Diapositiva 1

LA UNIN P-N
La unin p-n en circuito abierto
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ -
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
A K
Zona de
deplexin
Unin
p n
Contacto
hmico
Iones de
impurezas
dadoras
Iones de
impurezas
aceptoras
Electrn
Hueco



Diapositiva 2

LA UNI N P-N
La unin p-n en polarizacin inversa
n Movimiento de portadores
n Corriente
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ -
+ -
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
K
+
A
_
Mayoritarios
Minoritarios



Diapositiva 3

LA UNI N P-N
La unin p-n en polarizacin directa
n Movimiento de portadores
n Corriente
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
-
+ -
-
-
-
+
+
-
- +
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
Mayoritarios
Minoritarios
K
_
A
+



Diapositiva 4


LA UNIN P-N
Potencial de contacto y ancho de la regin de
transicin de una unin p- n.
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
_
X
Densidad de carga
X
Campo elctrico
X
Potencial
A K
p n

=
2
2
dx
V d
dx
dx
dV
E

= =

dx E V

=
Barrera de
potencial
_ +
+
_
_
+
E
-
_
V
o

























Diapositiva 5


LA UNIN P-N
Barrera de potencial y ancho de la regin de
transicin de una unin p- n, con polarizacin
inversa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
_
X
Densidad de carga
X
Campo elctrico
X
Potencial
A K
p n
V V V
o B
+ =
_ +
+
_
_
+
E
-
_
V
o
+
_
V
V
B
+
_
I
0
V

























Diapositiva 6


LA UNIN P-N
Barrera de potencial y ancho de la regin de
transicin de una unin p- n, con polarizacin
directa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
_
X
Densidad de carga
X
Campo elctrico
X
Potencial
A K
p n
V V V
o B
=
_ +
+
_
E
-
V
o
+
_
V
V
V
B
I

























Diapositiva 7

LA UNI N P-N
Componentes de corriente en polarizacin
directa
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
A K
p n
_ +
+
_
+
_
V
I
Concentracin de
portadores X 0
n
n
n
po
p
p
p
no
Corriente
I
X 0



Diapositiva 8

LA UNI N P-N
Ecuacin de la unin: Hiptesis restrictivas
n Ancho de la zona de transicin despreciable
n En la zona de transicin no hay generacin de pares
electrn-hueco
n Se desprecian las corrientes de fuga en la superficie
del semiconductor ni corrientes transversales
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES



Diapositiva 9

LA UNI N P-N
Ecuacin de la unin: Deduccin
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
p
no
p
n
(x)
0 X
dX
p
n
(0)
P
n
(0)
P
n
(x)
no n n
p x P x p + = ) ( ) (
dx
x dp
SqD x I
n
p pn
) (
) ( =
) 1 (

+ =
T V
V
e
L
n D
L
p D
qS I
n
po n
p
no p
HUECOS
p L
x
n n
e P x P

= ) 0 ( ) (
T
o
V
V V
n po
e p p

= ) 0 (
Ley de la Unin
) 1 ( ) 0 ( =
T V
V
p
no p
pn
e
L
p SqD
I
ELECTRONES
) 1 ( ) 0 ( =
T V
V
n
po n
np
e
L
n SqD
I





Diapositiva 10


LA UNIN P-N
Corriente inversa de saturacin
n Discrepancias del valor terico y prctico
n Dependencia
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
) (T f
L
n D
L
p D
qS I
n
po n
p
no p
o
=

+ =
























Diapositiva 11


DIODO SEMICONDUCTOR
Ecuacin de la caracterstica tensin-intensidad
Representacin grfica
n Tensin umbral (V

)
n OFF<> Corte
n ON <> Conduccin
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
) 1 ( =
T
V
V
e I I
o

V
I
0 V

Polarizacin
inversa
Polarizacin
directa
OFF ON
V V
+ + - -
T
V
V
e I I
o

o
I I
A A K K



Diapositiva 12

DIODO SEMICONDUCTOR
Germanio vs Silicio
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
0
Ge Si
0,2 0,6



