1. Transistor de efecto de campo (FET).

Imagen 1. Transistor.

El transistor bipolar basa su funcionamiento en dos tipos de carga: electrones y hueco. Por este motivo se denomina bipolar: el prefijo bi significa dos. El transistor de efecto de campo (FET). Este tipo de dispositivo es unipolar porque su funcionamiento depende un solo tipo descarga, ya sea electrones libres o huecos. En otras palabras, el FET tiene portadores mayoritarios pero no minoritarios. Para la mayora de las aplicaciones lineales, el dispositivo ms usado es el transistor bipolar. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET es el ms apropiado, ya que tiene una alta impedancia de entrada y otras propiedades. El dispositivo FET es el dispositivo preferido para aplicaciones en las que funciona como interruptor. 1.1. Transistor JFET

Su estructura es como lo muestra la Fig. 1, este es un dispositivo de canal constituido por una barra de material semiconductor tipo y con dos regiones de material tipo (Islas) en cada extremo. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). Y en las Fig. a) y b) se muestra el smbolo paran el canal y respectivamente.

Fig. 1 a) Canal Fig. 1 Estructura JFET

Fig. 1 b) Canal

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET (Fig. 2) son muy similares a las curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por corriente.

Fig. 3 Curva caracterstica de un JFET

1.2. Regiones de Operacin.

Regin de corte.
En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula . En este caso, la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denominan a esta tensin como de estrangulamiento o pinch-off y se representa por o .

Regin Lineal.
En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable controlada por tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de tal como se muestra en la Fig. 3. En esta regin el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:

Fig. 3 Resistencia drenador- fuente de un transistor JFET en la regin lineal.

(( [(

) )]

Regin de saturacin.
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin. Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de Schockley que viene dada por: ( )

Donde es la tensin de estrangulamiento y la es la corriente de saturacin. Esta corriente se define como el valor de cuando , y esta caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente de valor constante (IDSS). La ecuacin en el plano e representa una parbola desplazada en . Esta relacin junto a las caractersticas del JFET de la Fig. 1.4 permiten obtener grficamente el punto de trabajo Q del transistor en la regin de saturacin.

Fig. 4 Curvas caractersticas del JFET

Regin de ruptura. Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor est comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarizacin nunca deben superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore.

2. Transistores MOSFET.

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una canal de conduccin. Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin (enhancement) o deflexin; su representacin fsica se muestra en la Fig. 5

Fig. 5 Estructura fsica del Transistor MOSFET