Capitulo 1

_ CAPITULO
Diodos
semicond uctores
1.1 INTRODUCCION
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos Cuarentahan
atestiguadouncambiosumamentedrsticoenlaindustriaelectrnica. Laminiaturizacin
que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites. En la actualidad se
encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces menor que el ms sencillo
elementodelasprimeras redes. Lasventajasasociadascon lossistemassemiconductores
en comparacin con las redes con tubosde los aos anteriores son, en su mayor parte,
obvias: ms pequeos y ligeros, no requieren calentamiento ni se producen prdidas
trmicas (loque s sucede en el casodelostubos), unaconstruccin msresistentey no
necesitanunperiodo decalentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores tan
pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar simplemente
algunos medios para el' manejo del dispositivo y para asegurar que las conexiones
permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores limitan en apariencia los
lmitesdelaminiaturizacin: lacalidaddel propiomaterial semiconductor, latcnica de
diseodelaredyloslmitesdel equipodemanufacturaypr?cesamiento.
1.2 DIODO IDEAL
El primer dispositivoelectrnicoquesepresentar sedenominadiodo. Esel mssencillo
de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en los sistemas
electrnicos, con suscaractersticas que seasemejan en granmedida alasdeunsencillo
interruptor. Seencontrar enunaampliagamadeaplicaciones, queseextiendendesdelas
simples hasta las sumamente complejas. Aparte de los detalles de su construccin y
caractersticas, los datos y grficas muy importantes que seencontrarn en las hojas de
especificaciones tambin seestudiarn paraasegurar el entendimientodelaterminologa
empleada y para poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo
general sedisponeyqueprovienedelosfabricantes.
Antesdeexaminar laconstruccin y caractersticasdeundispositivoreal, considera-
remos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base comparativa. El diodo
ideal esundispositivo dedos terminales quetieneel smboloy lascaractersticas quese
muestranenlafigura 1.1ayb, respectivamente.
Enformaideal, undiodoconducircorrienteenladireccindefinidapor laflechaen
el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de establecer
corrienteenladireccin opuesta. Enesencia:
_Las caractersticas de un diodo ideal son de las de un interruptor que puede
conducir corriente en una sola direccin.
+
V v
o
~
o
---..
I v
(a)
+ I v
t
VD
-
~
,
~ -ID
+
VD /',
O V
v
-
,
.1 o
-
ID
(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a)
smbolo; (b) caracterstica,
1
En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la
.definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones de
corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se muestra en la
figura 1.1a, la parte de las caractersticas que se consideran en la figura 1.1b, se
encuentra ala derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje inverso, las caractersticas a
la izquierda son pertinentes. En el caso de que la corriente a travs del diodo tenga la
direccin que se indica en lafigura 1.1a, laparte de las caractersticas que se considera-r
se encuentra por encima del eje horizontal, en tanto que invertir la direccin requerira el
empleo de las caractersticas por debajo del eje. Para la mayor parte de las caractersticas
de dispositivos que aparecen en este libro, la ordenada (o eje "y") ser el eje de
corriente, en tanto que la abscisa (oeje "x") corresponder al eje de voltaje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID Y la
polaridad de VD en la figura 1.1a (cuadrante superior derecho de la figura l.lb),
encontraremos que el valor de la resistencia directa Rp de acuerdo a como se define con
la ley de O hm es
V
F
O V
RF =- =------------- =O n
IF 2, 3, mA, ... , ocualquier valor positivo
(corto circuito)
donde VF es el voltaje de polarizacion directo a travs del diodo e I F es la corriente en
sentido directo atravs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin de conduccin,
Si consideramos laregin del potencial aplicado negativamente (tercer cuadrante) de
la figura 1.1b,
VR - 5, - 20, ocualquier potencial depolarizacin inverso n
RR =-- ; =' O mA . =00 u(circuito abierto)
donde V
R
es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la corriente
inversa en el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin en la que no hay
conduccin.
En sntesis, se aplican las condiciones que.se describen en la figura 1.2.
+ VD
o>-----~---o ---.. o
/ .corto circui:o ~ ID
I:"(limitada por el circuito) "-
VD +
o>-----~---o ---.. 0>---_
(a)
/ circuitoabierto )
. 0----.-/
---..
ID=O
o
(b)
Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo
ideal. determinados por la polarizacin aplicada.
En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en laregin
de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin de la corriente
ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los
electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma direccin que la de la
flecha del smbolo de dicho elemento, ste opera en la regin de conduccin. Esto se
representa en la figura l.3a. Si la corriente resultante tiene la direccin opuesta, como
semuestra en la figura 1.3.b, el circuito abierto equivalente es el apropiado.
2 Captulo 1 Diodos semi conductores
o>-----i~----O ---.. 0>-----<>---_---<0
(a)
Figura 1.3 (a) Estado de conduccin
y (b) denoconduccindel diodoideal
determinados por la direccin de co-
rrientedelaredaplicada.
Corno se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de
presentar las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de las
variedades comerciales. En la medida en que avancemos a travs de las prximas
secciones, tendremosencuentalassiguientespreguntas:
Qu tan cercana estar la resistencia directa o de "encendido" de un diodo real
comparada con el nivel deseado de O -n?
ID=O
(b)
Es la resistencia de polarizacion inversa suficientemente grande para permitir una
aproximacin de circuito abierto?
1.3 MATERIALES SEMI CO NDUCTO RES
La etiqueta de semiconductor por s misma proporciona una pista en cuanto a las
caractersticas deestedispositivo. El prefijosemi seaplicapor logeneral aunagamade
nivelesqueseencuentren alamitadentredoslmites.
El trmino conductor se aplica a cualquier material que soporte un generoso flujo de
carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a travs de sus
terminales.
Un aislante es un material que ofrece un nivel muy pobre de conduccin bajo la
tensin de una fuente de voltaje aplicada.
Por lo tanto, un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad
situado entre los casos extremos de un aislante y un conductor.
Enrelacin inversaconlaconductividaddeunmaterial estsuresistenciaal flujode
carga o corriente. Esto es, cuanto mayor sea el nivel de conductividad, menor ser el
nivel deresistencia. Enlastablasdemedidas, el trminoresistividad (p, letragriegarho)
se utiliza a menudo cuando se comparan los niveles de resistencia de materiales. En
unidades mtricas, la resistividad de un material se mide en n-cm o n-m. Las unida-
desden-cm sederivandelasustitucindelasunidadesdecadacantidaddelafigura 1.4
en en la siguiente ecuacin (derivada de la ecuacin bsica de la resistencia
R =pl/ A):
p =RA =(O)(cm
2
) ~ O-cm
1 cm
(1.1)
Dehecho, si el readelafigura 1.4esde 1cm? ylalongitudde 1cm, lamagnitudde
la resistencia del cubo de la figura 1.4 es igual a la magnitud de la resistividad del
material cornosedemuestra acontinuacin:
1 (1cm)
I R I =p-=P 2 == I p l oh ms
A (1cm)
Ser provechoso recordar este resultado al comparar los niveles deresistividad en las
explicacionessubsiguientes.
En la tabla 1.1se incluyen valores comunes deresistividadcorrespondientes a tres
amplias categoras de materiales. Aunque el lector puede estar familiarizado con las
1.3 Materiales semiconductores
r----- R ----,
Figura 1.4Definicindela
resistividadenunidadesmtricas.
3
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Figura 1.5Estructura monocristaJ ina de
Gey Si.
4
TABLAl.1 Valores Tpcos deResistividad
Conductor Semiconductor Aislador
p == 10-
6
n-cm
(cobre)
p == 10
12
n-cm
(mica)
p ==50 n-cm (germanio)
p == 50 X 10
3
n-cm (silicio)
propiedades elctricas del cobre y la mica a partir de sus estudios pasados, las
caractersticas de los materiales semiconductores de germanio (Ge) y silicio (Si) pueden
ser relativamente nuevas. A medida que avance en el libro, encontrar que stos no son
los nicos dos materiales semi conductores, pero son los dos materiales que han reci-
bido la mayor atencin en el desarrollo de los dispositivos semiconductores. En aos
recientes la tendencia se ha desviado firmemente hacia el silicio, alejndose el germanio,
pero ste se sigue produciendo aunque en menor cantidad.
Ntese en la tabla 1.1 la amplia gama entre los materiales conductores y los
aisladores para un material de 1cm de largo (1 cm? de rea). Dieciocho lugares separan
la posicin del punto decimal de un nmero de comparacin con el otro. El Ge y el Si
han recibido atencin por varias razones. Una consideracin muy importante es el hecho
de que pueden manufacturarse con un muy alto nivel de pureza. En realidad, los ltimos
avances han reducido los niveles de impureza en el material puro hasta 1parte en 10mil
millones (1: 10,000,000,(00). Cabra lapregunta de si estos niveles de impureza tan bajos
son en realidad necesarios. De hecho s, si se considera que la adicin de una parte
de impureza (del tipo apropiado) por milln en una oblea de material de silicio puede
transformar el material de un conductor relativamente pobre en un buen conductor
de electricidad. Es evidente que estamos trabajando con un espectro totalmente nuevo de
niveles de comparacin cuando tratamos con el medio semiconductor. La capacidad para
cambiar las caractersticas del material de manera significativa a travs de este proceso,
conocido como "dopado", es incluso otra razn por la que el Ge y el Si han recibido tanta
atencin. O tras razones incluyen el hecho de que sus caractersticas pueden alterarse
notablemente mediante la aplicacin de calor y luz (una consideracin importante en el
desarrollo de los dispositivos sensibles ala luz y al calor).
Algunas de las cualidades nicas del Ge y del Si sealadas se deben a su estructura
atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn bastante definido que es de
naturaleza peridica (esto es, el mismo se repite en forma continua). Un patrn completo
se denomina cristal y el arreglo peridico de los tomos, red. En el caso del Ge y el Si el
cristal tiene la estructura tridimensional del diamante como se muestra en lafigura 1.5.
Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetitivas del
mismo tipo se llama estructura monocristalina. En materiales semiconductores de
aplicacin prctica en el campo de la electrnica, existe esta caracterstica monocristalina
y, adems, la periodicidad de la estructura no cambia de manera importante con la
adicin de impurezas en el proceso de dopado oimpurificacin.
A continuacin examinemos la estructura del propio tomo y notaremos cmo sta
podra afectar las caractersticas elctricas del material. Como sabemos, el tomo se
compone de tres partculas fundame~tales: electrn, protn y neutrn. En la red atmica,
los neutrones y protones forman los ncleos, en tanto que los electrones giran alrededor
del ncleo en una rbita fija. En la figura 1.6 semuestran los modelos de Bohr de los dos
semi conductores ms comnmente usados, el germanio y el silicio.
Segn se indica en la figura 1.6a, el tomo de germanio tiene 32 electrones orbitales,
en tanto que el silicio tiene 14 electrones alrededor del ncleo. En cada caso hay 4
electrones en la capa exterior (de valencia). El potencial (potencial de ionizacin) que se
requiere para remover cualquiera de estos 4 electrones de valencia es menor que el
requerido para cualquier otro electrn en la estructura. En un cristal puro de germanio o
silicio estos 4 electrones de valencia se encuentran unidos a 4 tomos adyacentes, como
se muestra para el silicio en la figura 1.7. El Ge y el Si se dice que son tomos
tetravalentes porque cada uno tiene cuatro electrones de valencia.
Un enlace de tomos, reforzado por los electrones compartidos, recibe el nombre de
enlace covalente.
Captulo 1 Diodos semi conductores
Electrones
de valencia
(4 cada uno)
Electrones
orbitales
(b)
Figura 1.(\ Estructura atmica: (a) germanio;
(b) silicio.
Figura 1.7 Enlace covalente del tomo de
silicio.
A pesar de que el enlace covalente permite una unin ms fuerte entre los electrones
de valencia y sus tomos padres, persiste la posibilidad de que los electrones de valencia
absorban suficiente energa cintica proveniente de causas naturales para romper el
enlace covalente y asumir el estado "libre". El trmino "libre" revela que su movimiento
es bastante sensible a campos elctricos aplicados como los establecidos por fuentes-de
voltaje o una diferencia de potencial. Estas causas naturales incluyen efectos como la
energa luminosa en forma de fotones y la energa trmica que surge del medio
circundante. A la temperatura ambiente se encuentran aproximadamente 1.5 x 10
10
portadores libres en un centmetro cbico de un material de silicio intrnseco.
Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que se han refinado con
todo cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una
pureza tan alta como la que puede obtenerse con la tecnologa moderna).
Los electrones libres en el materia! que se deben slo a causas naturales se conocen
como portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el material de germanio intrnseco
tendr cerca de 2.5 x 10
13
portadores libres por centmetro cbico. La proporcin del
nmero de portadores en el germanio con relacin a los de silicio es mayor que 1Q3 e
indicara que el primero es mucho mejor conductor a temperatura ambiente. Esto quiz
sea cierto, pero ambos se siguen considerando malos conductores en el estado intrnseco.
Ntese en la tabla 1.1 que la resistividad difiere tambin por una proporcin de 1000: 1,
teniendo el silicio el valor mayor. Desde luego, ste debe ser el caso, ya que la
resistividad y la conductividad se relacionan de manera inversa.
Un ascenso en la temperatura de un material semiconductor puede incrementar en
forma considerable el nmero de electrones libres del material.
A medida que la temperatura aumenta desde el cero absoluto (O K), un nmero
creciente de electrones de valencia absorben suficiente energa trmica para romper el
enlace covalente y contribuyen a! nmero de portadores libres como se describi antes.
Este nmero incrementado de portadores aumentar el ndice de conductividad y como
resultado seproducir un nivel menor de resistencia.
Los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin de
la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tienen un coeficiente
negativo de temperatura.
El lector probablemente recordar que la resistencia de la mayor parte de los
conductores se incrementa con la temperatura. Esto se debe al hecho de que el nmero de
portadores en un conductor no aumentar en forma considerable con la temperatura, pero
1.3 Materiales semiconductores s
r t(
Figura 1.8 Niveles de energa: (a)
niveles discretos en estructuras atmicas
aisladas; (b) bandas de valencia y de
conduccin de un aislador,
semi conductor y conductor.
6
su patrn de vibracin por encima de un punto fijo har cada vez ms difcil el paso de
los electrones. Por consiguiente, un aumento en la temperatura produce un nivel
incrementado de resistencia y un coeficiente positivo de temperatura.
1.4 NIVELES DE ENERGIA
En la estructura atmica aislada existen niveles de energa discretos (individuales)
asociados con cada electrn orbital, como se ilustra en la figura 1.8a. De hecho, cada
material tendr su propio conjunto de niveles de energa permisibles para los electrones
en su estructura atmica.
Cuanto ms distante del ncleo est el electrn, mayor ser el estado de energa y
cualquier electrn que haya abandonado su tomo padre tiene un estado de energa
ms alto que el de cualquier electrn en la estructura atmica.
Energa
Banda de energa
Banda de energa
etc.
(a)
Energa
Banda de conduccin
A
Eg >5 eV
y V

./
Banda de valencia
Aislador
Nivel de valencia
(capa ms exterior que contiene los electrones orbitales)
Segundo nivel
(siguiente capa en la estructura atmica)
Tercer nivel (etc.)
~Ncleo
Electrones
'libres"
para
establecer la
conduccin
Energa
Banda de conduccin
-- - - - .

Eg
-

Banda de valencia
Energa

Las bandas t-_B_an""d""a..;;d,;.,e ,;.,co;.;;n..;;du""cc..;;i..;;;;;.n---l
se traslapan
Banda de valencia
Electrones
de valencia
enlazados a
estructura
atmica
Eg =1.1 eV (Si)
Eg =0.67eV (Ge)
Semiconductor Conductor
(b)
Entre los niveles de energa discretos hay bandas en las que ningn electrn en la
estructura atmica aislada puede aparecer. Conforme los tomos de un material se
acercan entre s para formar la estructura de la red cristalina, hay una interaccin entre
tomos que dar como resultado que los electrones en una rbita particular de un tomo
tengan niveles de energa un poco diferentes a los de los electrones en la misma rbita de
un tomo adyacente. El resultado neto es una expansin de los niveles discretos de
energa de los posibles estados de energa para los el ectr ones de valencia
correspondientes a esas bandas, como se muestra en la figura 1.8b. Ntese que an se
encuentran niveles frontera y estados de energa mximos en los que puede encontrarse
cualquier electrn en la red atmica, y que persiste una regin prohibida entre la banda
de valencia y el nivel de ionizacin, Recurdese que la ionizacin es un mecanismo
mediante el cual un electrn puede absorber suficiente energa para desprenderse de la
estructura atmica y unirse a portadores "libres" en la banda de conduccin. Se notar
Captulo 1 Diodos semiconductores
que la energa asociada con cada electrn se mide en electrn-volts (eV). La unidad de
medida resulta apropiada, puesto que
I W=QV I
eV
(1.2)
conforme se deriva de la ecuacin de definicin de voltaje V = W/Q. La carga Q es la
carga asociada aun solo electrn.
