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2- Unidades y definiciones
El Sistema Internacional de Unidades (SI) ha establecido el watt (W) como la unidad de potencia donde se establece: 1 W = 1 Joule/seg Existen otras unidades elctricas que son derivadas del watt. Por ejemplo 1 Volt est definido como 1 W / ampere. Para las distintas mediciones de potencia se emplean prefijos estndares como ser: kilowatt: miliwatt: microwatt: nanowatt: picowatt: 1 kW = 103 W 1 mW = 10-3 W 1 W= 10-6 W 1 nW = 10-9 W 1 pW = 10-12 W
Medidas Electrnicas 2
El empleo del dB tiene dos ventajas: El rango de valores usado es mas compacto. Por ejemplo, hablar de +63 dB o -153 dB es mas conciso que hablar de 2.106 o 0,5.10-15. Cuando es necesario encontrar la ganancia de numerosas etapas en cascada, en vez de multiplicar cada ganancia, simplemente se las suma en dB.
Potencia media
Seal de RF CW
Potencia de pulso
Seal de RF pulsada
La potencia media es la ms conocida y especificada en la mayora de los sistemas de RF y microondas. La potencia de pulso y potencia de pico de envolvente son ms utilizadas en radares y sistemas de navegacin. En teora de circuitos la potencia se define como el producto de tensin por corriente. Pero para seales de CA este producto vara durante el ciclo como se ve en la figura.
Medidas Electrnicas 2
Se ve en la figura que la potencia generada tendr una frecuencia del doble que la tensin y corriente pero adems tiene un componente de DC. Por lo tanto el trmino potencia en nuestro caso se refiere a esta componente de DC. Todos lo mtodos empleados para medir potencia utilizan sensores que, promediando, seleccionan la componente de DC de la potencia medida a lo largo de muchos perodos. Matemticamente se calcula este valor integrando la curva y dividindola por la longitud del tiempo de integracin. Este tiempo debe ser un nmero exacto de perodos de seal.
donde: To: perodo de la seal ep: valor pico de tensin ip: valor pico de corriente : ngulo de fase entre tensin y corriente El resultado de esta integracin es:
= erms . irms . cos
Si el tiempo de integracin abarca muchos perodos de seal, tomar un valor entero o no de perodos no produce un error considerable en el clculo. Este concepto es la base de la medicin de potencia.
Medidas Electrnicas 2
Medidas Electrnicas 2
Por definicin la potencia de pulso promedia cualquier aberracin en el pulso como ser sobreimpulsos o ringing. Por este motivo, se la llama potencia de pulso y no potencia pico o potencia de pico de pulso. La definicin de potencia de pulso para pulsos rectangulares se puede simplificar en:
De este modo se puede calcular este valor midiendo la potencia media y conociendo el ciclo de actividad.
Potencia de Pulso rectangular segn el ciclo de actividad Potencia Pico de Envolvente Potencia de Pulso rectangular segn el promedio Potencia instantnea en t=t1
50 %
Cuando el pulso no es rectangular o cuando las aberraciones impiden determinar con cierta exactitud el ancho del pulso , no es ms prctico el empleo de potencia de pulso y se la reemplaza por la potencia de pico de envolvente. En la figura se muestra un pulso de forma gaussiana donde se observa que las dos variantes de Pp no se adecuan en este caso. La potencia pico de envolvente es un trmino que describe la mxima potencia.
Medidas Electrnicas 2
La potencia de envolvente se mide tomando el tiempo de promedio mucho menor que 1/fm donde fm es la componente de frecuencia ms alta de la seal de modulacin. Entonces Ppe es la mxima potencia de las potencias de envolvente (de todas las medias de todos los ciclos de RF del pulso).
P( t )
t Tp
1 Pmedport = v i dt Tp 0
Tp
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6- Wattmetros por absorcin para la medicin de potencia media 6.1- Sensor de potencia con termistor: mtodo bolomtrico
Bolmetros son sensores de potencia que operan cambiando su resistencia debido a un cambio en la temperatura. Este cambio en la temperatura resulta de convertir energa de RF en calor dentro del elemento bolomtrico. Existen dos tipos de bolmetros: Barretters Termistores Un barretter es una pieza muy fina y corta de alambre (generalmente de Wollastron de 1 m de dimetro) que tiene un coeficiente de temperatura positivo. Como estos trabajan cerca de su punto limite no toleran transitorios o sobrecargas. Esto provoc que fueran desplazados por los termistores. Un termistor es un resistor con un coeficiente trmico negativo. Tiene un tiempo de respuesta superior al barretter (100 ms contra 100 s) pero es mucho mas robusto. En este caso las caractersticas resistencia / potencia se observa en el siguiente grfico:
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En este caso el desbalance era sensado por un amplificador que formaba un lazo de realimentacin con el puente y compensaba automticamente las variaciones del termistor variando la corriente de bias en el puente. Adems esta variacin de potencia se la poda medir en un indicador. Este modelo fue empleado en el HP 430C alcanzando un rango dinmico de 25 dB.
