Fet

1
rea de Tecnologa Electrnica

Universidad de Oviedo
Electrnica y Automatismos
Escuela Universitaria de Ingenieras Tcnicas de Mieres
ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras
Tema 1: Componentes Electrnicos
El transistor de efecto de campo
Profesor: Javier Ribas Bueno
Componentes electrnicos: El transistor de efecto de campo
Introduccin
El transistor de efecto de campo de unin o JFET
JFET de canal N
JFET de canal P
El transistor MOSFET
Mosfet de acumulacin
Mosfet de deplexin
Conclusiones
2
Transistores de efecto de campo (FET)
FET de unin (J FET)
FET metal-xido-semiconductor (MOSFET)
Transistores J FET
Canal N Canal P
G
D
S
G
D
S
G - Puerta (GATE)
D- Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
Estructura interna de un J FET
Canal N Canal P
D
G
S
P
N
P
D
G
S
P
N N
G
D
S
G
D
S
3
Nota:
N P N
Zona de transicin
+
En un diodo polarizado en inversa se forma alrededor de la unin una zona de transicin
que est libre de portadores de carga.
Por esta zona no puede circular corriente
Funcionamiento de un J FET de canal N (I)
Unin GS polarizada inversamente
Se forma una zona de transicin
libre de portadores de carga
La seccin del canal depende de la
tensin U
SG
Si se introduce una cierta tensin D-S
la corriente I
D
por el canal depender
de U
SG
D
G
S
N
P
U
SG
P
Canal
Zona de
transicin
4
Funcionamiento de un J FET de canal N (II)
D
G
S
U
SG
U
DS
(baja)
I
D
U
DS
I
D
U
SG
El canal
se estrecha
Entre D y S se tiene una resistencia que vara en funcin de U
SG
Funcionamiento de un J FET de canal N (III)
El ancho del canal depende tambin de la tensin U
DS
Pasado un lmite la corriente I
D
deja de crecer con U
DS
D
G
S
U
SG
U
DS
I
D U +U
DS SG
U
SG
U
DS
I
D
U
SG1
V
P
U
SG
=0V
U
SG2
5
Caractersticas elctricas de un J FET de canal N
U
DS
(V)
I
D
(mA)
U
GS1
=-2V
U
GS
=0V
U
GS2
=-4V
2 4 6 8
10
20
30
Zona de fuente de corriente
Zona resistiva
Caracterstica real
U
DS
I
D
U
GS1
U
GS
U
GS2
V
P
Caracterstica
linealizada
Caractersticas elctricas de un J FET de canal P
Curvas idnticas al de canal N pero con tensiones y
corrientes de signo opuesto
U
DS
(V)
I
D
(mA)
U
GS1
=2V
U
GS
=0V
U
GS2
=4V
-2 -4 -6 -8
-10
-20
-30
6
Resumen de las caractersticas de un J FET de unin:
La corriente de drenador se controla mediante tensin (a
diferencia de los transistores bipolares donde se controla la
corriente de colector mediante la corriente de base)
La unin puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe
un valor lmite de U
GS
a partir del cual el canal se cierra y
deja de pasar corriente de drenador
Entre drenador y fuente el J FET se comporta como una
resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la
tensin U
DS
.
Aplicaciones tpicas: amplificadores de audio y de
radiofrecuencia
Funcionamiento en conmutacin del J FET:
I
D
+ U
DS
U
GS
V
CC
R
D
U
GS
U
DS
V
CC
A
B
U
DS
I
D
U
GS(B)
U
GS(A)
A
B
Aplicando una onda cuadrada en
los terminales U
GS
se puede
conseguir que el J FET acte como
un interruptor
7
Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor)
Canal N Canal P
G - Puerta (GATE)
D- Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
G
D
S
G
D
S
G
D
S
G
D
S
Canal N Canal P
MOSFET acumulacin MOSFET deplexin
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (I)
P
N N
D
G
S
SUSTRATO
Metal
Oxido (aislante)
Semiconductor
Normalmente el terminal de SUSTRATO se encuentra
conectado con el surtidor S
8
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (II)
Los terminales principales del MOS son
drenador y surtidor
Al aplicar tensin U
DS
la unin
drenador-sustrato impide la circulacin
de corriente de drenador
P
N N
D
G
S
SUSTRATO
U
DS
I =0
D
La zona N es rica en electrones
La zona P es muy pobre en electrones
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (III)
Al aplicar tensin positiva U
GS
los electrones libres de la zona P
(sustrato) son atrados hacia el terminal de puerta
Por efecto del campo elctrico se forma un canal de tipo n (zona
rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre
drenador y surtidor
P
U
GS
N N
+ + + + + +
n
e
-
e
-
e
-
e
-
9
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (IV)
Formado el canal entre drenador y
surtidor puede circular la corriente de
drenador I
D
Incrementar la tensin U
DS
tiene un
doble efecto:
Ohmico: mayor tensin =mayor
corriente I
D
El canal se estrecha por uno de
los lados =I
D
se reduce
P
N N
U
GS
U
DS
I
D
Campo elctrico
debido a U
GS
Campo elctrico
debido a U
DS
A partir de un cierto valor de U
DS
ambos efectos se compensan y la
corriente se estabiliza haciendose prcticamente independiente de U
DS
U
DS
(V)
I
D
(mA) U
GS
2 4 6 8
10
20
30
40
4
6
8
10
Por debajo de
esta tensin no
se forma el canal
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal N (V)
Curvas caractersticas
A partir de un cierto valor de U
GS
se forma el canal entre drenador y
fuente. Por debajo de este lmite el transistor est en corte.
Dependiendo de la tensin U
DS
se puede tener un equivalente resistivo
o de fuente de corriente entre D y S
G
D
S
U
GS
I
D
U
DS
10
Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulacin de canal P
Curvas caractersticas
G
D
S
U
GS
I
D
U
DS
U
DS
(V)
I
D
(mA)
U
GS
-2 -4 -6 -8
-10
-20
-30
-40
-4
-6
-8
-10
Canal P: comportamiento equivalente al del MOSFET de canal N pero
con los sentidos de tensiones y corrientes invertidos
Estructura y funcionamiento de un MOSFET de deplexin de canal N
P
N N
D
G S
n
Difusin hecha durante
el proceso de fabricacin
U
DS
(V)
I
D
(mA) U
GS
2 4 6 8
10
20
30
40
-2
0
2
Ya hay canal
formado
En los MOSFET de deplexin el canal se forma mediante una difusin
adicional durante el proceso de fabricacin
Con tensin U
GS
nula puede haber circulacin de corriente de drenador
Es necesario aplicar tensin negativa U
GS
para cerrar el canal
11
Resumen de las caractersticas de los transistores MOS:
La corriente de drenador se controla mediante la tensin U
GS
En los MOSFET de acumulacin a partir de un cierto valor
umbral de U
GS
se forma el canal y puede circular la corriente
de drenador
En los MOSFET de deplexin una difusin adicional permite
la circulacin de la corriente de drenador incluso para tensin
U
GS
nula
Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores
electrnicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos
digitales, ...

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