TECNOLOGA ELECTRNICA DE SEMICONDUCTORES

ORGNICOS: FABRICACIN DE TRANSISTORES EN AULAS

DOCENTES

C. VOZ, J. PUIGDOLLERS, I. MARTIN, A. ORPELLA, M. VETTER Y R. ALCUBILLA
Departamento de Ingeniera Electrnica. Escuela Tcnica Superior de Ingeniera de
Telecomunicacin de Barcelona. Universidad Politcnica de Catalua

Abstract. En este artculo se describe el proceso de fabricacin y
caracterizacin de transistores en capa delgada utilizando
semiconductores orgnicos. Los procesos y equipos utilizados son
suficientemente sencillos, como para poder ser implementados en
asignaturas docentes.

1. Introduccin

Los trabajos de laboratorio en las asignaturas de dispositivos electrnicos consisten en general en
la simulacin o caracterizacin elctrica de dispositivos comerciales. Difcilmente se aborda en dichas
prcticas la fabricacin real de dispositivos electrnicos activos. Como mucho se fabrican elementos
pasivos, tales como resistencias o condensadores. Las razones son obvias, para la fabricacin de
dispositivos electrnicos con razonables prestaciones elctricas se necesitan equipos de proceso que en
la mayora de los casos no existen ni en los propios grupos de investigacin de las universidades.

En la actualidad, la mayora de los dispositivos comerciales se fabrican utilizando
semiconductores inorgnicos, tales como el silicio, y sus prestaciones electrnicas son excelentes .No
obstante, en los ltimos aos ha habido un gran inters en la obtencin de dispositivos utilizando
semiconductores orgnicos para su aplicacin en sistemas electrnicos que requieran gran rea y
prestaciones electrnicas no muy exigentes. Existe una gran cantidad de semiconductores orgnicos, y
la investigacin en su sntesis ha realizado un gran progeso en los ltimos aos, siendo posible en la
actualidad la sntesis de semiconductores orgnicos a la carta, es decir con propiedades
predeterminadas. En general, los semiconductores orgnicos pueden dividirse en dos grandes grupos
segn su estructura qumica: polmeros, formados por cadenas de monmeros, y oligmeros, formados
por una o unas pocas molculas. La obtencin de capas delgadas de dichos semiconductores es
diferente segn estemos tratando con polmeros o con molculas pequeas. Para los polmeros el
proceso usual de depsito es a partir de la tcnica conocida como spin-coating. El polmero se disuelve
en un disolvente orgnico y a continuacin se deposita sobre un substrato. Posteriormente se hace rotar
el substrato a gran velocidad, distribuyndose todo el lquido sobre su superfcie. Con este proceso se
consiguen capas delgadas con buena uniformidad. Por el contrario, los semiconductores orgnicos en
pequea molcula se depositan mediante evaporacin trmica en cmaras de vaco. Con ambas
tecnologas es posible obtener dispositivos con notables propiedades elctricas.

En este artculo describiremos la fabricacin de un transistor de efecto de campo en capa delgada
utilizando procesos tecnolgicos simples que pueden realizarse en equipos relativamente econmicos.
Los dispositivos se fabricarn utilizando semiconductores orgnicos de pequea molcula. El
pentaceno (C
22
H
14
), molcula consistente en cinco anillos de benceno enlazados formando una cadena
aromtica, es uno de los candidatos ms prometedores, y ser el utilizado para la fabricacin de
nuestros dispositivos, aunque tambin pueden utilizarse pigmentos como la ftalocianina de cobre
(CuPc) o fulereno (C
60
). Los dispositivos finales tendrn reas de contacto (del orden de los
milmetros) suficientemente grandes para ser caracterizados y manipulados con cierta facilidad.

2. Esquema de la prctica

A continuacin describiremos el desarrollo de una prctica de laboratorio que consistir en la
fabricacin de transistores de efecto de campo y su posterior caracterizacin elctrica. Los equipos
necesarios para la realizacin de la prctica son relativamente econmicos. Con la realizacin de esta
prctica se persiguen varios objetivos. Por una parte, los alumnos participarn activamente en la
fabricacin de un dispositivo activo, un transistor. Posteriormente medirn las caractersticas elctricas
tpicas de un transistor de efecto de campo: caracterstica de salida, de trasnferencia y de saturacin.
De las caractersticas elctricas se obtendrn la movilidad y la tensin umbrla, y se compararn con
los valores que se reportan en la literatura para dispositivos similares.

La prctica a realizar por los alumnos consistir de los siguientes apartados, que a continuacin se
describirn en detalle:
Descripcin del proceso de fabricacin. Equipos necesarios y etapas de fabricacin.
Fabricacin de los dispositivos
Medida de las caractersticas elctricas de los dispositivos fabricados. Anlisis de los
resultados

3. Descripcin del proceso de fabricacin

La estructura de los dispositivos fabricados se muestra en la figura 1. En la figura 1a se presenta
un esquema del transistor, consistente en vidrio/metal/PMMA/pentaceno/oro, as como una foto con
los dispositivos fabricados (figura 1b). El substrato consiste un vidrio, por ejemplo un porta objetos de
microscopio, aunque tambin podra utilizarse un plstico o cualquier superfcie suficientemente
plana. A continuacin se deposita por evaporacin trmica una capa de metal que actuar como
electrodo de puerta (Gate). El proceso continua mediante el depsito de polimetil metacrilato
(PMMA), polmero que realizar la funcin de dielctrico. El PMMA se deposita por spin-coating con
el fin de conseguir una superfcie uniforme. El semiconductor orgnico, pentaceno en nuestro caso, se
deposita a continuacin mediante una mscara de sombra. Finalmente se deposita mediante
evaporacin trmica el contacto de oro, que delimitar los contactos de drenador (Drain) y fuente
(Source).















