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8 SEMICONDUCTORES

Ejercicios del captulo

1. TEORA BANDAS. CONDUCTORES Y AISLANTES. Segn dijimos en el Captulo 2, en los tomos aislados, es decir, tan alejados de otros que no sea apreciable la interaccin con stos, los electrones corticales estn distribuidos energticamente segn valores discretos que vienen determinados por las soluciones de la ecuacin fundamental de la Mecnica Cuntica que es la Ecuacin de Schrdinger (E.S.) (Schrdinger y Dirac, Nobel de Fsica en 1933). A cada electrn cortical corresponden 4 nmeros denominados nmeros cunticos: n, l, ml, y ms. El nmero cuntico n determina el nivel energtico o lo que es lo mismo su mayor o menor alejamiento del ncleo. La energa de los electrones es negativa (hay que aportar energa para desligarlos del tomo) y mayor energa equivale a ms alejamiento del ncleo. As pues, los electrones slo pueden poseer unos niveles energticos determinados, y cualquier otra energa estara "prohibida". Este modelo de niveles de energa discretos, est de acuerdo con las observaciones sobre emisin y absorcin de luz en gases incandescentes, donde se observan espectros discretos. En un slido cristalino existe una distribucin regular de tomos en el espacio, que constituye la llamada red cristalina. En algunos slidos esta distribucin regular se manifiesta macroscpicamente en formas geomtricas llamadas cristales, (cuarzo, diamante, ..). En los slidos cristalinos, las interacciones entre los tomos de la red hacen que el problema de la distribucin energtica de los electrones sea muchsimo ms complicado que en un tomo aislado pero, dentro de los postulados de la M.C., resulta razonable suponer que los niveles permitidos al conjunto de electrones del slido, se acumulan en bandas de energa separadas unas de otras por intervalos o bandas de energa prohibidas. La emisin de luz por slidos incandescentes es un hecho experimental que avala la anterior hiptesis. Dentro de cada banda permitida los niveles estaran tan prximos entre s, que las consideraremos bandas permitidas continuas. Si suponemos un slido cristalino a la temperatura de 0 K (situacin inalcanzable), los electrones ocuparan los niveles de energa permitidos ms bajos posible. Cabran dos posibilidades: 1. La banda permitida de mayor energa est ocupada parcialmente. 2. La banda permitida de mayor energa est totalmente vaca y todas las dems estn llenas. La banda de mayor energa, tanto si est vaca parcialmente llena, se llama banda de conduccin, mientras que la siguiente de menor energa la llamaremos banda de valencia. En el primer caso, los electrones de la banda de conduccin pueden tomar

energa de un campo elctrico aplicado y pasar a niveles superiores compatibles con el principio de exclusin de Pauli incrementando su momento cintico. La interaccin con partculas del cristal podr dar lugar a saltos de energa a la inversa. Esto supone desde luego el abandono del cero absoluto y la aparicin de un desplazamiento de la carga elctrica, es decir una corriente. El material por tanto sera un conductor. Tal es el caso de los metales. En el segundo caso, en las bandas totalmente llena no son posibles las interacciones que supongan saltos de unos niveles a otros, segn el principio de exclusin. Las interacciones posibles implicaran saltos a la banda de conduccin (que est totalmente vaca), pero la cantidad de energa necesaria sera muy grande y el proceso no puede darse cerca del cero absoluto. Por lo tanto, a bajas temperaturas, el material tiene un comportamiento de aislante. Es el caso de los materiales no metlicos con enlaces cristalinos covalentes. La distincin clara entre metales y no metales a bajas temperaturas desaparece cuando nos alejamos del cero absoluto. En efecto, la agitacin trmica permite los saltos desde la banda de valencia a la de conduccin, con lo que sta aparece parcialmente ocupada como en los metales. En los metales a temperaturas de trabajo, un aumento de la temperatura se traduce en un aumento de la agitacin trmica, lo que a su vez produce una mayor frecuencia de las interacciones entre electrones y partculas y por consiguiente, una disminucin del recorrido medio de los electrones entre choques, una disminucin de la velocidad media de los mismos y finalmente una disminucin de la conductividad. En los materiales cristalinos no metlicos, un incremento de la temperatura aumenta la probabilidad de saltos desde la banda de valencia a la de conduccin. Al quedar ambas parcialmente ocupadas, ya son posibles los intercambios de energa entre niveles de la misma banda. A la vez aumenta la agitacin trmica como en los metales. Se trata de los mecanismos opuestos y no se puede afirmar si la conductividad aumentar o disminuir. De hecho puede ocurrir lo uno por otro, segn el orden de magnitud de la temperatura. En los metales, los electrones que ocupan la banda de conduccin son los electrones no ligados a tomos individuales y constituyen lo que suele denominarse gas de Fermi. La imagen no cuntica (clsica) sera la de una especie de plasma de electrones en el que estn inmersos los tomos ionizados (enlaces metlicos). El resto de los electrones ligados a tomos individuales ocuparan las bandas inferiores (totalmente llenas). 2. SEMICONDUCTORES. ELECTRONES Y HUECOS. 2.1 Semiconductores intrnsecos.

