbral (parmetro propio de cada diodo a partir del cual empieza a
conducir valores de corriente positivos)
I
0
= corriente inversa de saturacin. (A 25
o
C, I
o
=10 A. Para t25, I
0
(t)=I
0
(25)
10
25
2
t
).
(Muchas veces, en lugar de V
D
e I
D
se escribe simplemente V e I).

Estos parmetros nos permiten perfilar todava ms la explicacin sobre la
conductividad del diodo; la corriente I que circula por el diodo ser:
tiende a - si V
Z
>V
I
0
si V
Z
<V<V
g

I
0
(
T
V
V
e

-1) si V>V
g

siendo el factor de correccin (suele despreciarse por ser aproximadamente igual
a 1) y V
T
la tensin equivalente de la temperatura (a su vez V
T
=KT/q, siendo K la constante
de Kaufman).
La siguiente grfica representa de manera aproximada la anterior funcin definida
a trozos.


Curva caracterstica real del diodo rectificador.

Aclararemos tambin que habitualmente se trabaja slo con la parte de la curva
limitada por los semiejes positivos de V e I, a la que se denomina curva caracterstica ideal
del diodo. Esto es cierto particularmente cuando trabajamos con diodos rectificadores y a
temperatura ambiente.


3.4. COMPORTAMIENTO DEL DIODO EN RGIMEN DINMICO
Es fcil generalizar el comportamiento estudiado para la corriente continua a las
condiciones de cambio de polaridad que impone la corriente alterna: en los semiciclos de
tensin positiva se aplicar lo estudiado para los diodos en polarizacin directa, e
igualmente a los semiciclos negativos se les aplicar lo estudiado para la polarizacin
inversa.
Es por esto que slo ser necesario hacer un par de apuntes:
- Si bien el generador de alterna produce una onda senoidal, con sus semiciclos
positivos y negativos, el diodo rectificar esos valores de tensin de forma que V
g
<0,
V
D
=0 (de ah su nombre de diodo rectificador). Esto se ver con ms detalle en el prximo
apartado, Aplicaciones del diodo rectificador.
- FRECUENCIA DE CONMUTACIN: En un generador de corriente alterna el cambio
de polaridad se produce de forma instantnea. Un diodo ideal respondera de forma
instantnea a este cambio, pasando de conducir grandes valores positivos de corriente a
no conducir nada (como se ha visto en el prrafo anterior). Sin embargo, en la realidad,
cuando se produce el cambio de polaridad aparece un valor de corriente, de signo
negativo y de valor absoluto muy alto, en un instante t
1
que se reduce exponencialmente
hasta llegar a 0 en el instante t
2
, como muestra la siguiente grfica (en la cual se ha
representado en azul la onda cuadrada del generador de alterna y en rojo la onda
rectificada por el diodo real):


Diodo de conmutacin rpida.

Esto es debido a la inercia de los portadores mayoritarios; en el instante de
inversin de polaridad, y durante una pequesima fraccin de segundo, el mismo n de
portadores mayoritarios sigue atravesando la zona de agotamiento y por tanto la
corriente es la misma (en valor absoluto, pero ahora con el signo cambiado) que en el
semiciclo positivo. De aqu se deduce que grandes corrientes no pueden invertirse en
tiempo nulo, ni siquiera despreciable. Al tiempo que tarda el diodo en reaccionar frente al
cambio de polaridad se denomina t
rr
o tiempo de recuperacin en inversa, que coincide
con la diferencia t
2
-t
1
.
Todo diodo tiene como parmetro caracterstico su frecuencia de conmutacin
f
D
=1/t
rr
. Si la frecuencia de la seal del generador de alterna supera f
D
, la seal de llegada
del semiciclo positivo se producir antes de que llegue el instante t
2
de puesta a 0 y
tendremos lo que se llama un diodo de conmutacin lenta:


Diodo de conmutacin lenta.

En el siguiente apartado veremos algunas posibles aplicaciones del diodo rectificador.
EL DIODO
1 INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.
En la Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

Figura 1: Smbolo y curva caracterstica tensin-corriente del diodo ideal.
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al
paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido
opuesto. La punta de la flecha del smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el
sentido permitido de la corriente.
presenta resistencia nula.
presenta resistencia infinita.
Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un diodo
en circuito sencillo.

Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal.
Segn est colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.
En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulacin, ya que la corriente entra
por el nodo, y ste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce
una cada de tensin de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA.
En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportndose como un
interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los 10V se aplican al
diodo.
2 DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores
de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le
aaden dos terminales metlicos para la conexin con el resto del circuito. En la Figura 3:
se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo
vertical y el plano.

Figura 3: Esquemas de diodos de unin PN
El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas
desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal.
En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formacin de los diodos de
semiconductores para pasar despus a exponer el comportamiento elctrico y las
desviaciones con respecto al comportamiento ideal.
2.1 Formacin de la unin PN
Supongamos que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con
una frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la
otra de tipo N (Figura 4). La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo
tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro). La zona N dispone de
electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En ambos casos se
tienen tambin portadores de signo contrario, aunque en una concentracin varios
rdenes de magnitud inferior (portadores minoritarios).

Figura 4: Impurificacin del silicio para la obtencin de diodos PN
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrn hay un ion positivo, y por cada
hueco un ion negativo, es decir, no existen distribuciones de carga neta, ni campos
elctricos internos. En el momento mismo de crear dos zonas de diferente concentracin
de portadores, entra en juego el mecanismo de la difusin. Como se recordar, este
fenmeno tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es
que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan
en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.
Huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrmonos en la regin
de la zona P cercana a la unin:
1. El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa, ya que antes de que llegara el electrn la carga total era nula.
2. Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en
la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unin se va creando una zona de carga, que es positiva
en la zona N y negativa en la zona P (Figura 5).

