INSTITUTO TECNOLGICO DE ORIZABA

DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA-ELECTRNICA

(REA ELECTRNICA)

1

LABORATORIO DE ELECTRNICA ANALGICA II

PRCTICA # 1

TCNICAS DE POLARIZACIN DE BJTs
(CIRCUITOS DE MXIMA VARIACIN SIMTRICA).


OBJETIVO:

El alumno reforzar los conocimientos adquiridos acerca de la recta de carga y del punto de
operacin y comprobar el comportamiento prctico de circuitos diseados para operar en
Mxima Excursin Simtrica.


I DESARROLLO TERICO.

I.1 MARCO TERICO.

I.2 DISEO.

Se calcula el valor de las resistencias de polarizacin de los diferentes circuitos.

I.3 PREREPORTE.

Simular en EWB o PSPICE los circuitos amplificadores diseados para operar en mxima
excursin simtrica, determinar los diferentes puntos de operacin y tabular los resultados.


II DESARROLLO PRCTICO.

II.1 MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR.

Transistores bipolares con hojas de datos.
Resistencias.
Tablilla de pruebas (Protoboard).
Alambre para interconexiones y puntas de prueba.

Fuente de Voltaje Regulada.
Multmetro Analgico o Digital.


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II.2 PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS.

A) CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA.


A.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.1 para M. E. S. con un Transistor __________,
V
CE
de 5 V y una I
CQ
de 5 mA. Consulte en las hojas de datos las caractersticas del
transistor.



Figura 1.1 Amplificador con Polarizacin Fija.


A.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de
Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.1 junto con los valores
tericos calculados y simulados.


Q
Valores V
CC
R
B
V
C
V
E
V
CE
I
C
I
E
I
B

Tericos
Simulados
Prcticos

Tabla 1.1 Comparacin de Resultados Tericos, Simulados y Prcticos.


A.3.- Sustituya R
B
con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un
potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de
operacin para M. E. S.. Mida el valor total de R
B
y anote sus observaciones.




T*
2N2222
2N3904
BC337
BC548
MPS A05
etc.
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B) CIRCUITO DE POLARIZACIN CON RETROALIMENTACIN.


B.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.2 para M. E. S. con un Transistor __________,
V
CE
de 5 V y una I
CQ
de 5 mA.




Figura 1.2 Amplificador con Retroalimentacin de Colector.


B.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de
Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.2 junto con los valores
tericos calculados y simulados.


Q
Valores V
CC
R
B
V
C
V
E
V
CE
I
C
I
E
I
B

Tericos
Simulados
Prcticos

Tabla 1.2 Comparacin de Resultados Tericos, Simulados y Prcticos.


B.3.- Sustituya R
B
con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un
potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de
operacin para M. E. S.. Mida el valor total de R
B
y anote sus observaciones.







R
B

R
C

R
E

T*
V
CC

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C) CIRCUITO DE POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE.


C.1.- Disee y arme el circuito de la Figura 1.3 para M. E. S. con un Transistor __________,
V
CE
de 5 V y una I
CQ
de 5 mA.



Figura 1.3 Amplificador con Polarizacin por Divisor de Voltaje.


C.2.- Con un multmetro de CD realice las mediciones de todas las caractersticas de
Corriente y Voltaje del amplificador y tablelos en la Tabla 1.3 junto con los valores
tericos calculados y simulados.


Q
Valores V
CC
R
B
V
C
V
E
V
CE
I
C
I
E
I
B

Tericos
Simulados
Prcticos

Tabla 1.3 Comparacin de Resultados Tericos, Simulados y Prcticos.


C.3.- Sustituya R
1
con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un
potencimetro del 30 al 40 % y vare este hasta obtener exactamente el punto de
operacin para M. E. S.. Mida el valor total de R
1
y anote sus observaciones.


C.4.- Repita los puntos C.2 a C.4 para un transistor PNP.



Vcc
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III CUESTIONARIO.


1.- En donde se encuentra localizado el punto de operacin para M. E. S.?

2.- Qu ocurre al variar la Resistencia de Base en los amplificadores anteriores?

3.- Cul de estos amplificadores es el ms adecuado para trabajar en Mxima Excursin
simtrica?

4.- Qu ocurre al variar la temperatura?

5.- Las caractersticas reales cumplieron lo indicado en las hojas de datos?

6.- Qu diferencias y qu similitudes encontr con el transistor complementario (PNP)?


IV CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.


V BIBLIOGRAFA Y SOFTWARE.