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El mayor inconveniente era que la resistencia del termistor tambin variaba con la temperatura ambiente. Tocando simplemente al montaje se produca un cambio en su resistencia provocando una lectura falsa de potencia en el indicador. Esto se solucion posteriormente con el agregado de un puente de compensacin idntico al anterior en el mismo montaje el cual solamente variaba con la temperatura. La primera generacin de medidores de potencia con montajes de termistores compensados tuvo como ejemplo al HP 431C ya con componentes de estado slido. En este caso se manejaba una corriente de bias de 10 kHz en el balance de ambos puentes. Esto introdujo ciertas mejoras en la medicin: 10 dB mas sensible (aumento del rango dinmico) Disminucin del error del instrumental del 5% al 1%. Sin embargo exista el problema de que la seal de 10 kHz no era completamente bloqueada hacia el circuito de RF por lo tanto modificaba ciertas condiciones de operacin del generador. Adems, apareca el efecto termoelctrico dentro de los puentes el cual supuestamente se cancelara a lo largo de las mediciones. En la practica no se cancela del todo, provocando un error del orden de 0,3 W.
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VRFo: VRF sin potencia de RF Si posterior al ajuste en cero se produce algn cambio en la temperatura ambiente, se producir la misma variacin de tensin en ambos puentes para rebalancearlos. Si se aplica RF al termistor de deteccin, VRF disminuye de la forma: PRF = VRFo2 - VRF2 4R donde: PRF: potencia de RF aplicada R: valor de la resistencia del termistor en balance pero como: entonces: PRF = 1 (VC2 - VRF2) = 1 (VC - VRF) . (VC + VRF) 4R 4R VRFo = VC 4R
Entonces el indicador de potencia deber responder a la ecuacin anterior, es decir ser proporcional a la suma y a la diferencia de VRF y VC. La seal VC - VRF se obtiene tomando las dos tensiones de los puentes y aplicndolas a un circuito de chopeo. Este circuito est manejado por un multivibrador de 5 kHz, obtenindose a su salida una seal cuadrada cuya amplitud pico a pico es proporcional a VC - VRF . La seal VC + VRF se obtiene tomando las dos tensiones de los puentes y aplicndolas a un circuito sumador y luego a un conversor tensin - tiempo igualmente manejado por un multivibrador de 5 kHz. A la salida se obtiene una seal pulsante con un ancho proporcional a VC + VRF . Esta seal se aplica como control de una llave electrnica por la cual circula la otra seal. De esta manera se obtiene una seal rectangular: Su amplitud es proporcional a VC - VRF . Su ancho de pulso es proporcional a VC + VRF Finalmente el indicador es un miliampermetro que responde al valor medio de la corriente, la cual ser:
Im ed = 1 1 1 i (t ) dt = A = K (Vc VRF ) (Vc + VRF ) T T T
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Diagrama simplificado del HP 432A Prof: Ing. Alejandro Henze UTN R5052 11
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El error del instrumental es del 1 %. Pero se puede disminuir al 0,2 % si se toman las tensiones VC y VRF del panel posterior del instrumento y se las mide con voltmetros digitales de precisin.
Vista del sensor a termistor compensado Dentro de estos montajes estn alojados cuatro termistores apareados, elctricamente conectados como se ve en la figura siguiente:
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Sobre estos termistores circula una corriente de bias que fija sus resistencias en 100 ohms. En el puente de deteccin el capacitor Cb est para que los dos termistores Rd estn conectados en serie para el puente (200 ohms) y en paralelo para la RF (50 ohms). En el puente de compensacin ocurre lo mismo que en el otro con la salvedad que estos termistores se encuentran dentro de una cavidad para aislarlos de la seal de RF. Adems estn montados en el mismo bloque de conduccin trmica que los termistores de deteccin. La masa de este bloque debe ser suficientemente grande para evitar posibles gradientes de temperatura entre los termistores. En este sistema existe un error llamado Error del Elemento Dual limitado solamente a montajes coaxiles: Debido a que para el puente los termistores estn en serie y para la RF estn en paralelo, si estos no son idnticamente iguales en resistencia, suceder lo siguiente: Circular una mayor corriente de RF por la de menor resistencia. Disipar mayor potencia de DC la de mayor resistencia. Este error es proporcional al nivel de potencia. Para este caso Hewlett Packard garantiza un error < 0,1 % por lo tanto es despreciable.