Figura 5: Formacin de la unin PN
En el ejemplo del captulo 5, los gases difunden completamente hasta llenar las dos
estancias de la caja y formar una mezcla uniforme. Sin embargo, a diferencia de lo que
ocurre con los gases de aquel ejemplo, en este caso estn difundiendo partculas
cargadas. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un campo
elctrico desde la zona N a la zona P. Este campo elctrico se opone al movimiento de
portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms cargas a la zona
opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico se equilibran y cesa el
trasiego de portadores. En ese momento est ya formado el diodo de unin PN, y como
resultado del proceso se ha obtenido:
Zona P, semiconductora, con una resistencia R
P
.
Zona N, semiconductora, con una resistencia .
Zona de agotamiento (depleccin): No es conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los
extremos acta una barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantneamente en el momento en el
que se ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningn aporte de energa,
excepto el de la agitacin trmica.
2.2 Polarizacin directa
El bloque PN descrito en el apartado anterior (Figura 6) en principio no permite el
establecimiento de una corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de
depleccin no es conductora.

Figura 6: Diodo PN durante la aplicacin de una tensin inferior a la de barrera
Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico
que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de
depleccin (Figura 7). Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la conduccin.

Figura 7: Diodo PN bajo la accin de una tensin mayor que la de barrera
Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleccin y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente (Figura 7):
1. Electrones y huecos se dirigen a la unin.
2. En la unin se recombinan.
En resumen, polarizar un diodo PNen directa es aplicar tensin positiva a la zona P y
negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas mviles
la zona de depleccin.
La tensin aplicada se emplea en:
Vencer la barrera de potencial.
Mover los portadores de carga.
2.3 Polarizacin inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensin positiva a la zona N y
negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios prximos a la unin. Estos
portadores son atrados hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de
depleccin. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula
(Figura 8).
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa
lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El movimiento de
estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en
polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.

Figura 8: Diodo PN polarizado en inversa
Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona
de depleccin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico puede ser
tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos
de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no
conlleva necesariamente la destruccin del diodo, mientras la potencia consumida por el
diodo se mantenga en niveles admisibles).
2.4 Caracterstica tensin-corriente
La Figura 9 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Figura 9: Caracterstica V-I de un diodo de unin PN.
En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento
explicadas en el apartado anterior:
Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).
o Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
o Regin de conduccin en polarizacin inversa.
Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza
la tensin de barrera (V
ON
). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de
V
ON
la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y
N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos
de silicio, V
ON
se sita en torno a 0,7 V.
Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que
la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la
ruptura, en la que de nuevo aumenta.
2.5 Diferencias entre el diodo de unin PN y el diodo ideal
Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:
1. La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula.
2. La tensin para la que comienza la conduccin es V
ON
.
3. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente.
4. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en coduccin por avalancha.
En la Figura 10 vemos representadas ms claramente estas diferencias entre los
comportamientos del diodo de unin PN e ideal.

Figura 10: Diferencias entre el comportamiento del diodo de unin PN y del diodo ideal
2.6 Principales caractersticas comerciales
A la hora de elegir un diodo para una aplicacin concreta se debe cuidar que presente
unas caractersticas apropiadas para dicha aplicacin. Para ello, se debe examinar
cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Las caractersticas
comerciales ms importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de
especificaciones son:
1. Corriente mxima en directa, I
Fmax
o I
FM
(DC forward current): Es la corriente
continua mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra
ningn dao, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por
efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen distinguir tres lmites:
o Corriente mxima continua (I
FM
)
o Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se
especifica tambin el tiempo que dura el pico
o Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia mxima del pico
1. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak
Inverse Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de
ruptura por avalancha.
2. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage):
Es la tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una
operacin en inversa segura.
3. Corriente en inversa, I
R
(Reverse current): Es habitual que se exprese para
diferentes valores de la tensin inversa
4. Cada de tensin en PD, V
F
(Forward Voltage): Pese a que se ha sealado
anteriormente los 0.7V como valor tpico, en muchas ocasiones los
fabricantes aportan datos detallados de esta cada de tensin, mediante la
grfica I-V del dispositivo.
Adems, es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del
comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En el
Anejo A.1 de este documento se incluyen unas hojas de datos de diodos a modo de
ejemplo.
3 MODELOS DEL DIODO DE UNION PN
A continuacin se van a explicar los diferentes tipos de modelos propuestos para el
funcionamiento de un diodo de unin PN.
3.1 Modelos para seales continuas
Bajo el trmino seales continuas se engloban en este apartado tanto las seales
constantes en el tiempo como aquellas que varan con una frecuencia muy baja.
3.1.1 Modelo DC del diodo real
El comportamiento del diodo real se corresponde con el indicado por la siguiente
expresin:

en donde:
n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.
Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la
magnitud de la corriente directa y del valor de I
S
.
V
T
, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K),
la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresin permite el clculo de V
T
:
con y .
El potencial trmico a temperatura ambiente, T=25C, es V
T
=271mV.
R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la tensin
que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula por el
componente y V la tensin entre terminales externos.
I
S
, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la estructura, del
material, del dopado y fuertemente de la temperatura.
La representacin grfica de este modelo se muestra en la Figura 11:

Figura 11: Representacin grfica del modelo del diodo real.
Como puede apreciarse, este modelo no da cuenta de la tensin de ruptura en inversa.
El modelo puede completarse mediante la adicin de nuevos parmetros que incluyan
efectos no contemplados en la teora bsica. Por ejemplo, algunos modelos empleados en
los programas simulacin por ordenador constan de hasta quince parmetros. Sin
embargo, a la hora de realizar clculos sobre el papel resulta poco prctico. Por ello es
habitual realizar simplificaciones del modelo para obtener soluciones de modo ms
simple.
3.1.2 Modelo ideal del diodo de unin PN.
El modelo ideal del diodo de unin PN se obtiene asumiendo las siguientes
simplificaciones:
Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.
Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequea y que, por lo tanto,
la cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea, frente a la cada de tensin
en la unin PN.