El semiconductor ms importante es sin duda el silicio (Si) de nmero atmico 14 y perteneciente al grupo IV-A de la clasificacin peridica, grupo al que tambin pertenecen el carbono (C, nmero atmico 6) y el germanio (Ge, nmero atmico 32). Los elementos de este grupo se caracterizan por poseer en la ltima capa cuatro electrones. Cristalizan todos ellos en el mismo sistema y la celda y unitaria es un tetraedro regular con un electrones cada vrtice y uno ms en el centro. El enlace covalente consiste en la comparticin de los cuatro electrones de valencia de cada tomo con los cuatro tomos contiguos para simular as una estructura con ocho electrones en la capa ms externa, que corresponde a un estado cristalino de gran estabilidad. La anchura de la banda prohibida es muy diferente para estos tres materiales. Para el carbono (estructura diamante) es de unos 13 eV, la del silencio es de 1,1 eV aproximadamente y la del germanio 0.7 eV. La del carbono resulta tan grande que la probabilidad de saltos entre banda de valencia y banda de conduccin es prcticamente nula y el material es un aislante. Para el germanio y silicio el valor es tal que la probabilidad no es nula y adems depende fuertemente de la temperatura. Por ello estos dos materiales que forman parte del grupo de los llamados semiconductores. Como hemos visto, fuera del cero absoluto, tanto en la banda de conduccin como en la banda de valencia existen electrones y niveles desocupados, por lo que, al aplicar un campo elctrico, se puede producir una absorcin de energa por parte de los electrones y por lo tanto un arrastre de los mismos. Hay por lo tanto una corriente elctrica en la que intervienen las bandas de conduccin y de valencia. En la banda de conduccin el mecanismo es anlogo al que se explica la conductividad de los metales. En la de valencia, el mecanismo puede interpretarse de forma diferente. Cada nivel desocupado corresponde al abandono de un electrn que ha pasado a la banda de conduccin, o dicho de otra forma, a la rotura de un enlace covalente. Si en la banda de valencia, un electrn cambia de nivel como consecuencia de su arrastre por un campo elctrico, o sea, un electrn de un enlace covalente intacto lo abandona y pasa a completar otro previamente roto, podramos describir este mecanismo como si lo que se desplazara fuese el enlace roto en lugar del electrn. Naturalmente el enlace roto, que corresponde a un nivel desocupado, se desplaza en sentido contrario a los electrones. Resulta conveniente considerar al enlace roto como una carga elctrica mvil, a la que denominaremos un hueco, e interpretar la corriente elctrica como formada por dos tipos de portadores: los electrones de la banda de conduccin (cargas mviles negativas) y los huecos de la banda de valencia (cargas mviles positivas).

Estamos suponiendo un cristal sin impurezas ni defectos. Un semiconductor as se denomina semiconductor intrnseco. Los portadores de corriente existen, segn lo explicado, por parejas. Estamos suponiendo que tenemos energa trmica, es decir que no estamos en el cero grados kelvin. Entonces, un electrn de la banda de valencia puede incrementar su energa tomndola de la agitacin trmica y pasando a la banda de conduccin donde existen niveles desocupados. As se crea una pareja de portadores electrn-hueco. Este mecanismo se denomina generacin de pares y naturalmente depender de la temperatura. El proceso inverso, es decir, la prdida de energa de un electrn de la banda de conduccin pasando a la de valencia, se puede considerar como la aniquilacin de un par electrn-hueco y se denomina recombinacin de pares. La recombinacin es un mecanismo de tipo estadstico y por lo tanto depender del nmero de electrones libres y del nmero de huecos. Generacin y recombinacin son mecanismos antagnicos y la densidad de electrones, n, y de huecos, p, en situacin de equilibrio se establecern cuando las tasas degeneracin y recomendacin sean iguales. Llamaremos nj al nmero de pares en un semiconductor intrnseco, naturalmente depender de la temperatura, T, y en este caso se verificar: n = p = nj (T)
Material Si Ge
Constante n p ( .cm) de red cm2.V-1.s-1 cm2.V-1.s-1 x 10-10 m

r 11.8 16

Densidad Temp. de fusin (g.cm-3) C 2.33 5.32 1415 936

Banda prohibida

(eV)
1.11 0.67

1350 3900

480 1900

2.5x105 43

5.43 5.66

2.2 Semiconductores extrnsecos, Tipos N y P. Los semiconductores reales no son nunca puros sino que tienen impurezas, es decir no todos los tomos son del elemento base (Si por ejemplo). Sin embargo, se intenta que las impurezas incontroladas sean sumamente escasas, para lo cual el proceso de fabricacin debe ser extraordinariamente cuidadoso. Por el contrario, se aaden impurezas de determinado tipo y en proporciones cuidadosamente controladas. As se tienen dos tipos de semiconductores impurificados, denominados extrnsecos. 2.2.1 Semiconductores tipos N.

Cuando las impurezas aadidas son predominantemente del grupo V-A de la tabla peridica (fsforo (P), arsnico (As), antimonio (Sb)), el semiconductor se denomina tipo N y las impurezas se denominan donantes. Los tomos de este grupo poseen en su ltima capa 5 electrones. As por ejemplo, si un tomo de Si, por ejemplo, es sustituido por un tomo de As , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 tomos de Si vecinos, queda un electrn del tomo de As sin emparejar y por lo tanto tan dbilmente ligado al tomo de As, que a temperatura poco por encima del 0 K quedar libre, es decir, ocupando un nivel de la BC. Como esto ocurrir con cada tomo de impureza de As, en la BC tendremos, adems de los electrones debidos a la generacin de pares, un electrn por cada tomo de impureza donante, o sea, que tendremos ms electrones en la BC que huecos: n > p. As pues, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los huecos. En la prctica, en los SC tipo N los electrones de la BC son en su mayora donados por los tomos de impureza donante, hasta el punto que se puede suponer que n Nd, siendo Nd la densidad de impurezas donantes (n de tomos de impureza en 1 cm3). 2.2.2 Semiconductores tipos P. Cuando las impurezas aadidas son predominantemente del grupo III-A de la tabla peridica (aluminio (Al), galio (Ga), indio (In)), el semiconductor se denomina tipo P y las impurezas se denominan aceptantes. Los tomos de este grupo poseen en su ltima capa 3 electrones. As por ejemplo, si un tomo de Si, es sustituido por un tomo de Ga , tras formar los 4 enlaces covalentes con los 4 tomos de Si vecinos, queda un enlace sin completar. A temperatura poco por encima del 0 K lo ocupar un electrn de la BV, que dejar un hueco la BV. Como esto ocurrir con cada tomo de impureza de Ga, en la BV tendremos, adems de los huecos debidos a la generacin de pares, un hueco por cada tomo de impureza aceptante, o sea, que tendremos ms huecos en la BV que electrones en la BC: p>n. As pues, los portadores mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los electrones. En la prctica, en los SC tipo P, los huecos son en su mayora debidos a los tomos de impureza aceptante, hasta el punto que se puede suponer que p Na , siendo Na la densidad de impurezas aceptantes (n de tomos de impureza por cm3). Como hemos dicho la tasa de generacin de pares, (T), (n de pares electrnhueco generados por unidad de tiempo) es nicamente dependiente de la temperatura. El proceso antagonista, la recombinacin o aniquilacin de pares, es probabilstico y por lo tanto la tasa de pares electrn-hueco aniquilados por unidad de tiempo, ser proporcional al producto n.p. Cuando ambos mecanismos estn equilibrados n.p = (T), con independencia del grado de impurificacin. Por lo tanto, para un SC intrnseco, se verificar que ni2= (T); y finalmente de las dos relaciones anteriores se deduce la llamada ley de accin de masas: n.p = ni2 (8.1)