La sustitucin de la carga de un electrn y la diferencia de potencial de 1volt en la
ecuacin (1.2) ocasionar un nivel de energa conocido como un electrn-volt. Puesto que
laenerga semide tambin enjoules y lacarga de un electrn =1.6x 10-
19
coulomb,
W =QV =(1.6 x 10-
19
C)(1 V)
y
1eV= 1.6 x 10-
19
J (1.3)
En el O K o cero absoluto (-273 .15C), todos los electrones de valencia de los
materiales semiconductores se encuentran trabados en su capa ms externa del tomo con
los niveles de energa asociados con las bandas de valencia de la figura 1.8b. Sin
embargo, a temperatura 'ambiente (300 K, 25C) un gran nmero de electrones ha
adquirido suficiente energa para salir de la banda de valencia y entrar a la banda de
conduccin, esto es, para brincar la banda prohibida definida por Eg en la figura 1.8b de
1.1 eV para el silicio y de 0.67 eV para el germanio. El menor valor obvio de Eg para el
germanio explica el nmero mayor de portadores en este material cuando se compara con
el silicio a temperatura ambiente. Advirtase que para un aislador la banda prohibida es
tpicamente de 5 eV o ms, lo cual limita severamente el nmero de electrones que
pueden entrar en la banda de conduccin a la temperatura ambiente. Muy pocos
electrones pueden adquirir la energa requerida a temperatura ambiente, 10que causa que
ese material contine siendo un aislador. El conductor tiene electrones en la banda de
conduccin incluso a O K, por lo que resulta evidente que a temperatura ambiente haya
ms que suficientes portadores libres para sostener un flujo denso de carga ocorriente.
En la seccin 1.5 vemos que si ciertas impurezas se aaden a materiales semi-
conductores intrnsecos, el resultado es que habr estados de energa permisibles en la
banda prohibida y una reduccin neta en Eg para ambos materiales semiconductores ( y
consecuentemente la densidad de portadores se incrementa en la banda de conduccin a
temperatura ambiente!).
* '1.5 MATERIALES EXTRINSECOS TIPOS n Yp
Las caractersticas de los materiales semi conductores pueden alterarse de modo
considerable mediante la adicin de ciertos tomos de impureza en el material
semiconductor relativamente puro. Estas impurezas, .aunque quiz slo se agregue 1parte
en 10 millones, pueden alterar la estructura de bandas lo suficente como para cambiar
totalmente las propiedades elctricas del material.
Un material semiconductor que se ha sometido a este proceso de dopado se
denomina material extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de importancia invaluable para la fabricacin de
dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p. Cada uno se describir con cierto
detalle en los siguientes prrafos:
Material tipo n
Tantolosmateriales tipon como lostipop seforman agregando un nmero predeterminado de
tomos de' impureza al silicio o germanio base. El tipo n se crea aadiendo todos aquellos
elementos de impureza que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), como
1.5 Materiales extrnsecos tipo n yp 7
Figura 1.9 Impureza de antimonio en un
material tipo n.
antimonio, arsnico y fsforo. El efecto de estas impurezas se indican en la figura 1.9
(empleando antimonio como impureza en silicio base). Ntese que los cuatro enlaces
covalentes an estn presentes. Sin embargo, hay un quinto electrn adicional debido al
tomo de impureza, el cual no est asociado con algn enlace covalente particular. Este
electrn sobrante, unido dbilmente a su tomo padre (antimonio), se puede mover ms o
menos con cierta libertad dentro del material tipo n recin formado. Puesto que el tomo
de impureza insertado ha donado ala estructura un electrn relativamente "libre":
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos
donado res.
Es importante reconocer que an cuando un gran nmero de portadores "libres" se
hayan establecido en el material tipo n, ste siga siendo elctricamente neutro, porque
idealmente el' nmero de protones con carga positiva en el ncleo se mantiene igual al
nmero de electrones "libres" y orbitales con carga negativa en laestructura.
El efecto de este proceso de dopado sobre la conductividad relativa puede describirse
de mejor manera empleando el diagrama de bandas de energa de la figura 1.10.
O bsrvese que un nivel de energa discreto (denominado nivel donador) aparece en la
banda prohibida con una Eg bastante menor que la del material intrnseco. Los electrones
"libres", resultado de las impurezas aadidas, se ubican en este nivel de energa y no
tienen ninguna dificultad para absorber una cantidad suficiente de energa trmica para
moverse hacia la banda de conduccin a temperatura ambiente. El resultado es que, aesa
temperatura, hay un gran nmero de portadores (electrones) en el nivel de conduccin y
la conductividad del material aumenta de manera importante. A temperatura ambiente, en
un material de Si intrnseco existe aproximadamente un electrn libre por cada 10
12
tomos (1 en 10
9
para el Ge). Si nuestro nivel de dosificacin fuera de 1en 10 millones
(10
7
), la proporcin (10
12
/10
7
= 10
5
) indicara que la concentracin de portadores se ha
incrementado en una proporcin de 100,000:1.
Banda de valencia
Egcomo antes
Banda de conduccin .
f..--:------.-'-l_-Eg= 0.05 eV (SI), 0.01 eV (Ge)
f- i --.....::"-
t I ~ Nivel de energa del donador
i------!-----'-j

Energa
Figura 1.10 Efecto de las impurezas donadoras sobre la
estructura de las bandas de energa.
8 Captulo 1 Diodos semiconductores
Material tipop
El material tipo p se forma dopando un cristal puro de germanio o silicio con tomos de
impureza que tengan tres electrones de valencia. Los elementos que se emplean con
mayor frecuencia para este propsito son el boro, el gallo y el indio. El efecto de uno de
estos elementos (el boro) sobre silicio base se indica en la figura 1.11.
Figura 1.11 Impureza de boro en un
material tipo p.
Ntese que ahora hay un nmero insuficiente de electrones para completar los enlaces
covalentes de la red recin formada. La vacante que resulta sedenomina hueco y sepresenta
por medio de un pequeo crculo o signo positivo, debido a la ausencia de carga negativa.
Puesto que lavacante resultante aceptar deinmediato un electrn "libre";
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia reciben el nombre de
tomos acepto res.
El material tipo p resultante es elctricamente neutro, por las mismas razones que las
del material tipo n.
Electrn contra efecto hueco
El efecto de un hueco en la conduccin se muestra en la figura 1.12. Si un electrn de
valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalante y llenar la
vacante creada por un hueco, se crear una vacante o hueco en el enlace covalente que
liber a ese electrn. En consecuencia, hay una transferencia de huecos hacia la izquierda
y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la figura 1.12. La direccin que se
emplear en este libro es la que corresponde al flujo convencional, la cual se indica
mediante la direccin del flujo de huecos .

flujo de hueco .
flujo de electrones
Figura 1.12 Flujo de electrones contra flujo de huecos.
1.5 Materiales extrnsecos tipo n yp 9
Portadores mayoritario y minoritario
"En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en el Ge o el Si se debe slo a
aquellos pocos electrones en la banda de valencia que han adquirido suficiente energa de
fuentes trmicas o luminosas para romper el enlace covalente o las pocas impurezas que
podran no haberse eliminado. Las vacantes que se quedan atrs en la estructura del
enlace covalente representan nuestro muy limitado suministro de huecos. En un material
tipo n, el nmero de huecos no ha cambiado de manera significativa a partir de este nivel
intrnseco. El resultado neto por lo tanto, es que el nmero de electrones excede en
demasa al nmero de huecos. Por esta razn:
En un material tipo n (figura l.l3a) el electrn se denomina portador mayoritario y
el hueco, portador minoritario.
Para el material tipo p, el nmero de huecos supera ampliamente al nmero de elec-
trones, como se muestra en la figura 1.13b. Por lotanto:
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador
minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona al tomo padre, el tomo
que permanece adquiere una carga positiva neta: a esto se debe el signo positivo en la
representacin ion donador. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion
aceptor.
Los materiales tipo n y tipo p representan los bloques constitutivos fundamentales de
los dispositivos semiconductores. Encontraremos despus en la siguiente seccin que la
unin de un material tipo n con uno tipo p producir un elemento semiconductor de
importancia considerable en los sistemas electrnicos.
lones donadores lones aceptores
Portadores
mayoritarios
Portador
minoritario
+.
Portadores
mayoritarios
Tipo n
Tipop
Portador
minoritario
Figura 1.13 (a) material tipo n; (b) material tipo p.
1.6 DIODO SEMI CO NDUCTO R
Antes, en este captulo, se presentaron los materiales tipo n y tipo p. El diodo
semiconductor se forma uniendo simplemente estos materiales (construidos a partir del
mismo material base, Ge o Si), como se ilustra en la figura 1.14, empleando tcnicas que
se describirn en el captulo 20. En el momento en que dos materiales se "unen", los
electrones y los huecos en laregin de launin se combinarn, dando como resultado una
carencia de portadores en laregin cercana ala unin.
Esta regin de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de regin
de agotamiento por la ausencia de portadores en la misma.
Puesto que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a
travs de sus terminales implica una de tres posibilidades: no hay polarizacin (VD =O V),
polarizacin directa (VD> O V) Y polarizacin inversa (VD <O V). Cada una es la
condicin que se obtendr en una respuesta que el usuario deber comprender claramente
si desea que el dispositivo sea aplicado con efectividad.
~,
++
-
e
e -
.,.:; ;
+ +
+-
++
Ef}-
' G : >
Ef}
+ -
e
--
++ - +
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- ~- ~
+ +e e
--
++ (i)
++
-
+ --
i ... "__
+ -
++
Ef}
l e + +e
--
Ef}
--
++
-- -
'-------y-------' \ J
Y
P
n
=O mA ID=OmA
Regin de agotamiento
~
'-- --0+
VD=OV
(sin polarizacin)
_O_~----I l
Figura 1.14Uninp-n sin polarizacin
externa.
Sin polarizacin aplicada (VD =O V)
En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo n
que se encuentran dentro de la regin de agotamiento' pasarn directamente al material
tipo p. Cuanto ms' Cerca de-:li) unin se encuentren los portadores minoritarios, mayor
ser la atraccin para la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones
positivos en la regin de agotamiento del material tipo n. Para propsitos de anlisis
futuros, supondremos que todos los portadores minoritarios del material tipo n que se
encuentran en la regin de agotamiento debido a su movimiento aleatorio pasarn
directamente hacia el material tipo p. Un anlisis similar puede aplicarse a los portadores
minoritarios (electrones) del material tipo p. Este flujo de portadores se ha indicado en la
figura 1.14 para los portadores minoritarios de cada material.
Los portadores mayoritarios (electrones) en el material tipo n deben superar las fuerzas
de atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n, as como la capa de iones
negativos en el material tipo p, para emigrar hacia el rea ms all de la regin de
agotamiento del material tipo p. Sin embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan
'grande en el material tipo n que invariablemente habr un pequeo nmero de portadores
mayoritarios con suficiente energa cintica para pasar atravs de laregin de agotamiento y
llegar al material tipop. De nuevo, el mismo tipo de anlisis puede aplicarse alosportadores
mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante debido a los portadores
mayoritarios semuestra tambin en lafigura 1.14.
Un examen detallado de la figura 1.14 revelar que las magnitudes relativas de los
vectores de flujo son tales que el flujo neto en cualquier direccin es cero. Esta
cancelacin de vectores se ha indicado mediante lneas cruzadas. La longitud del vector
que representa el flujo de huecos se ha dibujado ms grande que la del flujo de electrones
para demostrar que, la magnitud de cada uno de ellos no necesita ser igual para que se
cancelen y para indicar que los niveles de dopado correspondientes a cada material
pueden dar como resultado un flujo diferente de huecos y electrones. Por lo tanto, en
resumen:
En ausencia de un voltaje de polatizacin aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero.
1.6 Diodo semiconductor 11
+ VD=OV
O)---.~I I ---O
~
ID=OrnA
Figura 1.15 Condiciones de polarizacin
negativa para un diodo semiconductor.
VD
O>----I I ~.--t
"-ls
(O puesta)
Figura 1.17 Condiciones de polarizacin
inversa para un diodo semiconductor,
12
El smbolo para un diodo se repite en la figura 1.15 con las regiones tipo p Y tipo n
asociadas. Ntese que la flecha se asocia con el componente tipop Y la barra con laregin
tipo n. Como yase indic, para VD =O V, lacorriente en cualquier direccin es O mA.
Condicin de polarizacin inversa (VD <O V)
Si un potencial externo de V volts se aplica en la unin p-n de manera tal que la terminal
positiva est conectada al material tipo n y la terminal negativa al material tipo p. como
se muestra en la figura 1.16, el nmero de iones positivos descubiertos en la regin de
agotamiento del material tipo n aumentar debido al mayor nmero de electrones "libres"
arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. Por razones similares, el
nmero de iones negativos descubiertos se incrementar en el material tipo p. El efecto
neto, en consecuencia, es un ensanchamiento de la regin de agotamiento. Dicho
ensanchamiento de la regin de agotamiento establecer una barrera demasiado grande
como para que los portadores mayoritarios puedan superarla, reduciendo efectivamente el
flujo de los mismos acero como se muestra en la figura 1.16.
.. Flujo de portadores minoritarios I,
1mayorteros =O
8+ +---+++ B :> -
-8 ---+++- +<) h :-
+8+ ---++++- -
e8 ---+++- <) +
+ + ----+++ ~-
p '----v-----" n
+
Figura 1.16 Unin p-n polarizada
inversarnente.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la regin
de agotamiento no cambiar, lo que ocasiona vectores de flujo de portadores minorita-
rios de la misma magnitud indicada en lafigura 1.14 sin voltaje aplicado.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina
corriente de saturacin inversa y se representa con el smbolo 1S"
La corriente de saturacin inversa es rara vez mayor de unos cuantos microamperes,
excepto para dispositivos de alta potencia. De hecho, en aos recientes su nivel est
tpicamente en el intervalo de los nanoamperes, para dispositivos de silicio y en el de
algunos microamperes para los de germanio. El trmino saturacin proviene del hecho
que alcanza su mximo nivel en forma rpida y no cambia significativamente con el
incremento en el potencial de polarizacin inversa, como se muestra en las caractersticas
del diodo de ia figura 1.19 para VD <O V. Las condiciones de polarizacin inversa se
representan en la figura 1.17 para el smbolo del diodo y la unin p-n. Ntese, en
particular, que la direccin de Is va en contra de la flecha del smbolo. Advirtase
tambin que el potencial negativo se conecta al material tipo J 2 Y el potencial positivo, al
material tipo n (la diferencia en las letras subrayadas para cada regin revela una
condicin de polarizacin inversa).
Condicin de polarizacin directa (VD> O V)
Una condicin depolarizacin directa ode encendido se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al material tipo n, como se indica en la
figura 1.18. Por lotanto, para referencias futuras:
Un diodo semiconductor est polarizado directamente cuando se ha establecido la
asociacin entre tipo py positivo. as como entre tipo ny negativo.
Captulo 1 Diodossemiconductores
+
Figura 1.18Unin p-n directamente
polarizada.
La aplicacin de un potencial de polarizacin directa VD "presionar" alos electrones
en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p, para recombinar con los iones
cerca de la frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento, como se muestra en
la figura 1.18. El flujo resultante de portadores minoritarios de los electrones del material
tipo p hacia el material tipo n (y los huecos del material tipo n al material tipo p), no
cambia de magnitud (ya que el nivel de conduccin se controla principalmente por el n-
mero limitado de impurezas en el material), pero la reduccin en la anchura de la regin
de agotamiento resulta en un denso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin.
Un electrn del material tipo n ahora "ve" una barrera reducida en la unin, debida a la
lo (mA )
----It- .. -- --- - -- ----1 --- ~~~--- --- ---[ ---j---[ --t----- j .. ------\-----++--
I 1 :
f-+-+-f--!--I-+--+I--t 18' 1 ;
--- -o.. --- 171-j-- 11-"--- - ---- - --j-----------~
f-+-+--+--+--.....,I--+--+- 16 I i
"
f-+-+--+--+~1--+--+-~15,+-~:1--+--+--+-'-+~-r-+-~-+~-I--+--+--+--+I--
I I ! __------rl --- ._.. __.L L.____ I
----- .. --------------1"- :;---r- -------1---- ------ ! "--T-
I 1 1 I i 1_
1-+-+--j--+-+--f~r_t12+-_f__j_-r_r-+-+--f~~r_
---------------1--- --- 11f--..r-- ---1-----..--------L---r--- __ ~~~e~~~;!: f~~~~~~ -
1
f-+-+--f--!---1-+-+-~10 . i V
o
1
-1
1
__ 9 ! : + ~
................ -- .-- --.. - -.. .. .. 8_..__.tI ..- -..-..- --)- ..-- _!-----..-- ~ lo -
1./ Regin de pola-
1--+--+--+--+~-r-+,1--1-7+--f-r-+-+--+~-1--1-H/r-t- rizacin directa -
f---+-+--I--+-+-+l--
i
'--+-6 i 1 (VO >OY , lo> OmA )-
------- ----.---~-- -- --"-1- -5'---1--' .-- j -- +t: ---r- .-t--t---t--t-j-----
i 4 I I
1-- --1--+--+-+-+-+:-1-3 : i ,
--j--- --2 --+--f-- --- ..---- -1---------- --e- -,->--i-
1-+--+--+--+1'+-+--i1-+-1 1 ,
s 1 ..,",.......... ! I
-
....--1...._ .. 1-..--
--
r---- -- --.. o
....-4~0... ..-...;3~0-+ ....;-2~0....p._-""'1O ~_q-o-t--.:...'-;-Q.3 I 0.5 0.7
0.1)lA l '---l
f-+-+--+--+~-r-+,-I--+_ 0.2~ ! I No polarizacin +1 --i-t-+-+-f--!----i
Rergin de polarizacin inversa .. __ 0.3~A--<Yf1-=lq-'(+!.1=Qt~-~---+----- --I---!--- -t
l
--
(Vo<OY' /o=-ls) I 1 1 '1 I 1 I I
1--+-+-+-+--+--+--+-+-+-- 9.4 r i 'i I
Figura 1.19Caractersticas del diodo semi conductor de silicio.