Para V<0, el trmino exponencial es muy pequeo, despreciable frente a la unidad.
Entonces la intensidad tiende al valor I
S
, que como ya se haba indicado anteriormente, es
la corriente inversa del diodo. Para V>0, la exponencial crece rpidamente por encima de
la unidad.
3.1.3 Modelo lineal por tramos
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco prctico, dado su carcter
no lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximacin del modelo ideal
del diodo de unin PN, considerando las siguientes simplificaciones:
En inversa, la corriente a travs de la unin es nula.
En directa, la cada de tensin en la unin PN (V
ON
) es constante e independiente
de la intensidad que circule por el diodo.
Para calcular el valor de V
ON
se considera un diodo de unin PN de silicio con una I
S
= 85 fA
a una temperatura ambiente de T=25 C. El potencial trmico a esa temperatura es V
T
=27
mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo
queda:

A partir de esta expresin, se puede calcular la cada de tensin en el diodo para las
magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrnicos. Por ejemplo, para un
intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <V
DIODO
< 0.77 V. Como se
puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 rdenes de magnitud, la tensin
apenas ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la cada
de tensin en la unin PN a un valor constante de 0.7 V.
Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican
los clculos en la resolucin del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos
lineales denominados inversa y directa (o corte y conduccin), cada uno de los cuales
obedece a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:
Estado Modelo Condicin
Conduccin


Corte


La Figura 12 muestra la curva caracterstica V-I del modelo lineal

Figura 12: Modelo lineal por tramos del diodo.
En la Figura 12, quedan reflejados los dos posibles estados del diodo el diodo:
Conduccin o Polarizacin Directa "On", donde la tensin es V
ON
para cualquier
valor de la corriente.
Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la corriente es nula para cualquier valor
de tensin menor que V
ON
.
El uso de este modelo slo est justificado en aquellas ocasiones en las que no se requiere
una gran exactitud en los clculos.
3.2 Modelo para pequeas seales de alterna
Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza en un punto de tensin positiva, y sobre
ese punto se superpone una seal alterna de pequea amplitud.

Figura 13: Diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a una continua
El funcionamiento del diodo en esta situacin queda representada grficamente en la
Figura 14:

Figura 14: Tensin y corriente en un diodo polarizado con una seal alterna superpuesta a
una continua
Cuando al diodo se le aplica una tensin dada por la expresin:

la corriente que lo atraviesa puede calcularse aplicando cualquiera de los modelos
explicados anteriormente. Si se opta por el modelo exponencial ideal:

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada (V
D
) y
queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (I
D
). El mtodo de clculo
sera:

Como puede apreciarse, el clculo se complica. Si se considera adems que el diodo est
dentro de un circuito es posible que ni siquiera pueda obtenerse una solucin analtica.
Para obtener la solucin al problema citado de una forma ms simple se linealiza la curva
del diodo en el entorno del punto de operacin, es decir, se sustituye dicha curva por la
recta que tiene la misma pendiente en el punto de operacin, segn se aprecia en la
Figura 15

Figura 15: Aproximacin de la caracterstica exponencial del diodo por la tangente en el
punto de operacin
Teniendo en cuenta esta aproximacin, la relacin entre los incrementos de tensin y de
corriente pueden relacionarse tal y como se indica:

Obviamente, esta aproximacin ser tanto ms cierta cuanto menores sean los valores de
V
D
e I
D
. A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se
le llama resistencia dinmica del diodo r
D
, y su expresin puede determinarse a partir del
modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si V
DQ
es mayor que V
T
puede
despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:


Como V
T
25 mV, la expresin vlida para el clculo de la resistencia dinmica de un diodo
en funcin de la corriente de polarizacin continua puede escribirse de la siguiente forma,
llamada aproximacin de Shockley:

Esta aproximacin slo es vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del
diodo.
4 APLICACION DE LOS MODELOS AL ANALISIS DE CIRCUITOS
En este apartado se detallan algunos mtodos vlidos para el anlisis de circuitos con
diodos, basndose en los modelos expuestos en el apartado anterior.
4.1 Modelo exponencial
Suponiendo que se dispone de un circuito en el que se desconoce la polarizacin del
diodo, los pasos para resolver el problema seran:
1. Sustituir el diodo por una fuente de tensin V
D
con el signo positivo en el nodo, y
nombrar como I
D
a la corriente que va de nodo a ctodo del diodo
2. Resolver el circuito empleando las variables V
D
e I
D
como si fueran conocidas
1. Obtener la expresin que relaciona V
D
con I
D

2. La ecuacin del modelo del diodo proporciona otra relacin entre V
D
e I
D

3. Se resuelve el sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas resultante
4.2 Modelo lineal por tramos
Los pasos para calcular las tensiones y corrientes en un circuito con un diodos empleando
el modelo lineal por tramos son:
1. Se asume la hiptesis de que el diodo est en uno de los dos estados posibles:
corte o conduccin
2. Se sustituye el diodo por el modelo correspondiente y se calculan las tensiones y
corrientes del circuito
3. Una vez calculado el punto de polarizacin del diodo se comprueba la validez de la
hiptesis: los resultados obtenidos han de ser coherentes con la condicin de
existencia. En el caso de que no lo sean, la hiptesis de partida no es correcta y es
necesario rehacer todos los clculos desde el punto 1 con el modelo para el estado
contrario.
4.3 Mtodo grfico
El procedimiento para el clculo sera ahora:
1. Eliminar el diodo del circuito
2. Calcular el circuito equivalente Thevenin entre los puntos en los que se encontraba
conectado el diodo
3. Dibujar la recta de carga correspondiente al circuito Thevenin calculado
4. Dibujar en el mismo grfico la curva caracterstica del diodo
5. Hallar el punto de interseccin de ambas curvas
4.4 Pequeas seales de alterna
Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente continua y otra
alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el principio de superposicin (Figura
16)

