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Teoria Bandas
Teoria Bandas
Ep (x) =
Z|e|2
4 0 |x|
(1)
donde x representa la posicin sobre un eje que pase por el ncleo y cuyo origen est en el
ncleo (ver gura 1).
E(x)
E p ( x)
Ze 2
4
3s
2p
2s
1s
n
l
ml
ms
=
=
=
=
1, 2, 3, . . .
0, 1, . . . , n 1 = s, p, d, f, . . .
l, l + 1, . . . , l 1, l
1/2, 1/2
1
Los nmeros cunticos denen un estado cuntico. Los electrones se van colocando en el tomo
rellenando los niveles de energa ms bajos. Algunos ejemplos son:
H
He
3
Li
4
Be
5
B
6
C
7
N
8
O
9
F
10
Ne
1
1s1
1s2
1s2 2s1
1s2 2s2
1s2 2s2 2p1
1s2 2s2 2p2
1s2 2s2 2p3
1s2 2s2 2p4
1s2 2s2 2p5
1s2 2s2 2p6
1er in
2do in
+
+
E
E0
E
potencial
suma
Figura 2: Energa potencial elctrica de un electrn cuando interacta con dos iones (lneas
slidas).
Para electrones con energas menores que E0 la situacin sera de connamiento en uno de
los dos iones. Cunticamente, un electrn puede pasar de un in al otro incluso para energas
E menores que E0 gracias al efecto tunel. La probabilidad de pasar de un in al otro va a
depender de lo alta que sea la barrera de potencial, esto es de la diferencia de energa entre E
y E0 . Los electrones ms internos, con niveles de energa ms profundos, no van a tener una
probabilidad apreciable de pasar de un tomo a otro y, por tanto, no son necesarios a la hora de
construir una teora de conduccin en los slidos cristalinos. Para estos electrones ms internos,
las funciones de onda correspondientes solapan muy poco.
Para hacernos una idea de cmo son los estados cunticos en la red cristalina comenzaremos
por ver cmo los estados cunticos monoatmicos se van transformando a medida que acercamos los tomos. Comenzamos por dos tomos de hidrgeno muy separados. Los esquemas de
las funciones de onda del nivel 1s son como los de la gura 3. A medida que la distancia entre
tomos va disminuyendo las funciones de onda se van solapando. Cul es la autofuncin que
2
empleamos para describir un electrn que puede encontrarse con igual probabilidad tanto en el
tomo 1 como en el 2? (Esto es un requerimiento de que los electrones son indistinguibles). Una
posibilidad es escribir S = 1 +2 . Otra posibilidad es escribir A = 1 2 . Cuando los tomos estn muy lejos (d >> 1 ) las funciones de probabilidad dadas por ambas autofunciones
son muy parecidas |S |2 = |A |2 . Cuando la distancia es del orden de 1 , las funciones 1 y
2 se solapan, y empiezan a ser diferentes las autofunciones simtrica y antisimtrica. Con S
hay probabilidad de encontrar al electrn entre los iones, mientras que con A la probabilidad
de encontrarlo entre los iones se reduce mucho.
Al ser diferentes las probabilidades tambin son diferentes las energas asociadas a los estados. Resulta ser que S presenta una energa ms baja que A . Por cada nivel de energa
atmico obtenemos dos niveles cuando acercamos los dos tomos. En cada nivel de energa (el
de la funcin S o el de la funcin A ) caben dos electrones: uno con el spin hacia arriba y
otro con el spin hacia abajo. La molcula H2 tiene los dos electrones en el estado dado por S .
+
x
Figura 3: Funciones de onda del estado fundamental para dos tomos de hidrgeno aislados.
+
s=
+
1+
a=
+
1-
2
2
|2
2
a|
Figura 5: Densidad de probabilidad asociada a las autfunciones de la gura 4 Combinaciones simtrica y antisimetrica de las autofunciones del nivel fundamental para dos tomos de
hidrgeno.