As pues, para un SC tipo N real, se puede considerar que n Nd y por la (8.1) p ni2 / Nd y naturalmente n >> p; igualmente, para un SC tipo P, p Na y n ni2 / Na y n << p. 3. DISTRIBUCIN ENERGTICA DE LOS ELECTRONES. El problema que nos interesa resolver se formulara de la siguiente manera: dentro de una banda permitida, por unidad de volumen, y a una temperatura T, queremos averiguar cuntos electrones tienen energas comprendidas entre E y E+dE. Supongamos que conocemos la densidad de estados de energa permitidos, S(E), o sea, el nmero de estados permitidos por unidad de intervalo energtico. En este caso el nmero de estados para un intervalo de energa comprendido entre E y E+dE ser: dS(E) = S(E).dE (8.2)

Supongamos que tambin conociramos la probabilidad de que un nivel de energa E est ocupado por un electrn a la temperatura T. Esta probabilidad, ser funcin en general de la energa y de la temperatura. Es la denominada funcin de Fermi, F(E,T). Ahora, el nmero de electrones con energas comprendidas E y E+dE ser: dn(E,T) = S(E). F(E,T).dE (8.3) que tambin puede ponerse as:

= S(E). F(E,T).dE (8.4) que es la distribucin energtica de Fermn-Dirac-Sommerfield o abreviadamente, ley de distribucin FDS. As pues, el problema ha quedado separado en dos: 1. determinacin de la densidad de Estados, S(E). 2. determinacin de la funcin de Fermi, F(E,T). 4. DENSIDAD DE ESTADOS EN LAS BANDAS. La densidad de estados, (la deduccin no la haremos, pero la podemos proporcionar a los alumnos que estn interesados), resulta ser: a. en la banda de conduccin:

(8.5)

(8.6)

en estas, EC es el nivel de energa ms bajo de la banda de conduccin. Cualquier electrn puede ir perdiendo energa cintica (se va a deteniendo) descendiendo de nivel hasta llegar a EC. De aqu que pueda interpretarse este fondo de la banda de conduccin como la energa potencial del electrn, pues es la que le que queda al detenerse. Por la misma razn E EC es la energa cintica del electrn de energa total E. La KC engloba, adems de constantes universales, mc3/2 donde mC es la llamada masa efectiva que no es igual a la masa en reposo de un electrones aislado, si bien no difiere mucho de ella. b. en la banda de valencia:

(8.7)

(8.8)

en estas, Ev es el nivel de energa ms alto de la banda de valencia. La Kv engloba, adems de constantes universales, mv3/2 donde mv es la llamada masa efectiva del hueco que no difiere mucho de la masa en reposo del electrn aislado (ver la figura 1). 5. PROBABILIDAD DE OCUPACIN Las ideas de la Mecnica Cuntica y la Estadstica de Boltzman nos permitiran deducir la expresin de la probabilidad de ocupacin de un nivel E a una temperatura T. Esta expresin no tiene en cuenta si el nivel correspondiente que est ocupado no:

para la banda de valencia, teniendo en cuenta que hemos justificado la conveniencia de referirnos a los huecos en lugar de a los electrones, convendr considerar la probabilidad de que un nivel de este desocupado, que corresponde a la probabilidad de existencia de un hueco:

La expresin (8.9), de la que hemos deducido la (8.10), es la llamada funcin de Fermi. En ella aparece EF, que es una energa que se denomina nivel de Fermi, y que tiene un importante significado de la descripcin del comportamiento de los semiconductores. 5.1 Discusin de la funcin de Fermi. a- extrapolacin al cero absoluto (T=0 K) Si E > EF ............. F 0 Si E < EF ............. F 1 lo que quiere decir que en el cero absoluto no hay electrones por encima del nivel de Fermi y, por debajo del mismo, todos los niveles estarn ocupados. Por consiguiente, dada la diferenciacin que hemos establecido anteriormente entre semiconductores y aislantes, resulta: 1. En los conductores, el nivel de Fermi se sita dentro de la banda de conduccin estando ocupados todos los niveles por debajo del nivel de Fermi y no habiendo electrones con energa superiores a EF. 2. En los semiconductores, el nivel de Fermi estar forzosamente la banda prohibida entre la de conduccin y la de valencia. b-Fuera del cero absoluto (T>0 K): Si E = EF ........ ..... F = 1/2 F = 0 y F = 1 son asntotas a cualquier T. (ver figuras)

6. LOCALIZACIN DEL NIVEL DE FERMI. a conductores: Ya hemos dicho que el nivel de Fermi se encuentra en la banda de conduccin. Si extrapolamos al cero absoluto, todos los niveles comprendidos entre Ec y EF estarn ocupados, por lo que para calcular cuntos electrones de la banda de conduccin hay por unidad del volumen bastar integrar la funcin Sc(E) entre Ec y EF:

Hemos supuesto que KC slo depende de la temperatura, por lo que se ha sacado fuera de la integral. Esto es aproximadamente cierto para la banda de conduccin de los metales. Como la densidad de electrones en la banda de conduccin no depende de la temperatura, conociendo dicha densidad, N=n(0), podemos localizar el nivel de Fermi a partir de la (8.11):

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b- semiconductores:

Para empezar, supondremos que las bandas de conduccin y de valencia con sus respectivos portadores electrones y huecos, tienen un comportamiento simtrico. Ms concretamente supongamos dos intervalos estrechos entre E1 y E1+dE en la banda de conduccin y entre E2 y E2-dE en la banda de valencia, tales que E1+ E2 = EC+ EV. A ambos les corresponder la misma densidad de estados y por lo tanto la relacin entre el nmero de electrones y de huecos en dichos intervalos energticos ser:

Si E1-EF y EF-E2 son suficientemente m yores !ue kT" l s ex#onenci les ser$n muc%o m yores !ue l unid d y #or lo t nto l &8.31' #odr( escri)irse s(:

y #odemos escri)ir:

en donde:

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es la separacin energtica del nivel de Fermi respecto al nivel central de la banda prohibida que est entre las de conduccin y la de valencia. Luego podremos poner la (8.7) as:

como la (8.10) es independiente de la pareja de niveles de E1 y E2 elegidos, pondremos ponerla finalmente as:

ecuacin que nos sita el nivel de Fermi con relacin a las bandas de energa. Si consideramos adems la ley de accin de masas, podemos escribir la (8.11) as:

En los semiconductores tipo N, n > p, lo cual implica que E >0, es decir que el nivel de Fermi se aproxima a la banda de conduccin tanto ms cuanto ms fuertemente impurificado est. Para fuertes impurificaciones ser n Nd y

En los semiconductores tipo P, p > n, lo cual implica que E < 0, es decir que el nivel de Fermi se aproxima a la banda de valencia tanto ms cuanto ms fuertemente impurificado est. Para fuertes impurificaciones ser p Na y

Para los semiconductores intrnsecos, p = n, lo que implica que E = 0, es decir que el nivel de Fermi est exactamente en el centro de la banda prohibida.

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Si se eleva la temperatura, ni(T) crece y tanto n/ni como n/p tienden a la unidad, lo que equivale a decir que los materiales tienden a comportarse como intrnsecos para temperaturas elevadas. 7. LA UNIN N-P. La unin de un cristal de un semiconductor tipo N con otro tipo P tiene un comportamiento que la hace interesante en aplicaciones tanto analgicas como digitales. Esta unin da lugar a una familia de dispositivos bsicos denominados diodos y a otros dispositivos ms complejos y tecnolgicamente an ms interesantes, que se denominan transistores de unin. Para describir el comportamiento de la unin N-P, nos basaremos en las propiedades, descritas anteriormente, de los semiconductores intrnsecos y dopados. El proceso de fabricacin implica dopar una parte de un cristal de forma que se comporte como de tipo P y otra parte del mismo de forma que se comporte como de tipo N. Es decir, en ningn momento las partes N y P estn separadas. Sin embargo, para describir los fenmenos que explican el comportamiento de la unin, resulta pedaggico suponer que inicialmente los bloques N y P estn separados y que en algn instante inicial se unen. Hecha esta suposicin, vamos a describir lo que ocurre a partir del instante inicial. 7.1 Unin en equilibrio. Naturalmente suponemos que cada uno de los bloques est inicialmente descargado (carga neta cero). Por lo tanto entre ambos bloques no hay inicialmente d.d.p. En el bloque N tenemos abundancia relativa de electrones libres (-), con niveles de energa de la BC (portadores mayoritarios en N) y escasez de huecos (+), (portadores minoritarios en N). Anlogamente en el bloque P abundan los huecos (+) (mayoritarios en P), y escasean los electrones libres (-) (minoritarios en P). Por lo dicho, tiende a producirse un fenmeno de tipo no elctrico sino termodinmico, consistente en la difusin de electrones desde donde abundan (bloque N) hacia donde escasean (bloque P), y anlogamente se difundiran los huecos desde el bloque P al bloque N. Por s sola la difusin dara lugar a una intensidad de corriente (corriente de difusin), , ID, en el sentido de P ---> N.

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Figura 8.6 *n cu nto % y n tr nscurrido unos inst ntes y se % y difundido un ciert c ntid d de #ort dores" se+,n lo ex#lic do ntes" el )lo!ue -" !ue % #erdido electrones y % + n do %uecos" . c r+$ndose #ositi. mente y" de l mism form " el )lo!ue /" !ue % #erdido %uecos y + n do electrones" . c r+$ndose ne+ ti. mente. /or consi+uiente" # rece un d.d.#. entre - y / de m ner !ue el - !ue m yor #otenci l res#ecto /. /ero est d.d.#. #roducir$ un rr stre de c r+ s ne+ ti. s &electrones li)res' de /---0- y #ositi. s &%uecos' de ----0/. *s decir" tiende #roducirse un intensid d de corriente de rr stre" IA" !ue ir$ en el sentido de ----0/" o se " sentido contr rio l de l corriente de difusi1n.

Figura 8.7 2os #rocesos mencion dos" difusi1n y rr stre" son contr #uestos y lle+ r$ un momento en !ue m)os lc ncen un e!uili)rio din$mico de t l m ner !ue l intensid d de corriente tr .3s de l uni1n ser$: ID 4 IA 5 0. Si su#onemos !ue l uni1n entre los )lo!ues es )ru#t " un .e6 lc n6 do el e!uili)rio" l difusi1n de #ort dores de c d )lo!ue % ci el otro % )r$ de7 do en c d uno de ellos un re+i1n #r$ctic mente . c( de #ort dores. *s s dos re+iones" de nc%ur s WN y WP &8i+ur 8.7'" form n con7unt mente l ll m d zona de deplecin de nc%ur WZ 5 WN 4 WP . *n l semi6on WN

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% y un densid d de c r+ es# ci l &no m1.il' 4" mientr s !ue en l semi6on WP % )r$ un densid d de c r+ es# ci l &no m1.il' - &fi+ur 8.7'. *n l 6on m$s im#urific d l nc%ur ser$ menor. 9s(" en el e7em#lo de l fi+ur 8.7" como Nd Na" .emos !ue WN : WP. ;+u lmente" l est r c r+ do #ositi. mente el )lo!ue - y ne+ ti. mente el /" # rece un d.d.#. entre los )lo!ues" distri)uid en l 6on de de#leci1n" !ue se denomin potencial de contacto" !"" est ndo m yor #otenci l el )lo!ue - !ue el )lo!ue /" como .emos en l fi+ur 8.8.