Figura 16: Anlisis de circuitos con componentes continuas y pequeas seales de alterna
El mtodo se resume en los siguientes puntos:
1. Anlisis DC del circuito: Se cortocircuita la fuente de AC y se calcula por cualquiera
de lo mtodos anteriores el punto de operacin del diodo.
2. Clculo de la resistencia dinmica del diodo, basndose en los resultados del punto
anterior
3. Anlisis AC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes DC y se sustituye el diodo por
su resistencia dinmica. De ese modo se obtiene el circuito equivalente AC, vlido
para el clculo de las amplitudes de las oscilaciones de las seales.
5 DIODOS ZENER
Algunos diodos se disean para aprovechar la tensin inversa de ruptura, con una curva
caracterstica brusca o afilada. Esto se consigue bsicamente a travs del control de los
dopados. Con ello se logran tensiones de ruptura de 2V a 200V, y potencias mximas
desde 0.5W a 50W.
La caracterstica de un diodo zener se muestra en la Figura 17. Tericamente no se
diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de empleo es distinta: el diodo zener
se utiliza para trabajar en la zona de ruptura, ya que mantiene constante la tensin entre
sus terminales (tensin zener, V
Z
). Una aplicacin muy usual es la estabilizacin de
tensiones.

Figura 17: Caracterstica V-I de un diodo Zener.
Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo normal,
junto con los siguientes:
V
Z
: Tensin de zener
I
ZM
: Corriente mxima en inversa.
NOTA: Hay que tener en cuenta que el fabricante nos da los valores de V
Z
y I
ZM
en valor
absoluto. Al resolver un problema, no hay que olvidar que los valores son negativos con el
criterio de signos establecido por el smbolo del componente (Figura 17).
El zener es un dispositivo de tres estados operativos:
Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal
Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal
Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante la V=V
Z
, con una corriente
entre 0 y I
ZM
.
El modelo lineal por tramos para el diodo zener es el siguiente:
Estado Modelo Condicin
Conduccin P.D. V=V
ON
I>0
Corte I=0 V
Z
<V<V
ON

Conduccin P.I. V=V
Z
I<0
6 EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION
La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna sinusoidal.
Esta energa se transmite hasta los centros de consumo mediante las redes de
distribucin. Sin embargo, en muchas ocasiones, se requiere una tensin de alimentacin
continua. Un rectificador es, bsicamente, un dispositivo que transforma la tensin
alterna en continua.

Figura 18: Esquema general de la rectificacin.
El rectificador es un aparato muy empleado en la vida diaria. Una gran parte de los
electrodomsticos utilizados en el hogar llevan incorporado un dispositivo de este tipo. En
general, estos aparatos necesitan menos tensin de alimentacin que la suministrada por
la red, por ello llevan incorporado en primer lugar un transformador de tensin. El
transformador reduce la tensin de la red (220V eficaces es una tensin generalmente
demasiado alta para pequeos electrodomsticos) a la tensin deseada. Una vez reducida
la tensin, el rectificador convierte la tensin alterna en continua.
En este apartado se van a presentar los esquemas rectificadores ms comnmente
empleados, partiendo para ello de un circuito bsico, e introduciendo en l los
componentes necesarios para mejorar su comportamiento.
6.1 Notaciones
Las notaciones empleadas en este apartado se detallan en la Figura 19.

Figura 19: Notaciones.
v
i
: tensin de entrada, v
i
=V
M
sen(wt).
V
O
: tensin de salida.
R
L
: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.
En el caso ms general, segn la notacin de la figura, la tensin v
i
sera la tensin de la
red , la V
O
sera la tensin deseada en continua y la R
L
simbolizara al aparato musical,
video, que por ser un elemento pasivo, puede reducirse a una simple resistencia de
carga mediante su circuito equivalente Thevenin.
Un rectificador funciona en vaco cuando no se le conecta ningn aparato, es decir,
cuando la R
L
no est unida al circuito. En caso de que s est conectada se dice que
funciona en carga.
6.2 Esquema bsico. Rizado de la onda de salida
El esquema de la Figura 20 es el ms sencillo de los rectificadores: el diodo. A continuacin
se estudia este circuito, para despus discutir la validez del mismo.

Figura 20: Esquema de un sencillo rectificador.
Cuando el valor de la tensin de entrada es superior a la de conduccin del diodo se crea
una corriente, y se cumple que: V
O
= v
i
-V
ON
.
Como se puede apreciar, la tensin de salida V
O
se parece muy poco a lo que se entiende
por tensin continua, es decir, un valor constante en el tiempo. Sin embargo, esta onda no
es tan mala como parece. Aunque no es constante, siempre es mayor que cero. Adems,
su valor medio es diferente de cero. Con los esquemas ms complejos, se intenta que esta
onda de salida se parezca lo ms posible a una lnea horizontal, pero siempre tendremos
una desviacin de la ideal, que se cuantifica por el rizado de la onda de salida:

En este caso, el rizado es del 100%. El problema con el que nos encontramos es que
cuando el diodo est en corte no se alimenta a la carga. Para disminuir el rizado, es
preciso suministrar energa a la carga durante los semiciclos en los que la fuente no acta.