E
Ea-Es
1s
d
d equilibrio
Figura 6: Desdoblamieto de los niveles de energa en dos estados energticos cuando se aproximan dos tomos.
que describe a un electrn con igual probabilidad en cualquiera de los seis tomos para una
distancia grande de separacin d ha de ser muy aproximadamente una combinacin lineal de
las funciones individuales. Existen seis posibilidades: En el primer nivel tendremos que las seis
funciones se suman simtricamente.
primer nivel = 1 + 2 + 3 + 4 + 5 + 6
En el segundo nivel tendremos:
segundo nivel = (1 + 2 + 3 ) (4 + 5 + 6 )
Los dems:
tercer nivel = 1 + 2 3 4 + 5 + 6
cuarto nivel = 1 2 3 + 4 5 6
quinto nivel = 1 2 + 3 + 4 5 + 6
sexto nivel = 1 2 + 3 4 + 5 6
4
La energa es menor cuando los electrones se encuentran con ms probabilidad en las regiones
entre tomos. La representacin de E en funcin de la distancia atmica puede verse en la
siguiente gura. Se muestra el desdoblamiento del estado 1s en una banda de seis niveles
energticos. Notemos que a medida que la distancia entre tomos d disminuye la diferencia de
energa entre el mximo y el mnimo de la banda aumenta.
E
banda de
energa
1s
d
d equilibrio
Figura 7: Desdoblamiento del estado 1s en una banda de seis niveles de energa en funcin de
la separacin entre tomos.
Cuando el anlisis se extiende a una red de N tomos, los estados idnticos individuales
dan lugar a N estados de energas diferentes. No obstante, los dos extremos se parecern al
primero y al sexto nivel del ejemplo. La diferencia de energa entre los extremos de la banda no
depende apreciablemente de N . Sin embargo, la diferencia de energa entre niveles consecutivos
disminuye con N . Cuando N es del orden del nmero de Avogadro, la diferencia de energa
es insignicante entre niveles adyacentes ( 1023 eV) y se tiene una banda de energa cuasicontinua. (1 electrn-voltio= 1019 Julios).
Hasta aqu hemos visto la situacin para un nivel de energa. Cuando tenemos tomos multielectrnicos donde hay diferentes estados cunticos, cada estado individual mono-atmico se
rompe en bandas de energa al formarse el slido. La situacin es como la de la gura 8 donde
vemos que los niveles cunticos mono-atmicos 1s, 2s, 2p, 3s,... dan lugar a bandas en el slido:
banda 1s, banda 2s, banda 2p, banda 3s,... Para una misma distancia d la anchura de la
banda es mayor donde haya ms solapamiento, esto es, la anchura ser mayor para los niveles
correspondientes a electrones ms externos.
Lo que hemos usado han sido modelos muy simples unidimensionales. Si queremos hacer
clculos y comparar con el mundo real tendremos que tener en cuenta las tres dimensiones.
Esto hace que las imgenes simples que nos hemos hecho tengan que modicarse un poco.
3s
banda 3s
2p
banda 2p
2s
banda 2s
E
1s
banda 1s
Figura 8: Desdoblamiento esperado de los cuatro primeros niveles del sodio en cuatro bandas
de energa en el cristal de sodio.
Vamos a considerar algunos ejemplos hipotticos. Si consideramos el sodio 11 Na (1s2 2s2 2p6 3s1 ),
la forma esperada de la estrucura de bandas es como en la gura 9. Como los electrones siguen
la estadstica de Fermi-Dirac, para T = 0 K todos ocupan los niveles ms bajos de energa y
el nivel ms alto forma el nivel de Fermi. Para T > 0 algunos pocos electrones pueden ocupar
niveles ms altos. Al tener la banda 3s a medio llenar el sodio es un conductor. Lo mismo le
sucede a los elementos de su misma columna en la tabla peridica, como el Li, K, Rb, Cs.
sodio
magnesio
3p
1N
3s
2N
3s
6N
2p
6N
2p
2N
2s
2N
2s
2N
1s
1s
n e-
banda
2N
n e-
banda
Figura 9: Esquema de la ocupacin de las bandas por los electrones en un cristal de N tomos de: (a) sodio, teniendo, por tanto, 11N electrones; (b) magnesio, con 12N electrones. El
solapamiento de las bandas 3s y 3p hacen del magnesio un metal.
