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EC1177 Problemario Restrepo NoPW OPAMP
EC1177 Problemario Restrepo NoPW OPAMP
n
(
w
l
)
Ahora veamos cual es el estado del transistor Q
2
Tenemos que V
gs2
-V
t2
= -4V. Utilizando la
ecuacin de I
D
en saturacin y obtenemos
1
2
K
p
(
w
l
)(4)
2
Como se puede observar las corrientes halladas no coinciden. Esto quiere decir que alguno de los
dos transistores no esta en saturacin. En estos casos, aquel que presente la mayor corriente no
esta en saturacin sino en triodo. Este ser el estado nal de los transistores.
Entonces decimos que Q
2
esta en triodo. Utilizamos la ecuacin de I
D
en triodo para el transistor
Q
2
y la igualamos a la ecuacin de I
D
en saturacin para el transistor Q
1
, ya que la corriente debe
ser la misma. Entonces se tiene que:
1
2
K
n
(
w
l
) =
1
2
K
p
(
w
l
)[2(V
gs
V
T
)V
ds
V
2
ds
]
De la ecuacin anterior se obtiene la expresin cuadrtica
V
2
ds
+ 8V
ds
+ 1 = 0
De la cual se obtienen los siguientes valores para V
ds
:
V
dsa
=-7,87V
V
dsb
-0,12V
Como estamos trabajando con un transistor tipo P que esta en la zona de triodo debe cumplirse
que V
ds
>V
gs
-V
t
, por lo que nos quedaremos con el segundo valor.
20
Problemas resueltos de MOSFET
Entonces, como V
s
=6V, entonces V
d
=-0,12V+6V=5,88V y V
0
=V
ds
=V
d
=5,88V
En resumen, para V
i
=3V se tiene:
Q
1
: En saturacin
Q
2
: En triodo
V
0
=5,88V
c) caso V
i
=6V
Suponemos Q
1
en corte V
g1
=6V V
gs1
=6V como V
gs1
>V
t1
, entonces la suposicin es incorrecta
y no est en corte.
Suponemos Q
1
en saturacin Tenemos que V
gs1
-V
t1
= 4V. Utilizamos la ecuacin de I
D
en
saturacin y obtenemos
1
2
K
n
(
w
l
)4V
2
Ahora veamos cual es el estado del transistor Q
2
Tenemos que V
gs2
-V
t2
= -4V. Utilizando la
ecuacin de I
D
en saturacin y obtenemos
1
2
K
p
(
w
l
)(4)
2
Como se puede observar las corrientes halladas coinciden. Esto quiere decir que en cada transistor
caen 3V y por lo tanto V
0
=3V.
Ahora es necesario vericar si la suposicin de que ambos estn saturados es correcta. Partiendo
de que V
d1
=V
d2
=3V se tiene que:
para Q
1
, V
ds1
=3V y la condicin de saturacin pa un transistor tipo N no se cumple. Esto quiere
decir que no esta en saturacin sino en triodo.
para Q
2
, V
ds2
=-3V y la condicin de saturacin pa un transistor tipo P tampoco se cumple. Esto
quiere decir que no esta en saturacin sino en triodo.
Como acabamos de comprobar que los transistores no estn en saturacin, sino en triodo se pro-
cede a utilizar las ecuaciones de I
D
en triodo tanto para Q
1
como para Q
2
para luego igualarlas y
hallar V
d
s a partir del cual podemos obtener V
0
.
I
D1
=
1
2
K
n
(
w
l
)[2(6 2)V
ds1
V
2
ds1
]
I
D2
=
1
2
K
p
(
w
l
)[2(6 + 2)V
ds2
V
2
ds2
]
Tambin se tiene que V
ds2
=V
ds1
-6V
Entonces, Igualando las corrientes, sustituyendo V
ds2
y despejando V
ds1
de la ecuacin se tiene:
V
ds1
=V
0
=3V
En resumen, para V
i
=6V se tiene:
Q
1
: En triodo
Q
2
: En triodo
V
0
=3V
21
Problemas resueltos de MOSFET
2. Realizar anlisis DC y AC para el circuito mostrado a continuacin.
10V
6V
Vo
50kW
Kn(W/L)=50 A/V m
2
|Vt0|=1V
=0.01
=0.5V
f=0.3V
l
g
f
V
-1
Anlisis DC:
Ya que se esta trabajando con circuitos amplicadores, debe suponerse que el mosfet esta en saturacin.