Figura 21: Tensiones en el circuito de la Figura 20.
6.3 El condensador en los rectificadores
Como se recordar, el condensador es un componente que almacena energa. Cuando se
somete a una diferencia de potencial, esta obliga a las cargas a situarse entre sus placas.
En el momento en el que cesa el potencial, las cargas pueden retornar a un circuito y
comportarse como un generador de tensin.
En la Figura 22 se presenta el esquema elctrico que aplica este principio a la rectificacin.
Lo que se pretende es que sea el condensador el que alimente a la carga cuando no pueda
hacerlo la fuente de alimentacin.

Figura 22: Esquema de rectificador con condensador.
6.3.1 Funcionamiento en vaco:
Se estudiar en primer lugar el esquema en vaco, es decir, sin carga aplicada.

Figura 23: Funcionamiento en vaco.
Sea v
I
= V
M
sen(wt), y la cada de tensin en el diodo en conduccin despreciable. En el
instante inicial el condensador se encuentra descargado. En un punto entre ,
v
i
es mayor que cero, por lo tanto, el diodo D est polarizado en directa. Por l circula una
corriente que carga al condensador.
Se considera que el condensador se carga instantneamente (V
C
= v
i
). La carga del
condensador es posible porque hay un camino en el circuito que se lo permite.
En el instante , la tensin de entrada es mxima, v
i
= V
M
, as como la tensin del
condensador. Cuando la tensin de entrada empieza a decrecer el condensador, cargado
con una diferencia de potencial V
C
= V
M
, intenta seguir el ritmo que le marque la fuente de
tensin, disminuyendo V
C
. Evidentemente, para que el valor de V
C
disminuya, es necesario
que el condensador pierda parte de su carga ( ). Para ello, la corriente de
descarga ha de seguir un camino contrario al de la corriente que lo carg, ya que el
circuito se encuentra funcionando en vaco, sin ninguna carga R
L
conectada. La corriente
no puede circular dado que el diodo est en inversa para ese sentido de circulacin, con lo
que C no puede descargarse y mantiene fija la tensin V
M
. La siguiente figura refleja la
carga y descarga del condensador:

Figura 24: Funcionamiento del condensador.
Se puede deducir fcilmente, aplicando la ley de las mallas que cuando el diodo est en
corte , o sea, V
D
siempre es menor o igual que cero, el diodo
nunca conducir y el condensador nunca se descargar.

Figura 25: Tensiones en el circuito de la Figura 22.
Por lo tanto el condensador mantiene la diferencia de potencial entre sus terminales. La
Figura 25 resume todo lo visto en este subapartado.
La onda de salida es perfecta para nuestros propsitos, ya que salvo entre 0 y es
totalmente horizontal; pero vamos a ver qu pasa cuando el dispositivo funciona en carga.
6.3.2 Funcionamiento en carga:
Segn se ha definido previamente, el funcionamiento en carga es el que se obtiene al
conectar una carga R
L
al dispositivo objeto de estudio.

Figura 26: Dispositivo en carga.
Dado un valor de v
i
entre 0<wt<p/2. Al ser un valor positivo, el diodo est en conduccin.
Hay dos caminos posibles para la intensidad que salga del generador. Por un lado, hay una
corriente que carga el condensador, y por otro, una corriente que circule por R
L
. Si
suponemos que estamos en bajas frecuencias, el valor de la intensidad que absorbe el
condensador es despreciable frente a la que circula por R
L
, y se puede determinar el valor
de la corriente que atraviesa la carga como:

Cuando wt>p/2 como en el caso anterior el diodo entra en corte al intentar descargarse el
condensador por l. Sin embargo, ahora el condensador tiene un camino para descargarse
a travs de R
L
. Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta
independientemente con respecto al generador.

Figura 27: Descarga de C a travs de R
L
.
El condensador va perdiendo su carga al poder cerrarse una corriente a travs de R
L
. De
este modo, se cumple el objetivo de este diseo: C alimenta a la carga.
Volviendo al circuito original. D estar en corte mientras V
B
sea menor que V
A
. Por lo tanto
hay un punto en el que D vuelve a conducir (V
B
=V
A
), repitindose a partir de aqu toda la
secuencia. Dicho funcionamiento se muestra en la Figura 28.

Figura 28: Tensiones en el circuito de la Figura 26.
Tal como se aprecia en la figura Figura 28, el rizado obtenido es menor que el del esquema
anterior. Su valor depende de la rapidez con que se descargue C a travs de la resistencia.
Como se recordar, cuanto mayor sea el valor de C, mayor ser el tiempo que necesita
para descargarse, y menor el rizado. Como contrapartida, si C es muy grande es posible
que no tenga tiempo suficiente para cargarse durante el tiempo de conduccin de D.
6.3.3 Seleccin de los componentes
Una vez finalizado el anlisis del esquema elctrico de la Figura 22, se aborda
seguidamente la tarea de la seleccin de los componentes adecuados para una aplicacin
concreta.
6.3.3.1 Diodo
A la vista de las grficas de la Figura 28, se pueden calcular las caractersticas comerciales
exigibles al diodo del esquema.
Corriente mxima en polarizacin directa, I
Fmax
: Mientras est en conduccin y,
despreciando su cada de tensin (V
(ON)
):

Tambin se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.
Tensin mxima en inversa, PIV: Cuando est en corte, V
D
=v
i
-V
C
. V
C
es siempre
mayor que cero, tal y como se aprecia en la figura, y su valor mximo es V
M
. En
este aspecto es ms exigente el funcionamiento en vaco que en carga, ya que
cuando llega a ser -V
M
, V
C
sigue siendo V
M
, y se tiene V
D
=v
i
-V
C
=-V
M
-V
M
=-2V
M
.
Los parmetros comerciales del diodo sern, por lo tanto:
PIV=2V
M

