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Circuito Astable - Diseño
Circuito Astable - Diseño
ELECTRONICA I (A-504)
2004
Circuito Astable
Ing. Mara Isabel Schiavon, Ing. Ral Lisandro Martn
El circuito astable genera en su salida una onda cuadrada de frecuencia fija dependiente de los elementos del circuito. Bsicamente consta de dos transistores que, desde el momento en que se conecta la alimentacin del mismo, alternan su conduccin en el tiempo pasando de un estado de conduccin no estable o semiestable al estado de corte: El circuito dispone de dos salidas desfasadas 180, una en el colector de cada transistor.
El circuito se disea con R1<<R3 y R2<<R4 a fin de que la tensin de colector del transistor cortado alcance el valor mximo (VCC) en un tiempo despreciable frente a la duracin de la conduccin del otro transistor. . Si esta condicin se cumple las ondas en las salidas resultan ms cuadradas y el capacitor que est conectado al colector del transistor cortado se carga en este semiperodo con una constante de tiempo muy chica comparada con el tiempo de corte del transistor (alcanza el valor final rpidamente). Para realizar el anlisis del funcionamiento del circuito se parte de la hiptesis de que el tiempo de conmutacin de los transistores es mucho menor que el tiempo que tardan los capacitores en cargarse, y de que ya se extingui el transitorio inicial que se produce al conectar la alimentacin. En estas condiciones, suponiendo que el circuito se encuentra en uno de los estados semiestables, por ejemplo con Q1 conduciendo y Q2 cortado, los capacitores C1 y C2 se cargan a travs de R3 y R2 respectivamente en el sentido indicado en la figura 2.
VCC R1 C1 R3 C2 R4 R2
Q1
Q2
La carga de cada capacitor queda determinada por los valores iniciales y finales de tensin y. por la constante de tiempo (ic) que le corresponde, los cuales dependen fuertemente de la zona de conduccin de los transistores. Los transistores pueden conducir saturados o en zona activa, segn se disee el circuito, si bien el criterio ms comn es forzar la saturacin de los mismos, tanto por mayor simplicidad del diseo como para maximizar el cambio de tensin en las salidas. Con Q1 conduciendo en zona de saturacin la constante de tiempo de carga de C1 (1c1) resulta:
1c1 = R 3 C 1
Mientras que la correspondiente a C2
A medida que se carga C1, la tensin en la base de Q2 aumenta hasta que al cabo de un tiempo t1 llega a polarizar directamente su juntura base emisor (VBE2 = V ). En ese momento Q2 entra en conduccin, su tensin de colector disminuye y provoca la disminucin de la tensin de base de Q1 llevndolo hacia el corte y la carga del capacitor C2 polariza inversamente la juntura base emisor de Q1 reforzando el corte y la tensin de colector de Q1 aumenta favoreciendo la conduccin de Q2 En la figura 3 se muestra el estado en que se encuentra el circuito un instante de tiempo antes de la conmutacin (t1-). V es la tensin de arranque de la juntura base emisor (V=VBeon), mientras que en la figura 4 se muestra el estado del circuito un instante despus de la conmutacin, t1+.
VCC
VCC
R1 IR1 Q1 C1
R3
IR3
IR4
R4 C2
R2
IR1
R1 R 3 C1 VC1(t1-)
IR3
R4 rX VB2 VBEsat C2
R2
- + VC1(t-) VBE
- + VC2(t-) IR2 V
VC2(t1-)
VBEon
VCEsat
FIGURA 4: CIRCUITO EN t1
En estas condiciones los capacitores comienzan a cargarse en sentido contrario con la constante de tiempo que corresponde (1d2, 2d2 ) segn el circuito que se muestra en la figura 4), hasta que en el instante t2 la tensin de la base de Q1 alcanza el valor necesario para polarizar directamente su juntura base emisor y provocar la conduccin de Q1, y el consecuente corte de Q2. El proceso se repite peridicamente con una frecuencia que queda determinada por los elementos del circuito. Anlisis de cada estado semiestable. Q1 conduce, Q2 cortado. Se considera positivo el sentido de carga para los capacitores que corresponde a la conduccin de Q1. Al cabo de un tiempo t1, la tensin en C1 alcanz el valor necesario para que la juntura de base emisor de Q2 se polarice directamente, en consecuencia:
VC1 ( t1 ) = V VCEsat
INGENIERA ELECTRNICA
ELECTRONICA I (A-504)
2004
Suponiendo que C2 alcanz el valor final en un tiempo mucho menor que t1, la tensin en bornes de C2 resulta:
VC 2 ( t 1 ) = VCC V BEsat
si
I R 2( t ) = 0 1
Las corrientes por las resistencias un instante antes de que Q2 conduzca (T1-) pueden calcularse por:
V BEsat V I R4 = I BQ 1 = CC R4
La corriente de base de Q1 resulta:
I R3 =
VCC V R3
VCEsat V I R1 = CC R1
V BEsat V I B1 = I R4 = CC R4
La corriente de colector de Q1 es suma de la corriente que circula a travs de R1 y de la corriente que circula por R3 que es la de carga de C1. Si se tiene en cuenta que R3 >> R1, el aporte de la corriente por R3 es despreciable.