1.6 Diodosemiconductor 13
y
o 123
Figura 1.20Grfico de ex.
+ v o
o>----I ~M-------<O
~/D
~
+~-
(Semejante)
Figura 1.21Condiciones de
polarizacin directa para el diodo
semiconductor.
14
reduccin en la regin de agotamiento y a una fuerte atraccin por el potencial positivo
aplicado al material tipo p. Como la polarizacin aplicada se incrementa en magnitud, la
regin de agotamiento continuar disminuyendo su anchura hasta que un desbordamiento
de electrones pueda pasar a travs de la unin, resultando un incremento exponencial en
la corriente, como se ilustra en la regin de polarizacin directa de las caractersticas en
la figura 1.19. Ntese que la escala vertical de la figura 1.19 est graduada en
miliamperes (aunque algunos diodos semiconductores tendrn una escala vertical
graduada en amperes) y la escala horizontal en la regin de polarizacin directa tiene un
mximo de 1V. Por consiguiente, el voltaje a travs de un diodo polarizado en forma
directa ser comnmente menor que 1V. Advirtase tambin la rapidez con que la
corriente asciende despus de larodilla de lacurva.
Puede demostrarse mediante el uso de la fsica del estado slido que las
caractersticas generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente
ecuacin para las regiones de polarizacin directa einversa:
(l.4)
donde Is =corriente de saturacin inversa
k =11,600/11 con 11= 1 para el Ge y 11=2 para el Si, para niveles relativamente
bajos de corriente de diodo (en o bajo la rodilla de la curva) Y 11=1tanto para
el Ge como para el Si, para niveles altos de corriente de diodo (en la seccin
de ascenso rpido de lacurva)
T
K
= Tc+273'
Un grfico de la ecuacin (l.4) se presenta en la figura 1.19. Si desarrollamos la
ecuacin (1.4) en la forma siguiente, el componente que contribuye a cada regin de la
figura 1.19 puede describirse fcilmente:
ID =IsivdTK_ t,
x
Para valores positivos de VD el primer trmino de la ecuacin anterior crecer muy
rpidamente y sobrepasar el efecto del segundo trmino. El resultado es que para valores
positivos de V D' ID ser positivo y creciente, como la funcin y =eX que ap~rece en la
figura 1.20. Con VD =O V, laecuacin (l.4) se transforma en ID =Is (eO- 1) - =Is (1 - 1)
=O mA, como aparece en la figura 1.19. Para valores negativos de VD el primer trmino
disminuir rpidamente respecto de Is' resultando en ID =-Is' lo cual es simplemente la
lnea horizontal de la figura 1.19. La transicin en las caractersticas en el punto VD =O V
se debe sencillamente al dramtico cambio en laescala de mA aJ .l.A.
Es importante observar el cambio en la escala de los ejes vertical y horizontal. Para
valores positivos de ID la escala est en miliamperes y la escala de corriente bajo el eje
est en microamperes (o posiblemente en nanoamperes). Para VD la escala de valores
positivos se establece en dcimas de volts y para valores negativos, en decenas de volts.
Al principio, la ecuacin (l.4) parece algo compleja y puede provocar, un temor
injustificado de que se aplicar en todas las futuras aplicaciones del diodo. Sin embargo,
afortunadamente en una seccin posterior se har cierto nmero de aproximaciones que
eliminarn la necesidad de aplicar la ecuacin (1.4) y proporcionarn una solucin con un
mnimo de dificultad matemtica.
Antes de abandonar el tema del estado de polarizacin directa, las condiciones para
conduccin (el estado "activo") se repiten en la figura 1.21 con las polarizaciones
requeridas y la direccin resultante del flujo de portadores mayoritarios. Ntese en
particular cI110la direccin de conduccin coincide con la flecha de smbolo (como se
mostr para el diodo ideal).
Regin Zener
Aun cuando la escala de la figura 1.19 est en decenas de volts en la regin negativa,
existe un punto donde la aplicacin de un voltaje demasiado negativo dar como
resultado un brusco cambio en las caractersticas, como se muestra en la figura 1.22. La
corriente se incrementa en una proporcin muy rpida en direccin opuesta a la de la
V
z
/ \
I \
I I
I I
\ I
\ / --- R eginZener
-,
Figura 1.22Regin Zener.
regin de voltaje positivo. El potencial de polarizacin inversa que resulta de este
dramtico cambio en las caractersticas se denomina potencial Zener y se le asigna el
smbolo V
z
.
Al mismo tiempo que el voltaje a travs del diodo se incrementa en la regin de
polarizacin inversa, la velocidad de los portadores minoritarios responsable de la
corriente de saturacin inversa Is tambin se incrementa. A la larga, sus velocidades y la
energa cintica asociada (WK =+mv
2
) sern suficientes para liberar portadores
aclicionales mediante colisiones con estructuras atmicas de otro modo estables. Esto es,
resultar un proceso de ionizacin por medio del que los electrones de valencia
absorbern energa suficiente para dejar al tomo padre. Estos portadores adicionales
pueden as ayudar al proceso de ionizacin, hasta el punto en que se establezca una
elevada corriente de avalancha y se determine laregin de rompimiento de avalancha.
La regin de avalancha (V z) puede trasladarse muy cerca del eje vertical
incrementando los niveles de dopado en los materiales tipo p y tipo n. Sin embargo, as
como V
z
decrece a niveles muy bajos, tanto como -5 V, otro mecanismo, llamado
rompimiento Zener, contribuir al agudo cambio en la caracterstica. Esto ocurre debido a
que existe un intenso campo elctrico en la regin de la unin que puede romper las
fuerzas de enlace dentro del tomo y "generar" portadores. Aunque el mecanismo de
rompimiento Zener slo es un contribuyente significativo a niveles menores de V
z
' este
agudo cambio en la caracterstica a cualquier nivel se conoce como regin Zener, y
aquellos diodos que emplean esta nica parte de la caracterstica de una unin p-n se
denominan diodos Zener. Estos se describen con detalle en la seccin 1.14.
La regin Zener del diodo semi conductor descrito debe evitarse si la respuesta de un
sistema no va a ser alterada completamente por el brusco cambio en las caractersticas de
esta regin de voltaje de polarizacin inversa.
El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar en
la regin Zener se denomina voltaje pico inverso (o simplemente VPI nominal).
Si una aplicacin requiere de un VPI nominal mayor que el de una sola unidad,
varios diodos de las mismas caractersticas pueden conectarse en serie. Los diodos tam-
bin se conectan en paralelo para aumentar lacapacidad conductora de corriente.
Silicio versus germanio
Los diodos de silicio tienen, en general, valores nominales de VPI y de corriente ms
altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodo sde germanio. El VPI
nominal para el silicio puede encontrarse en la vecindad de 1000 V, en tanto que el valor
mximo para el germanio es cercano a 400 V. El silicio puede emplearse para
aplicaciones en las que es posible que la temperatura aumente a cerca de 200C (400F),
en tanto que el germanio presenta un valor nominal mximo ms bajo (l00C). No
obstante, la desventaja del silicio, en comparacin con el germanio, como se indica en la
figura 1.23, es el voltaje de polarizacin directa mayor que se requiere para alcanzar la
1.6 Diodosemiconductor 15
I, (Si) =O .O iIlA =10 nA
V
z
(Si) ~V
z
(Ge) ~
Si ,Ge
ID (mA )
Ge Si
Figura 1.23Comparacin de diodos
semi conductores de Si y Ge.
regin de conduccin elevada. Su valor es por logeneral del orden de 0.7 V para los diodos
de silicio comerciales y de 0.3 V para los de germanio, cuando se redondea a las dcimas
ms cercanas. El valor mayor para el silicio se debe principalmente al factor TI en la
ecuacin (1.4). Este factor desempea slo una parte en la determinacin de la forma de la
curva a niveles de corriente muy bajos. Una vez que la curva inicia su aumento vertical, el
factor TI desciende a 1 (el valor continuo para el germanio). Esto se observa por las
similitudes en las curvas despus de que el voltaje de diodo se alcanza. El potencial al cual
ocurre este aumento se denomina comnmente voltaje de diodo, de umbral opotencial de
encendido. Con frecuencia, la primera letra de un trmino que describe una cantidad
particular se usa en la notacin para esa cantidad. Sin embargo, para evitar al mnimo las
confusiones con trminos como el voltaje de salida (V
o
) y el voltaje directo (V
F
) se ha
adoptado en este libro lanotacin VTde lapalabra "threshold" (umbral en ingls).
En sntesis:
30
25
20
15
10
5
V
T
= 0.7 (S)
V
T
=0.3 (Ge)
Es obvio que, cuanto ms cerca se encuentre la conduccin elevada del eje vertical, el
dispositivo ser ms "ideal". Sin embargo, el resto de las caractersticas del silicio
comparadas con las del germanio son la causa de que el primero se siga eligiendo en la
mayor parte de las unidades comerciales.
-:tF Efectos de la temperatura
La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo
serniconductor de silicio, como lo demuestra un tpico diodo de silicio en la figura 1.24.
Se ha encontrado experimentalmente que:
La corriente de saturacin inversa J
s
aumentar cerca del doble en magnitud por
cada JOoe de incremento en la temperatura.
ID(mA)
(392'F) (-IO TF)
200T lO O 'C 25"C -75T
12

t-J -
' __ '~H" __ H"'~H
--1-----
---i--
10
:

I
,
I
: _ (Punto de ebullicin
,
8
:
rt
~.
del agua)
:
,
H~--~
6
l . ,
-t---
:
, : (Temperatura ambiente)
4--------1
' I
H "H "'_"
I
" J
I / /
(V)
2
I ./ /
6f 5? 4?
30 20 10
/? .-t'
I I I
....
. I
......................
0.7 1
1.5
2 VD (V)
... -..
..- - - - ~ - - - - - - - - - - - - -
-1
__ ...;_____ J
I
-2
___ --._ liIIIIiIIIII
( :
-3
I
I
I
I
,
I
I
I
I
I Figura 1.24 Variacin de las
~)
caractersticas del diodo con el cambio
de temperatura.
No es raro para un diodo de germanio con una Is del orden de 102 I .l A a 25C, tener
una corriente de fuga de 100 .LA=0.1 mA a una temperatura de 100C. Niveles de
corriente de esta magnitud en la regin de polarizacin inversa podran ciertamente
cuestionar nuestra deseada condicin de circuito abierto en la regin de polarizacin
inversa. Los valores tpicos de Is para el silicio son mucho menores que el correspon-
diente al germanio para potencia y niveles de corriente similares, como se muestra en la
figura 1.23. El resultado es que, aun a altas temperaturas, los niveles de Is para diodosde
silicio no alcanzan los mismos altos niveles obtenidos para el germanio, una muy
importante razn por la que los dispositivos de silicio gozan de un nivel significa-
tivamente mayor de desarrollo y empleo en diseos. Fundamentalmente, el equivalente
de circuito abierto en la regin de polarizacin inversa se logra mejor a cualquier
temperatura con silicio que con germanio.
Los niveles incrementados de Is con latemperatura dan razn de los muy bajos niveles
del voltaje de umbral, como se muestra en la figura 1.24. Simplemente incremente el nivel
de Is en la ecuacin (1.4) y note el precoz ascenso en lacorriente del diodo. Por supuesto el
nivel de T
K
tambin se incrementar en la misma ecuacin, pero el nivel incrementado de
Isprodominar sobre el pequeo cambio porcentual en TK. A medida que la temperatura
aumenta, las caractersticas directas efectivamente se aproximan ms a lo "ideal"; pero
cuando revisemos las hojas de especificaciones encontraremos que ms all del intervalo
normal de operacin la temperatura puede tener un efecto muy perjudicial en los niveles
mximos de potencia y corriente del diodo. En la regin de polarizacin inversa, el voltaje
de ruptura se incrementa con la temperatura, pero advierta el indeseable incremento en la
corriente de saturacin inversa.
1.7 NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la
resistencia del diodo cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica. Se
demostrar en los prrafos siguientes que el tipo de sealo voltaje aplicados definir el
nivel de resistencia de inters. Se presentarn tres diferentes niveles en esta seccin que
aparecern de nuevo cuando examinemos otros dispositivos. Por consiguiente, es de suma
importancia que su determinacin secomprenda con toda claridad.
1.7 Nivelesderesistencia 17
Resistencia de cd o esttica
La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito que contiene un diodo semiconductor
resultar en un punto de operacin sobre la curva caracterstica que no cambiar con el
tiempo. La resistencia del diodo en el punto de operacin se puede hallar sencillamente
encontrando los niveles correspondientes de VD eID' como se muestra en la figura 1.25, y
aplicando laecuacin siguiente:
(1.5)
Los niveles de resistencia de cd en la rodilla de la curva y abajo de la rodilla sern
ms grandes que los niveles obtenidos para la seccin de ascenso vertical de las
caractersticas. Los niveles de resistencia en la regin de polarizacin inversa natural-
mente sern ms altos. Puesto que los ohmmetros (multmetros) por lo regular emplean
una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada estar en el
nivel de corriente preestablecido (en general, de algunos miliamperes).
lo (mA )
____ ...,0
Vo(V)
Figura 1.25 Determinacin de la
resistencia de cd de un diodo a un punto
particular de operacin.
EJ EMPLO 1.1 Determine los niveles de resistencia de cdpara el diodo de la figura 1.26 a
(a) ID =2mA
(b) ID =20mA
(e) VD=-l OV
lo (mA )
-I OV
2
Figura 1.26 Ejemplo 1.1.
_ Silicio
30
20
10
o 0.5 0.8 V
o
(V)
- 4- - - - - 1- 1~ A
Solucin
(a) Para ID =2mA, VD =0.5 V (de lacurva) y
R
D
=VD =0.5 V =250 n
ID 2mA
(b) Para ID =20 mA, VD =0.8 V (de la curva) y
R = VD = 0.8 V =40 n
D ID 20mA
(e) Para VD =-10 V.J
D
=-I
s
=-1 .lA (de lacurva) y
R = VD = 10V =10M n
D ID 1 .lA
10que respalda claramente algunos de los anteriores comentarios con respecto a los
niveles de resistencia de cdpara un diodo.
Resistencia deeaodinmica
Resulta obvio de la ecuacin 1.5 y del ejemplo 1.1que la resistencia de cd de un diodo es
independiente de la forma de la caracterstica en la regin en torno al punto de inters. Si
se aplica una entrada senoidal en vez de una entrada de cd, la situacin cambiar por
completo. La entrada variable mover hacia arriba y abajo el punto de operacin
instantneamente en alguna regin de la caracterstica y definir un cambio especfico en
la corriente y el voltaje como se muestra en la figura 1.27. Si no se aplica una seal
variable, el punto de operacin sera el punto Q que aparece en la figura 1.27
determinado por los niveles de cd aplicados. La designacin del punto Q (punto de
operacin) se desprende de la palabra quiesciente, que significa "permanencia de nivel
invariable" (de reposo).
Caractersticas del diodo ~
Lnea tangente
, Punto Q
, (operacin de cd)
Figura 1.27 Definicin de la resistencia
dinmica oresistencia de ea.
Una lnea recta tangente a la curva que pasa a travs. del punto Q definir un cambio
particular en voltaje y corriente que puede emplearse para determinar la resistencia de ea
odinmica para esta regin de las caractersticas del diodo. Drbe procurarse conservar el
cambio de voltaje y corriente lo menos posible, as como mantenerlo equidistante de
cualquier lado del punto Q. En forma de ecuacin,
[rd=~Vd [
Md
donde ~significa un cambio finito en lacantidad. (1.6)
Cuanto mayor sea la inclinacion de la pendiente, menores sern los valores de ~Vd para
el mismo cambio en Md y menor la resistencia. La resistencia de ea en la regin de
aumento vertical de la caracterstica es, por ello, bastante pequea, en tanto que la
resistencia de ea es mucho ms elevada a niveles de corriente bajos.