Figura 8.8 2 su#osici1n de !ue l uni1n es )ru#t no es muy re list " y !ue los m3todos de f )ric ci1n % cen !ue l s im#urific ciones . r(en de form +r du l. 9s( #ues" los result dos !ue . y mos deduciendo s1lo tienen un . lor cu lit ti.o" suficiente #or %or . *l #otenci l de cont cto en l s uniones de --/ result ser:

/ r l uniones de Si y # r un tem#er tur de 300 < &unos 27 ='" !" es del orden de 0.7 &>' y l mit d # r uniones de Ge. =on l s mism s #remis s sim#lific dor s" se lle+ l ex#resi1n de l nc%ur de l 6on de de#leci1n:

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siendo l const nte diel3ctric del semiconductor. / r los diodos de Si" !" es del orden de unos 0.7 >. 2 6on de de#leci1n tiene un ciert n lo+( con un condens dor" como se define en *lectrost$tic " y !ue % y 2 c r+ s enfrent d s i+u les y de si+nos o#uestos y un diel3ctrico entre m) s. /or ello l uni1n #resent un efecto c # citi.o" !ue tiene un +r n im#ort nci en el funcion miento din$mico de los diodos.

7.2 Unin fuera del equilibrio (polarizada).

9c ) mos de .er !ue el e!uili)rio de l uni1n se #roduce #or l i+u l ci1n de l intensid d de corriente de difusi1n y l intensid d de corriente de)id l rr stre &ID 5 - IA'. Si #lic mos un d.d.#. exterior l uni1n" su efecto #rim rio ser$ l1+ic mente rom#er el e!uili)rio f .or de uno de los dos mec nismos descritos. /or lo t nto" % )r$ dos form s de #ol ri6 r l uni1n" se+,n se f .ore6c uno u otro mec nismo. 7.2.1 /ol ri6 ci1n direct . > mos su#oner !ue #lic mos #or medio de un fuente de ener+( el3ctric un d.d.#. extern de . lor > .oltios" de m ner !ue el #olo #ositi.o de l fuente est3 m$s cerc del )lo!ue / y el #olo ne+ ti.o" m$s cerc del )lo!ue - &fi+ur 8.9'.

Figura 8.# 2 d.d.#. exterior" >" #lic d se sum r$ l #otenci l de cont cto" !"" y el result do es !ue el #otenci l tot l en l uni1n ser$: !T $ !"-!" consider ndo !ue ! 0 0. /or lo t nto el mec nismo de rr stre ser$ menor l ser !T :!" &8i+ur 8.10'. =omo el mec nismo de difusi1n es inde#endiente de l d.d.#. en l uni1n" en este c so el e!uili)rio se rom#e f .or de l difusi1n y tendremos un intensid d de corriente net no nul " ;" en el sentido del )lo!ue / ---0 -. 2 #ol ri6 ci1n direct f .orece #or lo t nto el # so de #ort dores m yorit rios de c d )lo!ue % ci el otro &%uecos de /---0 - y electrones de ----0 /. =u nto m yor se !" m$s se f .orece este # so de #ort dores m yorit rios y como estos son muy )und ntes" c )e es#er r

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!ue l intensid d tr .3s de l uni1n" ;" se creciente con ! y !ue #ued ele. dos.

lc n6 r . lores muy

2os electrones de - # s n /" #or lo !ue de)en ser re#uestos #or el circuito exterior unido l #olo ne+ ti.o de l fuente" lo !ue es co%erente con el %ec%o de !ue l corriente ; circule del #olo #ositi.o" tr .3s de l uni1n" % ci el #olo ne+ ti.o. 2os electrones #ro.enientes de - se encuentr n en / con )und nci de %uecos" #or lo !ue l #ro) )ilid d de !ue se recom)inen # res electr1n-%ueco ser$ muy ele. d . 9s( #ues" en / . n des # reciendo %uecos" #or !ue # s n - y?o #or !ue se recom)in n con electrones #ro.enientes de -. *l circuito exterior unido l #olo #ositi.o se enc r+ de re#oner %uecos c #tur ndo electrones de . lenci del )lo!ue /" lo !ue t m)i3n es co%erente con l intensid d circul nte ;.

=omo .emos en l fi+ur 8.10" l ) rrer de #otenci l% !T, disminuye respecto a V0, al igual

que el campo elctrico en la unin, E y la anchura de la zona de deplecin. Tambin disminuye respecto al equilibrio la capacidad de la unin. 7.2.2 Polarizacin inversa. Al contrario que lo supuesto anteriormente, aplicamos, por medio de una fuente de energa elctrica, una d.d.p. externa de valor V voltios, de manera que el polo positivo de la fuente est ms cerca del bloque N y el polo negativo, ms cerca del bloque P (figura 8.11).

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Figura 8.11
Ahora tenemos que VT = V0+V, siendo V >0 y por lo tanto, al ser VT >V0, (Figura 8.12) se

ve favorecido el mecanismo de arrastre frente al de difusin, lo que implica que tendremos una intensidad de corriente neta no nula, I, en el sentido del bloque N ---> P. La polarizacin inversa favorece por lo tanto el paso de portadores minoritarios de cada bloque hacia el otro (huecos de N---> P y electrones de P---> N. Cuanto mayor sea V, ms se favorece este paso de portadores minoritarios y como estos son muy escasos, cabe esperar que la intensidad a travs de la unin, I, se sature rpidamente con V creciente, sin llegar a alcanzar valores elevados. El valor de esta corriente, poco dependiente de la tensin, V, aplicada y fuertemente dependiente de la temperatura, tiene un valor muy pequeo (del orden de los A) y se denomina corriente de saturacin. La designaremos como IS.

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Como vemos en la figura 8.12, la barrera de potencial, VT, aumenta respecto a V0, al igual que el campo elctrico en la unin, E y la anchura de la zona de deplecin. Tambin aumenta respecto al equilibrio la capacidad de la unin. 8. EL DIODO DE UNIN. El dispositivo de estado slido ms simple es en realidad la unin NP tal como ha sido descrita de forma simplificada en el 7 y que se denomina tecnolgicamente diodo de unin. El comportamiento simplificado corresponde de este diodo idealizado responde a la siguiente expresin:

denominada ecuacin de Schockley. La representacin grfica la vemos en la figura 8.14(a). En ella observamos que en polarizacin directa el dispositivo se comporta como una resistencia pequea (casi como un cortocircuito), mientras que en polarizacin inversa el dispositivo es como una resistencia muy elevada (casi un circuito abierto).

