la importancia de

la dispersion raman
en nanotubos de
carbono
mariela bravo sanchez

10

-1

2
2
11

00

-1
-1

-2
-2

-5
-1

ener gi a

15

go

3
3

-3
-3
-1.25958
-p/
3a

k vector

Intensidad (u.a.)

400

45

350
300

40

250
35

200
150

30
100
50

25

0
100

200

300

400

500

600

frecuencia(cm -1)

700

800

1300

1400

1500

1600

1700

frecuencia(cm -1)

1800

1900

dt(nm)

aglomerados

fuerzas de van der Waals

20mm

funcionalizar, dispersar

hidrofobicos

solventes
surfactantes
acidos
polimeros

RBM
SWNTs

42

nanosperse

Caracterizacion Raman

Silicio

35
28

Muestras sin hornear

21
100

200

300

400

500

40
35
30
25

600

700

Energia de excitacion: 514nm

800

benceno

Potencia laser: 2mW

Rango: 100-750 cm-1

100

200

300

400

500

56
49
42
35
28
21

600

700

800

dicloroetano

100

200

300

400

500

320
280
240
200
160
120
80
40
0

600

700

RBM SWNTs: relacon

inversa con el diametro de los
nanotubos

800

=(c1/d
t)+c2
243

PVP y SDBS
36

w=
RBM

34

100

200

300

400

500

600

700

800

SWNT sin
dispersar

35
30
25
0

100

200

300

400

500

600

-1
Frecuencia(cm
)

700

800

Intensidad (u.a.)

Intensidad (u.a.)

(d )
t

32
30
28
26
24
22
175

180

185

190
-1

Frecuencia(cm)

195

Banda-G
SWNTs

600

nanosperse

400
200

Banda D

0
1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

benceno

400

Intensidad (u.a.)

200
0
1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

dicloroetano

600
400
200
0
1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

PVP y SDBS

90
60
30
1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

SWNTsin
dispersar

180
120
60
1300

1400

1500

1600

1700

-1
Frecuencia (cm
)

1800

1900