Modelo 478A 8478B 8478B opc 11 S 486A G 486A J 486A H 486A X 486A M 486A P 486A K 486A R 486A
SWR
1,75
100
1,5
200
El HP 432A es compatible con todos estos montajes, tanto coaxiles como de gua de onda. Debido a la variante en la adopcin de la resistencia del montaje, el instrumento tiene una llave de seleccin de dicha R del montaje entre 100 y 200 ohms.
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Medidas Electrnicas 2
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Para caracterizar este efecto se define el rendimiento efectivo como: e = Ps/Pe Siendo en la practica un valor inferior a 1.
Pi
Pgl
Seal de DC
Elemento
Medidor de potencia
Pr
Sensor de potencia
Por lo tanto el factor de calibracin del sensor es una combinacin del coeficiente de reflexin y la eficiencia efectiva: Kb = e . (1 - l2) = e . Pgl/Pi
Si un sensor tiene un Kb de 0,91 el medidor de potencia indicar un nivel 9 % inferior a la potencia incidente Pi. El HP 432A tiene la posibilidad de corregir este parmetro Kb. Sin embargo, esta correccin no significa la total correccin del efecto del coeficiente de reflexin. Por lo tanto aun existir una cierta incertidumbre por desadaptacin.
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Descripcin:
123456789Llave de encendido Ajuste grueso de cero Selector de rango de potencia Ajuste fino de cero Indicador con escala lineal (mW) y logartmica (dBm) Ajuste del cero mecnico Selector del factor de calibracin Selector de la resistencia del montaje Conector para el montaje bolomtrico
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Descripcin
1234567Fusible Conector de lnea Selector de tensin de lnea Opcin para conector trasero del montaje bolomtrico Salida de VRF Salida de VC Salida para monitor (1 V = indicacin de plena escala)
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Si tenemos una barra de metal larga que es calentada en la parte izquierda. Debido al incremento de la agitacin trmica en dicho extremo, provoca la aparicin de numerosos electrones libres. Este aumento en la densidad de electrones a la izquierda provoca una difusin hacia la derecha. Adems hay una fuerza tendiendo a causar la difusin de los iones positivos hacia el mismo lado pero no se produce ya que estos estn sujetos a la estructura metlica. Cada electrn que migra hacia la derecha deja un ion que trata de atraer al electrn de vuelta hacia la izquierda dado por la ley de Coulomb. La barra de metal llega a un equilibrio cuando la fuerza de difusin hacia la derecha se iguala con la fuerza de Coulomb hacia la izquierda. La fuerza hacia la izquierda se puede representar como un campo elctrico apuntando hacia la derecha. Este campo elctrico a lo largo de la barra ocasiona una tensin llamada fem de Thomson. El mismo principio se aplica a una juntura de distintos metales, donde diferentes densidades de electrones en los dos metales provocan una difusin y una fem. Este fenmeno se lo denomina efecto Peltier.
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Una termocupla esta formada por un lazo o circuito con dos junturas: Juntura caliente la cual est expuesta al calor. Juntura fra Este lazo se abre con la introduccin de algn voltmetro sensible para medir la fem neta. El lazo de la termocupla utiliza las fem de Thomson y Peltier para producir la tensin termoelctrica neta. El efecto total es tambin conocido como fem de Seebeck:
A veces muchos pares de termocuplas se conectan en serie de modo tal que todas las junturas calientes estn expuestas al calor y la junturas fras no. De esta manera se suman los efectos de cada una de ellas formando una termopila.
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de silicio separa al resistor del silicio. En un extremo del resistor, cerca del centro del chip, la capa aislante tiene un agujero por donde se conecta dicho resistor con el silicio (juntura caliente). El otro extremo del resistor y el borde contrario del silicio tienen contactos de oro (juntura fra). Estos contactos sirven adems de conectar elctricamente a los circuitos externos, para fijar el chip al sustrato y servir de camino trmico para conducir el calor fuera del chip. Como el resistor convierte energa de RF en calor, el centro del chip, el cual es muy delgado, se pone mas caliente que sus extremos por dos razones: La forma del resistor causa que la densidad de corriente y el calor generado sea mximo en el centro del chip. Los extremos del chip son gruesos y bien disipados debido a la conduccin trmica de los conectores de oro. Por lo tanto existir un gradiente trmico a travs del chip produciendo una fem termoelctrica. En cada chip las termocuplas estn conectadas segn el siguiente circuito:
Las termocuplas estn conectadas en serie para mejorar la sensibilidad de DC. Para RF estas termocuplas estn en paralelo. Cada resistor en serie con el silicio forma una resistencia total de 100 ohms (similar al caso del bolmetro).