Diapositiva 13

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1. Clculo y representacin de la caracterstica de un diodo.
DA T OS I NCOGNI TAS
Semi conduct or Si l i ci o Tensi n ( V) I nt ensi dad( mA)
2, 00 0, 65 0, 2868
I nt ensi dad i nv. de sat ur . ( nA) 1, 00 0, 68 0, 5123
Temper at ur a ( K) 300 0, 71 0, 9150
0, 74 1, 6342
0, 77 2, 9188
0, 80 5, 2130
0, 83 9, 3106
0, 86 16, 6291
0, 89 29, 7003
0, 92 53, 0458

Diapositiva 14

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 2. Clculo de la intensidad y tensin entre bornas de un diodo.
Mtodo general de clculo: Resolucin del sistema formado por
la recta de carga del circuito y la ecuacin del diodo.
-
+
-
+
V
o
V
R
I
D
A
K
) 1 ( =
T
V
o
V
e I I
o

o D
V R I V + =
DATOS INCOGNITAS
Semiconductor Germanio Tensin entre bornas (V) Intensidad(mA)
Tensin de la Fuente (V) 6,00 0,0000 3,0000
Resistencia (Kilo-ohmios) 2,00 0,3262 2,8369
1,00 0,3247 2,8376
Intensidad inv.de satur.(nA) 10,00 0,3247 2,8376
Temperatura (K) 300 0,3247 2,8376

Mtodo iterativo



Diapositiva 15

DIODO SEMICONDUCTOR
Respuesta de un diodo a la temperatura
Reglas prcticas
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
0
T
1
T
o
>
10
1
1
2 ) ( ) (
o
t t
o o o
t I t I


1
07 , 0

C
T I
I
o
o
C mV
T
V
/ 5 , 2

Diapositiva 16

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 3. Segn la ecuacin anterior la corriente inversa de saturacin
del germanio debera aumentar un 11%/C, pero experimentalmente
obtenemos en el laboratorio que la variacin prctica con la temperatura es
alrededor del 7%/C, cuando aplicamos una tensin inversa de 6V siendo la
corriente de 1A. Esta situacin se interpreta como si el diodo terico
estuviera en paralelo con una resistencia que representa las corrientes de
fugas del dispositivo. Calcular esta resistencia.



Diapositiva 17

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 4. La resistencia trmica del contacto mecnico del chasis de un
diodo con su medio es de 0,1 mW/C, es decir, disipa 0,1 mW por cada
grado de aumento de la temperatura. No se permite que la temperatura del
diodo aumente por encima de la ambiente (25C) ms de 20C. Si la
corriente inversa de saturacin es de 1A a 25C y teniendo en cuenta que
sta se duplica por cada 10C de aumento, calcular la tensin inversa
mxima que se puede aplicar al diodo.



Diapositiva 18

DIODO SEMICONDUCTOR
Resistencia esttica
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
V
1
V
2
V
3
I
2
I
3
I
1 F
F
F
I
V
R = =
R
R
R
I
V
R



Diapositiva 19

DIODO SEMICONDUCTOR
Resistencia dinmica o incremental
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
tag dI
dV
r
1
= =

= =
0
1
tag dI
dV
r
tag dI
dV
r
1
= =



Diapositiva 20


DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 5. Un diodo ideal de germanio tiene a temperatura ambiente una
resistencia esttica de 5 , siendo la intensidad en ese punto de 50 mA.
Calcular la resistencia dinmica del diodo cuando se polariza directamente
con una tensin de 0,3 V.

























Diapositiva 21

DIODO SEMICONDUCTOR
Capacidad de transicin
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
w
S
dV
dQ
C
T
= =
V
+ -
A K
V
+ -
A K



Diapositiva 22

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 6. Se usan con frecuencia diodos polarizados inversamente como
condensadores variables gobernados por tensin. La capacidad de transicin
de un diodo de unin abrupta es de 12 pF a 6V . Hallar la disminucin de
capacidad cuando la polarizacin aumenta 1V.