1.7 Niveles de resistencia
Figura 1.28 Determinacin de la
resistencia de ca en el punto Q.
19
EJ EMPLO 1.2 Para las caractersticas de la figura 1.29:
(a) Determine laresistencia de ea para ID =2mA.
(b) Determine laresistencia de ea para ID =25 mA.
(e) Compare los resultados de los incisos (a) y (b) con las resistencias de cd para cada
nivel de corriente.
5
4
2
ID (mA )
30 -------------------------
25 ------------------- ! :; 'Id
20 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - ,
,
,
,
,
,
15
o
Figura 1.29Ejemplo 1.2.
10
Solucin
(a) Para ID =2 mA; la lnea tangente a ID =2 mA se dibuj como se muestra en la
figura, y se escogi un intervalo de 2 mA arriba y abajo de la corriente especificada
del diodo. Para ID =4 mA, VD =0.76 V Y para ID =O mA, VD =0.65 V. Los cambios
resultantes en corriente y voltaje son
y
f
d
=4 mA - O mA =4 mA
LlV d =0.76 V - 0.65 V =0.11 V
y laresistencia de ea:
(b) Para ID =25 mA; la lnea tangente a ID =25 mA se dibuj como se muestra en la
figura, y se escogi un intervalo de 5 mA arriba y abajo de la corriente especificada
del diodo. Para ID =30 mA, VD =0.8 V Y para ID = 20 mA, VD =0.78 V. Los
cambios que resultan en corriente y voltaje son
y
f
d
=30 mA - 20 mA =lO mA
LlV d =0.8 V - 0.78 V =0.02 V
y laresistencia de ea:
(e) ParaI
D
=2mA, V
D
=0.7Vy
R = VD = 0.7V =3500
D ID 2mA
lacual excede con mucho la rd de 27.5 O .
Para ID =25 mA, VD =0.79 V Y
R = VD =0.79 V =31.620
D ID 25 mA
locual excede fcilmente la rd de 2O .
Hemos encontrado la resistencia dinmica en forma grfica, pero existe una
definicin bsica en clculo diferencial que establece:
La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la tangente
trazada en ese punto.
La ecuacin (1.6), de acuerdo a como se define en la figura 1.28, corresponde en esencia
a encontrar la derivada de la funcin en el punto de operacin Q. Si encontramos la
derivada de la ecuacin general [ ecuacin (l.4)] para el diodo semiconductor con
respecto a la: polarizacin directa aplicada y despus invertimos el resultado, tendremos
una ecuacin para la resistencia dinmica o de ea en esa regin. Esto es, tomando la
deri va de laecuacin (l.4) con respecto ala polarizacin aplicada, el resultado ser
; 'D(ID) =:V[Is<e
kV
/
h
- 1)]
d l
D
k
Y -- =-(ID +1
5
)
dV
D
T
K
siguiendo unas cuantas manipulaciones bsicas de clculo diferencial. En general, en la
seccin de la tangente vertical de las caractersticas ID ~ t, Y
Sustituyendo 11 = 1 para el Ge y el Si en la seccin de aumento vertical de las
caractersticas, obtenemos
k =11,600 = 11,600 =11600
r y 1 '
y atemperatura ambiente,
y
T
K
=Te +2 73
0
=2 5
0
+2 73
0
=2 98
0
k 11,600 9
-'----- == 38. 3
T
K
2 98
dI
D
=38.931
dV
D
D
por lo que
Invirtiendo el resultado para definir una relacin de la resistencia (R =VIl) obtenemos
dV
D
_ 0.026
dI
D
=- ;;-
I rd= 26mV I
I D
obien,
Ge,Si
El significado de la ecuacin (1.7) debe entenderse de manera clara. Implica que la
resistencia dinmica puede encontrarse mediante la simple sustitucin del valor del punto
de operacin de la corriente de diodo en la ecuacin. No hay necesidad de disponer de la
caracterstica o de equivocarse dibujando lneas tangentes segn se definen con la
ecuacin (1.6). Sin embargo, es importante recordar que la ecuacin (1.7) slo es precisa
para valores de ID que se encuentran en la seccin ascendente vertical de la curva. Para
valores menores de ID' TI =2 (silicio) y el valor obtenido de rd debe multiplicarse por un
factor de 2. Para valores pequeos de ID bajo la rodilla de la curva, la ecuacin (1.7)
puede ser inapropiada.
Todos los niveles de resistencia determinados as se han definido por la unin p-n y
no incluyen la resistencia del propio material semiconductor (denominada resistencia del
cuerpo) ni la resistencia introducida por la conexin entre el material semiconductory el
conductor metlico externo (denominada resistencia de contacto). Estos niveles
adicionales de resistencia pueden incluirse en la ecuacin (1.7) agregando la resistencia
nombrada rB' como aparece en la ecuacin (1.8). Por consiguiente, la resistencia r' d,
incluye la resistencia dinmica definida por la ecuacin 1.7 Y la resistencia rB recin
introducida.
, 26mV
rd= ---+r
B
ID
ohms (1.8)
El factor r
B
puede fluctuar desde un valor tpico de 0.10 para dispositivos de alta
potencia hasta 2 Opara algunos diodos de baja potencia y propsitos generales. Para el
ejemplo 1.2se calcul una resistencia de eaigual a 2O , a 25 mA. Utilizando la ecuacin
(1.7), obtenemos
r
d
=26 mV =26 mV =1.04 O
ID 25 mA
La diferencia de cerca de 1Opodra considerarse lacontribucin de rB.
Para el ejemplo 1.2 se calcul una resistencia de ea igual a 27.5 O , a 2 mA.
Empleando la ecuacin (1.7), pero multiplicando por un factor de 2 para esta regin (en
la rodilla de lacurva I I =2).
(
26 mv) (26 mv)
rd =2 ID =2 2mA =2(13 fl) =26 n
La diferencia de 1.5O podra considerarse la contribucin debida a rB.
En realidad, la determinacin de rd con un alto grado de precisin a partir de una
curva de caractersticas empleando la ecuacin (1.6) es un proceso difcil de lograr y los
resultados tienen que considerarse con cautela. A bajos niveles de corriente de diodo, el
factor r
B
es por lo regular suficientemente pequeo en comparacin con rd, para
permitirse ignorar su impacto en la resistencia de ea del diodo. Para altos niveles de
corriente, el nivel de r
B
puede aproximarse al de rd' pero ya que con frecuencia habr
otros elementos resistivos de mucho mayor magnitud en serie con el diodo, supondremos
en este libro que la resistencia de ea se determina nicamente por rd y el impacto de rB se
ignorar, a menos que se especifique lo contrario. Los adelantos tecnolgicos de los
ltimos aos sugieren que el nivel de "e continuar disminuyendo en magnitud y que con
el tiempo llegar a ser un factor que podr ser despreciado en comparacin con rd.
La discusin anterior ha girado nicamente en torno a la regin de polarizacin
directa. En laregin de polarizacin inversa, supondremos que el cambio en lacorriente a
lo largo de la lnea de Is es nulo desde los O V hasta la regin Zener y que la resistencia
de ea resultante usando la ecuacin (1.6) es suficientemente alta para permitir la
aproximacin de circuito abierto.
Resistencia de eapromedio
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande como para producir la excursin
indicada en la figura 1.30, la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se
tJ.1 " 10
ID (mA )
20
15
5
O
Figura 1.30Determinacin de la resistencia promedio de eaentre los lmites
indicados.
denomina resistencia promedio de ea. La resistencia promedio de ea es, por definicin, la
resistencia determinada por una lnea recta dibujada entra las dos intersecciones que
establecen los valores mximo y mnimo del voltaje de entrada. En forma de ecuacin
(obsrvese lafigura 1.30)
(1.9)
zv, I
r =--
av Md pto. apto.
Para la situacin indicada en lafigura 1.30,
y
Md= 17mA-2mA= 15mA
ilV
d
=0.725 V - 0.65 V =0.075 V
con
= 0.075 V =5n
15mA
Si la resistencia de ea (r d) se determinara aID =2mA, su valor sera mayor que 5n,
y si lo fuera a 17 mA, sera menor. El intervalo la resistencia de ea hara la transicin
desde el valor alto de 2 mA hasta el valor bajo de 17 mA. La ecuacin (1.9) ha definido
un valor que se considera el promedio de los valores de ea de 2a 17mA. El hecho de que
un nivel de resistencia pueda usarse para tan amplio intervalo de las caractersticas,
demostrar absolutamente su utilidad en la definicin de los circuitos equivalentes para
un diodo en una seccin posterior.
Tabla de resumen
La tabla 1.2 se desarroll para reforzar las conclusiones importantes de estas ltimas
pginas y para enfatizar la diferencia entre los distintos niveles de resistencia. Como se
indic con anterioridad, el contenido de esta seccin es el fundamento para varios
clculos de resistencia que se realizarn en secciones y captulos posteriores.
TABLA 1.2 Nivelesderesistencia
Tipo Ecuacin
Caractersticas
especiales
Determinacin
grfica
de cd
o
esttica
Definida como un
punto sobre las
caractersticas
de ea
promedio
rav=~1
d pto. a pta.
Definida por una lnea
recta entre los lmites
de operacin
deca
o
dinmica
Definida por una
lnea tangente
en el punto Q
1.8 CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO
Un circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos de manera
adecuada para representar de la mejor forma las caractersticas terminales reales
de un dispositivo, sistema o similar en una regin particular de operacin.
En otras palabras, una vez que el circuito equivalente est definido, el smbolo del
dispositivo puede eliminarse de un diagrama e insertarse el circuito equivalente en su
lugar sin que se afecte de modo considerable el comportamiento real del sistema. El
resultado es con frecuencia una red que puede resolverse mediante el uso de las tcnicas
tradicionales de anlisis de circuitos.
Circuito equivalente de segmentos lineales
24
Una tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar la
caracterstica del dispositivo mediante segmentos lineales, como se ilustra en lafigural.3l.
Este tipo de circuito equivalente recibe el nombre de circuito equivalente de segmentos
lineales. Debe resultar evidente a partir de cada curva que los segmentos lineales no dan
como resultado una exacta duplicacin de las caractersticas reales, en especial en la
regin de la rodilla de la curva. Sin embargo, los segmentos resultantes estn lo
suficientemente cercanos ala curva real como para establecer un circuito equivalente que
proporcione una excelente primera aproximacin al comportamiento real del dispositivo.
Para la seccin de la pendiente en la equivalencia corresponde la resistencia promedio de
ea que tal, como se present en la seccin 1.7 es el nivel de resistencia que aparece en el
circuito equivalente de la figura 1.32, en seguida del dispositivo real. En esencia, define
el nivel de resistencia del dispositivo cuando se encuentra en el estado "activo". El diodo
ideal se incluye para establecer que slo hay una direccin de conduccin a travs del
dispositivo, y que una condicin de polarizacin inversa resultar en el estado de circuito
abierto para el dispositivo. Puesto que un diodo semiconductor de silicio no alcanza el
I D(mA )
o
Figura 1.31 Definicin del
modelo de segmentos lineales del
diodo empleando segmentos
lineales para aproximar la curva
de caractersticas.
V D (V)
+
V D
+
V D
~
~ ~
I D I D
diodo ideal
Figura 1.32 Componentes del modelo de segmentos lineales del diodo.
estado de conduccin hasta VD alcanza el valor de 0.7 V con una polarizacin directa
(como se muestra en la figura 1.31), una batera VT opuesta a la direccin de conduccin
debe aparecer en el circuito equivalente como se ilustra en la figura 1.32. La batera
simplemente especfica que el voltaje a travs del dispositivo debe ser mayor que el
voltaje de umbral representado por la batera, antes de que se establezca la conduccin a
travs del dispositivo en la direccin dictada por el 'diodo ideal. Cuando se establece la
conduccin, la resistencia del diodo tendr el valor especificado por rayo
Sin embargo, tngase en cuenta que VT en el circuito equivalente no es una fuente de
voltaje independiente. Si se coloca un voltmetro en paralelo con un diodo aislado sobre
un banco del laboratorio, ninguna lectura de 0.7 V se podr obtener. La batera representa
nicamente el desplazamiento horizontal de las caractersticas que debe excederse para
que se establezca laconduccin.
El nivel aproximado de raypuede determinarse generalmente a partir de un punto de
operacin especifico de la hoja de especificaciones (que se explicar en la seccin 1.9).
Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio, si 1F =10 mA (una corriente de
conduccin directa para el diodo) a VD =0.8 V, sabemos que para el silicio se requiere de
un cambio de 0.7 V antes del ascenso de las caractersticas y
~Vd I
rav =~ld . pto. apto. =
0.8 V - 0.7 V =0.1 V =10 n
10mA-O mA lO mA
como se obtuvo de la figura 1.30.
Circuito equivalente simplificado
Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rayes lo suficientemente pequea
como para ignorarse si se compara con otros elementos de la red. La eliminacin de ray
del circuito equivalente es lo mismo que considerar que la caracterstica del diodo
aparezca como se muestra en la figura 1.33. Desde luego, esta aproximacin se emplea
1.8 Circuitos equivalentes del diodo 25
+ V D
V
T
=O.7V
o. 11-1 --I"M------<o
IO ~ Diodo ideal
Figura 1.33 Circuito equivalente simplificado para el diodo semi conductor de silicio.
con frecuencia en el anlisis de circuitos semiconductores, como se demuestra en el
captulo 2. El circuito equivalente reducido aparece en la misma figura. En ella se
establece que un diodo de silicio con polarizacin directa en un sistema electrnico en
condiciones de cd tiene una cada de 0.7 V a travs de l en el estado de conduccin sin
que importe cul es lacorriente del diodo (dentro de los valores !l0minales, por supuesto).
Circuito equivalente ideal
Ahora que Tav se ha eliminado del circuito equivalente, tomemos un paso adicional para
establecer que un nivel de 0.7 V con frecuencia puede ser ignorado en comparacin con
el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reducir al de un
diodo ideal cmo se muestra en la figura 1.34 con sus caractersticas. En el captulo 2
veremos que esta aproximacin se hace con frecuencia sin ninguna importante prdida de
exactitud.
En la industria, un sustituto popular para la frase "circuito equivalente del diodo" es
modelo del diodo, modelo que, por definicin, es una representacin de un dispositivo,
objeto, sistema, etc., existente. De hecho, esta terminologa sustituta se emplear casi en
forma exclusiva en los captulos siguientes.
+
0>----1-., __-----<0
;- ---- Diodo ideal
o
Figura 1.34 Diodo ideal y sus caractersticas.
Tabla deresumen
Por claridad, en la tabla 1.3 se proporcionan los modelos de diodo utilizados para el
mbito de los parmetros de circuitos y aplicaciones, con sus caractersticas de segmentos
lineales. Cada uno se investigar en mayor detalle en el captulo 2. Siempre hay excep-
ciones a la regla general, pero es francamente seguro decir que el modelo equivalente
simplificado se emplear con suma frecuencia en el anlisis de sistemas electrnicos,
mientras que el diodo ideal se aplica comnmente en el anlisis de sistemas de suministro
de energa donde se encuentran mayores voltajes.
TABLA 1.3Circuitos equivalentes del diodo (modelo)
Tipo Condiciones Modelo Caractersticas
Modelo
de segmentos lineales
0-1~
V
T
Diodo
ideal
o
Modelo Rred r;
simplificado
o
V
T
Diodo
ideal
Dispositivo
ideal
o---~+-I ----<o
o
Diodo
ideal
1.9 HOJAS DE ESPECIFICACION DEL DIODO
Los datos relativos a dispositivos semiconductores especficos se proporcionan
normalmente por el fabricante en una de dos formas. Con mucha frecuencia, es una
descripcin muy breve limitada quizs a una pgina. Por otra parte, es un examen
completo de las caractersticas utilizando grficas, ilustraciones, tablas y otros medios.
Sin embargo, en cualquier caso, existen secciones especficas de datos que deben
incluirse para el uso correcto del dispositivo. Estas secciones incluyen:
I . El voltaje directo VF (a una corriente y temperatura especificadas).
2. La mxima corriente directa I
F
(a una temperatura e.specificada).
3. La corriente de saturacin inversa IR (a un voltaje y temperatura especificados).
4. El voltaje inverso nominal [ VPI o V(BR), donde BR viene del trmino en ingls
"breakdown" ("rompimiento") (a una temperatura especificada)].
5. El mximo nivel de disipacin de potencia auna temperatura particular.
6. Los niveles de capacitancia (como-se definen en la seccin 1.10).
7. El tiempo inverso de recuperacin en sentido inverso t
rr
(como se define en la
seccin 1.11).
8. El intervalo de temperatura de operacin.
Dependiendo del tipo de diodo que se est considerando, es posible que tambin se
proporcionen datos adicionales, como el rango de frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo
de conmutacin, los niveles de resistencia trmica y los valores pico repetitivos. Para la
aplicacin que se tiene en mente, la importancia de los datos casi siempre ser evidente
por s misma. Si la potencia mxima o el valor nominal de disipacin se proporciona
tambin, se entiende que ser igual al siguiente producto:
(1.10)
donde ID Y VD son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de operacin
particular.