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a) pol. directa Figura 8.13

b) pol. inversa

En las figuras 8.14 (b) y 8.15 (a) y (b), vemos otras aproximaciones del diodo, vlidas cada una de ellas en diferentes circunstancias. El hecho de que en todo caso el diodo presente dos estados tan netamente diferenciados hace que el diodo pueda servir para representar fsicamente los 2 valores de una variable binaria; por ejemplo, el estado de polarizacin directa, que en los circuitos digitales se suele denominar ON, podra representar el valor 1 de una variable booleana, mientras el estado de polarizacin inversa, o estado OFF, podra representar el valor 0 de la misma variable. As pues, se pueden disear circuitos digitales usando diodos de unin; sin embargo, por tratarse de elementos pasivos, su utilidad en este campo es limitada.

(a)
Figura 8.14

(b)

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(a)
Figura 8.15 8.1 Limitaciones de los diodos reales.

(b)

Tanto en sentido directo como en sentido inverso, en el diodo se produce una disipacin de energa calorfica, que eleva la temperatura de la unin por encima de la temperatura ambiente. A su vez hay una cesin de calor desde el diodo al ambiente. La temperatura alcanzada por la unin se puede cuantificar de forma aproximada por una expresin como esta:

donde Ta es la temperatura ambiente, I la intensidad que circula por el diodo, V la d.d.p. entre los extremos del diodo y es la llamada resistencia trmica del diodo. Esta depender de las facilidades del circuito para refrigerarse: cuanto menor sea , ms potencia podr disipar el diodo sin calentarse peligrosamente. Por lo tanto en polarizacin directa habr una intensidad Imax, que no deber sobrepasarse para no alcanzar una temperatura excesiva (175 a 200 C). En sentido inverso, la intensidad es muy pequea (Is), pero crece con la temperatura y si se sobrepasa un cierto valor de d.d.p. Vmax, puede producirse un efecto de inestabilidad trmica realimentado que acabe quemando el diodo. Estos efectos y otros que veremos a continuacin no estn descritos por ninguno de los modelos simplificados que hemos visto anteriormente. En polarizacin inversa puede presentarse el llamado efecto avalancha: si la tensin inversa aplicada alcanza un determinado valor, el campo elctrico puede acelerar los pocos electrones libres de la zona de deplecin, que, a su vez, pueden

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arrancar por colisin electrones de valencia. Estos son a su vez acelerados alcanzando gran velocidad y siendo capaces de colisionar y arrancar nuevos electrones. Por lo tanto se llega a producir una avalancha de corriente inversa, que en los diodos ordinarios producira probablemente una excesiva elevacin de la temperatura y su avera. 8.2 Tipos de diodos. Adems del diodo ordinario, que respondera tendra un comportamiento descrito aproximadamente por uno de los modelos de las figuras 8.14 y 8.15, determinadas variantes de diodos de unin presentan en algunas circunstancias comportamientos singulares, que pueden aprovecharse en ciertas aplicaciones electrnicas. As tenemos una amplia gama de diodos: diodos ordinarios fotodiodos PIN y APD de avalancha diodos Zenner diodos tunel diodos emisores de luz LED diodos o clulas fotovolticas - Diodos ordinarios: se aprovecha su comportamiento de casi cortocircuito en sentido directo y casi circuito abierto en inverso. Son tiles por lo tanto, entre otros, en circuitos rectificadores (conversores de c.a. en c.c.), en circuitos digitales (matrices de diodos). - Fotodiodos PIN y APD de avalancha: son diodos que trabajan en polarizacin inversa. A travs de fibra ptica pueden recibir impulsos luminosos, de forma que, antes de recibir tal impulso, el nmero de electrones libres en la zona de deplecin no es suficiente para desencadenar la avalancha (el fotodiodo no conduce). Al llegar el impulso luminosos, los fotones liberan electrones y se desencadena la avalancha (el fotodiodo conduce). Naturalmente, estos diodos estn diseados para soportar sin dao la avalancha. - Diodos Zenner: son diodos que trabajan tambin con polarizacin inversa. Esta produce en parte un efecto de avalancha, pero adems hay un paso de portadores por efecto tnel.

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Este efecto, de manera algo simplista, consiste en lo siguiente: supongamos que una partcula cargada se mueve hacia una regin en la que hay una barrera de potencial de altura V. La energa cintica inicial de la carga es Ec; cuando entra en la barrera de potencial parte de su energa cintica (1/2 mv2) se va transformando en energa potencial, lo que implica, segn la Fsica Clsica, que la energa cintica, o lo que es lo mismo, la velocidad disminuye. Si qV>Ec , la partcula llegar a pararse, es decir, no podr atravesar la regin. El razonamiento anterior es correcto segn la Fsica Newtoniana y la conclusin es que no hay efecto tunel. La Mecnica Cuntica explica el fenmeno de forma totalmente distinta: la partcula es considerada no como un corpsculo localizado, sino como una onda (funcin de onda), cuya amplitud representara una probabilidad de localizacin. Cuando la partcula-onda alcanza la barrera de potencial en parte se refleja, (probabilidad de que la partcula no pase la barrera), y en parte se refracta, (probabilidad de que la partcula atraviese la barrera). Es decir, hay una probabilidad no nula de que la partcula pase a travs de la barrera (como por un tnel), es decir hay efecto tnel. En este caso la experiencia dara la razn a la M. Cuntica.