= v C1
+) ( t1
= V V CEsat
C2 ( t1 )
= vC2
+ ) ( t1
= V CC V BEsat
En t1 :
VCC =
I R1 R1 V + VCE sat R3
VCC R1 R3 C1 V -VCEsat VB2 IR3
(R 3 + r x ) + I R1 r x + V BE sat
IR1
R4 rX VBE(ON)
C2
R2 VCEsat
FIGURA 4: CIRCUITO EN t1
I R1 =
VCC VBEsat +
vC
1( t 1 )
= VC 1
+ ( VC1i VC1 f )e
= V VCEsat
1 = R3 C 1
El valor inicial VC1i es el valor que alcanza la tensin en C1 al finalizar el otro estado semiestable (conduccin de Q2), si se considera que durante ese estado C1 alcanz su valor final:
R4
-+
Q1
VC 1 f = v C 1
final
= VCC VCEsat
+ VBEsat -
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vC
resultando:
1 ( t1 )
T1 R3C1
= V VCEsat
T 2 2
si V cc 5V T1 0 ,7 R 3 C 1
v C2
( t2 )
= VC 2 f + ( VC 2i VC 2 f )e
= V VCEsat
2 = R4 C 2
VC 2 i = VCC + V BEsat
2VCC V BEsat VCEsat T2 = R4 C 2 ln VCC V
El circuito oscila con una frecuencia, f:
VC 2 f = VCC VCEsat
si V cc 5V T2 0 ,7 R4 C 2
f =
1 1 = T T1 + T2
1
VCC
2 vC1 VCC
VCEsat+VBEsat-VCC
T1
T2 1
VCEsat 1
2 2
VCEsat
vB2
VCEsat
Q1 cort, Q2 sat
En la figura 6 se muestran las grficas de las tensiones en los colectores y en las bases de los transistores en funcin del tiempo. En el caso en que el circuito se disee con los transistores conduciendo en zona activa, aparecen diferencias en cuanto a formas de onda y ecuaciones que surgen de utilizar el modelo que corresponde al transistor conduciendo en zona activa. Determinacin de los picos de tensin que se producen en el instante de la conmutacin. En la base del transistor que inicia la conduccin en el momento de la conmutacin, se produce un pico de tensin en el primer instante que se extingue rpidamente. Estos saltos aparecen tambin en el colector del transistor que entra al corte. Para calcular su valor es necesario considerar la resistencia de dispersin de base (rx). El salto de tensin (2) que se produce en la base del transistor Q2 en el instante (t1+), puede determinarse como la diferencia entre el valor que tiene la tensin de base antes y despus de la conmutacin
2 = V B2 + V B2 (t ) ( t2 )
V B2
VCC VB
+) 2( t2
+) ( t2
= I R1 + I R3 r x + V BE on
r + x V BE on V BEsat V BE on R1 R* B r 1+ x R* B
rx
donde
R* B = R1 //R 3
= VB 2 (t 2 + VB 2 ) (t 2 )
rx
En la base de Q1 (y en el colector de Q2) se produce un pico de tensin similar (1)en el instante t2. Planteando las condiciones que corresponden al inicio de la conduccin de Q1 resulta:
(VCC V BE on ) ( R2 // R4 ) (VCEsat V BE on ) R2
1 + rx ( R2 // R4 )
rx