posteriormente debe vericarse que efectivamente estn en ese estado.
sabemos que la ecuacin ID para un mosfet en saturacin es:
ID =
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
Adems, esta corriente puede escribirse como:
ID =
V s
50K
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
=
V s
50K
(3.1)
Se tiene que Vg=6V
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuacin (2)resolviendo una ecuacin de segun-
do grado:
1, 25V s
2
18, 5V s + 61, 25 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuacin son:
V s1 = 5V V gs = 1V
V s2 = 9, 8V V gs = 3, 8V
Como este voltaje debe ser mayor que Vt para que el mosfet est en saturacin, tomamos como vlido
Vs1.
Como en este ejercicio hay efecto de sustrato, es necesario calcular el verdadero Vt a partir del valor de
Vs que acabamos de hallar y el valor inicial de Vt que llamaremos Vto. Para esto se utiliza la frmula
de |V t|:
|V t| = V to + [
2
f
V sb
2
f
]
22
Problemas resueltos de MOSFET
En teora, el nuevo Vt debe hallarse de manera iterativa, es decir, hacer varias veces el procedimiento
para hallar Vt y luego utilizarlo como Vto, hasta que la diferencia entre ellos sea mnima. Sin embargo,
es suciente realizar este procedimiento slo una vez porque los resultados no cambian signicativa-
mente.
Entonces usando la ecuacin anterior tenemos que:
V t = 0, 2V
Ahora, con este nuevo valor de Vt que utilizaremos el resto del problema, debemos volver a hallar Vs
del mismo modo que lo hicimos anteriormente. En este caso habr que resolver la siguiente ecuacin
de segundo orden:
1, 25V s
2
16, 5V s + 48 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuacin son:
V s1 = 4, 32V V gs = 1, 68V
V s2 = 8, 87V V gs = 2, 87V
Como el voltaje Vgs debe ser mayor que Vt para que el mosfet est en saturacin, tomamos como
vlido Vs1.
Ahora, con este valor de Vs podemos halar el valor de la corriente ID.
ID =
V s
40K
= 86, 4A
Entonces concluimos que el punto de operacin es el siguiente:
Idq = 86, 4A
V ds = 5, 68V
V gs = 1, 68V
Entonces podemos vericar rpidamente que el transistor est efectivamente saturado ya que se cumple
que:
V gs > V t 1, 68 > 0, 2
V ds > (V gs V t) 5, 68 > 1, 88
Entonces podemos hallar los valores de gm, gmb, ro para utilizarlos en el modelo AC del circuito.
gm = K
n
(
w
l
)(V gs V t) = 94
gmb =
gm
2
f
V sb
= 10, 6
ro =
1
Idq
= 1M
Anlisis AC:
el modelo en pequea seal es el siguiente:
23
Problemas resueltos de MOSFET
Rs
GmVbs
Vin
GmVgs
Ro
G
Vo
Debido a que la fuente de corriente gmbV bs depende del voltaje entre sus extremos, entonces podemos
sustituirla por una resistencia de valor gmb
1
. Entonces el circuito en pequea seal se reduce a:
Rs
Gm(Vin-Vo)
Ro
Vo
Gmb
-1
a. Clculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizar los clculos de atrs hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito para completarlo. En este caso, la expresin
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = (rs//ro//gmb
1
) gm(V in V o)
Entonces, despejando Vo/Vin de esta ecuacin obtenemos una expresin de la ganancia en funcin de
valores conocidos.
V o
V i
=
(rs//ro//gmb
1
)gm
1+(rs//ro//gmb
1
)gm
El valor numrico de la ganancia es:
A = 0, 769
b. Clculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin =
24
Problemas resueltos de MOSFET
c. Clculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, entonces la fuente de
corriente gm(Vin-Vo) depende del voltaje entre sus extremos y puede reemplazarse por una resistencia
de valor gm
1
. Entonces, la impedancia de salida es simplemente el paralelo de todas las resistencias.
