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APLICACIONES DE LA FUNCIN DE LAMBERT EN

ELECTRNICA
Garca Snchez, Francisco J. Ortiz-Conde, Adelmo
Malobabic, Slavica
Resumen: Se presenta una revisin del uso de la funcin de Lambert en aplicaciones de electrnica.
Primeramente se describe brevemente su definicin y se mencionan algunas de sus propiedades.
Seguidamente se ofrecen ejemplos de cmo aplicar esta funcin en la solucin de algunas ecuaciones
transcendentales que involucran exponenciales. Las aplicaciones de esta funcin a la electrnica se
ilustran mediante ejemplos relativos a la solucin de problemas de dispositivos bipolares de juntura,
modelado de celdas solares bajo iluminacin, y modelos de dispositivos MOSFET.
Palabras clave: Funcin de Lambert/ Junturas no ideales/ Celdas solares/ MOSFETs sin dopaje.
APPLICATIONS OF LAMBERTS
FUNCTION IN ELECTRONICS
Abstract: A revision of the use of Lamberts function in electronics applications is presented. Firstly,
its definition is briefly described and some of its properties are mentioned. Next, examples are
worked out of how to apply this function to the solution of some transcendental equations which
contain exponentials. Applications of this function to electronics are illustrated through examples
dealing with the solution of problems such as bipolar junction devices, modelling of illuminated
solar cells, and MOSFET device modelling.
Keywords: Lambert Function/ Non Ideal Junctions/ Solar Cells/ Undoped MOSFETs.
I. INTRODUCCIN.
Una gran variedad de problemas en la ciencia y la tecnologa
estn descritos por ecuaciones transcendentales que requieren ya
sea de soluciones numricas iterativas o bien de soluciones
analticas aproximadas. La posibilidad de obtener soluciones
analticas exactas de estas ecuaciones ofrece grandes ventajas
desde varios puntos de vista. Una solucin analtica describe el
comportamiento de la variable de forma general, a diferencia de
los resultados numricos que dependen de las condiciones iniciales.
La solucin analtica ayuda en el entendimiento intuitivo del
problema, facilita la deduccin de su comportamiento cuando los
parmetros del problema varan, y simplifica el estudio de las
perturbaciones. Tambin puede contribuir en la unificacin de
fenmenos diferentes, y hace que el fenmeno en s sea ms
manejable y fcil de entender. En general una solucin analtica
se puede diferenciar e integrar analticamente, lo que permite
estudiar la variabilidad del fenmeno.
Aunque ciertamente las soluciones numricas iterativas pueden
proveer soluciones tan exactas como se requiera, la solucin
analtica, por no presentar problemas de convergencia, produce
resultados exactos de manera computacionalmente eficiente. Al
eliminar la necesidad de iteraciones numricas, la solucin analtica
posibilita la evaluacin rpida de numerosos casos repetitivos,
lo que es de fundamental importancia en situaciones de simulacin
circuital, donde un modelo se ha de utilizar miles, si no millones,
de veces. An en los casos en que se decida utilizar iteracin
numrica, las soluciones analticas pueden ser tiles para proveer
valores iniciales de las soluciones, facilitando as los clculos
iterativos complicados, dependientes del tiempo o
multidimensionales.
Volumen 10, Nmero 40,septiembre2006. pp 161-164
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Manuscrito finalizado en Caracas el 2006/01/11, recibido el 2006/02/23, en su forma final (aceptado) el 2006/06/13. Los autores desempean sus actividades en el
Dpto. de Electrnica de la Universidad Simn Bolvar, Apartado Postal 89000, Caracas 1080, Venezuela, telef-58-212-9064010, fax 58-212-9064025. Los Dres.
Francisco J. Garca Snchez y Adelmo Ortiz-Conde son Profesores Titulares, correos electrnicos fgarcia@ieee.org y ortizc@ieee.org respectivamente. La Ing.