Diapositiva 23

DIODO SEMICONDUCTOR
Capacidad de difusin
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
r D
L
D
L
dV
dq
C
n
n
p
p
D
1
2
2

+ = =
V
I
V
+ -
A K
V
+ -
A K



Diapositiva 24

DIODO SEMICONDUCTOR
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 7. En un diodo de silicio en que el lado p est mucho ms dopado
que el lado n, la longitud de difusin es de 3x10
-6
m., la movilidad de los
huecos 500 cm
2
/V-s y la capacidad de difusin 2 nF. Calcular la intensidad
de corriente que pasa por l a temperatura ambiente. Se desprecia la
corriente inversa de saturacin.



Diapositiva 25

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
Efecto de ruptura o de avalancha: temperatura
Efecto Zener: campo elctrico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
V
I
V
z
Zona de ruptura
o de avalancha



Diapositiva 26

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
Efecto de ruptura o de avalancha: temperatura
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
_
X
Densidad de carga
X
Campo elctrico
X
Potencial
A K
p n
o
V V >>
_ +
+
_
_
+
E
-
_
V
o
+
_
V
V
B
+
_
I
V
Electrones con mayor
energa trmica generan
huecos
Huecos con mayor
energa trmica
generan electrones



Diapositiva 27

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
Efecto Zener: campo elctrico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
+
_
X
Densidad de carga
X
Campo elctrico
X
Potencial
A K
p n
o
V V >>>
_ +
+
_
_ +
-
_
V
o
+
_
V
V
B
+
_
I
V
Electrones con mayor
energa potencial generan
huecos
++
+
_
_ _
_
+
Electrones con mayor
energa potencial generan
huecos
Campo
intenso



Diapositiva 28

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN
Carga variable
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
V
z
I
zmn.
I
zmx.
I
V V
R
Z

=
L L Z
R I Cte V = = .
. . Cte I Cte V = =

Z L L
I I R

Z L L
I I R
Si
Si
V
V
+
-
+
-
V
Z
R
R
L
I
L
I
Z
I
V
+
-
+
-
V
Z
R
I
L
I
Z
I



Diapositiva 29

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 8. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos
calcular las incgnitas.
DATOS INCOGNITAS
Tens i n de f uent e ( V) 24, 00 I nt ensi dad mx. en el Zener ( mA) 80, 00
I nt ensi dad mx. de car ga ( mA) 100, 00 Pot enci a mx. di si pada Zener ( W) 0, 96
I nt ensi dad m n. de car ga ( mA) 30, 00 Resi st enci a de r egul aci n ( hmi os) 109, 09
Tensi n de r egul aci n ( V) 12, 00 Resi st enci a de car ga mx. ( hmi os) 400, 00
I nt ensi dad m n. del Zener ( mA) 10, 00 Resi st enci a de car ga m n. ( hmi os) 120, 00



























Diapositiva 30

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN
Fuente variable
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
V
z
I
zmn.
I
zmx.
I
V V
R
Z

=
. . Cte I Cte V
L Z
= =
. . Cte I Cte V

Z
I I V

Z
I I V
Si
Si
V
V
+
-
+
-
V
Z
R
R
L
I
L
I
Z
I
V
+
-
+
-
V
Z
R
I
L
I
Z
I



Diapositiva 31

DI ODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 9. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos
calcular las incgnitas.
DATOS INCOGNITAS
Tens i n de f uent e m ni ma ( V) 24, 00 Resi st enci a de car ga ( hmi os) 400, 00
Tens i n de f uent e mx i ma ( V) 100, 00 I nt ens i dad mx . en el Zener ( mA) 212, 00
I nt ensi dad en l a car ga ( mA) 30, 00 Pot enci a mx. di si pada Zener ( W) 2, 54
Tensi n de r egul aci n ( V) 12, 00 Resi st enci a de r egul aci n ( hmi os) 363, 64
I nt ensi dad m n. del Zener ( mA) 3, 00



