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El chip es vinculado con la lnea de transmisin depositada sobre un sustrato de zafiro como se observa en la siguiente figura:
Se utiliza una lnea de transmisin coplanar para converger al tamao del chip manteniendo la misma impedancia caracterstica para cualquier plano transversal. Esto contribuye a la obtencin de un muy bajo especialmente para microondas.
6.2.4- Sensibilidad
La sensibilidad es igual al producto de dos parmetros de la termocupla: Potencia termoelctrica Resistencia trmica La potencia termoelctrica es la tensin de salida (en V) por C de diferencia de temperatura entre las junturas. En el HP 8481A este valor es de 250 V/C. Esto se controla con la densidad de impurezas de tipo N en el silicio. La resistencia trmica en este caso es de 0,4 C/mW debido al espesor del silicio. Esto produce una sensibilidad de cada termocupla de 100 V/mW. Sin embargo la sensibilidad de las dos termocuplas en serie es de solamente 160 V/mW en vez de 200 V/mW debido a que la juntura de una de las termocuplas es calentada por la resistencia de la otra dando un gradiente de temperatura un poco menor.
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La resistencia trmica limita la mxima temperatura disipada en la juntura caliente (del orden de los 500 C) por lo tanto el HP 8481A est limitado a 300 mW de mxima potencia media. La resistencia trmica combinada con la capacidad trmica forma una constante de tiempo de unos 120 s. Sin embrago la constante de tiempo total del medidor es mucho mayor debido a los dems circuito de medicin.
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El trmino de segundo orden y de ordenes impares son los que producen la rectificacin. Para seales pequeas solamente el trmino de segundo orden es relevante entonces se dice que el diodo opera en su zona cuadrtica. Cuando el nivel de tensin es tan elevado que el trmino de cuarto orden se hace visible, se dice que el diodo sali de dicha zona cuadrtica.
El circuito anterior representa a un detector a diodo sin bias para pequea seal. La potencia transferida al diodo ser mxima cuando su resistencia coincida con la R del generador Rs. La resistencia del diodo es: Ro = 1/(.Is) Siendo Ro fuertemente dependiente de la temperatura. Esto provoca que su sensibilidad y coeficiente de reflexin tambin dependan de la temperatura. Para poder hacerlo menos dependiente se hace Ro mucho mayor que Rs y se termina con una resistencia de 50 ohms. Si Ro se hace muy elevada, existir una pobre conversin de RF a DC pero disminuye la sensibilidad, por lo tanto existir una relacin de compromiso entre dependencia con la temperatura y sensibilidad. En la prctica se adoptan los valores para Is de 10 A y Ro de 2,5 k. El valor de Is se logra construyendo al diodo con materiales adecuados que tengan una barrera de potencial baja a travs de la juntura, como las junturas metal-semiconductor o diodos Schottky (LBSD). Estos son construidos con tcnicas fotometalrgicas para conseguir adems capacidades de juntura lo suficientemente pequeas para trabajar hasta los 18 GHz. Este valor es del orden de 0,1 pF Esto permite al HP 8484A trabajar entre -20 dBm (10 W) y -70 dBm (100 pW) y de 10 MHz a 18 GHz. Esto lo hace unas 3000 veces mas eficiente en la conversin de RF a DC que las termocuplas.
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Esto ltimo se logra agregando cierto circuito externo al diodo para compensar reactancias parsitas.
Nois
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Diagrama en bloques HP 435A con sensor 8481A Prof: Ing. Alejandro Henze UTN R5052 27
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6 1 2 7
Descripcin
123456789Selector del factor de calibracin Ajuste del cero elctrico Ajuste de 1 mW a plena escala Conector para el sensor Indicador de potencia con escala lineal y logartmica Ajuste del cero mecnico Llave de encendido Selector del rango de potencia Salida de la potencia de referencia
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Medidas Electrnicas 2
6.5- Comparacin entre los distintos sensores 6.5.1- Rango de potencia en funcin de la frecuencia
0,2
8478
478A 8484
0,1
8481
0,01 0,1 1 10
Termocupla
Frecuencia (GHz)
Detector a diodo
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Sensor de potencia
Medidor de potencia
HP 8481A
HP 437B
Incertidumbre por desadaptacin = 2 . generador . sensor . 100 % Incertidumbre por desadaptacin = 2 . 0,33 . 0,083 . 100 % = 5,5 %
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