Slavica Malobabic es Estudiante de Maestra, correo electrnico smalobabic@gmail.com.
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Existe una clase de ecuaciones transcendentales, las del tipo
lineal exponencial, que son muy comunes en ciertos circuitos
electrnicos y en el modelado de dispositivos semiconductores.
La funcin de Lambert (W) [1] permite obtener soluciones
cerradas y explcitas a estas ecuaciones transcendentales [2,3].
En este trabajo se presentar una revisin de la utilidad de la
funcin de Lambert, empezando por una breve descripcin de
sus propiedades, seguida de algunos ejemplos de soluciones a
ecuaciones transcendentales, as como aplicaciones tpicas a
problemas de electrnica. Las aplicaciones de esta funcin a la
electrnica se ilustran mediante ejemplos relativos a la solucin
de problemas de junturas no ideales con resistencias parsitas
en serie y en shunt, caractersticas corriente voltaje de dispositivos
fotovoltaicos bajo iluminacin, y modelos de dispositivos
MOSFET.
I. DESARROLLO
1. La funcin de Lambert
La funcin de Lambert tiene sus orgenes en el trabajo de J.
Lambert en el ao 1758. Ms tarde, en 1779, fue considerada
por Euler cuando estudi la ecuacin trascendental de Lambert.
Fue denominada W despus del trabajo hecho por E. M. Wright
en 1959 [4]. Desde entonces ha venido siendo utilizada
espordicamente en algunas aplicaciones, pero en aos recientes
la cantidad y diversidad de aplicaciones en las que se ha usado
esta funcin ha ido incrementndose considerablemente. Hasta
la fecha se ha usado W en aplicaciones generales tales como
ciertos problemas de fsica [5], electromagnetismo [6], mecnica
estadstica clsica [7], movimiento de proyectiles [8], generacin
de ruido gausiano [9,10], solucin de exponenciales infinitos
[11], solucin de la ecuacin de Schrdinger [12], etc. En el rea
de la electrnica se ha empleado W en resolver problemas de
diodos con resistencias en serie y en paralelo [13,14], circuitos
con transistores bipolares [15], celdas solares [16-18], modelado
del fenmeno de ruptura en xidos delgados [19], diseo de
consumo mnimo en circuitos [20], y modelado de transistores
de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFETs)
[21-26].
La funcin de Lambert es una funcin elementalmente implcita,
es decir, est definida de forma implcita usando funciones
elementales. Formalmente W se define para cualquier z compleja
como una funcin (compleja y de valores mltiples) que es la
solucin a la ecuacin trascendental quizs ms simple que exista,
l a ecuaci n l i neal exponenci al , represent ada por:
En la Figura 1.a se muestra z como el producto de W(z) por el
exponencial de W(z) en funcin de W(z). Intercambiando los ejes
se obtiene la funcin de Lambert W(z) en funcin de z que se
muestra en la figura 1.b.
Para argumentos reales x, es real si . Usando la
definicin de la funcin de Lambert se puede
decir que si , entonces , o lo que es lo mismo,
Observando la Figura 1.b se puede ver que para valores del
argumento x<0 existen o bien dos soluciones ( ) o
ninguna ( ). Para valores reales de W los valores del
argumento estn limitados a . W tiene dos ramas reales: la rama
principal y la rama negativa [27]. La rama principal W0 est
definida como:
y la rama negativa W1 est definida como:
Una de las caractersticas que hace atractivo el uso de expresiones
basadas en la funcin de Lambert es que es analticamente
diferenciable e integrable. La primera y segunda derivadas estn
dadas por
Figura 1. (a) z = W exp(W) en funcin de W (lnea continua),
mostrando tambin las funciones exp(W) y W (lneas
quebradas), (b) W en funcin de z, mostrando la rama
principal (lnea continua) y la rama negativa (lnea quebrada).