Zout = rs//ro//gmb
1
//gm
1
3. Realizar anlisis DC y AC para el circuito mostrado a continuacin.
10V
Rg
Rs
vs
Rd
-10V
Vo
K
n
(
w
l
) = 1mA/V
2
|V
t
| = 2V
= 0V
1
Anlisis DC:
En principio recordemos que para anlisis en DC los condensadores se comportan como cortos. Ya
que se esta trabajando con circuitos amplicadores, debe suponerse que el mosfet esta en saturacin.
Posteriormente debe vericarse que efectivamente estn en ese estado.
En este caso estamos trabajando con un mosfet tipo P. Por lo tanto, Vt=2V.
sabemos que la ecuacin de ID para un mosfet en saturacin es:
ID =
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
Adems, esta corriente puede escribirse como:
ID =
10V s
1K
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
=
10 V s
1K
(3.2)
Se tiene que Vg=0V
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuacin (2)resolviendo una ecuacin de segun-
do grado:
25
Problemas resueltos de MOSFET
V s
2
+ 6V s 16 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuacin son:
V s1 = 2V V gs = 2V
V s2 = 8V V gs = 8V
Como el voltaje Vgs debe ser menor que Vt para que el mosfet est en saturacin, tomamos como
vlido Vs1.
Ahora, con este valor de Vs podemos halar el valor de la corriente ID.
ID =
102
1K
= 8mA
Como esta corriente es la misma que circula por la resistencia Rd, tenemos la siguiente ecuacin:
ID =
V d+10
0,5K
Despejando la ecuacin anterior se tiene que:
V d = 6V V ds = 8V
Entonces concluimos que el punto de operacin es el siguiente:
Idq = 8mA
V ds = 8V
Entonces podemos vericar rpidamente que el transistor est efectivamente saturado ya que se cumple
que:
V gs < V t 2V < 2V
V ds < (V gs V t) 8V < 4V
Entonces podemos hallar el valor de gm para utilizarlo en el modelo AC del circuito.
gm = K
n
(
w
l
)(V gs V t) = 4m
Anlisis AC:
el modelo en pequea seal es el siguiente:
Rs
GmVbs
Vin
GmVgs
Ro
G
Vo
26
Problemas resueltos de MOSFET
Debido a que la fuente de corriente gmbV bs depende del voltaje entre sus extremos, entonces podemos
sustituirla por una resistencia de valor gmb
1
. Entonces el circuito en pequea seal se reduce a:
Rg
Vin
GmVgs
G
Vo
Rd
a. Clculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizar los clculos de atrs hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito para completarlo. En este caso, la expresin
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = gm V gs Rd
Luego, Vgs=Vi y por lo tanto:
V o = gm V in Rd
Entonces, despejando Vo/Vin de esta ecuacin obtenemos una expresin de la ganancia en funcin de
valores conocidos.
V o
V i
= gm Rd
El valor numrico de la ganancia es:
A = 2
b. Clculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin = Rg
c. Clculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, entonces la fuente de
corriente gmVgs se abre pues Vgs=0V. Entonces, la impedancia de salida es simplemente la resistencia
de slaida.
Zout = Rd
27
Problemas propuestos de MOSFET
Problemas propuestos de mosfet
1. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin del transistor para dos casos:
a) R
d
=7K y R
s
=3K y b)R
d
=4K y R
s
=3K.
K
n
(
w
l
) = 2mA/V
2
|V
t
| = 1V
10V
1M
M
1
1M
Rd
Rs
Respuesta:
a) triodo
I
d
= 947A
V
d
s = 0,52V
b) saturacin
I
d
= 1mA
V
d
s = 4V
2. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin del transistor para R
d
=3K
K
n
(
w
l
) = 2mA/V
2
|V
t
| = 1V
28
Problemas propuestos de MOSFET
10V
800K
M
1
200K
Rd
4K
Respuesta:
saturacin
I
d
= 0,56mA
V
d
s = 6,06V
3. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin del transistor
K
n
(
w
l
) = 2mA/V
2
|V
t
| = 2V
D
S
G
B
I
D
5V
4K
Respuesta:
triodo
I
d
= 1,18mA
V
d
s = 0,276V
29
Problemas propuestos de MOSFET
4. Para el circuito mostrado a continuacin determinar V
o
/V
i
,Z
i
,Z
o
15V
Rl
700K
800K
60K
40K
vs
Vo
K
n
(
w
l
) = 0, 2mA/V
2
|V
t
| = 2V
Respuesta:
V
o
/V
i
= -0,2 (60K//R
l
)
Z
i
= 800K//700K
Z
o
=60K//R
l
5. Para el circuito mostrado a continuacin determinar V
o
/V
i
,Z
i
,Z
o
15V
5K
10K
vs
Vo
5M
K
n
(
w
l
) = 0, 3mA/V
2
|V
t
| = 1, 8V
Respuesta:
V
o
/V
i
= -2,65 (60K//R
l
)
Z
i
= 5M
Z
o
=10K//5K//5M
6. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin para
a)(
w
l
)
1
= (
w
l
)
2
= 40
b)(
w
l
)
1
= 40y(
w
l
)
2
= 15
30
Problemas propuestos de MOSFET
5V
M
1
M
2
|V
t
| = 0, 8V
K
n
= 30uA/V
2
7. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin.