1.9 Hojas deespecificacin del diodo 27
Si aplicamos el modelo simplificado para una aplicacin particular (un caso comn),
podemos sustituir VD =V
T
= 0.7V para undiodo desilicioen laecuacin (1.10) y determinar la
disipacin depotencia resultante por comparacin contra lamxima potencia nominal. Estoes,
I P 'palla =(0.7 V)ID I
(1.11)
F
TECNO LO GIA PLANAR SILICIO DIF1J NDIDO
-
BV _ 125 V (MiN) @100 I J (BA Y73)
BV _. 200 V (MIN) @100M mA129)
VALO RES NO MINALES MAXIMO S ABSO LUTO S (Nota 1)
ESQUEMA DEL 00-35
Temperaturas
I~
Intervalo de temperatura de aJ :O iacenamiento -6SC a+2ooC
Temperatura mxima de operacin de launin +17SC
MIN
(25.40)
Tem~ratura d~las terminales +260C
rl
Disipacin de potencia (Nota 2)
~
0.180(4.57)
Disipacin depotencia total mxima atemperatura
"
1
40
(356)
ambiente (2SC) soo-ew
Factor lineal de degradacin de potencia (apartir de25"q 3.33mWrC
Voltaje y corriente mximos
-Ur
VIT Voltaje inverso detrabajo BAY73 100 V
BAl23 180V
0021(0533) lA 1.-
lo
Corriente rectificada promedio 200 roA 0019(0483) o 0075(1.91)
---O lA
Ip Corriente.en sentido directo continua 5oo.mA 0060(152)
i
f
Corriente pico repetitiva en sentido directo 600mA
if(sobrecorriente)
Pico de sobrecorriente en sentido directo
NO TAS:
Ancho de pulso =l s
1.0 A
Terminales deacerorevestidas de
cobre.estalladas
Ancho de pulso =l us
.
4.0A Se disponen tenninales con
revestimiento de oro
Encapsulado devidriosellado
hermtticamente
Elpesodelacpsulaesde0.14g
CARACI'ERISTICAS ELECI'RICAS (Temperatura ambiente de 25'C a menos que se seale locontrario)
SIMBO LO CARACTERISTICAS
BAY73 BAl29
UNIDA
CO NDICIO NESDEPRUEBA
MIN MAX MIN MAX
DES
V
F
- Voltaje en sentido directo
Q.8S 1..00_ 1.. . V I
F
=200mA
0.81 0.94 V IF =100mA
0.78 0.88 0.78 1.00 V IF =50mA
0.69 0.80 0.69 0.83 V I
F
=lO mA
0.67 0.75 V I
F
=5.0mA
0.60 0,8. 0.60 0.71 V l. =1.0mA
0.51 0.60 V l. =0.1mA
I
R
- Corriente en sentido inverso
500 nA V
R
=20V, T
A
=12S'C
5.0
- --
nA
Vo=IO O V
-
1.0 J .I.A
Vo=lO O V.T
A
=12S'C
lO nA Vo=ISO V
5.0
J .I.A V
o
=ISOV.T
A
=lO O 'C
VR Voliaje.deruptura
125 200 V lo =lO O J .I.A
C- Capacitancia 8.0 6.0 pF V.=O ,f-1.0MHz
tu -'--
Tiempo de recuperacin en sentido inverso 1-
J &
-
,po
Ip =10mA.V
r
=3SV
Rt.=1.0a100k.O
C
L
=10pP.J AN 2S6
NO TA:
1.
Estos valores 'nominales son valores lnite por encima de loscuales el diodo puede deteriorarse.
2. Estossonlfmitesenestadoestable.Debeconsultarse alafbricaparaaplicaciones queimpliquenpulsosuoperaciones debajociclodetrabajo.
A
B
e
D
E
G
H
1
Figura 1.35 Caractersticas elctricas de los diodos Fairchild BA Y73 BA 129
de alto voltaje y bajas fugas. (Cortesa deFairchld Camera and Instrument
Corporation.)
En las figuras 1.35 y 1.36 aparece una copia exacta de los datos proporcionados por
la Fairchild Camera y la Instrument Corporation para los diodos BA Y73 Y BA 129 de
alto voltaje/fugas bajas. Este ejemplo representara la lista ampliada de datos y
caractersticas. El trmino rectificador se aplica a un diodo cuando se usa con frecuencia
en un proceso de rectificacin que se describir en el captulo 2.
CURVAS DE CARACTERISTICAS ELECTRICAS TIPICAS
a temperatura ambiente de 25C a menos que seseale otra cosa
VO LTAJ E EN SENTIDO
DIRECTO VERSUS CO RRlEN
~ TE EN SENTIDO DIRECTO
1 l OOOr - - - ~ - - ~ - - . - - - . - - - ~
o
~
:a
o
'"
';:J
c:
1;l
c:
"
!l
c:
'S
8
1
~
CO RRIENTE EN SENTIDO
DIRECTO VERSUS CO EFI-
CIENTE DE TEMPERATURA
CAPACITANCIA VERSUS
INVERSO
6.0
5.0
4.0
~
1
o
ti
~
:a
o
'"
'''- c:
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l ool - - - - +- - - - I ~ ~ - - +- , - ~ r _ _ +- - ~
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3.0
2.0
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0.01 1 1'-'\
O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0.10 ~~==_ -===/:c ==. =t====
- - +---1--
0.01l ...-_'---L-'---_'--_'------.J
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.0
4.0 8.0 12 16
V
R
- Voltaje en sentido inverso - volts V
F
- Voltaje en sentido directo - volts cr-Coeficiente de temperatura - mV O C
INVERSO VERSUS CO RRIEN-
TE EN SENTIDO INVERSO
CO RRIENTE EN SENTIDO
INVERSO VERSUS
TEMPERATURA AMBIENTE
IMPEDENCIA DINAMICA
VERSUS CO RRIENTE iN
SENTIDO DIRECTO
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1
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J L
f.0 I j I 1I
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lac =O .ldc
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I I
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<IJ
'E
8
1
~
0.5
10
0.2
100
0.1
1.0
10
0.1
1.0
0.02
0.1
O 25 50 75 100 125 150
101
0
1.0 10 100 IK IO K
25 50 75 100 125
V
R
- Voltaje en sentido inverso - volts R
D
- Impedancia dinmica - n T. - Temperatura ambiente _ C
CO RRIENTE RECTIFICADA PRO MEWDIO
A y CO RRIENTE EN SENTIDO DIRECTO
VERSUS TEMPERATURA AMBIENTE
CURVA DE DEGRADACIO N
DEPO TENCJ A
~
500
\.
i E
1
e
400 'O
'\ '
'"
.~
300
\.
:a
'\
I <IJ
-e
\.
I
d
200
'
" i
" e
\.1
i
o
Q..
100
1
i\.
i
e
'\l
O
O 25 50 75 100125150175200
T. - Temperatura ambiente -oC
-c
E
I
s
c:
<IJ
'E
8
1
-
50 75 100125150175200
T.- Temperatura ambiente _ C
Figura 1.36 Caractersticas terminales de los diodos de alto voltaje Fairchild BA Y 73BA 129. (Cortesa de
Fairchild Camera and Instruments Corporation.)
29 1.9 Hojas deespecificaci6n del diodo
Determinadas zonas de la hoja de especificaciones se han resaltado en sombreado
con una letra de identificacin correspondiente ala siguiente descripcin:
A: Los mnimos voltajes de 'polarizacin inversa (VPIs) para cada diodo a una
corriente de saturacin inversa especfica.
B: Las caractersticas de temperatura que se indican. Ntese el uso de la escala
Celsius y el amplio intervalo de empleo [ recurdese que 32F =O C=estado de
congelacin del H
2
0 y que 212F =100C =estado de ebullicin del H
2
0].
C: Mximo nivel de disipacin de potencia P D = VDI D =500 mW. La potencia
mxima nominal decrece a una proporcin de 3.33 mW por cada grado de
incremento sobre la temperatura ambiente (25C), como se indica claramente en
la curva de degradacin de potencia de la figura 1.36.
D: La mxima corriente continua en sentido directo IF =500 mA (obsrvese la
grfica de IF contra temperatura en la figura 1.36). mx.
E: Intervalo de valores de V
F
a una I
F
=200 mA. Advirtase que se excede el valor
de V
T
= 0.7 V para ambos dispositivos.
F: Intervalo de valores de V F a una I F =l.0 mA. Ntese en este caso cmo los
lmites superiores estn alrededor de 0.7 V.
G: Para V
R
=20 V Y a una temperatura tpica de operacin, IR =500 nA =0.5 lA,
mientras que aun voltaje inverso mayor IR decae a 5 nA =0.005 lA.
H : El nivel de capacitancia entre terminales es de cerca de 8 pF para el diodo
BA Y73 a VR =VD =O V (sin polarizacin) y a una frecuencia aplicada de
1MHz.
1: El tiempo de recuperacin en sentido inverso es de 3us en la lista de condiciones
de operacin.
Algunas de las curvas de la figura 1.36 emplean una escala logartmica. Un breve
examen de la seccin 11.2 ayudara a la lectura de las grficas. O bsrvese en la parte
superior izquierda de la figura cmo VF se incrementa desde cerca de 0.5 V hasta poco
ms de 1 V a medida que IF se incrementa desde 10 lA hasta 100 mA. En la figura
inferior encontramos que la corriente de saturacin inversa cambia levemente con los
niveles de aumento de V
R
, pero se mantiene a menos de 1 nA a temperatura ambiente
hasta V
R
=125 V. Sin embargo, como se observa en la figura siguiente, advirtase la
rapidez con que la corriente de saturacin inversa aumenta con el incremento de la
temperatura (como sepredijo con anterioridad).
En la parte superior derecha de la figura se puede observar cmo la capacitancia
decrece conforme-se incrementa el voltaje de polarizacin inversa, y ntese en la figura
inferior que la resistencia de ea (rd) est apenas sobre 1 na 100 mA y se incrementa
hasta 100 npara una corriente menor de 1mA (como se esperaba de la exposicin de
secciones anteriores).
La corriente rectificada promedio, la corriente pico repetitiva en sentido directo y el
pico de sobrecorriente en sentido directo como aparecen en la hoja de especificaciones se
definen como sigue:
30
l. Corriente rectificada promedio. Una seal rectificada de media onda (descrita en la
seccin 2.5) tiene un valor promedio definido por lav =0.318 Ipico' El valor nominal
de la corriente es ms bajo que la corriente continua en sentido directo debido a que
la forma de onda de la corriente de media onda tendr valores instantneos mucho
ms altos que el valor promedio.
2 . Corriente pico repetitiva en sentido directo. Este es el valor mximo instantneo de
la corriente repetitiva en sentido directo. Ntese que, debido a que se encuentra en
este nivel durante un breve periodo, su nivel puede ser mayor que el continuo.
3. Pico de sobrecorriente en sentido directo. Durante el encendido, fallas, etc., exis-
tirn corrientes muy elevadas a travs del dispositivo por intervalos de tiempo muy
breves (que no son repetitivos). Este valor nominal define el valor mximo de
intervalo de tiempo para tales niveles de sobrecorriente.
Captulo 1 Diodos semiconduclores
Cuanto ms se revisen las hojas de especificaciones, tanto ms "familiares" llegarn a
ser, especialmente cuando el impacto de cada parmetro se comprenda con toda claridad
para la aplicacin que se est investigando.
1.10 CAPACITANCIA DE TRANSICION y DE DIFUSION
Los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a frecuencias muy elevadas.
La mayor parte de los efectos capacitivos en paralelo que pueden ignorarse a frecuencias
muy bajas debido a que la reactancia Xc =112 1tfC es muy grande (equivalente de circuito
abierto), no pueden despreciarse a muy altas frecuencias. Xc se volver bastante pequeo
debido al alto valor de f para introducir una trayectoria de baja reactancia. En el diodo
semiconductor p-n, son dos los efectos capacitivos que tienen que considerarse. Ambos
tipos de capacitancia se presentan en las regiones de polarizacin directa e inversa, pero
uno importa ms que el otro en cada regin, por 10que en cada una de ellas
consideraremos slo los efectos de uno de esos tipos.
En la regin de polarizacin inversa tenemos la capacitancia de la regin de
agotamiento (C
T
), en tanto que en la de polarizacin directa tenemos la capacitancia
de difusin (C
D
) o almacenamiento.
Recurdese que la ecuacin bsica para la capacitancia de un capacitor de placas
paralelas est definida por C =fAld, donde e es la permitividad del dielctrico (aislador)
entre las placas de rea A separadas por la distancia d. En la regin de polarizacin
inversa hay una regin de agotamiento (libre de portadores) que en esencia se comporta
como un aislador entre las capas de carga opuesta. Puesto que la regin de agotamiento
aumentar con el incremento del potencial de polarizacin inversa, la capacitancia de
transicin resultante disminuir, como se ilustra en lafigura 1.37.
El hecho de que la capacitancia sea dependiente del potencial aplicado de polarizacin'
inversa tiene aplicaciones en diversos sistemas electrnicos. De hecho, en el captulo 20 se
presentar un diodo cuya operacin depende por completo de este fenmeno. Aunque el
efecto que acabamos de describir sepresentar tambin en laregin de polarizacin directa,
se hace despreciable ante el efecto de la capacitancia dependiente en forma directa de la
velocidad a la cual se inyecta la carga en las regiones justo afuera de la de agotamiento. En
otras palabras, depende directamente de la corriente que resulta en el diodo. Los niveles
crecientes de corriente originarn niveles ms altos de la capacitancia de difusin. Sin
embargo, el aumento de los niveles de corriente produce niveles reducidos de la resistencia
asociada (lo que se demostrar ms adelante), y la constante de tiempo que se establece
('l : =RC), la cual es muy importante en' las aplicaciones de alta velocidad, no se vuelve
excesiva.
.... Polarizacin directa (CJ))
C(pF)
, - - - - , - - - - - , - - - - - , - - - - - r - - - 15r - - - - - - - , - - - . , - - - ,
.. l.. ~ ... _.... _..... -:
............................................................................ .... __ .-
f j t101 1"
v:
1+Polarizacin inversa (C
l
)
f-------j-.---+-----..-----+---- -----~/,-+---------1
r - - - - 4- - - - _ t - - - - - +- - - - - +- - - - 5 /
r - - - - ~ - - - - _ t - - - - - r - - - ~ - - - - - - - ~ - ~ J ' ~ - - - 4- - - - - - - - - -
."
_.___. __.. L.
( V) - 25 - 15 - 5 - 20
--
-10 o 0. 5 0. 25
Figura1.37 Capacitancia de transicin y de difusin versus la polarizacin aplicada para
un diodo de silicio.
1.10 Capacitancia detransicin y dedifusin 31
Figura 1.38Inclusindel efectodela
capacitanciadetransicinodedifusin
sobreel diodosemiconductor.
32
Los efectos capacitivos que acabamos de describir se representan mediante un
capacitor en paralelo con uri diodo ideal, como se muestra en la figura 1.38. No obstante,
para aplicaciones de baja o media frecuencia (excepto en el rea de potencia el capacitor
suele no incluirse en el smbolo del diodo.
1.11 TIEMPO DE RECUPERACION EN SENTIDO INVERSO
Hay ciertos datos que por lo general se incluyen en las hojas de especificaciones del
diodo que proporcionan los fabricantes. Una de tales cantidades que an no se ha
considerado es el tiempo de recuperacin en sentido inverso, denotado por t.; En el
estado de polarizacin directa se demostr al principio que hay un gran nmero de
electrones provenientes del material tipo n que avanzan a travs del material de tipo p y
de huecos en el tipo n (un requerimiento para la conduccin). Los electrones en el tipo p
y los huecos que avanzan en el material tipo n establecen un gran nmero de portadores
minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado debe invertirse para establecer una
situacin de polarizacin inversa, idealmente quisiramos observar que el diodo cambia
en forma instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido
a un nmero considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo
simplemen-te se invertir como se muestra en la figura 1.39 y permanecer en este nivel
mensurable durante el periodo t
s
(tiempo de almacenamiento) requerido para que los
portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
opuesto. En esencia, el diodo permanecer en el estado de corto circuito con una corriente
[ inversadeterminada por los parmetros de lared. A la larga, cuando haya pasado esta fase
de almacenamiento, la corriente reducir su nivel hasta el que se asocia con el estado de
no conduccin. Este segundo periodo de tiempo se representa mediante t, (intervalo de
transicin). El tiempo de recuperacin en sentido inverso es la suma de estos' dos
intervalos: t.; =t
s
+tI. Naturalmente, representa una consideracin importante en las
aplicaciones de interrupcin de alta velocidad. La mayor parte de los diodos de
interrupcin comerciales tienen un t.; dentro del intervalo que va de unos cuantos
nanosegundos hasta 1 J ..Ls. Sin embargo, se encuentran unidades con un t.; de slo unos
cuantos cientos de picosegundos (10-
12
).