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W = z e z
z W ) (
) (
(1)
(2)
,
(3)
(4)
(5)
(6)
La integral indefinida de la funcin de Lambert es
La funcin de Lambert se puede representar mediante expansiones
en series [28]. Por ejemplo la serie alrededor de z=0 es:
Igualmente existen representaciones asintticas de W. La asntota
para z grande es
Existe disponible software numrico libre bien comprobado,
con precisin numrica arbitraria, para las dos ramas reales de
W. Por ejemplo, el Algoritmo 443 publicado en 1973 [29]. Ms
recientemente, en 1995, se public tambin el Algoritmo 743
de la base de datos TOMS de la librera pblica Netlib ( software,
escrito en FORTRAN, computa ambas ramas reales de W con
la precisin disponible en la plataforma utilizada [31]. Tambin
existen aproximaciones eficientes [32]. Varios paquetes
matemticos simblicos tales como: Maple, Macsyma y
Mathematica contienen rutinas optimizadas para el clculo y
manipulacin de la funcin de Lambert, incluyendo su integracin
y diferenciacin. En el paquete Mathematica. la funcin de
Lambert se denomina con el nombre de funcin ProdutLog.
Varias aproximaciones incorporan esquemas iterativos para
computar W con una precisin predefinida y usan aproximaciones
a tramos para generar suposiciones iniciales [33].
2. Ejemplos de soluciones usando W
A continuacin se presentaran algunos ejemplos que ilustran el
procedimiento para resolver ecuaciones que contienen productos
y cocientes de variables y sus exponenciales o logaritmos. No
pretende esto ser una descripcin exhaustiva de todos los casos
en los que es posible usar W, sino que la intencin es indicar la
mecnica general del procedimiento a seguir.
Ejemplo 1
Ecuacin:
,
Rescribir la ecuacin (15) tomado exponenciales:
Multiplicar por x:
Aplicar W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte izquierda:
Solucin:
Ejemplo 2
Ecuacin:
Rescribir la ecuacin (16):
Aplicar W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte derecha:

Solucin:
Ejemplo 3
Ecuacin:
Rescribir la ecuacin (21):
Aplicar a W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte izquierda:
Solucin:
La funcin de Wright
Se define como funcin de Wright [4,34] la solucin a la ecuacin
(21), que se representa como
,
donde (omega) es la funcin de Wright. Comparando las
ecuaciones (25) y (26) se puede establecer la equivalencia entre
la funcin de Wright y la funcin de Lambert:
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(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
(15)
(16)
(18)
( ) ) ln( ) ln(
) ln(
y e y W
y
=

(19)
(20)
(21)
(22)
(23)
(24)
(25)
(26)
(27)
Ejemplo 4
Ecuacin:
Primer procedimiento:
Rescribir la ecuacin (28):
Aplicar W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte izquierda:
Solucin:
Segundo procedimiento:
Rescribir la ecuacin (28):
Reagrupar:
Aplicar W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte derecha:
Solucin:
Identidad:
Igualando las dos soluciones del ejemplo 5 se obtiene:
Lo que tambin se puede expresar en trminos de la funcin de
Wrigt:
Por tanto, en general se cumple la identidad:
Ejemplo 5
Ecuacin:
Rescribir la ecuacin (41):
Aplicar W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte izquierda:
Solucin:
La funcin glog:
La funcin glog [35] es la solucin a la ecuacin (41) que se
representa como
Comparando las ecuaciones (60) y (61) se puede establecer la
equivalencia entre la funcin de glog y la funcin de Lambert:
Ejemplo 6
Ecuacin:
Tomar la raz cuadrada:
Dividir entre 2:
Aplicar a W a ambos lados:
Usar definicin de W en la parte izquierda:
Solucin:
Otras ecuaciones tales como , , , etc., pueden resolverse tambin
usando la funcin de Lambert.