D
S
G
B
I
D
15V
800K
700K
60K
40K
|V
t
| = 2V
K
n
(
w
l
) = 0, 2mA/V
2
= 0, 5V
1
2
2
f
= 0,6V
31
Problemas propuestos de MOSFET
8. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin.
D
S
B
G
I
D
40K
5V
2.9V
-5V
|V
t
| = 2V
K
n
(
w
l
) = 20mA/V
2
9. Para el circuito mostrado a continuacin determinar el punto de operacin.
20V
1K
|V
t
| = 2V
K
n
(
w
l
) = 1mA/V
2
K
p
(
w
l
) = 2mA/V
2
32
Problemas propuestos de MOSFET
10. Realizar anlisis DC y AC para el circuito mostrado a continuacin.
I
D
vs
5V
0.5mA
VDD
Vo
K
n
(
w
l
) = 1mA/V
2
= 0, 5V
1
2
2
f
= 0,6V
|V
t
| = 1V
= 0V
1
11. Realizar anlisis DC y AC para el circuito mostrado a continuacin.
10V
1M
17,5K
vs
Vo
2,5K
-5V
K
n
(
w
l
) = 0, 2mA/V
2
= 0, 5V
1
2
2 = 0, 6V
|V
t
| = 2V
= 0V
1
33
Problemas propuestos de MOSFET
34
Captulo 4
BJT
Problemas resueltos de BJT
1. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
R3=53K
R4=10K
V
i
+
-
Q1
Re = 2K
Rc=5K
Q2
R2=39K
R1=83K
Vo
+15V
+15V
b1=b2=100
Va =
Anlisis DC:
En DC los condensadores se comportan como abiertos. En primer lugar es recomendable hallar el
equivalente de thevenin para la entrada de ambos transistores para facilitar el anlisis. En ese caso
tenemos el siguiente circuito:
2,38V
+
-
Q1
Re = 2K
Rc=5K
Q2
26,53K
Vo
+15V
8,41K
+
-
4,795V
35
Problemas resueltos de BJT
Ya que se esta trabajando con circuitos amplicadores, debe suponerse que todos los dispositivos estn
en activo-directo y posteriormente vericar que efectivamente estn en ese estado.
Para halla la corriente Ib1 podemos analizar el siguiente circuito:
Vb
+
-
Q1
Re
Rb
Ib
( f + 1) Ib b
Donde la expresin para Ib en trminos generales es:
Ib =
V b 0,7
Rb + (
f
+ 1)Re
(4.1)
Aplicando este modelo a nuestro caso en particular se tiene que
Ib1 =
2,38V 0,7V
8,41K+202K
= 7, 98A
Luego:
Ic1 = Ie1 = 100Ib1 = 0, 798mA
Ib2 =
Ie2
101
= 7, 9A
Ic2 = 100Ib2 = 0, 790mA
V e1 = Ic1 2K = 1, 596V
Para Hallar El voltaje en el emisor 2 se hace una ecuacin de malla a partir de la entrada a la base 2:
V e2 = 4, 795V 26, 53K Ib2 0, 7V = 3, 88V = V c1
Para hallar el voltaje en el colector 2 se hace una ecuacin de malla a partir de la alimentacin de 15V:
V c2 = 15V Ic2 5K = 11, 05V
Finalmente tenemos:
V ce2 = V c2 V e2 = 11, 05V 3, 88V = 7, 17V
V ce1 = V c1 V e1 = 3, 88V 1, 596V = 2, 28V
Entonces concluimos que el punto de operacin es el siguiente:
Icq
1
= 0, 789mA
V ce
1
= 2, 28V
36
Problemas resueltos de BJT
Icq
2
= 0, 790mA
V ce
2
= 7, 17V
Puede vericarse que los dispositivos estaban en activo directo como se haba supuesto desde un prin-
cipio.