/
Cambio de estado (conduccin --7corte)
directa requerido a t =tI
/ Respuesta deseada
tI
Figura 1.39Definicindeltiempode
recuperacininverso.
,
1.12 NOTACION DEL DIODO SEMICONDUCTOR
La notacin que se emplea con mayor frecuencia para los diodos semiconductores se
presenta en la figura 1.40. Para la mayor parte de los diodos, alguna marca como un punto
o una banda, segn se ilustra en la figura 1.40, aparece en el extremo del ctodo. La
terminologa nodo y ctodo es un rezago de la notacin del tubo de vaco. El nodo se
refiere al potencial ms alto opositivo y el ctodo ala terminal de menor valor o negativa.
Esta combinacin de niveles de polarizacin dar como resultado una polarizacin directa
o condicin de "encendido" para el diodo. Algunos diodos semiconductores disponibles
comercialmente aparecen en la figura 1.41. Diversos detalles de la construccin real de
estos dispositivos seproporcionan en los captulos 12y 20.
./ o,K,etc.
Figura 1.40 Notacin del diodo semieonduetor.
(a)
(b)
(e)
Figura 1.41 Diversos tipos de diodos de unin. [ (a) Cortesa de Motorola Ine.; (b) y (e) Cortesa de
International Reetifier Corporation.]
1.13 PRUEBA DE DIO DO S
La condicin de un diodo semiconductor puede determinarse rpidamente mediante el
empleo de 1) un multmetro digital (MMD) con una funcin de verificacin de diodos,
2) el multmetro en su modalidad de medidor de resistencias (ohmimetrot.o 3) un traza-
dor de curvas.
Funcin deverificacin dediodos
Un multmetro digital con capacidad para verificar diodos se muestra en la figura 1.42.
O bsrvese el pequeo smbolo del diodo final de la seccin inferior del disco selector.
Cuando se coloca en esta posicin y se hacen las conexiones como se ilustra en la figura
1.43a, el diodo deber estar en el estado "activo" y la pantalla proporcionar una
indicacin del voltaje de polarizacin directa como, por ejemplo, de 0.67 V (para el Si).
El multmetro tiene una fuente interna de corriente constante (cerca de 2 mA) que
definir el nivel de voltaje, corno se indica en la figura 1.43b. Una indicacin de O L con
la conexin de la figura 1.43a, revelan un diodo abierto (defectuoso). Si la colocacin de
las puntas de prueba se invirtiera, resultara una indicacin de O L, debido a la esperada
equivalencia de circuito abierto para el diodo. Por lo tanto, en general, una indicacin de
O L en ambas direcciones es una indicacin de un diodo abierto odefectuoso.
1.13 Prueba dediodos 33
(O hrnimetro)
R relativa baja
Punta roja !Punta negra
(VQ) (CO M)
+ ., -
(a)
R relativa alta
Punta negra
(CO M)
Puntaroja
(VQl
+
(b)
Figura 1.44 Verificacin de un diodo
con el ohmmetro.
34
Figura 1.42 Multmetro digital
con capacidad para verificacin
de diodos. (Cortesa de
Computronics Technology, Inc.)
Punta rO ja!
(VQ)
Figura 1.43 Verificacin de un diodo en el
estado de polarizacin directa.
ID (mA )
2f----.
o 0.67 V
(a) (b)
Prueba de la resistencia (ohmmetro)
En la seccin 1.7 encontramos que la resistencia de polarizacin directa de un diodo
semiconductor es bastante baja en comparacin con el nivel de polarizacin inversa. Por
consiguiente, si medimos la resistencia de un diodo aplicando las conexiones indicadas
en la figura 1.44a, podemos esperar un nivel relativamente bajo. La indicacin resultante
en un ohmmetro ser una funcin de la corriente establecida a travs del diodo por la
batera interna (por lo general de 1.5 V) del circuito del multmetro. Cuanto ms alta sea
la corriente, tanto menor ser el nivel de la resistencia. Para la situacin de polarizacin
inversa, la lectura sera bastante alta, requirindose una mayor escala de resistencia en el
medidor, como se ilustra en la figura 1.44b. Una lectura alta de resistencia en ambas
direcciones indica, obviamente, una condicin abierta (de dispositivo defectuoso),
mientras que una lectura de muy baja resistencia en ambas direcciones probablemente
sealar un dispositivo en corto.
Trazador de curvas
El trazador de curvas de la figura 1.45 puede exhibir las caractersticas de un gran
nmero de dispositivos, incluyendo el diodo semiconductor. Mediante las conexiones
adecuadas del diodo al tablero de prueba en la parte central inferior de la unidad y
ajustando los controles, se puede obtener la pantalla simulada de la figura 1.46. O bserve
que la escala vertical es de 1mAldiv, resultando en los niveles indicados. Para la escala
I
I J
V
lO mA
9mA
8mA
7mA
6mA
SmA
4mA
3mA
2mA
ImA
Figura 1.45 Trazador de curvas.
(Cortesa de Tektronix, J nc.)
Vertical
por divisin
1
mA
Horizontal
por divisin
100
mV
po B m p or
divisin
Figura 1.46 Respuesta del traza-
dor de curvas al diodo de silicio.
O mA
O V O .IV O .2V O .3V O AV O .5V O .6V O .7V O .8V O .9V 1.0V '----'
horizontal laescala es de 100 mV/div, resultando en los niveles sealados de voltaje. Para
un nivel de 2mA como se defini para un MMD, el voltaje resultante estara alrededor de
625 mV =0.625 V. Aunque inicialmente el instrumento parece bastante complejo, el
manual de instrucciones y unos cuantos momentos de estudio mostrarn que pueden
obtenerse generalmente los resultados deseados sin excesiva cantidad de tiempo y
esfuerzo. Este mismo instrumento aparecer en ms de una ocasin en los captulos
subsiguientes amedida que investiguemos las caractersticas de diversos dispositivos.
1.14 DIODOS ZENER
V
z
La regin Zener de la figura 1.47 se trat con algn detalle en la seccin 1.6. Las
caractersticas descienden de manera casi vertical al potencial de polarizacin inversa
denominado V
z
. El hecho de que la curva decaiga tan bajo y lejos del eje horizontal en
lugar de hacerlo en direcin opuesta hacia la regin positiva de VD' revela que la
corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un diodo polarizado
directamente.
1.14 DiodosZener
Figura 1.47 Revisin de la regin
Zener.
o
35
+
(a) (b)
+
Figura 1.48Direccin de conduccin:
(a) diodo Zener; (b) diodo semiconductor.
(a)
Figura 1.49Circuito equivalente
Zener: (a) completo; (b) aproximado.
(b)
Esta regin de caractersticas nicas se emplea en el diseo de diodos Zener los
cuales se representan con el smbolo grfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto el
diodo semiconductor como el diodo Zener se presentan uno al lado del otro en la figura
1.48, para asegurar que la direccin de conduccin de cada uno se comprende con
claridad junto con la polaridad requerida del voltaje aplicado. Para el diodo
semi conductor, el estado "activo" o de "encendido" mantendr una corriente en la
direccin de la flecha del smbolo. Para el diodo Zener, la direccin de conduccin es
opuesta a la de la flecha en el smbolo, como se seal en la introduccin de esta seccin.
Ntese tambin que la polaridad de VD Y V
z
es la misma que se obtendra si cada uno
fuera un elemento resistivo.
La ubicacin de la regin Zener puede controlarse variando los niveles de dopado.
Un incremento en el dopado que produce un aumento en el nmero de impurezas
agregadas, disminuir el potencial Zener. Los diodos Zener se obtienen con potenciales
Zener de 1.8 a 200 V Y valores nominales de potencia de 1/4 a 50 W. Debido a su ms
alta temperatura y a su capacidad de corriente, suele preferirse el silicio en la fabricacin
de los diodos Zener.
El circuito equivalente completo del diodo Zener en la regin del mismo nombre
incluye una pequea resistencia dinmica y una batera de cd igual al potencial Zener,
como se ilustra en la figura 1.49. Sin embargo, en todas las aplicaciones que siguen
deberemos suponer, como una primera aproximacin, que los resistores externos tienen
una magnitud mucho mayor que la del resistor equivalente Zener y que el circuito
equivalente es simplemente el que se indica en la figura 1.49b.
En la figura 1.50 se presenta un dibujo ampliado de la regin Zener para permitir la
descripcin de los datos del fabricante del diodo Zener de la tabla 1.4 correspondientes al
diodo IN961, Fairchild, de 500-mW, 20%.
V
z
lz
r,mA=I~
I
k---------------< Izt =12.5 mA
............. rd =8.5 Q=ZZT
Figura 1.50Caractersticas del
diodo Zener bajo prueba
(Fairchild IN96 1).
1---------------i/ZM=32mA
TABLA 1.4 Caractersticas elctricas (temperatura ambiente de 25C, a menos que se seale locontrario)
Impedancia
Voltaje Corriente Impedancia en la rodilla Corriente Voltaje Corriente Coeficiente
Zener de dinmica Zener inversa de de reguLador de
nominal prueba mx., mxima mxima, prueba mxima, temperatura
Tipo V
z
Izr Zzra lzr ZZKaIZK
IRa V
R
V
R 1 2M
tpico,
J edec
(V) (mA) (n) (n) (mA) (JJA) (V)
(mA)
(%/ "C)
IN961 10
12.5 8.5
700 0.25 10 7.2 32 +0.072
El trmino "nominal" asociado con V
z
indica que se trata de un valor promedio
tpico. Puesto que ste es un diodo al 20%, es posible esperar que el potencial Zener vare
entre 10V 20% o de 8 a 12V en su gama de aplicacin. Se dispone tambin de diodos
al 10 y 5% con las mismas especificaciones. La corriente de prueba Izr es la corriente
definida por el nivel de 1/4 de potencia y Zzr es la impedancia dinmica para este nivel
de corriente. La mxima impedancia en la rodilla Zener se presenta en la corriente de
rodilla Zener I
zK
' La corriente de saturacin inversa se proporciona a un nivel de
potencial particular elZM es la corriente mxima para la unidad de 20%.
El coeficiente de temperatura refleja el cambio porcentual en Vz con la temperatura.
Se define mediante la ecuacin
T - .; 1V
z
x 100%
e- Vz{T
1
- To)
(1.12)
donde ; 1Vz es el cambio resultante en el potencial Zener debido a la variacin de
temperatura. Ntese en la figura 1.51a que el coeficiente de temperatura puede ser
positivo, negativo o incluso cero para diferentes niveles Zener. Un .valor positivo
reflejara un aumento en V
z
con un aumento en la temperatura, en tanto que un valor
negativo causara una disminucin con el aumento de temperatura. Los niveles de
24-V, 6.8-V y 3.6-V se refieren a los tres diodos Zener que tienen estos valores
nominales dentro de la misma familia de Zener, como el IN961. La curva correspon-
diente al Zener IN961 de 10-V estara naturalmente entre lascurvas de los dispositivos de
6.8 V Y 24-V. Regresando a la ecuacin (1.12), To es la temperatura a la cual se
proporciona Vz (normalmente la temperatura ambiente, 25C) y T] es el nuevo nive1. El
ejemplo 1.3demuestra el empleo de la ecuacin (1.12).
Coeficiente de temperatura
versus corriente Zener
.......
Iz - Corriente Zener - O lA
(a)
Impedancia dinmica
versus corriente Zener
2 ] i l
I 'i i
0.10.2 0.5 1 2
6.8
i
V'r-,
5 lO 20 50 100
Iz - Corriente Zener - mA
(b)
Figura 1.51Caractersticas elctricas de un diodo Zener Fairchild de
500-mW. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrument Corporation.)
Determine el voltaje nominal para un diodo Zener Fairchild IN961 de la tabla l.4, a una
temperatura ambiente de 100C.
Solucin:
De la ecuacin 1.12,
EJ EMPLO 1.3
1.14 Diodos Zener 37
Al sustituir por los valores de la tabla 1.4obtenemos
L\V =(0.072)(10 V) (1000C _ 250C)
z 100
=(0.0072)(75)
=0.54 V
y debido al coeficiente de temperatura positivo, el nuevo potencial Zener, definido
mediante V' z, es
V' z =V
z
+0.54 V
=10.54 V
La variacin de la impedancia dinmica (fundamentalmente, su resistencia en serie)
con la corriente, aparece en la figura 1.51b. Tambin en este caso, el Zener de 10-V
aparece entre los Zener de 6.8 V Y 24-V. Ntese que, cuanto ms intensa sea la corriente
(o cuanto ms elevado sea el aumento vertical al que nos encontremos en la figura 1.47),
menor ser el valor de la resistencia. O bsrvese tambin que, conforme descendemos por
abajo de la rodilla Zener de lacurva, la resistencia aumenta a niveles importantes.
La identificacin de terminales y el encapsulado de una diversidad de diodos Zener
se presenta en la figura 1.52. La figura 1.53 es una fotografa de varios dispositivos
Zener. Ntese que su apariencia es muy similar a la del diodo semiconductor. Algunas
reas de aplicacin correspondientes al diodo Zener se examinarn en el captulo 2.
Figura 1.52 Identificacin de termi-
nales y smbolos del diodo Zener.
Figura 1_53Diodos Zener.
(Cortesa de Siemans Corporation.)
1.15 DIODOS EMISORES DE LUZ (LED)
El incremento en el uso de las pantallas digitales en calculadoras, relojes y todas las
formas de instrumentacin, ha contribuido al vasto inters actual en las estructuras que
emiten luz cuando son adecuadamente polarizadas. Los dos tipos de uso comn en la
actualidad que realizan esta funcin, son el diodo emisor de luz (LED, por sus iniciales en
ingls) y la pantalla de cristal lquido (LCD). Debido a que el LED cae dentro de la .
familia de los dispositivos de unin p-n que aparecern en algunas de las redes de
circuitos de los prximos captulos, se introducir en este apartado. La pantalla de LCD
se describe en el captulo 20.
El diodo emisor de luz (LED) es, como su nombre lo indica, un diodo que producir
luz visible cuando se encuentre energizado. En cualquier unin p-n polarizada
directamente, dentro de la estructura y cerca principalmente de la unin, ocurre una
recombinacin de huecos y electrones. Esta recombinacin requiere que la energa que
posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas las uniones p-n de
semiconductor una parte de esta energa se convertir en calor y otro tanto en la forma de
fotones. En el silicio y el germanio, el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. En otros materiales, como el fosfuro arseniuro de galio (GaAsP)
o el fosfuro de galio (GaP), el nmero de fotones de la energa luminosa emitida es
suficiente para crear una fuente luminosa muy visible.
El proceso de produccin de luz aplicando una fuente de energa elctrica se
denomina electroluminiscencia.
Como se muestra en la figura 1.54, la superficie conductora conectada al material p
es mucho menor para permitir que sobresalga un nmero mximo de fotones de energa
luminosa. Ntese en la figura que la recombinacin de los portadores inyectados debidos
a la unin polarizada directamente. da como resultado la emisin de luz en el sitio de la
recombinacin. Desde luego, es posible que haya algo de absorcin de los paquetes de
energa fotnica en la propia estructura, pero un porcentaje bastante elevado es capaz de
abandonarla, como se muestra en la figura.
Luz visible
emitida
+
r-ff
o
~
~
(-)
ID
VD
(b)
0-----1.---0
(+)0------411
Contacto /
metlico
Contacto
metlico
(a)
El aspecto y las caractersticas de una lmpara subminiatura de estado slido y alta
eficiencia fabricada por Hewlett-Packard se presenta en la figura 1.55. Ntese que la
mxima corriente directa es de 20 mA con 10 mA como nivel tpico de operacin, como
seindica en la ltima columna, designada Condiciones de prueba. El nivel de VD bajo las
condiciones de polarizacin directa se lista como V
F
y se extiende desde 2.2 hasta 3 V.
En otras palabras, uno puede esperar una corriente tpica de operacin de alrededor de
10mA a2.5 V para una buena emisin de luz.
Dos cantidades an no definidas aparecen bajo el encabezado caractersticas
elctrico/pticas a T
A
=25C. Estas son la intensidad luminosa axial (Iv) y la eficiencia
luminosa (Tlv). La intensidad luminosa se mide en candelas. Una candela emite un flujo
luminoso de 4 1tlumens y establece una iluminacin de 1pie-candela sobre un rea de
l-pie? a l pie desde la fuente luminosa. Aun cuando esta descripcin puede no
proporcionar una comprensin clara de la candela como una unidad de medida, su nivel
puede ciertamente compararse entre dispositivos similares. Por definicin, el trmino
eficiencia es una medida de lacapacidad de un dispositivo para producir un efecto deseado.
Para el LED esto corresponde a la proporcin del nmero de lumens generado por watt
aplicado de energa elctrica. La eficiencia relativa se define mediante la intensidad
luminosa por unidad de corriente, como se muestra en la figura 1.55g. La intensidad
relativa de cada color contra longitud de onda aparece en lafigura 1.55d.
Como el LED es un dispositivo de unin p-n, tendr una caracterstica de polarizacin
directa (figura 1.55e) similar a las curvas de respuesta del diodo. Ntese el aumento casi
lineal en la intensidad luminosa relativa con la corriente en sentido directo (figura 1.55f).