La banda de energas ms alta conteniendo electrones es la banda de valencia (BV), la
siguiente banda es la de conduccin (BC). Si la banda de valencia est parcialmente llena,
entonces es tambin la banda de conduccin.
Siguiendo el razonamiento, el magnesio 12 Mg (1s2 2s2 2p6 3s2 ) debera ser un aislante, al
tener la banda 3s completamente llena. Sin embargo, un nuevo fenmeno, el solapamiento de
la banda 3s con la 3p, hace que sea un conductor. Esto mismo sucede para el Berilio, Calcio,
Bario. Para estos elementos la BV y la BC estn solapadas.
6
diamante
2N
2N
2s
2N
1s
n e-
banda
4N
2p
2s2p
Eg=6eV
4N
2N
ocupacin esperada
1s
n e-
2s2p
banda
ocupacin real
Figura 10: Al desdoblamiento de los niveles atmicos de energa del carbono en sus respectivas
bandas de energa le sigue el solapamiento de las bandas 2s y 2p. Posteriormente, esta banda
hbrida '2s2p' se desdobla a medida que la separacin interatmica decrece. En el equilibrio, un
gap de energa Eg separa las dos bandas hbridas en el cristal de diamante.
Corriente en semiconductores
Los electrones que alcanzan la banda de conduccin pueden ser acelerados, pasando a niveles
de energa mayores accesibles, y producir corriente elctrica. Al mismo tiempo se produce un
7
fenmeno nuevo, los huecos dejados por los electrones en la banda de valencia se comportan
como portadores de carga positiva. En efecto, el hueco de la BV puede ser ocupado por un
electrn de dicha banda, dejando un hueco detrs. Si pensamos en un hueco en un tomo en
presencia de un campo elctrico aplicado, este hueco puede ser ocupado por un electrn de la
BV de un tomo vecino que es atrado por el campo. Al saltar este electrn dejar un hueco
en el tomo que podr ser a su vez ocupado por otro electrn de un tomo cercano. El hueco
se mover en direccin contraria al movimiento de los electrones, o sea, en direccin del campo
aplicado. Por ello, se comporta como una carga positiva. De este modo, a la corriente elctrica
contribuyen tanto los electrones de la BC como los huecos de la BV:
j = |e|Ne ve + |e|Nh vh
(2)
Red
e+h
[e] [h] = Ke
Eg
BT
(3)
Eg
BT
2k
(4)
Dopado
Si en una red de tomos de silicio (14 Si) cambiamos algunos pocos tomos por tomos de
aluminio (13 Al) es de esperar que la estructura global de bandas no se altere. Estos tomos de
13
Al aportan un electrn menos a la banda de valencia (3 e de valencia en vez de 4). Aparece
un hueco por cada tomo de aluminio. Estos huecos se presentan como portadores de carga
incluso a temperaturas muy bajas. Se requiere muy poca energa para que el aluminio acepte
un electrn quedando cargado negativamente. A temperatura ambiente esto se produce y el
hueco es libre de moverse por la red en la BV. Vese el esquema de enlaces y de las bandas
de energa (g. 11). Este semiconductor dopado se llama de tipo p porque la mayora de los
portadores de carga son huecos en la BV.
Si por el contrario suministramos unos pocos tomos de fsforo (15 P) a la red de silicio, por
cada tomo de fsforo tendremos un electrn de ms, 5 e de valencia en vez de 4. Con muy
poca energa ese electrn de ms rompe su enlace y se va a la red en la BC. Vase el esquema
de los enlaces y de las bandas de energa (g. 11). Este semiconductor dopado se llama de tipo
n porque los portadores mayoritarios son electrones en BC.
Notemos que esto puede analizarse mediante el equilibrio de la reaccin entre electrones y
huecos (ec. 3).
8
Al+eAl
Al -
P ++e-
Al -+h+
e- sobrante
hueco
Si
Si
Si
Si
Si
Si
semiconductor
tipo p
Si
semiconductor
tipo n
Si
Si
Al
Si
Si
Si
Si
Si