Figura 1a Figura 1b
Figura 1. Esquema de los diodos fabricados (Fig 1a) y fotografa de los dispositivos
finales (Fig 1b).
Drain Source Gate
Au
PMMA
metal
vidrio
Pentaceno
Drain Source Gate
Au
PMMA
metal
vidrio
Pentaceno
La utilizacin de una mscara de sombra nos permite aislar los dispositivos, as como delimitar la
longitud y anchura del canal del transistor. En nuestro caso hemos utilizado mscaras de sombra
fabricadas en nuestras instalaciones de Sala Blanca, aunque tambin es posible adquirirlas en
compaas especializadas (www.labelcomat.be). La capa delgada de pentaceno se deposita mediante
evaporacin trmica en un equipo que describiremos a continuacin. El material base, pentaceno en
polvo, fue proporcionado por la compaa SigmaAldrich (www.sigmaaldrich.com). El electrodo de
aluminio fue tambin depositado por evaporacin trmica a partir de filamento de oro. En nuestro caso
utilizamos oro proporcionado por la compaa Goodfellow (www.goodfellow.com). Los nombres de
las compaas se mencionan a ttulo de ejemplo, puesto que son varias las que ofertan los diferentes
compuestos.

El equipo utilizado para el depsito del semiconductor, pentaceno, y del contacto superior,
aluminio, consiste de los siguientes subequipos:

Campana de evaporacin. En nuestro caso la campana de evaporacin es de vidrio y de
dimensiones 20 cm de dimetro de base por 25 cm de altura.
Equipo de vaco, que consiste en una bomba mecnica en serie con una bomba
turbomolecular.

En la figura 2a se muestra la campana de evaporacin utilizada. Tambin se puede observar uno
de los crisoles utilizados para la evaporacin de los materiales. El semiconductor orgnico y los
electrodos se evaporan trmicamente utilizando crisoles moldeados manualmente a partir de una chapa
de molibdeno de 50 micras de grosor. Las temperaturas de evaporacin para los materiales utilizados
son bastante moderadas. La temperatura de fusin para el pentaceno es de 300C, mientras que el oro
funde a 1000C. Para la delimitacin de los contactos metlicos, tanto el pentaceno, como el contacto
de oro fueron evaporados a travs de una mscara metlica a la que previamente se haban delimitado
los contactos de drenador y fuente. En la figura 2b se observa a alumnos de segundo ciclo utilizando el
sencillo equipo de depsito de semiconductores orgnicos.























Figura 2a Figura 2b
Figura 2. Campana utilizada para la evaporacin del semiconductor orgnico y el contacto metlico
superior (a). Alumnos de segundo ciclo utilizando el equipo para el depsito de semiconductores
orgnicos (b).
4. Caracterizacin

Una vez fabricados los diodos, se puede proceder a su caracterizacin elctrica. La caracterizacin
ms bsica consiste en la medida de la caracterstica intensidad-tensin. En la figura 3 se muestra un
ejemplo de las caractersticas medidas, tanto en escala lineal como semilogartmica para apreciar la
rectificacin de varios rdenes de magnitud.

























5. Valoracin

Durante el cuatrimestre de otoo del curso 2006-07 se realiz una prueba piloto del desarrollo de
esta prctica en alumnos que cursaban la asignatura de Dispositivos Electrnicos y Fotnicos 2,
correspondiente a la enseanza de segundo ciclo de Ingeniera Electrnica. Esta prueba segua a la
realizada en el curso anterior dedicada a la fabricacin de diodos orgnicos. En esta prueba piloto
participaron slo una parte de los alumnos (8 personas). A su vez, stos se dividieron en dos
subgrupos que conjuntamente con el profesor realizaron la fabricacin del transistor y su
caracterizacin elctrica. Los datos de la caracterizacin elctrica fueron analizados por los alumnos y
comparados con los datos de un transistor CMOS de silicio cristalino. Los alumnos tambin
expusieron un trabajo de investigacin en nuevos conceptos de dispositivos utilizando
semiconductores orgnicos. Para ello contaron con la orientacin del profesor en la bsqueda de
artculos de investigacin y de divulgacin de las nuevas tecnologas con semiconductores orgnicos.
En la figura 4 se muestra la exposicin de uno de estos trabajos.






Figura 3. Caracterstica de salida de uno de los transistores de efecto de campo de pentaceno
fabricados por los alumnos.
-40 -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0
-7x10
-9
-6x10
-9
-5x10
-9
-4x10
-9
-3x10
-9
-2x10
-9
-1x10
-9
0
Tensin puerta-fuente
aplicada
Vgs = -10V
Vgs = -20V
Vgs = -30V
Vgs = -40V
C
o
r
r
i
e
n
t
e

d
r
e
n
a
d
o
r
-
f
u
e
n
t
e

(
A
)
Tensin drenador-fuente (V)


















5. Conclusiones

La fabricacin de dispositivos tales como transistores o diodos es relativamente sencilla y
asumible si se utilizan materiales orgnicos como semiconductores activos. Esta aproximacin
permitira la realizacin de prcticas de laboratorio en las que los alumnos realmente fabrican y
caracterizan dispositivos. Esto permite a los alumnos participar en todo el proceso de obtencin y
caracterizacin del dispositivo, lo que se traduce en una mejor comprensin de todas las etapas
involucradas. La actitud y la motivacin de los alumnos en esta novedosa experiencia ha resultado
excelente aunque actualmente la limitacin de recursos impide su implantacin definitiva para todos
los grupos de la asignatura.














Figura 4. Alumno exponiendo un resumen de los resultados obtenidos en la fabricacin de
transistores de efecto de campo en capa delgada orgnica.