1.15 Diodosemisores deluz (LED)
Figura 1.54 (a) Proceso de
electroluminiscencia en el LED;
(b) smbolo grfico.
39
La figura 1.55h revela que, cuanto mayor sea la duracin del pulso a una frecuencia
particular, tanto menor ser la corriente pico permitida (despus de que se pasa el valor de
corte de t
p
)' La figura 1.55i revela simplemente que laintensidad es mayor a0 (odefrente)
y que el valor ms bajo ocurre a90 (cuando seobserva el dispositivo desde un lado).
mA
mA
(al
Parmetro
Rojo
de alta
eficiencia
41 60
Unidades
Valores nominales mximos absolutos a T
A
=25C
Disipacin de potencia
Corriente en sentido directo
promedio
Corriente mxima en sentido directo
Rango de temperatura de
operacin y almacenamiento
Temperatura para el soldado de
las terminales
[ 1.6. mm (0.063 in.) desde el cuerpo)
120
20[ 1)
60
- 55"C a lO O 'C
mW
230'C durante 3segundos
[ 1) Degradacin apartir de 50'C a0.2 mA/'C
(b)
Caractersticas elctrico/pticas a T
A
=25C
Rojo de alta eficiencia
41 60
Unida- Condiciones
Smbolo Descripcin Mn. Tipo
Mx.
des de prueba
1
F
=IO mA
t, Intensidad luminosa
1.0
3.0 mcd
aldal
29
1
/2 Angulo incluido entre 80 grados Nota l
puntos medios de
intensidad luminosa
~ico Longitud de onda 635 nm Medicin
mxima en el pico
A.
d Longitud de onda dominante 628 nm Nota 2
"s
Velocidad de respuesta 90 ns
C Capacitancia 11 pF V
F
= O; f= l Mhz
eje Resistencia trmica 120 ' CfW Dela unin ala
terminal del ctodo
a0.79 mm (.031 in.)
desde el cuerpo
V
F
Voltaje en sentido 2.2 3.0 V I
F
= lO mA,
directo
B V
R
Voltaje de ruptura 5.0 V IR=IOO~
inverso
11v Eficiencia luminosa 147 ImfW Nota 3
NO TAS:
lo
9
112
enel ngulofueradel ejeal cual laintensidadluminosaeslamitaddelaintensidadluminosaaxia!.
2. LalongituddeondadominanteJ...d' seobtienedel diagramadecromaticidadCTf. y representalanicalongituddeonda
quedefineel color del positivo.
3. Laintensidadradiantele' enwatts/esterradianes, puedeencontrarseapartir delaecuacinle= Iv l11v' dondeIv esla
intensidadluminosaencandelasy 11veslaeficiencialuminosaenlumens/watt.
(c)
Figura 1.55 Lmpara roja subminiatura de estado slido de alta eficiencia de Hewlett-Packard:
(a) aspecto; (b) valores nominales mximos absolutos; (e) caractersticas elctri-
co-pticas; (d) intensidad relativa versus longitud de onda; (e) corriente en sentido directo
versus voltaj.e en sentido directo; (f) intensidad luminosa relativa versus corriente en sentido
directo; (g) eficiencia relativa versus corriente pico; (h) corriente pico mxima versus duracin
del pulso; (i) intensidad luminosa relativa versus desplazamiento angular. (Cortesa de
Hewlett-Packard Corporation.)
1.0
Verde
'"
>
.",
'"
'E
0.5
"
-
"
"
. ;;
e
~
.E
O
500 550 600
Longitud de onda - nro
Figura 1.55 (d)
650
3.0 T
A
=2Y C-i--+---I
2.0J ---+--t---h I "'----I
1.0I---+-~.r_--+---I
10J ---+-+--+-4,~---~
1 / I
5I--t----t--I--I}I- --+---l
O~ ~ - ~ ~ ~ ~ ~ ' - - - ~
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
5 10
1F - Corriente en sentido directo - rnA/
15
VF - Corriente en sentido directo - V
Figura 1.55 (e) Figura 1.55 (f)
6
.s >.
5 ..!l E
'e :e .~
o.~ ~
4
o E"
~K "81
: E ~
3
~'; 'El 8-
~E8
1: o co
~'a-
2
,~ ,~
E E
.. J ~
lp . Duracin del pulso lis
Figura 1.55 (h)
/ GaAsProjo
Rojo de alta
eficiencia
700 750
1.6
1.5
1 .4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0
60
._----
- -
-
....
"
/
v
I
--
I
10 20 30 40 50 20
1mb. - Corriente mxima - mA
Figura 1.55 (g)
80"
90"f--+--+-~+--'l~
t 20" 4{)" 60" 80" 100
Figura 1.sS (i)
1.15 Diodos emisores de luz (LED) 41
Actualmente hay pantallas LED de muchos tamaos y formas. Se puede conseguir
la regin emisora de luz en longitudes de 0.1 a 1 pulg. Se pueden crear nmeros
mediante segmentos como el que se muestra en la figura 1.56. Aplicando polarizacin
directa al segmento dematerial tipop adecuado, sepuede formar cualquier nmero deO a9.
T
0.600"
~
-r-
0.335"
-L
Figura 1.56Pantalla de segmento de Litronix.
La pantalla de la figura 1.57 se usa en calculadoras y proporciona ocho
dgitos.Tambin hay lmparas LED de dos guas que contienen dos LED, de modo que
una inversin en polarizacin cambiar el color de verde a rojo, o a la inversa. Ahora hay
incluso LED en rojo, verde, amarillo, anaranjado y blanco. A lo que parece, hay la
posibilidad, en futuro bastante prximo, de que se introduzca el color azul. En general,
los LED operan a niveles de voltaje de 1.7 a 3.3 V, 10cual los hace enteramente
compatibles con los circuitos de estado slido. Son de rpida respuesta (nanosegundos) y
ofrecen buenas proporciones de contraste para visibilidad. El requisito de potencia suele
ser de 10 a 150 mW con vida de ms de 100, 000 horas. Su construccin de
semiconductor les brinda adems un considerable factor de robustez.
Figura 1.57Pantalla de calculadora de ocho dgitos con seal.
(Cortesa de Hewlett-Packard Corporation).
..
1.16 ARREGLOS DE DIODOS: CIRCUITOS INTEGRADOS
Las caractersticas particulares de los circuitos integrados se presentarn en el captulo
12. Sin embargo, hemos alcanzado un nivel en nuestra introduccin a los circuitos
electrnicos que permiten al menos un examen superficial de los arreglos de diodos en
los encapsulados de circuitos integrados. El lector descubrir que el circuito integrado no
es un dispositivo nico con caractersticas del todo diferentes a las que se examinarn en
estos captulos introductorios. Consiste simplemente en una tcnica de encapsulado que
permite una reduccin significativa del tamao de los sistemas electrnicos. En otras
palabras, en el interior del circuito integrado se encuentran sistemas y dispositivos
discretos que estuvieron disponibles mucho antes de que el circuito integrado, como lo
conocemos ahora, se convirtiera en una realidad.
--rn--
En la figura 1.58 se presenta un posible arreglo. Ntese que ocho diodos se
encuentran en el interior del arreglo de diodos Fairchild FSA 1410M. Esto es, en el
encapsulado quesemuestra en lafigura 1.59hay un grupodediodosenuna solaoblea
desilicioque tienen todos los nodos conectados alaterminal 1y losctodosdecada
unoalasterminalesdela2ala9. Advirtaseenlamismafiguraquelaterminal 1puede
determinarse como si estuviera a la izquierda de la pequea proyeccin en el
encapsulado,.si observamos delaparteinferior hacialacpsula. Los'otrosnmeros, por
tanto, siguen en secuencia. Si slo se usara un diodo, slo las terminales 1y 2 (o
cualquier nmerodel 3al 9) seusaran.
FSA 1410M
ARREGLO MO NO LITICO DE DIO DO TECNO LO GIA PLANAR
AISLADO PO R AIRE
C..5.0pF (MAX)
LlVF... 15mv (MAX) @10mA
VALO RES NO MINALES MAX1MO S ABSO LUTO S (Nota 1)
DIAGRAMADECO NEXIO NES
Temperaturas
FSA1410M
Intervalodetemperatura dealmacenamiento -55'C a+200'C
Temperatura mximadeoperacindelaunin +150'C
Temperatura delasterminalesdeconexin +260'C
~~ ~~ ~
~ ~~ ~t~
~ ~~ ~
~
Disipacin depotencia (Nota 2)
Disipacin mximapor uninatemperatura ambiente(25'C) 400mW
3 4 5 6 7 8 9
por encapsuladoatemperaturaambiente(25'C) 600mW
I 2
Factor lineal dedegradacin deunin(apartir de25'C) 3.2mWrC
deencapsulado 4.8mWI'C
Vaseladescripcindelencapsulado
1'0-96
Voltaje y corrientes mximos
VIT Voltajeinversodetrabajo 55V
I
F
Corriente directacontinua 350mA
if(sobrecorrienle)
Picodesobrecorriente ensentidodirecto
Anchodepulso=1.0s
1.0A
Anchodepulso=1.0us 2.0A
CARACTERISTICAS ELECfRICAS (Temperatura ambiente de2S'C amenos que seseale locontrario)
SIMBO LO CARACTERlSTICAS MIN. MAX. UNIDADES CO NDICIO NES DE PRUEBA
Bv
Voltaje de ruptura 60 V l. = 10 !lA
Vp Voltaje en sentido directo (Nota 3)
1.5
V Ip= SO O mA
1.1
V Ip=200mA
1.0
V Ip= lO O mA
l.
Corriente en sentido inverso 100 nA V. =4O V
Corriente en sentido inverso (T
A
= lSO 'C) 100 !lA V.=4O V
C Capacitancia 5.0 pF V. =0. f= 1MHz
V
Voltaje pico en sentido directo 4.0 V Ir=SO O mA. t,,< 10 ns
trr Tiempo de recuperacin directo 40 ns Ir=SO O mA.t,,<IO ns
t". Tiempo de recuperacin inverso 10 ns Ir =Ir = 10-200 mA
~= 100 a.Ree .0.1 1"
SO ns Ir= SO O mA, 1,,=SO mA
R
L
= 100Cl, Rec. a 5 mA
C.V
F
Acoplamiento de voltaje en sentido directo 15 mV lp= lO mA
NO TAS:
1.
Estos valores nominales corresponden a valores lmite por encima de los cuales la vida de servicio o rendimiento puede deteriorarse.
. 2. Estos son lmites en estado estable. Debe consultarse a la fbrica para aplicaciones Que impliquen pulsos u operaciones <ir:haio ciclo til.
3. V Fse mide usando un pulso de 8 ms.
Figura 1.58Arreglomonolticodediodos. (CortesadeFairchildCameraand
lnstrument Corporation.)
1.16 Arreglos de diodos: circuitos integrados 43
~mmff
Veseel esquemadel encapsuladoTO - 116- 2 -
Plan::e mr . .
Figura 1.59 Descripcin del
encapsulado TO -96 correspondiente al
arreglo de diodo FSA 141O M. Todas las
dimensiones son en pulgadas. (Cortesa
de Fairchild Camera and Instrument
Corporation.)
Diagramadeconexin
FSA2500M
44
F
O .370"=1.-
~
oo.~2'60"
~ Planodebase
0.500"
~~mm-=r'
7 Notas:
Terminales de Kovar,
Vidrio recubrimiento de oro
Encapsulado hermticamente
sellado
Peso de la cpsula: 1.32g
Laformadel aislamiento
deseparacin puede
6 variar
:-ff-H (.,f-H -'l '-tI -
9
Los diodos restantes se dejaran sin conectar y no afectaran la red a la que las
terminales 1y 2estn conectadas.
O tros arreglo de diodos aparece en la figura 1.60. En este caso el encapsulado es
diferente, pero la secuencia numrica aparece en el diagrama. La terminal 1es la que se
encuentra directamente arriba de la pequea muesca cuando se mira hacia abajo sobre el
dispositivo.
Esquemadel TO - 116- 2
~0.310"i
r.
Notas:
42 terminales de aleacin.
recubrimiento de plata.
Se dispone de terminales con
recubrimiento de oro.
Empaque cermico sellado
hermticamente.
Figura 1.60 Arreglo monoltico de diodos. Todas las dimensiones son en
pulgadas. (Cortesa de Fairchild Camera and Instrurnent Corporation.)
1.17 ANALISIS POR COMPUTADORA
La computadora ha llegado a ser de tal modo parte integral de la industria electrnica,
que las capacidades de esta "herramienta" de trabajo deben introducirse lo ms
tempranamente posible. En aquellos estudiantes sin ninguna experiencia previa en
computacin existe un temor inicial comn hacia este poderoso sistema aparentemente
complicado. Tomando esto en cuenta, se dise el anlisis por computadora de este texto
para hacer ms "amigable" el sistema computacional, mostrando la relativa facilidad con
la que se puede aplicar para realizar algunas tareas especiales y de mucha utilidad en un
mnimo de tiempo con un alto grado de precisin. El texto de este libro se escribi con la
suposicin de que el lector no tiene experiencia previa en computacin oconocimiento de
la terminologa utilizada. Sin embargo, no se considera que el contenido sea suficiente
para permitir un completo entendimiento de los "cmos" y "porqus" que se estudiarn.
El propsito aqu es slo introducir algo de la terminologa, discutir algunas de sus
capacidades, mostrar las posibilidades disponibles, sealar algunas de sus limitaciones y
demostrar su versatilidad con un nmero de ejemplos cuidadosamente escogidos.
En general, el anlisis por computadora de sistemas electrnicos puede efectuarse por
uno de dos enfoques: el empleo de un lenguaje, como BASIC, Fortran, Pascal oC, obien
mediante el uso de un paquete de programacin (software), tal como PSpice, MicroCap
II, Breadboard oCircuit Master, para nombrar unos cuantos. Un lenguaje, a travs de su
notacin simblica, crea un puente entre el usuario y la computadora que permite un
dilogo entre los dos para establecer la operaciones por realizarse.
El lenguaje empleado en este libro es BASIC, escogido debido a que utiliza un
nmero de palabras y frases familiares del idioma ingls que revelan por s mismas la
operacin que va a efectuarse. Cuando se emplea un lenguaje para analizar un sistema, se
desarrolla un programa que define en forma secuencial las operaciones por realizar, con
mucho el mismo orden en que efectuamos el mismo anlisis hecho a mano. Como con el
enfoque manual, por un paso equivocado el resultado obtenido puede carecer completa-
mente de significado. Por lo comn, los programas se desarrollan con tiempo y dedica-
cin conforme ms eficientes trayectorias hacia una solucin llegan a ser obvias. Una vez
establecido en su "mejor" forma, se puede catalogar para un uso futuro. La ventaja
importante del enfoque del lenguaje es que un programa puede sofisticarse para
adecuarse a todas las necesidades especficas del usuario. Esto permite "movimientos"
innovadores por parte del usuario que pueden resultar en impresiones de datos de manera
informativa e interesante.
El otro enfoque aludido anteriormente utiliza un paquete de programacin (software)
para realizar la investigacin deseada. Un paquete de programacin (software) es un
programa escrito y probado a lo largo de un periodo, diseado para efectuar un tipo
particular de anlisis o sntesis, de una manera eficiente con un alto nivel de precisin.
El paquete en s mismo no puede alterarse por el usuario y su aplicacin se limita a
las operaciones instrumentadas dentro del sistema. Un usuario debe adecuar su salida de
informacin deseada al conjunto de posibilidades ofrecidas por el paquete. Adems el
usuario debe introducir la informacin exactamente como le sea solicitada por el paquete,
pues de lo contrario los datos pueden ser malinterpretados. El paquete de programacin
seleccionado para este libro es PSpice, * debido a su creciente popularidad en la comu-
nidad estudiantial. Una fotografa de los discos y del material de apoyo disponibles para
el paquete PSpice se ilustran en la figura 1.61. Una versin ms avanzada, conocida
simplemente como SPICE, goza de extensa aplicacin en la industria.
Por consiguiente, en sntesis, un paquete de programacin (software) se "empaca"
para realizar una serie especfica de clculos y operaciones y para proporcionar los
resultados en un formato definido. Un lenguaje permite un nivel extendido de
flexibilidad, pero tambin carece de los beneficios de las pruebas e investigaciones
exhaustivas dedicadas normalmente al desarrollo de un paquete "confiable". El usuario
debe definir qu enfoque se ajusta mejor a las necesidades del momento. O bviamente, si
existe un paquete para el anlisis o sntesis deseados, debera considerrsele antes de
consumir las muchas horas requeridas para desarrollar un programa eficiente y confiable.
Adems, uno puede adquirir los datosnecesrios para el anlisis particular de un paquete
de programacin y luego retornar al uso de un lenguaje para definir el formato de la
salida. De muchas maneras, los dos enfoques van mano con mano. Si uno depende del
anlisis computacional sobre una base continua, el conocimiento del uso y limitaciones
Figura 1.61 Paquete de programacin
(software) PSpice. (Copyright 1990
MicroSim Corporation.)