Anlisis AC:
el modelo en pequea seal es el siguiente:
R1//R2 Gm2V 2 p Rc Rp2
+
-
Vp2
Vo
Gm1Vp1
+
-
Vp1
Rp1 R3//R4 Vin
A
a. Clculo de la ganancia
Para calcular la ganancia de cualquier circuito es recomendable realizar los clculos de atrs hacia
delante, es decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito para completarlo. De esta manera se
evita perder el tiempo realizando clculos intiles. En este caso, la expresin para el voltaje de salida
es la siguiente:
V o = gm2RcV 2
Entonces, es necesario hallar una expresin de V2 en funcin de valores conocidos. Para esto, hace-
mos una ecuacin de nodos en el punto A
gm1V 1 =
V 2
r2
+ gm2V 2 = V 2(
1+gm2r2
r2
) = V 2(
1+
r2
)
Despejando V2 de la ecuacin anterior se tienen que
V 2 =
gm1V 1r2
1+
De esta expresin, el nico valor no conocido es V1, pero en el modelo AC se puede observar clara-
mente que V1=Vi. De este modo la expresin de V2 queda totalmente denida y por ende tambin
la del voltaje de salida. Entonces sustituyendo el valor de V2 en la expresin de Vo tenemos:
V o =
gm2Rcgm1r2V i
1+
Como ganancia se dene como Vo/Vi nalmente:
A =
V o
V i
=
Rcgm1
1+
Se tiene que:
gm1 =
Icq1
V t
= 31, 92ms
37
Problemas resueltos de BJT
Por lo que el valor numrico de la ganancia es:
A = 158
b. Clculo de la impedancia de entrada
Simplemente es el paralelo de las resistencias en la entrada
Zin = R3//R4//r
1
= 2, 28K
c. Clculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, tambin lo es V1 y la
corriente gm1V1. Entonces la impedancia de salida es simplemente la resistencia Rc.
Zout = Rc = 5K
38
Problemas propuestos de BJT
Problemas propuestos de BJT
1. Para el circuito mostrado a continuacin determinar es estado de los transistores.
15V
Rb1=100K
Rb2=50k
Rc1=5K
Re1=3K
Re2=2K
Rc2=2,7K
Bf = 100
Vj(on)=0,7V
Q1
Q2
Respuesta:
Ambos en activo directo
Vbe
1
= 0,7V Polarizado
Vbc
1
= -4,04V no polarizado
Vbe
2
= -0,84V polarizado
Vbc
2
= 1,16V no polarizado
2. Para el circuito mostrado a continuacin determinar las expresiones simblicas de A, Zin y Zout
Rb2
Rb3
Rc
Re
V
i
+
-
Rb1
Q1
Q2
Respuesta:
A = -gmRc
39
Problemas propuestos de BJT
Zin = Rb3//Rb2//r
2
Zout = Rc
3. Para el circuito mostrado a continuacin determinar la expresin simblica de la ganancia A
175 ohm
V
i
+
-
100K
10K
1mA
Respuesta:
A =
10
9
(
gmr10K
175175r
1
10
)
4. Para el circuito mostrado a continuacin determinar las expresiones simblicas de A, Zin y Zout
Rs=50 ohm
V
i
+
-
Rb=100K
Rl=1K
0,5mA
Vo
Respuesta:
A =
Rb
(Rb+Rl)
(
gmRl
1+Rsgm
)
Zin = gm
1
Zout = Rb
40
Problemas propuestos de BJT
5. Para el circuito mostrado a continuacin determinar la expresin simblica de la ganancia A
10V
V
i
+
-
10V
Rb1
Rb2
Rc
Re
Rl
Vo
Respuesta:
A=
Rc//Rl(2(1+1)+1)
r1+r2(1+1)
6. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
V
i
+
-
+9V
50W
0,5K
Vo
5V
Bf = 30
Va =
Respuesta:
Icq
1
= 3, 36mA
V ce
1
= 4, 7V
Icq
2
= 68, 32A
V ce
2
= 5, 4V
41
Problemas propuestos de BJT
42
Captulo 5
Circuitos Multietapa
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
1. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
M1
R1 = 3,05M
R2 = 5,81M
V
i
+
-
Q2
Re = 38,1K
15V
Kp(w/l) = 200 A/V
|Vt| = 2V
f = 100
Va =
m
l = 0
b
Rs = 31,1K
Rd = 130K
Vo
Rc = 20K
Anlisis DC:
En DC los condensadores se comportan como abiertos. Ya que se esta trabajando con circuitos am-
plicadores, debe suponerse que los BJT estn en activo-directo y los mosfet estn en saturacin.
