Diapositiva 1

SEMICONDUCTORES
Estructura cristalina de un semiconductor.
Electrones y huecos.
n Estructura de enlaces covalentes
n Cristal tetradrico con un tomo en cada vrtice
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
T= 0K T> 0K
Hueco



Diapositiva 2

SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrnsecos: estructura
cristalina de un solo tipo de tomos
n Caracterstica: n = p = n
i
n Par electrn-hueco
w Generacin (agitacin trmica)
w Recombinacin (centros de recombinacin)
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES



Diapositiva 3

SEMICONDUCTORES
Procesos de generacin y
recombinacin.
n Vida media de los portadores
n Naturaleza de los centros de
recombinacin
n Efectos de los centros de recombinacin
Procesos de generacin y
recombinacin.
n Vida media de los portadores
n Naturaleza de los centros de
recombinacin
n Efectos de los centros de recombinacin
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES



Diapositiva 4

SEMICONDUCTORES
Mecanismo de contribucin del hueco a la
conduccin.
n Los electrones de valencia ligados saltan, con
relativa facilidad, al hueco dejado por otro
electrn al pasar a su estado libre
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES



Diapositiva 5

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Aplicacin de un campo elctrico a
un semiconductor intrnseco
n Densidad de corriente
n Conductividad
E J =
) (
p n i
qn + =



Diapositiva 6

SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1. Una muestra de germanio intrnseco de 1 cm de longitud y 2 x
2 mm de seccin cuadrada, es atravesada por una corriente de 6 mA
cuando se aplica una diferencia de tensin entre sus extremos de 1 V.
La movilidad de los electrones es de 3.800 cm
2
/V.s y de los huecos
1.800 cm
2
/V.s. Calcular:
a) la densidad electrnica
b) Las velocidades de desplazamiento o de arrastre de los portadores.



Diapositiva 7

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Distribucin en energa de los electrones
libres en un semiconductor
n Funcin de distribucin de energa o densidad de
electrones por unidad de energa
n Densidad de estados cunticos por unidad de
energa
n Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
) ( ) ( E N E f
E
=
2
1
) ( ) (
C
E E E N =



Diapositiva 8

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac
n Probabilidad de que un estado cuntico de energa
E est ocupado por un electrn, tambin
especifica la fraccin de todos los estados de
energa E ocupados en condiciones de equilibrio
trmico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
kT
F
E E
e
E f

+
=
1
1
) (
E
C
E
V
Banda de
conduccin
Banda de
valencia
Banda
prohibida



Diapositiva 9

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Densidad electrnica en la banda de conduccin.
n Representa el nmero de electrones libres por
unidad de volumen con energas comprendidas
entre el nivel de energa ms bajo de la banda de
conduccin E
C
y la energa ms alta (+).
n Expresin:

=
C
E
E
dE n
kT
E E
C
F C
e N n

=



Diapositiva 10

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Distribucin en energa de los huecos en un
semiconductor
n Funcin de distribucin de energa o densidad de
huecos por unidad de energa
n Densidad de estados cunticos por unidad de
energa
n Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
) ( )) ( 1 ( E N E f
P
=
2
1
) ( ) ( E E E N
V
=



Diapositiva 11

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Funcin de probabilidad para los huecos
n Probabilidad de que un estado cuntico de
energa E en la banda de valencia est vaco,
tambin especifica la fraccin de todos los estados
de energa E vacos en condiciones de equilibrio
trmico
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
kT
F
E E
kT
F
E E
e
e
E f

+
=
1
) ( 1



Diapositiva 12

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Densidad de huecos en la banda de valencia.
n Representa el nmero de huecos por unidad
de volumen con energas comprendidas entre
la energa ms baja (-) y el nivel de energa
ms alto de la banda de valencia E
V
n Expresin:

=
V
E
P
dE p
kT
E E
V
V F
e N p

=



Diapositiva 13

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Nivel de Fermi en un semiconductor intrnseco
n Expresin:
V
C V C
F
N
N
Ln
kT E E
E
2 2

+
=
E
C
E
V
Banda de
conduccin
Banda de
valencia
Banda
prohibida
E
F



Diapositiva 14

SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
Ejercicio 2. Clculo de la distancia de la energa de Fermi al centro de la
banda prohibida.
DATOS INCOGNITAS
m
n
/ m
p
2,00 Distancia (eV) -2,24E-02
Temperatura (K) 500 Posicin respecto a la mitad de la B.P. de bajo



Diapositiva 15

SEMICONDUCTORES
Concentracin intrnseca en los
semiconductores
n Dependencia con la temperatura
Concentracin intrnseca en los
semiconductores
n Dependencia con la temperatura
FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES
kT
E
o i
GO
e T A n

=
3 2