Diapositiva 32

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN
Carga y fuente variables
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
V
z
I
zmn.
I
zmx.
. .
.
. .
.
Zmn Lmx
Z mn
Zmx Lmn
Z mx
I I
V V
I I
V V
R
+

=
+

=
. . Cte I Cte V
L L Z
R I Cte V = = .
R
L
V
V
+
-
+
-
V
Z
R
R
L
I
L
I
Z
I
V
+
-
+
-
V
Z
R
I
L
I
Z
I



Diapositiva 33

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 10. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos
calcular las incgnitas.
DATOS INCOGNITAS
Tensi n de f uent e m ni ma ( V) 24, 00 Resi st enci a de r egul aci n ( hmi os) 109, 09
Tens i n de f uent e mx i ma ( V) 100, 00 I nt ensi dad mx. en el Zener ( mA) 776, 67
I nt ensi dad mx. de car ga ( mA) 100, 00 Pot enci a mx. di si pada Zener ( W) 9, 32
I nt ensi dad m n. de car ga ( mA) 30, 00 Resi st enci a de car ga mx. ( hmi os) 400, 00
Tensi n de r egul aci n ( V) 12, 00 Resi st enci a de car ga m n. ( hmi os) 120, 00
I nt ensi dad m n. del Zener ( mA) 10, 00




























Diapositiva 34

DIODO ZENER COMO REGULADOR DE TENSIN
Caracterstica con pendiente: caso general
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
I
V
z
I
zmn.
I
zmx.
. .
. .
. .
. .
Zmn Lmx
Zmn mn
Zmx Lmn
Zmx mx
I I
V V
I I
V V
R
+

=
+

=
. . Cte I Cte V
. Cte V
Z

R
L
V
V
+
-
+
-
V
Z
R
R
L
I
L
I
Z
I
V
+
-
+
-
V
Z
R
I
L
I
Z
I
r



























Diapositiva 35

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 11. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos
calcular las incgnitas (anlisis).
DATOS INCOGNITAS
Tensi n de f uent e m ni ma ( V) 20, 00 Resi st enci a de r egul aci n ( hmi os) 250, 00
Tensi n de f uent e mxi ma ( V) 25, 00 Tensi n de r egul aci n mx. ( V) 10, 77
Tensi n nomi nal Zener ( V) 10, 00 Tensi n de r egul aci n m n. ( V) 10, 09
Resi st enci a del Zener ( hmi os) 17, 00 Pot enci a mx. di si pada Zener ( W) 0, 48
I nt ensi dad mx. del Zener ( mA) 45, 00 I nt ensi dad m n. de car ga ( mA) 11, 94
I nt ensi dad m n. del Zener ( mA) 5, 00 Resi st enci a de car ga m n. ( hmi os) 201, 70
I nt ensi dad mx. de car ga( mA) 50, 00 Resi st enci a de car ga mx. ( hmi os) 901, 59


























Diapositiva 36

DIODO DE RUPTURA O DE AVALANCHA
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 12. En un circuito regulador de tensin de acuerdo con los datos
calcular las incgnitas (sntesis).
DATOS INCOGNITAS
Tensi n de f uent e m ni ma ( V) 20, 00 Resi st enci a de r egul aci n ( hmi os) 180, 00
Tensi n de f uent e mxi ma ( V) 25, 00 I nt ensi dad mx. en el Zener ( mA) 68, 17
I nt ensi dad mx. de car ga ( mA) 50, 00 Pot enci a mx. di si pada Zener ( W) 0, 72
I nt ensi dad m n. de car ga ( mA) 12, 00 Resi st enci a del Zener ( hmi os) 7, 44
Tensi n de r egul aci n mx. ( V) 10, 57 Resi st enci a de car ga mx. ( hmi os) 880, 83
Tensi n de r egul aci n m n. ( V) 10, 10 Resi st enci a de car ga m n. ( hmi os) 202, 00
I nt ensi dad m n. del Zener ( mA) 5, 00 Tensi n Zener ( V) 10, 06