posteriormente debe vericarse que efectivamente estn en ese estado.
sabemos que la ecuacin de ID para un mosfet en saturacin es:
ID =
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
Adems, esta corriente puede escribirse como:
ID =
15V s
Rs
Igualando estas dos ecuaciones tenemos:
1
2
K
n
(
w
l
)(V gs V t)
2
=
15 V s
Rs
(5.1)
Haciendo un divisor de voltaje a la entrada del mosfet tenemos el voltaje Vg es:
V g =
15R2
R1+R2
= 9, 836
Entonces conocido este valor podemos hallar Vs de la ecuacin (2)resolviendo una ecuacin de segun-
do grado:
43
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
V s
2
23, 35V s + 135, 267 = 0
Las posibles soluciones de esta ecuacin son:
V s1 = 12, 6941V locualimplicaqueV gs = 2, 858V
V s2 = 10, 6559V locualimplicaqueV gs = 0, 8199V
Como el voltaje Vgs debe ser menor que Vt para que el mosfet est en saturacin, tomamos como
vlido Vs1. Utilizando este valor tenemos que:
ID = 74,14 A
Ahora, para hallar el voltaje en la base del transistor BJT 2, (Vb2), sabemos que la corriente ID se
divide en dos corrientes, una que va hacia tierra a travs d la resistencia de 130K y otra que va hacia la
base del transistor 2 (Ib2).
ID = Ib2 +
V b2
130K
(5.2)
Adems, es posible hallar una expresin para Ib2 en funcin de Vb2, ya que sabemos que la corriente
que va desde el emisor hasta tierra a travs de la resistencia de 38,1 K puede expresarse de la siguiente
manera:
Ie2 =
V b20,7V
38,1K
= (100 + 1)Ib2
Despejando Ib2, tenemos que:
Ib2 =
V b20,7V
3,8481M
y sustituyendo Ib2 en la ecuacin (2) podemos nalmente obtener Vb2
ID =
V b2
3,8481M
0,7
3,841M
+
V b2
130K
Despejando Vb2 de la ecuacin anterior tenemos entonces que:
Vb2=9,346V.
Con este voltaje ya podemos terminar de hallar el punto de operacin.
Ic2 = 100Ib2 = 100
Ie2
101
=
100
1001
V b20,7
38,1K
= 224, 68A
V e2 = V b2 0, 7 = 8, 646V
V c2 = 15 20KIc2 = 10, 506V
Entonces concluimos que el punto de operacin es el siguiente:
Idq
1
= 74, 14mA
V ds
1
= 3, 34V
Icq
2
= 224, 68A
V ce
2
= 1, 86V
44
Problemas resueltos de Circuitos multietapa
Anlisis AC:
el modelo en pequea seal es el siguiente:
Rd Gm2V 2 p Rc Rp2
+
-
Vp2
Vo G1
R1//R2 Vin
Gm1Vgs
a. Clculo de la ganancia
Al igual de que en el caso anterior, es recomendable realizar los clculos de atrs hacia delante, es
decir, desde lo que quiero obtener hacia lo que necesito para completarlo. En este caso, la expresin
para el voltaje de salida es la siguiente:
V o = gm2RcV 2
Entonces, es necesario escribir V 2 en funcin de valores conocidos.
V 2 =
gm1V gsRdr2
Rd+r2
Por simple inspeccin, se sabe que Vgs=Vi, de modo que ya tenemos V 2 en funcin de valores
conocidos, y por lo tanto Vo tambin.