3. Aplicaciones
Se presentarn ahora varias aplicaciones tpicas de la funcin
de Lambert en la solucin de diversos problemas de electrnica.
Aunque no se cubrirn todas las posibilidades, se mostrarn
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(28)
(29)
(30)
(31)
(32)
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(40)
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(49)
(50)
(51)
(52)
(53)
(54)
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algunas que demuestran la solucin explcita de circuitos tpicos
que comnmente tienen que resolverse mediante aproximaciones
o expresiones aproximadas, mientras que otras aplicaciones que
se describen pertenecen al mbito del modelado de dispositivos
electrnicos.
3.1 Ruptura irreversible en xidos de compuerta ultra
delgados
La continua miniaturizacin de los dispositivos MOS (Metal
xido Semiconductor) implica una disminucin del margen de
confiabilidad de la capacidad aislante de los xidos de la
compuerta que los componen. Ante la posibilidad de que ocurra
ruptura elctrica en xidos muy delgados, se plantea la necesidad
de modelar la corriente que atraviesa el xido despus de su
ruptura irreversible. Una representacin compacta de esa corriente
post ruptura, que es adecuada para la simulacin en circuitos,
viene dada por el siguiente modelo [19]:
donde I0, y RDB son parmetros que caracterizan el fenmeno
de ruptura irreversible en una primera aproximacin. Esta
ecuacin equivale a una juntura PN con una resistencia en serie.
Rescribiendo la ecuacin anterior,
Multiplicando ambos lados por

y agrupando los
trminos:
Si ahora se aplica W a ambos lados y se usa la definicin de W
en la parte izquierda de la ecuacin, se tiene que
Resolviendo resulta la corriente de post ruptura a travs del
xido:
3.2 Juntura no ideal
El caso anterior representa el ejemplo ms sencillo de una
juntura no ideal. Sin embargo, en muchos casos ese modelo
resulta ser insuficiente para caracterizar una juntura real. En la
Figura 2 se presenta un modelo circuital genrico de una juntura
no ideal, incluyendo sus elementos parsitos ms comunes: una
conductancia en paralelo que representa la fuga a travs de la
juntura propiamente dicha (Gp1), una resistencia en serie que da
cuenta de la cada de potencial desde la juntura hasta los contactos
(Rs), y una segunda conductancia en paralelo que representa la
posibilidad de fuga en la periferia del dispositivo (Gp2).
Figura 2. Modelo circuital genrico de una juntura no ideal
incluyendo las resistencias en serie y las conductancias en
paralelo parsitas.
La ecuacin de la corriente que correspondiente a esta
configuracin es:
donde I0, es la corriente de saturacin inversa del diodo, n es el
factor de idealidad que caracteriza la calidad de la juntura, vth
es el voltaje trmico =kT/q, k la constante de Boltzmann, T la
temperatura absoluta, y q la carga electrnica. Ntese que esta
ecuacin no tiene la forma de una funcin explcita de una
variable en funcin de la otra y la nica manera de resolverla
exactamente es mediante iteracin numrica. Sin embargo,
utilizando la funcin de Lambert es posible hallar soluciones
explcitas de esta ecuacin. Siguiendo un procedimiento similar
al del ejemplo anterior, la solucin de la corriente en funcin
del voltaje resulta ser [13]:
Tambin es posible resolver el voltaje en funcin de la corriente:
donde:
(55)
(56)
(57)
(58)
(59)
(60)
(61)
(62)
(63)
Estas soluciones explcitas permiten el estudio directo de las
caractersticas corriente voltaje de junturas no ideales (diodos
reales) y facilitan la extraccin de los parmetros intrnsecos y
extrnsecos de sus modelos [17].
3.3 Celdas solares
Un caso ligeramente ms complicado ocurre cuando se intenta
modelar celdas solares bajo condiciones de iluminacin. En la
Figura 3 se muestra un modelo circuital de un dispositivo
fotovoltaico genrico iluminado (celda solar), que incluye la
juntura (n, Io), una fuente de corriente fotogenerada (Iph), y la
resistencia en serie (Rs) y conductancia en paralelo (Gp) parsitas.