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El diodo zenner presenta una caracterstica I --> V como la que vemos en la figura 8.16. Vemos que trabajando en la zona zenner, el diodo mantiene una tensin fija, Vz, con independencia de la corriente que circule, o sea, es un estabilizador de tensin. Sus numerosas aplicaciones en los circuitos se basan en esta propiedad. - Diodos tnel: Si los diodos zenner aprovechan el efecto tnel con polarizacin inversa, los diodos tnel se basan en el mismo efecto, pero trabajando con polarizacin directa. Sin embargo, para que se manifieste el efecto tnel se fabrican de forma que

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los bloques N y P estn mucho ms dopados que en los diodos ordinarios. El resultado es un comportamiento muy diferente al de los diodos ordinarios (Figura 8.17). Lo ms curioso es la zona de resistencia incremental negativa, es decir una regin en la que un incremento positivo de la tensin V se traduce en un incremento negativo de la intensidad I. Las aplicaciones de los diodos tnel aprovechan precisamente esta zona.

- Diodos emisores de luz LED: son diodos fabricados con un semiconductor

compuesto. Su cpsula es transparente para dejar pasar la luz (fotones) emitida cuando se recombinan en la zona de deplecin huecos y electrones en trnsito. La intensidad de la luz emitida puede modularse variando la tensin directa aplicada. El color de la luz depende del semiconductor; as: &e'i()*du(t)r
A,-a P-a A,P-a

+)l)r
i*.rarr)/) 0erde di.ere*te, ,eg1* 2r)2)r(i3* de A, 4 P

Se utilizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays) alfanumricos. La tecnologa de los LED se est desarrollando continuamente. Se fabrican ya LED de luz blanca (mezcla de los colores fundamentales rojo, verde y azul) y de intensidad luminosa elevada a precios competitivos, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de incandescencia y fluorescente en iluminacin urbana y domstica y otras aplicaciones. Por ejemplo, estn utilizndose cada vez ms en pilotos e intermitentes de coches, semforos y, por supuesto paneles murales de publicidad o informacin. El rendimiento (intensidad luminosa/watio) es mucho mayor, por lo que el consumo energtico es mucho menor que en los sistemas tradicionales.

(a)

(b)

(c) Figura 8.18

(d)

(e)

Los smbolos de los diodos nombrados son los que vemos en la Figura 8.18): (a) diodo ordinario; (b) diodo zenner; (c) diodo tnel; (d) fotodiodo; (e) LED.

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9. EL TRANSISTOR DE UNIN. Como dijimos al comienzo del captulo, combinando 2 uniones N-P se consigue un dispositivo con prestaciones mucho ms interesantes todava que las de los diodos vistos anteriormente. El 17 de diciembre de 1947 puede considerarse la fecha en que John Bardeen y Walter Brattain culminan los trabajos que conducen a la invencin del transistor de unin. El transistor consiste en 3 bloques de semiconductor dopados N-PN P-N-P. El primer transistor era de Ge y tipo P-N-P. Actualmente el semiconductor utilizado es prcticamente siempre Si y son mucho ms abundantes los tipos N-P-N que los P-N-P. En las figuras 8.19 y 8.20 vemos la estructura esquemtica respectiva de los 2 tipos de transistores mencionados. La geometra real de un transistor de los que forman parte de un chip no se parece mucho a ese esquema, que nicamente nos va a servir para explicar su funcionamiento de forma sencilla.

a) esquema

b) smbolo circuito Figura 8.19

a) esquema Figura 8.20 9.1 Polarizacin del transistor.

b) smbolo circuito

Una forma habitual de polarizar un transistor N-P-N es la que vemos en la figura (8.21), que es una estructura que se conoce como emisor-comn. Cuando la entrada es

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baja (0 voltios respecto de tierra), por el colector no pasa corriente y por lo tanto la salida es alta. Cuando la entrada es alta, circula una corriente elevada por la resistencia de colector y por lo tanto la salida es baja. Es decir, el transistor se comporta como una puerta NO. Igualmente, una forma habitual de polarizar un transistor P-N-P es la que vemos en la figura (8.22), que es una estructura que se conoce como emisor-comn. Cuando la entrada es alta (0 voltios respecto de tierra), por el colector no pasa corriente y por lo tanto la salida es baja. Cuando la entrada es baja, circula una corriente elevada por la resistencia de colector y por lo tanto la salida es alta.

Figura 8.21

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Figura 8.22 10. EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET). La intensidad de corriente a la entrada de una puerta formada por un transistor NPN como el de las figuras anteriores es bastante alta (impedancia de entrada baja), lo que implica que la salida de una puerta no pueda conectarse a muchas puertas de tipo NPN. Para que una salida de una puerta pueda llevarse a muchas entradas de otras tantas puertas, sera conveniente de estas entradas precisaran muy poca corriente de entrada (impedancia de entrada muy alta) y esto se consigue con otros dispositivos denominados transistores de efecto de campo. El primer FET fue el JFET o transistor de efecto de campo de unin. 10.1 El transistor JFET. Su estructura corresponde al esquema de la fig. 8.23, (canal N). En la misma figura vemos su polarizacin y su smbolo en los circuitos.

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Figura 8.23 Tal como vemos en la figura 8.23, la tensin VGS polariza la unin puerta-canal en sentido inverso, por lo que la zona de deplecin se adentrar en el canal estrechndolo. Adems, al estar polarizada en sentido inverso la unin G-S, se comprende que la intensidad de corriente de puerta, IG, sea muy pequea, como se pretenda. Variando el valor de la tensin de entrada, VGS, modulamos la anchura del canal y por lo tanto la intensidad de sumidero, ID, y la tensin de salida, VDS. Cuanto mayor sea el mdulo de VGS, menor ser el valor de IDD , y para un valor de VGS suficientemente grande en mdulo (pero negativo), la intensidad IDD se har cero. Se puede fabricar un JFET con canal tipo P, que funcionara de forma anloga, pero con todas las polarizaciones invertidas y con todas las intensidades con sentidos opuestos a los que vemos en el caso descrito.

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Caractersticas de salida de un JFET canal N 10.2 *l tr nsistor @AS8*B de em#o)recimiento. Su estructura est representada esquemticamente en la fig. 8.24-a y 8.24-b en la que vemos igualmente el smbolo en los circuitos y la forma de polarizar el dispositivo. Entre el terminal metlico de la puerta, G, y el canal N hay una capa aislante de xido de silicio (MOS), lo que hace que la corriente de puerta, IG, sea nula (impedancia de entrada ~ ).