V o =
gm1V iRdr2Rcgm2
Rd+r2
Como ganancia se dene como Vo/Vi nalmente:
A =
V o
V i
=
gm1Rdr2Rcgm2
Rd+r2
Se tiene que:
gm2 =
Icq2
V t
= 8, 987ms
gm1 = Kp
(
w
l
)(V gs V t) = 171, 62s
r2 = 11, 127K
Por lo que el valor numrico de la ganancia es:
A = 316, 17
b. Clculo de la impedancia de entrada
Simplemente es la resistencia en la entrada
Zin = R1//R2 2M
c. Clculo de la impedancia de salida
Recordemos que para calcular la impedancia de salida es necesario hacer cero cualquier otra fuente
independiente, en este caso el voltaje de entrada. Como el voltaje Vi es cero, tambin lo es Vgs1 y la
corriente gm1Vgs1. Entonces la impedancia de salida es simplemente la resistencia Rc
Zout = Rc = 20K
45
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
1. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
M1
Rb1 = 163K
Rb2 = 47K
V
i
+
-
Q1
2
Re = 1K
20V
Kn(w/l) = 0,01 mA/V
Vt = 2V
l = 0
Vo
Rc = 10K
Respuesta:
Vgs = 3,14V
Icq= 6, 33 10
4
gm
M
= 11, 3
gm
Q
= 0, 03
r = 3, 3 10
3
A =
RcgmQgmMr
1+rgmM
= 10, 9V
Zin = Rb2//Rb1
Zout = Rc
2. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
Rb = 465K
V
i
+
-
Q1
2
10V
Kn(w/l) = 2 mA/V
Vt = -2
VA= 100V
l = 0,01
b = 50
Rc = 3K
M1
R1 = 10K Rg = 10K
Rd = 3K
Vx
Respuesta:
Idq= 1mA
Vgs=-3V
Icq= 1mA
A = Rdgm
M
gm
Q
Rc(
ro
ro+rd
) = 700
Zin = Rb//r
Zout = ro//Rd
46
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
3. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis AC
R3 = 680K
V
i
+
-
Q1
2
Kn(w/l) = 1 mA/V
Vt = -2
ro1 = 200K
ro2 = 200K
b = 100
M1
R2 = 10K
R1 = 40K
R4 = 680k
15V
Vo
-15V
Respuesta:
A = gm(r0
1
//r0
2
)
Zin = R
3
//R
4
//r
Zout = r0
1
//r0
2
4. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
M1
60K
40K
V
i
+
-
Q2
3,65K
10V
1K
Q4
-10V
9,3K
2
Kn(w/l) = 1 mA/V
Vt = 2
ro3 = 100K
b = 100
Q3
Respuesta:
Idq= 2mA
Vgs=4V
Icq= 0,99mA
A =
r03(1+gmQr)(gmMR3)
R3+R
r+(R
4
+R
3
)(1+gm
Q
r)
Zout = r0
3
//((
R3+r
gmr+1
) + R
4
)
Zin = R
1
//R
2
47
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
5. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis AC
Vo
10V
Ro=
= 100 b
10
Respuesta:
A =
R
2
2
(R1+r1)(1+)
Zout = R
2
)
Zin = R
1
+ r
1
6. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
M1
V
i
+
-
Q2
R2
10V
R1
2
Kp= 50
= 40
l = 10
|Vto| = 3V
s=1.7*10^-15
VA=
m
w m
m
b = 50
I
A/V
4,3V
Respuesta:
Idq= 400A
Vgs= -5V
Icq= 2,5mA
A = R
2
gm
1
+
(R2gm1+gm2)gm1R1r2
R1+r2+R1r2gm1
Zout = R
2
Zin =
48
Problemas propuestos de Circuitos multietapa
7. Para el circuito mostrado a continuacin realizar anlisis DC y AC
V
i
+
-
R4 = 10K
10V
b = 100
R2 = 5K
R3 = 2K
Rbb = 425K Q2
Q1
R1 = 2,75K
-10V
Respuesta:
Icq2= 1mA
Icq1= 1mA
A =
R4gm2gm1(R1+R3(2+1))
(Rbb+r1+R2+R21)(R1+r2+R3(2))
+1
Zin = Rbb + r
1
+ R
2
( + 1)
49