La ecuacin que describe esta la corriente de la celda es:
De nuevo esta ecuacin es implcita, pero usando W, se puede
hallar la solucin explcita para la corriente:
y para el voltaje es:
La naturaleza explcita de estas soluciones permite calcular
inmediatamente la corriente de cortocircuito y el voltaje a circuito
abierto. As mismo, es posible hallar explcitamente el punto de
potencia mxima calculando la derivada del producto IV. Estas
soluciones tambin facilitan la extraccin de los parmetros del
modelo de la celda solar a partir de datos experimentales, como
se ver a continuacin.
Figura 3. Modelo circuital genrico de una celda solar
iluminada.
3.4 Extraccin de parmetros de modelos de celdas solares
Las tcnicas comunes de extraccin de parmetros del modelo
de la celda solar usando los datos I-V medidos bajo iluminacin
usualmente incluyen la optimizacin numrica del error cuadrtico
en el eje vertical (corriente) o en el eje horizontal (voltaje). La
utilizacin de soluciones explcitas de la corriente y el voltaje
facilitan enormemente estos clculos. Otros mtodos estn basados
en el uso de funciones auxiliares y otros operadores. Aqu se
presentar otro mtodo basado en integracin, por ser ms
inmune a los errores de medicin debido a su naturaleza de
filtro pasa bajo y porque produce resultados algebraicos de fcil
manejo computacional [18]. El procedimiento ilustra la utilidad
que ofrece la posibilidad de integrar la funcin de Lambert.
Se define primeramente una funcin llamada Co-Contenido CC
(I,V) de la siguiente manera:
donde es la corriente de la celda en condiciones de cortocircuito
(V=0). Sustituyendo la solucin para la corriente dada por la
ecuacin (67) en la ecuacin de CC e integrando con respecto
a V resulta una larga expresin que contiene trminos con la
funcin de Lambert y las variables I y V. Reemplazando los
trminos que contienen la funcin de Lambert de V, usando la
ecuacin (68) y despus de manipulacin y simplificacin se
obtiene la siguiente ecuacin algebraica:
donde los cinco coeficientes son funciones de los parmetros del
modelo. La extraccin se hace calculando la funcin CC, definida
por la ecuacin (69), a partir de los datos experimentalmente
medidos. Seguidamente se procede a ajustar esta funcin de CC
a los datos experimentales medidos mediante la ecuacin
algebraica (70). Este proceso de ajuste bidimensional produce
los valores de los coeficientes de la ecuacin (70), de los que se
calculan los parmetros del modelo de la siguiente manera:
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3.5 Fuente de corriente Widlar
La funcin de Lambert tambin es til en la solucin de problemas
de circuitos electrnicos con transistores bipolares de juntura.
Para ilustrar su utilidad se presentar el caso de la fuente de
corriente de Widlar [15] cuyo diagrama circuital bsico se
muestra en la Figura 4.
En esta fuente de corriente el transistor Q1 est conectado en
configuracin de diodo. Se pretende establecer I2 a partir de los
valores de I1 y R2. La ecuacin que describe al circuito es:
Figura 4. La fuente de Widlar
Si ahora se aplica la funcin de Lambert a ambos lados se tiene:
pero se sabe que
luego, finalmente la corriente I2 viene dada en forma explcita
por
3.6 Modelado de dispositivos MOSFET
La descripcin del potencial electrosttico en la superficie del
canal, en funcin de los voltajes en los terminales de los
transistores de efecto de campo tipo metal xido semiconductor
(MOSFETs), resulta de principal importancia en la elaboracin
de los modelos matemticos que deben representar a estos
dispositivos en simulaciones circuitales. En dispositivos
convencionales, en los que el cuerpo del canal se encuentra
significativamente dopado, la naturaleza de la ecuacin que
relaciona el voltaje de la compuerta con el potencial superficial
no permite plantear una solucin analtica explcita del potencial
superficial, por lo que debe calcularse mediante iteracin
numrica o usando soluciones analticas aproximadas o de
validez limitada regionalmente. Los MOSFETs modernos son
cada da ms de cuerpo ultra delgado que no se encuentra
significativamente dopado, es decir es intrnseco [21]. En esas
condiciones la ecuacin que relaciona el voltaje de la compuerta
con el potencial superficial se reduce a una ecuacin lineal
exponencial como las anteriormente descritas.