* PSpice es una marca registrada de MicroSim Corporation.
1.17 Anlisis por computadora 45
2 DI 3
(~-)-~---(~)
Figura 1.62Etiquetas de PSpice
para la entrada de un diodo en una
descripcin de red.
46
de ambas cosas, lenguajes y paquetes, es una necesidad. La eleccin de con cul lenguaje
o paquete debe uno familiarizarse es principalmente funcin del rea. de investigacin.
Sin embargo, afortunadamente, un conocimiento fluido de un lenguaje o un paquete
particular ayudar frecuentemente al usuario a familiarizarse con otros lenguajes y
paquetes. Existe una semajanza en propsitos y procedimientos que facilitan la transicin
entre uno y otro enfoques.
Se harn en cada captulo algunos comentarios referentes al anlisis computacional.
En algunos casos se presentarn un programa en BASIC y una aplicacin en PSpice,
mientras que en otras situaciones se aplicar slo una de las dos. A medida que surja la
necesidad de aclarar detalles se proporcionar suficiente respaldo para permitir, al menos,
una comprensin superficial del anlisis.
Este captulo trata especficamente de las caractersticas del diodo semi conductor. En
el captulo 2, el diodo se investiga utilizando el paquete de programacin PSpice. Como
un primer paso hacia ese anlisis, el "modelo" del diodo semiconductor se presentar
ahora. La descripcin en el manual de PSpice comprende un total de 14 parmetros para
definir sus caractersticas terminales. Estas incluyen la corriente de saturacin, la
resistencia serie, la capacitancia terminal, el voltaje de rompimiento inverso, la corriente
de rompimiento inverso y un sinnmero de otros factores que pueden especificarse si es
necesario para el diseo oanlisis por realizar.
La especificacin de un diodo en una red tiene dos componentes. La primera
especifica la ubicacin y nombre del modelo y la otra incluye los parmetros
mencionados anteriormente. El formato para definir la ubicacin y el nombre del modelo
del diodo es el siguiente para el diodo de la figura 1.62:
DI 2 3 DI
nombre
+
nodo nombre
del modelo
nodo
Ntese que un diodo se especifica por la letra mayscula D al principio de la lnea,
seguida por la etiqueta aplicada al diodo en el diagrama o esquema. La secuencia de los
nodos (puntos de conexin para el diodo) define el potencial en cada nodo y la direccin
de conduccin para el diodo de la figura 1.62. En otras palabras, la conduccin se
especifica en direccin del nodo positivo al negativo. El nombre del modelo es el
asignado a la descripcin del parmetro a seguir. El mismo nombre del modelo puede
aplicarse acualquier nmero de otros diodos en lared, tales como D2, D3, etctera.
Los parmetros se especifican por medio de la instruccin MODEL que tiene el
siguiente formato para un diodo:
-MO DEL DI
'--'
~(IS =2E - 15?J
. .
especificaciones
del parmetro
nombre
del modelo
La especificacin comienza con la entrada .MO DEL seguida por el nombre del
modelo como se especific en la descripcin de la ubicacin, y la letra mayscula Dpara
especificar un diodo. Las especificaciones del parmetro aparecen entre parntesis y debe
usarse la notacin especificada en el manual de PSpice. La corriente de saturacin inversa
se inscribe como IS y se le asigna el valor de 2x 10-
15
A. Este valor se escogi porque
resulta tpicamente en un voltaje de diodo de alrededor de 0.7 V, para niveles de corriente
de diodo encontrados frecuentemente en las aplicaciones discutidas en el captulo 2. De
este modo, la computadora y el anlisis manual tendrn resultados que sern relativa-
mente cercanos en magnitud. Aunque slo se especific un parmetro en el listado
mencionado con anterioridad, la lista puede incluir todos los que aparecen en el manual.
Para ambas proposiciones presentadas anteriormente, es de particular importancia seguir
el formato tal y como est definido. La ausencia de un punto antes de MO DEL o la
omisin de la letra D en lamisma lnea invalidaran la entrada por completo.
La descripcin anterior simplemente introduce el formato para la entrada de un
diodo en una descripcin de red. En el captulo 2 usaremos el material anterior para
analizar una red de diodos empleando PSpice. El papel de las proposiciones precedentes
y cmo se ajustan al anlisis de PSpice ser mucho ms obvio.
PROBLEMAS
1.2 Diodoideal
1. Describa, en sus propias palabras, el significado del trmino ideal, aplicado a un dispositivo o
sistema.
2. Describa, con sus propias palabras, las caractersticas del diodo ideal y cmo las mismas
determinan el estado de conduccin y estado de corte del dispositivo. Sobre esto, describa por qu
son apropiados los equivalentes de corto circuito y circuito abierto.
3. Cul es una diferencia importante entre las caractersticas de un interruptor sencillo y las de un
diodo ideal?
1.3 Materiales semiconductores
4. Con sus propias palabras, defina el semiconductor, la resistividad, la resistencia volumtrica y la
resistencia de contacto hmico.
5. (a) Empleando la tabla 1.1, determine la resistencia de una muestra de silicio que tiene un rea de
I cm' y una longitud de 3cm.
(b) Repitael inciso(a) enel casodequelalongitudseade l cmyel reade4cm'.
(c) Repita el inciso (a) si lalongitud esde 8cmy el reade0.5 cm'.
(d) Repita el inciso (a) para el cobre y compare los resultados.
6. Dibuje la estructura tomica del cobre y analice por qu es un buen conductor y de qu manera
difiere su estructura del germanio y del silicio.
7. Defina, con sus propias palabras, un material intrnseco, un coeficiente de temperatura negativo y
unenlace covalente.
8. Consulte su bibliografa y liste tres materiales que tengan un coeficiente de temperatura negativo y
tresque tengan un coeficiente de temperatura positivo.
1.4 Nivelesdeenerga
9. Cunta energa en joules se requiere para mover una carga de 6 C a travs de una diferencia de
potencial de 3V?
10. Si se necesitan 48 eV para mover una carga a travs de una diferencia de potencial de 12 V,
determine lacarga correspondiente.
11. Consulte su bibliografa y determine el nivel de Eg para el GaP y ZnS, dos materiales
semiconductores de valor prctico. Adems, determine el nombre decada material.
1.5 Materiales extrnsecos: tipos n yp
12. Describa ladiferencia entre losmateriales semiconductores tipon y tipop.
13. Describa ladiferencia entre impurezas aceptoras y donadoras.
14. Describa ladiferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.
15. Dibuje la esctructura atmica del silicio"e inserte una impureza de arsnico como semostr para el
silicio en lafigura 1.9.
16. Repita el problema 15, pero inserte una impureza deindio.
17. Consulte su bibliografa y encuentre otra explicacin de flujo de huecos en comparacin con el de
electrones. Usando ambas descripciones, explique con sus propias palabras el proceso de la
conduccin dehuecos.
1.6 Diodosemiconductor
18. Describa con sus propias palabras las condiciones que establecen lapolarizacin directa y lainversa
sobre undiodo de unin p-n y laforma enque afecta alacorriente resultante.
Problemas
47
19. Describa de qu forma podra recordar los estados de polarizacin inversa y directa del diodo de
unin p-n. Esto es, cmo recordara qu tipo de potencial (positivo o negativo) se aplica y acul
terminal?
20. Empleando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para el diodo de silicio con
Is =50 nA y una polarizacin directa aplicada de 0.6 V.
21. Repita el problema 20para T= 100C (punto deebullicin del agua). Suponga que Is haaumentado
a5.0 1lA.
22. (a) Utilizando la ecuacin (l.4), determine la corriente de diodo a 20C para un diodo de silicio
con Is = O .IIlA aunpotencial depolarizacin inverso de-10 V.
(b) Se esperaba este resultado? Por qu?
23. (a) Grafique lafuncin y =eX para unintervalo dex odeO a5.
(b) Cul esel valor de y =eX enx =O ?
(e) Basndose en los resultados del inciso (b), por qu es importante el factor -1 en la ecuacin
(l.4)?
24. En la regin de polarizacin inversa la corriente de saturacin de un diodo de silicio es de
aproximadamente 0.1 IlA (T =20C). Determine su valor aproximado si la temperatura se
incrementa 40C.
25. Compare lascaractersticas deun diodo de silicio y uno de germanio y seale cul preferira utilizar
en la mayor parte de las aplicaciones prcticas. Proporcio-ne algunos detalles en torno a su
respuesta. Refirase aun listado defabricantes y compare la caracterstica de un diodo degermanio
y de unode silicio devalores nominales mximos similares.
. 26. Determine la cada de voltaje en sentido directo atravs del diodo cuyas caractersticas aparecen en
la figura 1.24 a temperaturas de-75C, 25C, lO 00Cy 200C Y una corriente de 10mA. Para cada
temperatura, determine el nivel de la corriente de saturacin. Compare los extremos de cada uno y
opine acerca delarelacin delos dos.
1.7 Niveles de resistencia
27. Determine la resistencia esttica o de cd del diodo de la figura 1.19 a una corriente en sentido
directo a2mA.
28. Repita el problema 27 auna corriente en sentido directo de 15mA Ycompare losresultados.
29. Determine la resistencia esttica ode cddel diodo de la figura 1.19 a un voltaje inverso de-10 V.
Cmo secompara sta con el valor determinado aun voltaje inverso de-30 V?
30. (a) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido
directo de lO mA utilizando laecuacin 1.6.
(b) Determine la resistencia dinmica (ea) del diodo de la figura 1.29 a una corriente en sentido
directo de 10mA empleando laecuacin (1.7).
(c) Compare las soluciones delaspartes (a) y (b).
31. Calcule laresistencia decdy deeapara el diodo de lafigura 1.29 auna corriente en sentido directo
de 10mA Ycompare susmagnitudes.
32. Utilizando la ecuacin 1.6, determine la resistencia de ea de l mA y 15 mA para el diodo de la
figura 1.29. Compare las soluciones y d una conclusin general sobre la resistencia de ea y los
niveles crecientes decorriente del diodo.
33. Sobre labase de laecuacin 1.7, determine la resistencia de ea auna corriente de 1mA y de 15mA
para el diodo de la figura 1.19. Modifique la ecuacin segn sea necesario para los niveles bajos de
corriente del diodo. Compare estos datoscon lassoluciones obtenidas enel problema 32.
34. Determine laresistencia deeapromedio parael diododelafigura 1.19paralaregin entre 0.6y0.9V.
35. Determine la resistencia de ea para el diodo de la figura 1.19 a0.75 V Y compare con la resistencia
deeapromedio obtenida en el problema 34.
1.8 Circuitos equivalentes del diodo
36. Encuentre el circuito equivalente lineal por segmentos para el diodo de la figura 1.19. Utilice el
segmento recto que intersecta el eje horizontal en 0.7 V Y que ms se aproxima a la curva para la
regin mayor de0.7 V.
37. Repita el problema 36para el diodo delafigura 1.29.
1.9 Hojas de especificacin del diodo
* 38. Grafique I F contra VF utilizando escalas lineales para el diodo Fairchild de lafigura 1.36. Advierta
que la grfica proporcionada emplea una escala logartmica para el eje vertical (las escalas
logartrnicas severn en las secciones 11.2y 11.3).
39. Haga un comentario sobre el cambio en el nivel de capacitancia con el aumento en el potencial de
polarizacin inversa para el diodo BAY73.
40. Cambia en forma significativa la magnitud de lacorriente de saturacin inversa del diodo BAY73
para los potenciales depolarizacin inversa en el intervalo de-25 V a-100 V?
* 41. Determine, para el diodo de lafigura 1.36, el nivel deIR atemperatura ambiente (25C) y al punto
de ebullicin del agua (lO O C). Es significativo el cambio? Se incrementa el nivel casi cerca del
doble por cada lO oCde incremento en latemperatura?
42. Para el diodo de la figura 1.36, determine la mxima resistencia de ca (dinmica) para una
corriente en sentido directo de 0.1 mA, 1.5 mA y 20 mA. Compare sus niveles y haga un
comentario sobre si los resultados mantienen las conclusiones obtenidas en las secciones iniciales
deeste captulo.
43. Utilizando las caractersticas de la figura 1.36, determine les niveles de mxima disipacin de
energa para el diodo atemperatura ambiente (25C) y a lO C.Suponiendo que V
F
permanece fijo
a0.7 V, cmo cambia el nivel mximo deI
F
entre estos dos niveles detemperatura?
44. Empleando las caractersticas de la figura 1.36, determine la temperatura a la que la corriente de
diodo estar al 50% de su valor alatemperatura ambiente (25C).
1.10 Capacitancia de transicin y de difusin
* 45. (a) Considerando la figura 1.37, determine la capacitancia de transicin al potencial de
polarizacin inversa de -25 V Y de -10 V. Cul es la proporcin del cambio en la
capacitancia con respecto al cambio en el voltaje?
(b) Repita el inciso (a) para los potenciales de polarizacin inversa de -10 V Y
- 1 V. Determine la proporcin al cambio de la capacitancia con relacin al cambio en el
voltaje.
(c) En qu forma secomparan las proporciones determinadas en los incisos (a) y (b)? Qu es lo
que seala el intervalo que puede tener ms reas deaplicacin prctica?
46. Con referencia alafigura 1.37, determine lacapacitancia dedifusin aO V Y 0.25 Y.
47. Describa con sus propias palabras cmo difieren las capacitancias detransicin y dedifusin.
48. Determine la reactancia que ofrece un diodo descrito por las caractersticas de la figura 1.37 a un
potencial en sentido directo de 0.2 V Y aun potencial inverso de-20 Y si lafrecuencia aplicada es
de6 MHz.
1.11 Tiempo de recuperacin inversa
49. Dibuje la forma de onda correspondiente a i de la red en la figura 1.63si tt =2 t
s
y el tiempo total
derecuperacin esde9 ns.
Vi
10
=ni
+
Vi 10kQ
O
5
Figura 1.63enproblema 49.
1.14 Diodos Zener
50. Se especifican las siguientes caractersticas para un diodo Zener particular: V
z
=29 Y, V
R
=
16.8 Y, Izr = 10 mA, IR =20 .LA,e 12 M =40 mA. Dibuje la curva caracterstica de la manera
indicada en la figura 1.50.
* 51. A qu temperatura tendr el diodo Zener Fairchild lN961 de 10-Y un voltaje nominal de
10.75 Y? (Sugerencia: considere los datos de la tabla 1.4).
Problemas
49
52 Determine el coeficiente detemperatura de un diodo Zener de5-V (valor especificado a25C) si el
voltaje nominal desciende a4.8 Va unatemperatura de 100e.
53. Empleando las curvas de la figura 1.51a, qu nivel del coeficiente de temperatura esperara el
lector para un diodo de 20-V? Repita el problema para un diodo de 5-V. Suponga una escala lineal
entre los niveles devoltaje nominal y unnivel decorriente de0.1 mA.
54. Determine la impedancia dinmica para el diodo de 24-V aIz =10mA de la figura 1.51b. Ntese
que setrata de una escala logartrnica.
* 55. Compare los niveles de la impedancia dinmica para el diodo de 24- V de lafigura 1.51b aniveles
de corriente de0.2 mA, 1mA y 10mA. De qu manera se relacionan los resultados con laforma
delacaracterstica enesta regin?
1.15 Diodos emisores de luz
56. Considerando la figura 1.55e, cul podra ser un valor apropiado de V
r
para este dispositivo?
Cmo secompara con el valor de V
r
para el silicio y el germanio?
57. Utilizando la informacin que se proporciona en la figura 1.55, determine el voltaje en sentido
directo en el diodo si laintensidad luminosa relativa esde 1.5.
* 58. (a) Cul es el incremento porcentual en la eficiencia relativa del dispositivo de la figura 1.55, si
lacorriente mxima aumenta de5 a lO mA?
(b) Repita el inciso (a) considerando un cambio de 30 a 35 mA (el mismo incremento en la
corriente).
(e) Compare el incremento porcentual de los incisos (a) y (b). En qu punto de lacurva sepodr
afirmar que hay unpoco deganancia por unincremento adicional de lacorriente mxima?
* 59. (a) Con respecto a la figura 1.55h, determine la corriente pico mxima permisible si el periodo de
duracin del pulso esde 1ms, lafrecuencia de 300 Hz y la corriente mxima tolerable cdesde
20mA.
(b) Repita el inciso (a) para unafrecuencia de 100Hz.
60. (a) Si la intensidad luminosa aun desplazamiento angular de 0 es de 3.0 mcd para el dispositivo
delafigura 1.55, aqu ngulo serde0.75 mcd?
(b) A qu ngulo laprdida de intensidad luminosa desciende por debajo del 50% desu nivel?
* 61. Dibuje la curva de degradacin de corriente para lacorriente en sentido directo promedio del LED
rojo de alta eficiencia de la figura 1.55 de acuerdo con la temperatura. (Considere los valores
nominales mximos absolutos.)
* Nota: losasteriscosindicanproblemasconmayor dificultad.

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