6.3.3.2 Condensador
El valor de la capacidad del condensador se ha de calcular teniendo en cuenta el rizado
mximo exigido al aparato. Para la frecuencia de la red elctrica domstica, es posible
emplear la siguiente expresin:

en la que:
I
0
: cociente entre la tensin mxima, V
M
, y la resistencia de carga, R
L
.
t
c
: tiempo de descarga del condensador.
V
RIZADO
: Diferencia entre la tensin mxima y mnima admisible.
La deduccin de esta frmula ha sido discutida ya en el captulo segundo de estos
apuntes.
6.4 Rectificador de onda completa
el esquema anterior produce una onda de salida bastante aceptable, cuando el
condensador es lo suficientemente grande como para alimentar la carga durante un
semiciclo aproximadamente. Sin embargo, se desaprovecha medio ciclo de la red, con lo
que la potencia transmitida a la carga se limita. En el siguiente circuito, el puente de
diodos consigue que durante el semiciclo negativo tambin alimente la red a la carga.

Figura 29: Rectificador de onda completa.
Dado un valor positivo de la tensin de entrada, v
i
=V>0. El punto A est sometido al mayor
potencial del circuito, V, mientras que D se encuentra a potencial nulo, el menor en ese
instante. Por lo tanto, los puntos B y C se encontrarn a un potencial intermedio entre 0 y
V voltios. Un circuito que est alimentado entre 0 y 10V, por ejemplo, no tiene sentido
que haya un punto del mismo que tenga un potencial mayor que 10V con respecto a la
referencia, ya que la tensin slo puede disminuir entre los nodos de los componentes del
circuito (esto es vlido slo para el rgimen permanente).
Suponiendo que hay una corriente intentando circular. Como V
A
es mayor que V
C
el diodo
D
2
esta en condiciones de conducir, mientras que D
1
est en corte. La corriente circular de
a C. D
4
est en corte, puesto que V
DC
=V
D
-V
C
<0, por lo tanto la intensidad atraviesa R
L
de
arriba a abajo. El retorno de corriente ser por D
3
, puesto que V
B
<V
A
y V
B
>V
D
.
As pues, D
1
y D
4
no conducen en el semiciclo positivo de v
i
. El esquema equivalente sera:

Figura 30: Rectificador de onda completa durante los semiciclos positivos.
Mediante un razonamiento anlogo se consigue determinar el esquema equivalente
mostrado en la Figura 31.

Figura 31: Rectificador de onda completa durante los semiciclos negativos.

Figura 32: Tensiones en el rectificador de onda completa.
En ambos casos, la corriente que circula por R
L
circula en el mismo sentido, luego la cada
de tensin en R
L
siempre es del mismo signo:
Si ahora se filtrase esta seal mediante un condensador, mejorara su rizado. El
condensador necesario es de menor capacidad que en el esquema anterior, puesto que
debe alimentar durante menos tiempo a la carga.
1 Si se aplican 18 V al siguiente circuito, qu tensin medir el voltmetro si D
1
es de
silicio?

2 Si el diodo D del circuito del problema 3 puede soportar una corriente mxima de 500
mA, cul es el mnimo valor de la resistencia R con el que se puede utilizar el circuito si se
aplican 20 V?
3 Si la resistencia R de la figura es de 100 y se aplican 10 V al circuito, cunto valdr la
potencia disipada en el diodo D?

4 Si el diodo D de la figura del problema 5 tiene un pico inverso de voltaje (PIV) de 100 V,
cunto es la tensin mxima que se puede aplicar al circuito?, y si se conecta una
resistencia en paralelo con el diodo R
2
=2.7 kW?
5 Cul ser la potencia disipada el en diodo D de la figura si se aplican 60 V al circuito?, y
si se conecta una resistencia de 2.7 kW en paralelo con el diodo?

6 Calcular la corriente que atraviesa el diodo en el circuito de la figura, empleando el
modelo lineal por tramos.

7 En el problema de la figura anterior, calcular la corriente que circula por el diodo
mediante el mtodo grfico, tomando como caracterstica V-I del diodo la curva que se
presenta a continuacin.

8 El generador del el circuito de la figura puede aportar una tensin comprendida entre -
20 y +20 V. Se pide determinar las expresiones que permitan calcular V
OUT
en funcin de
V
IN
dentro del rango indicado.

9 Calcular el punto de operacin del diodo (corriente y tensin en el mismo) para E
CC
=10V,
R
1
= R
2
= R
3
=1k.
Aplicando el modelo lineal por tramos del diodo.
Mediante un mtodo grfico.

10 En el circuito de la figura adjunta se pide:
Potencia suministrada por la fuente.
Potencia disipada por cada una de las resistencias.
Potencia disipada por el diodo.

11 En el circuito de la figura representar las ondas de tensin y corriente de salida (v
o
(t),
i
o
(t)) del circuito de la figura, siendo e(t) la tensin de red domstica europea.

12 Si el generador de seal "e" de la figura produce una onda senoidal de 10 V entre pico y
pico, y la resistencia R tiene un valor de 500 ohmios, qu caractersticas debemos exigir a
un diodo de silicio para utilizarlo como se indica en la figura?