Considrese un dispositivo de cuerpo intrnseco genrico de
espesor tsi. La ecuacin para canal n es
donde VG es el voltaje en la compuerta, VFB el voltaje de banda-
plana, el potencial superficial, k la constante de Boltzmann, T
la temperatura absoluta, ni la densidad intrnseca de portadores,
s la permitividad del semiconductor, Co la capacitancia del
xido, =1/vth=q/kT el inverso del voltaje trmico, V el voltaje
a lo largo del canal (=0 en el surtidor, =VD en el drenador), y
el potencial en el medio trasversal del canal. Considerando
valores de potencial superficial , la ecuacin tiene la
siguiente solucin explcita en base a la funcin de Lambert:
donde VGF=VG-VFB y tox y ox son el espesor y la permitividad
del xido, respectivamente.
Para espesores tsi del cuerpo del semiconductor muy grandes,
tiende a cero y el trmino sin() tiende a uno, con lo que la
ecuacin del el potencial superficial se reduce a
(76)
(77)
(78)
(79)
(80)
(81)
(82)
(83)
(84)
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Esta forma cerrada y explcita de expresar el potencial superficial
facilita enormemente el planteamiento de modelos de MOSFETs
modernos tipo SOI (semiconductor-xido-aislante) de cuerpo
ultra delgado, en los que el cuerpo del semiconductor no est
dopado, tanto los de una compuerta como los de compuertas
mltiples [25]. Tambin permite obtener expresiones analticas
explcitas de la carga, la transconductancia, el voltaje de umbral,
etc. [23,26].
4. Comparacin de los tiempos de cmputo
Como ya se ha dicho, la utilizacin de la funcin de Lambert,
adems de brindar una alternativa atractiva para la solucin
explcita exacta de ciertas ecuaciones del tipo lineal exponencial,
ofrece la posibilidad de mejorar significativamente la eficiencia
computacional, en comparacin a las soluciones numricas
iterativas. Para visualizar esta ventaja computacional, es
conveniente comparar los tiempos de clculo requeridos, usando
soluciones basadas en la funcin de Lambert con los de soluciones
analticas aproximadas y soluciones numricas iterativas. Para
esto se usar el caso del modelo de una juntura no ideal con una
resistencia en serie y una conductancia en paralelo, calculadas
a diez dgitos significativos en una misma plataforma
computacional, usando el programa Maple.
La Figura 5 muestra que la solucin explcita exacta, basada en
la funcin de Lambert, requiere tiempos de CPU slo ligeramente
superiores a los de una solucin analtica aproximada, que por
ende es inexacta y limitada en su alcance. Se ve que la solucin
basada en la funcin de Lambert es casi dos rdenes de magnitud
ms eficiente computacionalmente que la solucin exacta mediante
iteracin numrica.
Figura 5. Comparacin de tiempos de cmputo de parmetros
del modelo de una juntura no ideal para solucin iterativa,
exacta y aproximada
III. CONCLUSIONES
1. El uso de la funcin de Lambert provee soluciones explcitas
analticas y elimina la necesidad de iteraciones numricas en
problemas que incluyan ecuaciones implcitas lineales
exponenciales.