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Figura 8.24-a. Estructura y polarizacin del MOS empobrecimiento canal P

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Figura 8.24-b. Estructura y polarizacin del MOS empobrecimiento canal N Habitualmente se fabrican con el sustrato conectado internamente a la fuente, por lo que el dispositivo se presenta como un triterminal. Variando el valor de la tensin de entrada, VGS, modulamos la anchura del canal y por lo tanto la intensidad de sumidero, ID, y la tensin de salida, VDS .Tal como vemos en la Fig. 8.25, para un valor fijo de VDS, cuanto ms positiva sea la tensin VGS, mayor ser la intensidad ID circulando desde el sumidero a la fuente (S) al sumidero (D), y de la misma manera, cuanto ms negativa sea VGS, menor ser el valor de ID. Esta intensidad es transportada por los electrones mayoritarios en el Si, tipo N, del canal y es positiva (por ser entrante al transistor por D). La tensin VGS, puede ser negativa si cambiamos la polarizacin VGG. Para un valor de VGS suficientemente grande en mdulo (pero negativo), la intensidad ID se har cero. Las caractersticas de salida del MOSFET de empobrecimiento son por lo tanto similares a las del JFET, salvo que en aquel siempre tenamos que VGS era siempre del mismo signo (Figura 8.25).

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Figura 8.25 Como vemos, se fabrican 2 tipos de MOSFET de empobrecimientocon complementarios, que funcionaran de forma anloga, pero con todas las polarizaciones invertidas y con las intensidades con sentidos opuestos. 10.3 *l tr nsistor @AS8*B de enri!uecimiento. *l m$s im#ort nte de los dis#ositi.os #or l +ener lid d de su utili6 ci1n en los circuitos di+it les y so)re todo en los orden dores es el @AS8*B de enri!uecimiento. Su estructura est representada esquemticamente en la fig. 8.26 en la que vemos igualmente el smbolo en los circuitos y la forma de polarizar el dispositivo. Entre el terminal metlico de la puerta, G, y el canal N hay, como en el MOSFET de empobrecimiento, una capa aislante de xido de silicio (MOS), por lo que la corriente de puerta, IG, tambin es nula (impedancia de entrada ~ ).

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Figura 8.26-a. Estructura del MOS enriquecimiento canal N

Figura 8.26-b. Estructura del MOS enriquecimiento canal P

E5E6+I+I7& +AP8T9:7 8

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EF1. = lcule l densid d de $tomos ce#t ntes !ue de)eremos C dir un crist l de silicio intr(nseco # r con.ertirlo en ti#o P con un resisti.id d de 1" ('. = lcule !u3 #ro#orci1n so)re el n,mero de $tomos tot l su#onen l s im#ure6 s. EF2. = lcule l resistenci de un )lo!ue de silicio de lon+itud l 51 mm y de di$metro D 50.1 mm de silicio intr(nseco 20D =. 2o mismo si C dimos im#ure6 s de / en #ro#orci1n 1?106. &Etilice como d tos l resisti.id d del Si" l s mo.ilid des de electrones y %uecos. = lcule t m)i3n el n,mero de # res electr1n-%ueco existentes en el S= intr(nseco. EF;. =om# re el n,mero de # res electr1n-%ueco #or cm3 con el n,mero de $tomos de Si #or cm3 en un crist l de Si intr(nseco tem#er tur m)iente. 55555555555555555555555555555555555555555 EF<. En uni1n --/ de Ge con N 5 1022 m-3 y N 5 3 x 1024 m-3" &300 <' 5 43 cm # r el semiconductor intr(nseco. = lcul r:
d a

- l densid d de #ort dores minirit rios en c d )lo!ue ) - l d.d.#. de cont cto" > c-l
0

nc%ur de l 6on de de#leci1n & nc%ur de c d semi6on '. 55555555555555555555555555555555555555555

EF=. *n el circuito de l fi+ur " selecione con7untos de tod s l s . ri )les # r !ue el tr nsistor est3: a - *n 7N &s tur ci1n'F b- *n 7FF &corte'F ( - en l regi3* a(ti0a.

55555555555555555555555555555555555555555 EF6. = lcule l s intensid des !ue fi+ur n indic d s en c d un de l s fi+ur s &de l s ;1 e ;2 de l ,ltim % + un re#resent ci1n +r$fic cu lit ti. '. 2 s resistenci s en o%mios. 55555555555555555555555555555555555555555

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1- *l n,mero de #rotones de un $tomo de Si es: a- 2 b- 8 (- 14 d- 4 2- *l n,mero de electrones en l ,ltim c # de un $tomo de Si es: a- 2 b- 8 (- 14 d- 4 ;- *l n,mero cu$ntico * de los $tomos de . lenci de un $tomo de Si es: a- 0 b- 3 (- 1?4 d- 2 <- En S= intr(nseco: a- -o tiene im#ure6 s b- -o tiene #ort dores m yorit rios (- -o tiene #ort dores d- -o tiene ) nd #ro%i)id =- 2 +ener ci1n de # res electr1n-%ueco: a- =rece cu ndo el S= se enfr( b- Ge#ende del ti#o de im#ure6 s #redomin ntes (- 9ument cu ndo el S= se c lient

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d- S1lo se #roduce en los S= intr(nsecos 6- 2 recom)in ci1n de # res: a- =rece cu ndo el S= se enfr( b- *s #ro#orcion l l #roducto n.# (- *s #ro#orcion l l nD t1mico del S= d- =rece cu ndo el S= se c lient 7- Si un S= ti#o -: a- *l -8 est$ en l H> b- *l el -8 est$ en l H/ y #r1ximo l H= (- *l el -8 est$ en l H= y #r1ximo l H/ d- *l el -8 est$ en l H> E/er(i(i) te3ri() 1> *x#li!ue cu lit ti. mente l ley de cci1n de m s s # r m teri les semiconductores. E/er(i(i) te3ri() 2> *x#li!ue cu lit ti. mente !u3 ir( ocurriendo medid !ue un S= ti#o - . tom ndo m$s tem#er tur .