Tiene una gran capacidad de -a !

uente est construida con

conduccin de corriente en estado activo y buena capacidad de tensin de blo(ueo en estado pasivo Tiene velocidad de conmutacin rpida Operan en base a mecanismos !sicos di!erentes a los de los *T+ las Tiene cuales necesario una es estructura de comprenderlo para saber orientacin vertical del dopa)e optimizar sup!uncionamiento alterno tipo y tipo n E$isten MOSFET de tipo n y del tipo p En sus capas e$ternas posee dopa)e del tipo n2 y se llama !uente y drena)e Su capa central se la denomina cuerpo y es donde se establece el canal #ara su !uncionamiento se aplica una tensin (ue polariza el positivo de la compuerta con respecto a la !uente convirtiendo as la super!icie de silicio deba)o del o$ido de compuerta en una capa o canal de tipo n lo (ue conecta la !uente con el drena)ey permite el !lu)o de corrientes apreciables #ara determinar la cantidad de corriente (ue !luir es muy importante saber el espesor de o$ido de compuerta, el anc o de compuerta y el numero de zonas de compuerta 3 !uente 01MOS signi!ica MOSFET de di!usin vertical muc os miles de pe(ue.as reas de manera poligonal conectadas en paralelo y rodeadas por la zona de la compuerta" -a !orma geomtrica de las zonas de la !uente in!luye asta cierto grado en la resistencia en estado activo del MOSFET El anc o de la compuerta W del MOSFET es la longitud peri!rica de cada celda multiplicada por el n/mero de celdas (ue constituyen el dispositivo Es deseable una relacin muy E$iste entre un *+T npn parastico grande el anc o y el largo entre contactos pues de !uente y de la los compuerta, as se drena)e, donde de cuerpo ma$imiza la la zona ganancia del de tipo p sirve como base del dispositivo *+T parastico" #ara reducir la posibilidad de (ue este transistor )ams se encienda, la zona de cuerpo de tipo p se pone en cortocircuito con la zona de !uente mediante el traslape de la metalizacin de !uente sobre la zona del cuerpo de tipo p ,omo resultado de este cortocircuito del cuerpo ay un diodo parastico conectado entre drena)e y !uente del MOSFET" Este diodo integral sirve en

En tercer trmino, ya est el

traslape de la metalizacin de compuerta a travs de la regin de arrastre n -, donde sobresale acia la super!icie del c ip" Este traslape de la metalizacin de la compuerta tiene dos propsitos" #rimero, tiende a intensi!icar la conductividad de la regin de arrastre en la intercone$in n%Si&' al !ormar una capa de acumulacin, lo (ue ayuda a disminuir la resistencia en estado activo" En segundo lugar, la metalizacin tiende a actuar como placa de campo cuando el MOSFET est apagado, lo (ue impide (ue el radio de curvatura de la zona de despoblacin del drena)e%cuerpo pn se reduzca demasiado y de este modo tambin la tensin de ruptura del dispositivo"

T456S7STO4ES 1E #OTE6,75

MOSFET

*+T 8TO 78*T

CONEXIN MOSFET EN PARALELO -os MOSFET se conectan muy !cilmente en paralelo, como los dos (ue se muestran en la !igura ''%9:, debido al coe!iciente positivo de temperatura de su resistencia en estado activo" #ara la misma temperatura de unin, si rDS(enc) de T2 e$cede la de T7; entonces, durante el estado activo, TI tiene una corriente ms alta y por ende una mayor prdida de potencia (ue T2, pues aparece la misma tensin a travs de ambos transistores" #or tanto, la temperatura de unin de TI aumentar )unto con su resistencia en estado activo"