2. Las soluciones explcitas basadas en la funcin de Lambert
hacen que el fenmeno que se est describiendo sea ms
manejable y fcil de entender.
3. Estas soluciones explcitas se pueden evaluar y manipular
fcilmente, lo que permite resolver rpidamente numerosos
casos repetidos, y facilita el estudio de las perturbaciones.
4. La posibilidad de integracin y diferenciacin analtica de la
funcin de Lambert abre el camino para elaborar modelos de
variabilidad del fenmeno descrito.
5. Adicionalmente, estas expresiones explcitas pueden usarse
para obtener suposiciones iniciales para clculos complicados,
iterativos, dependientes del tiempo, o multi dimensionales.
6. Finalmente, la utilidad de la funcin de Lambert se ve potenciada
en la actualidad por la disponibilidad de paquetes
computacionales simblicos de uso comn, tales como
Macsyma, Mathematica, Maple, etc., que ya contienen
rutinas optimizadas para calcular y manipular la funcin de
Lambert.
IV. REFERENCIAS
1. Corless, R.M., et al., On the Lambert W Function. Advances
in Computational Mathematics, 5:4, pp. 329359, 1996.
2. Gosper, R. W. Jr. "The Solutions of ye
y2
=x and ye
y
=x." ACM
SIGSAM Bull. 32, pp. 8-10, 1998.
3. Brian Hayes, Why W? American Scientist, 93, March-April,
p. 104, 2005.
4. Wright, E. M. "Solution of the Equation ze
z
=." Bull. Amer.
Math. Soc. 65, pp. 89-93, 1959.
5. Valluri, S. R.; Jeffrey, D. J.; and Corless, R. M. "Some
Applications of the Lambert Function to Physics." Canad. J.
Phys. 78, pp. 823-831, 2000.
6. Jenn, D.C., Applications of the Lambert W Function in
Electromagnetics IEEE Antennas and Propagation Magazine,
44, pp. 139-142, 2002.
7. Jean-Michel Caillol, Some Applications of the Lambert W
Function to Classical Statistical Mechanics, J. Phys. A: Math.
Gen. 36, pp. 10431-10442, 2003.
8. Packel, E. and Yuen, D. "Projectile Motion with Resistance
and the Lambert Function." College Math. J., 35, pp. 337-
350, 2004.
9. Chapeau-Blondeau, F. Monir, A. Numerical Evaluation of
the Lambert W Function and Application to Generation of
Generalized Gaussian Noise With Exponent , IEEE Trans.
Signal Proc. , 50; Part 9, pp. 2160-2165, 2002.
10. Barry, D. A., Li, L., Jeng, D.S. , Comments on Numerical
Evaluation of the Lambert Function and Application to
Generation of Generalized Gaussian Noise with Exponent
IEEE Trans. on Signal Processing, 52, pp. 1456-1458,
2004.
11. I.N. Galidakis, On an Application of Lambert's W Function
to Infinite Exponentials, Complex Variables, 49(11), pp. 759-
780, 2004.
12. Brian Wesley Williams, Exact Solutions of a Schrdinger
242
Volumen 10, Nmero 40, septiembre 2006. pp 235-243
243
Garca., F., Ortiz-Conde, A., Malobabic, S., Aplicaciones de la funcin de lambert en electrnica
Equation Based on the Lambert Function, Physics Letters
A, 334(2-3), pp. 117-122, 2005.
13. Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J., Muci, J., Exact
Analytical Solutions of the Forward Non-Ideal Diode Equation
with Series and Shunt Parasitic Resistances Solid-State
Electronics, 44, pp. 1861-1864, 2000.
14. Banwell, T. C. and Jayakumar, A. "Exact Analytical Solution
for Current Flow Through Diode with Series Resistance."
Electronics Lett. 36, pp. 291-292, 2000.
15. Banwell, T.C., Bipolar Transistor Circuit Analysis Using
the Lambert W-Function IEEE Trans. Circuits System - I:
Fundamental Theory and Applications, 47, pp. 1621-1633,
2000.