13 Se quiere fabricar un circuito como el de la figura adjunta. Qu caractersticas
deberamos exigir al diodo? (e = 10 sen t)

14 Calcular la tensin y la corriente en la resistencia R
L
(V
M
= 10 V; R
L
= 2,2 k).

15 Deducir la expresin de la resistencia dinmica de un diodo partiendo del modelo
exponencial del mismo. Si V
T
= 25 mV para T = 25 C, comparar el resultado obtenido con
la aproximacin de Shockley.
16 Calcular la resistencia esttica del diodo, cuya curva caracterstica se incluye a
continuacin, en los puntos A, B, C y D de la curva. (Nota: Las escalas de los ejes x positivo
y negativo son diferentes)

17 Calcular la resistencia dinmica del diodo del problema anterior en los cuatro puntos
indicados. Comparar el mtodo grfico de clculo con la aproximacin de Shockley.
18 Hallar la resistencia esttica y dinmica en el punto A de la figura.

19 Sea el circuito de la figura con V
ZC
=10 V e I
ZM
=0,05 A. Entre qu valores puede variar R
L

mantenindose alimentada a 10 V?

20 Para una tensin de entrada de 28 V (DC), calcular la corriente en TP1 para el circuito
de la figura. R
1
=1 K, R
L
=1 K, V
z
=9.6 V.

21 Cunta potencia ser disipada por un diodo Zener de 9 V cuando le atraviesa una
corriente de 100 mA en polarizacin directa?
Y si a ese mismo diodo le atraviesa la misma corriente en inversa?
22 En el siguiente circuito:
Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga antes de que el
Zener deje de regular la tensin.
Si R
L
es 1 k, hallar la corriente y la potencia disipada en el Zener, la corriente en la
carga y V
0
.
Idem si R
L
toma el valor 10 k.

23 Mediante la recta de carga hallar el punto de operacin del zener del problema 20 para
R
2
=400, si se cambia el zener por otro que tenga I
ZM
=0.1A.
24 En el circuito de la figura,
Determinar la mxima corriente que se puede aplicar a la carga R
c
antes de que el
Zener falle.
Si R
c
fuera 2 k, hallar la corriente del Zener y la corriente en la carga.
Hallar la potencia que disipa el Zener en los casos en que R
c
tome como valor 2 k.

25 Para el circuito de la figura:
Representar grficamente la tensin de salida v
o
si en la entrada se aplica una
seal alterna v
i
= V sen t. (Para el diodo despreciar la cada de tensin en directa).
Si V = 200 voltios, R
1
= R
2
= 1 k , determinar las caractersticas comerciales del
diodo apropiado para esta aplicacin.
Si nos interesara disminuir el rizado de la onda v
o
: Qu esquema adicional podra
aadrsele a este?.

26 Dado el circuito siguiente:

Hallar la tensin de salida del dispositivo, funcionando en vaco (sin carga en la
salida). Despreciar la cada de tensin en el diodo.
Qu misin tiene la resistencia R?. Se podra quitar?.
Calcular las caractersticas comerciales del diodo D.
Discutir la posibilidad de sustituir la rama AB por un diodo Zener. Qu
comportamiento tendr entonces el dispositivo?. Qu caractersticas debera
tener este diodo para que no se deteriore?.
DATOS: e = 500 sen t ; E = 100 V ; R = 1 K
27 En el dispositivo de la figura:

Cul es la situacin ms desfavorable para el diodo, el funcionamiento en vaco o con una
carga resistiva colocada entre A y B?. (El valor de E es menor que e
MAX
).
28 El circuito de la figura adjunta est preparado para rectificar ondas sinusoidales de 220
V de valor eficaz ( V de valor de pico). Debido a un error de manipulacin, se
conecta el dispositivo en carga a una tensin continua de 500 V. A los pocos segundos de
dicha conexin se impregna el ambiente de un olor a plstico quemado, y el dispositivo
deja de funcionar (no se reciben seales en la carga). Sabras decir qu componente/s se
ha/n quemado y por qu?.
Datos adicionales: Potencia disipable mxima en las resistencias = 100 W.

29 Dado el circuito de la figura:
Dibujar aproximadamente las formas de onda de las tensiones V
0
y V
0
' para dos
ciclos completos de la onda de entrada V
i
.
Caractersticas comerciales del diodo D
2
.
Podra ser C un condensador electroltico?. Justificar la respuesta.
DATOS: e = 200 sen(100t) V. R = 1 k
V
Z
= 50 V.
R
L
= 1 k
Despreciar las cadas de tensin en los diodos en conduccin.
Considerar que la velocidad de descarga de C sobre R
L
es pequea comparada con la
frecuencia de la red.

30 Disear un puente rectificador de onda completa que entregue 10V en tensin
continua con un rizado menor de 0.1 V de pico a pico a una carga que requiere 10 mA.
Elegir una adecuada tensin de entrada al circuito.

31 Se quiere proteger un circuito conectado a la salida V
out
del circuito de la figura frente a
posibles sobretensiones producidas por una seal de entrada V
in
excesivamente fuerte.