Simbologa MOSFET tipo n y tipo p

CAPAS DE INVERSIN Y EFECTO DEL CAMPO El MOSFET, como el *+T, es -a parte de la compuerta de la un dispositivo de tres terminalesestructura MOSFET es la clave donde la entrada, la compuertapara entender cmo traba)a el en el caso del MOSFET, controlaMOSFET" -a parte de la el !lu)o de corriente entre lascompuerta consta de la terminales de salida, la !uente ymetalizacin de la compuerta, el el drena)e" -a terminal de ladi$ido de silicio deba)o del !uente es com/n entre la entradaconductor, (ue e denomina $ido y la salida de un MOSFET" de la compuerta, y el silicio En aplicaciones de electrnicadeba)o del $ido" Esta zona un condensador <o de potencia, el MOSFET sirve!orma capacitor= de alta calidad como interruptor para controlar el !lu)o de potencia a la carga de Se le denomina condensador una manera anloga al *+T" EnMOS" 5un(ue el condensador estas aplicaciones, el MOSFET(ue se muestra suele estar atraviesa las caractersticas decompuesto por metalizacin de iD-vDS desde el corte a travs dealuminio, aislante Si&' y una la zona activa asta la zonacapa de !ondo de silicio, la misma mica con!orme se enciende elestructura bsica se !abrica en dispositivo, y de nuevo cuando seotros semiconductores, como apaga" arseniuro de galio, y se usan El MOSFET est enotros aislantes, como nitruro de estrangulamiento cuando laaluminio o nitruro de silicio para tensin de compuerta%!uente esel aislante" menor (ue la tensin de umbral ,uando se aplica una tensin 0eS<l =, (ue suele ser de unospositiva pe(ue.a de compuerta% cuantos voltios en la mayora de!uente a la estructura del los MOSFET de potencia" Elcapacitor en el diagrama dispositivo es un circuito abierto ysimpli!icado del MOSFET de debe rec azar la tensin de lacanal n de la !igura 22-5a, se !uente de alimentacin aplicada!orma una zona de degradacin al circuito" en la intercone$in entre el Si&' y Esto signi!ica (ue la tensin deel silicio" -a carga positiva ruptura de drena)e%!uente *0DSinducida en la metalizacin debe ser mayor (ue la tensinsuperior <el lado de la compuerta= aplicada de drena)e%!uente parapor la tensin aplicada re(uiere evitar la ruptura y la disipacinuna carga negativa igual en la alta de potencia (ue conlleva" placa in!erior, (ue es el lado de silicio del $ido de la compuerta.

CARACTERISTICAS I-V

CONTROL DE LA COMPUERTA DEL FLUJO DE CORRIENTE DE DRENAJE

5 ora el MOSFET de canal n

tiene tanto una alimentacin VGS de compuerta%!uente como una alimentacin VDD de drena)e% !uente" 5l principio se supone (ue 08S es mayor (ue 08S<t = ?(ue 0 DD es pe(ue.o" El MOSFET est en la zona mica con un valor relativamente pe(ue.o de ID, y la capa de inversin tiene un espesor espacial mente uni!orme VDD se incrementa poco a poco asta valores cada vez mayores, mientras 08S se mantiene constante" -a corriente de drena)e se incrementar inicialmente en proporcin al aumento de VDD, pues la capa de inversin aparece como resistencia mica (ue conecta el drena)e a la !uente" Este aumento de la corriente causa una cada de tensin a lo largo del canal, como 0cs(x) <tensin de canal a !uente=, donde x es la distancia desde la !uente asta la ubicacin x en el canal donde se especi!ica la tensin"

Salvo con !recuencias de conmutacin mayores, casi toda la potencia disipada en un MOSFET en una aplicacin de potencia de modo conmutado ocurre cuando el dispositivo est en estado activo" -a disipacin instantnea de potencia en el estado activo del MOSFET est dada por>

PRDIDAS POR CONDUCCIN EN ESTADO ACTIVO

P enc = I 02 r DS
-a
resistencia del estado activo tiene varios componentes ,on tensiones de ruptura SEGURA ba)as REA DE OPERACIN <unos cuantos cientos de voltios o (AOS) menos=, todos estos componentes de resistencia El rea de operacin segura <5OS= de contribuyen con o menor un MOSFET de mayor potencia tiene tres !actores (ue lo determinan> la m$ima corriente de drena)e IDM, la temperatura interna de la unin T), regida por la disipacin de potencia en el dispositivo, y la tensin de ruptura