16. A. Jain and A. Kapoor, Exact Analytical Solutions of the
Parameters of Real Solar Cells Using Lambert W Function
Solar Energy Materials and Solar Cells, 81, pp. 269-277,
2004.
17. Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J., Extraction of Non-
Ideal Junction Model Parameters from the Explicit Analytic
Solutions of its IV Characteristics Solid-State Electronics
49, pp. 465472, 2005.
18. [18] Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J., Muci, J., New
Method to Extract the Model Parameters of Solar Cells from
the Explicit Analytic Solutions of their Illuminated IV
Characteristics Solar Energy Materials & Solar Cells, 90,
pp. 352361, 2006.
19. Miranda, E., Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J., Farkas,
E., Extraction of Parameters and Simulation of the Hard
Breakdown I-V Characteristics in Ultrathin Gate Oxides
Proceedings of 12th IPFA 2005, Singapore, pp. 150-154,
2005.
20. Benton H. Calhoun, Alice Wang, and Anantha Chandrakasan,
Modeling and Sizing for Minimum Energy Operation in
Subthreshold Circuits IEEE Journal of Solid-State Circuits,
40, pp. 1778-1886, 2005.
21. Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J., "Exact Analytical
Solution of Channel Surface Potential as an Explicit Function
of Gate Voltage in Undoped-Body Mosfets Using The Lambert
W Function and a Threshold Voltage Definition Therefrom,
Solid-State Electronics, 47, Pp. 2067-2074, 2003.
22. He J., et al., Charge-Based Core and the Model Architecture
of BSIM5 Proceedings of the Sixth International Symposium
on Quality of Electronic Design (ISQED'05), pp. 96-101,
2005.
23. Garca-Snchez, F.J., Ortiz-Conde, A., Muci J., Subthreshold
Behavior of Undoped DG MOSFETs, Proc of the 2005
IEEE International Conference on Electron Devices and
Solid-State Circuits (EDSSC 2005), Hong Kong, pp. 75-80,
December 2005.
24. Giorgio Mugnaini and Giuseppe Iannaccone, Physics-Based
Compact Model of Nanoscale MOSFETs-Part I: Transition
From Drift-Diffusion to Ballistic Transport IEEE Trans.
Electron Devices, 52, pp. 1795-1801, 2005.
25. Ortiz-Conde, A., Garca Snchez, F.J. , and Malobabic, S.,
Analytic Solution of the Channel Potential in Undoped
Symmetric Dual-Gate MOSFETs, IEEE Trans. Electron
Devices, 52, pp. 1669-1672, 2005.
26. Garca Snchez, F.J., Ortiz-Conde, A., Muci, J.,
Understanding Threshold Voltage in Undoped-Body Mosfets:
An Appraisal of Various Criteria Microelectronics Reliability,
46, pp. 731-742, 2006.
27. Jeffrey, D. J.; Hare, D. E. G.; and Corless, R. M. "Unwinding
the Branches of the Lambert W Function." Math. Scientist,
21, pp. 1-7, 1996.
28. Corless, R. M.; Jeffrey, D. J.; and Knuth, D. E. "A Sequence
of Series for the Lambert W Function." Proc. of the 1997
Intnl Symp. on Symbolic and Algebraic Computation, Maui,
Hawaii. New York: ACM Press, pp. 197-204, 1997.
29. Fritsch, F. N.; Shafer, R. E.; and Crowley, W. P. "Algorithm
443: Solution of the Transcendental Equation we
w
=x." Comm.
ACM ,16, pp. 123-124, 1973.
30. Barry, D. A., Barry, S. J., Culligan-Hensley, P. J., Algorithm
743: WAPR: a FORTRAN Routine for Calculating Real
Values of the W-Function, ACM Trans. Math. Softw., 21,
pp. 172181, 1995.

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