Si se desea que V
out
sea menor que 5V, cual debe ser la tensin a la que se conecta el
diodo.
32 Disear con un diodo Zener una fuente de tensin regulada de 12V para corrientes
entre 0 y 100mA. La tensin de entrada puede variar entre +20V y +25V. La corriente
mnima que debe atravesar el Zener debe de ser de 10mA en las condiciones ms
desfavorables de trabajo.
Cual es la potencia disipada por el zener?
Diodos Semiconductores
Contenido:
Diodo Semiconductor
Clasificacin.
Diodos Rectificadores. Caractersticas.
Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento.
Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento
Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento.
Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N,
aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus
extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la
batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin
de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir
circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el
ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias
negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms
negativo que el ctodo.
La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos,
pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser
convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi
en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao
mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos.
- La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita
ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que
posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con
diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen
diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran
conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio.
Estos suelen estar encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los
extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin
Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que
actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que
queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms
destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se
pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con
encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de
conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos
especiales.
Diodos rectificadores
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de
baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por
encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos
deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador
de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de
corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios
diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se
utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de
alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en
montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos
mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un
encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de
diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones
de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos
de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada
sobre un radiador.
Caractersticas
Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente
directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin
inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva
(VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM),
medida a VRRM. - Potencia total (P/tot).
Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del
modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los
valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente.
Diodos de seal
Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal,
dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de
puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de
estos diodos son:
- Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. - Potencia
mxima (P/tot), 200 milivatios (mW)
El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos
terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el
hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las
proximidades de ste.
Diodos de conmutacin
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con
seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus
flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de
recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la
carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar
a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de
tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos
diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los
de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.
Diodos de alta frecuencia
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de
funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se
caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas
semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido
directo.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir
una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente
que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante
que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un
determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la
corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una
determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad
de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se
mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de
variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una
serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde
250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los
parmetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot).
Diodos especiales
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos
tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad
que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador,
cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la
tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores
variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado
en etapas de sintona de receptores de radio y TV.
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos,
aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y
ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser
capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido
inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea intensidad de fugas.


El diodo responde a la ecuacin:


La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:
V
RRM
: tensin inversa mxima
V
D
: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las
cuales podemos agrupar de la siguiente forma:
Caractersticas estticas:
o Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
o Parmetros en conduccin.
o Modelo esttico.
Caractersticas dinmicas:
o Tiempo de recuperacin inverso (t
rr
).
o Influencia del t
rr
en la conmutacin.
o Tiempo de recuperacin directo.
Potencias:
o Potencia mxima disipable.
o Potencia media disipada.
o Potencia inversa de pico repetitivo.
o Potencia inversa de pico no repetitivo.
Caractersticas trmicas.
Proteccin contra sobreintensidades.
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Caractersticas estticas



Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (V
RWM
): es la que puede ser soportada por el
dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (V
RRM
): es la que puede ser soportada en
picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (V
RSM
): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (V
BR
): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms
el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (V
R
): es la tensin continua que soporta el diodo en
estado de bloqueo.
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Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (I
F(AV)
): es el valor medio de la mxima intensidad de
impulsos sinusuidales de 180 que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (I
FRM
): es aquella que puede ser soportada cada 20
ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la
cpsula (normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (I
FSM
): es el mximo pico de intensidad
aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (I
F
): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conduccin.
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Modelos estticos del diodo


Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se
representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin
que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos
ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos
suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las
libreras del programa.
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Tiempo de recuperacin inverso
Caractersticas dinmicas


El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta
instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I
F
, la
zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con
tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea I
F
. Si mediante la aplicacin
de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta
velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe
cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La
tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo
t
a
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a
escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava
tarda un tiempo t
b
(llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico
negativo (I
RRM
) a un valor despreciable mientras van desapareciedo el exceso
de portadores.
o t
a
(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el
paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
o t
b
(tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de
ste.
o t
rr
(tiempo de recuperacin inversa): es la suma de t
a
y t
b
.



o Q
rr
: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea
negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
o di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
o I
rr
: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre t
b
/t
a
es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Q
rr
por el rea de un tringulo :


De donde :


Para el clculo de los parmetros I
RRM
y Q
rr
podemos suponer uno de los dos
siguientes casos:
o Para ta = tb trr = 2ta
o Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:


Y en el segundo caso:

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Influencia del trr en la conmutacin
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable :
o Se limita la frecuencia de funcionamiento.
o Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin
inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende t
rr
:
o A mayor I
RRM
menor t
rr
.
o Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor
ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser t
rr
.
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Tiempo de recuperacin directo
t
fr
(tiempo de recuperacin
directo): es el tiempo que
transcurre entre el instante
en que la tensin nodo-
ctodo se hace positiva y el
instante en que dicha
tensin se estabiliza en el
valor V
F
.
Este tiempo es bastante
menor que el de
recuperacin inversa y no
suele producir prdidas de
potencia apreciables.
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Disipacin de potencia

Potencia mxima disipable (P
mx
)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo
con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia
de trabajo.
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Potencia media disipada (P
AV
)
Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de
conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Se define la potencia media (P
AV
) que puede disipar el dispositivo, como :


Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :


y como :
es la intensidad media nominal
es la intensidad eficaz al cuadrado
Nos queda finalmente :


Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la
potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con
la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad
eficaz dividida entre la intensidad media).
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Potencia inversa de pico repetitiva (P
RRM
)
Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (P
RSM
)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.
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Temperatura de la unin (T
jmx
)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin
del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating
temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el
dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas
comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.
Temperatura de almacenamiento (T
stg
)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
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Resistencia trmica unin-contenedor (R
jc
)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En
caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
R
jc
= (T
jmx
- T
c
) / P
mx

siendo T
c
la temperatura del contenedor y P
mx
la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (R
cd
)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por
otro medio (como mica aislante, etc).
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Caractersticas trmicas
Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un
cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer
picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condesadores,
utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin,
que es incapaz de evacuar las calorias generadas, pasando de forma casi instantnea al
estado de cortocircuito (avalancha trmica).
Organos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco
numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del
tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn
compuestos y tienen sus caractersitcas indicadas en funcin de la potencia que
pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de
corriente, sino incluso con su I
2
t y su tensin.
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Parmetro I
2
t
La I
2
t de un fusible es la caractersitca de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t
se indica en segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I
2
t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible
el que se destruya y no el diodo.
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Proteccin contra sobreintensidades