ESCUELA DE CIENCIAS BSICAS, TECNOLOGA E INGENIERA 201425 - Amplificadores Act No. 1.

Revisin de presaberes

Transistor bipolar de juntura

Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo al vaco o bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrnico de mayor inters y desarrollo. El diodo de tubo al vaco fue presentado por J. A Fleming en 1904. Poco tiempo despus, en 1906, Lee De Forest le aadi un tercer elemento al diodo al vaco, denominado rejilla de control, con lo que se origin el primer amplificador, el trodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin proporcionaron un gran estmulo a la industria de los bulbos. La produccin creci, de cerca de un milln de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de los aos treinta los tubos al vaco de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria de los bulbos. En los aos siguientes, la industria se convirti en una de las ms importantes y se lograron rpidos avances en cuanto al diseo, a las tcnicas de fabricacin, a las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, y a la miniaturizacin. Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrnica experiment la llegada de un campo completamente nuevo en el inters y en el desarrollo. En la tarde de ese da, Walter H. Brattain y John Barden demostraron la accin de amplificacin del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone. Las ventajas de ese dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el bulbo se manifestaron de inmediato: era ms pequeo y ligero, no tena necesidad de calentamiento o disipacin de calor, tena una construccin resistente y era ms eficiente debido a que el mismo dispositivo absorba menor potencia. Tena una disponibilidad de uso inmediata ya que no requera de un periodo de calentamiento. Adems se requeran menores tensiones de operacin (Boylestad y Nashelsky 2003). El transistor bipolar de juntura, conocido por su sigla en ingls BJT, es un componente electrnico fabricado con materiales semiconductores que se elaboran a partir del silicio o el germanio. Consta de tres elementos que se denominan colector, base y emisor. Existen dos tipos, dependiendo de su construccin: El NPN y el PNP. Tal como lo reflejan sus smbolos, estos difieren en el sentido de flujo de la corriente.

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Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto de campo (FET) (por sus siglas en ingls Field Effect Transistor) es un componente electrnico de tres terminales que se usa para diversas aplicaciones, en gran parte, similares a las del transistor BJT. Aunque existen diferencias importantes entre los dos elementos, tambin es cierto que tienen muchas similitudes. La principal diferencia entre ambos transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET se controla mediante tensin. As como existen transistores bipolares NPN y PNP, tambin hay transistores de efecto de campo de canal N y canal P. Sin embargo, es importante recordar que el transistor BJT es un dispositivo bipolar, el prefijo bi indica que el nivel de conduccin est en funcin de dos portadores de carga: los electrones y los huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende nicamente de la conduccin de electrones (canal N) o de huecos (canal P). El trmino efecto de campo en el nombre asignado merece cierta explicacin. Estamos familiarizados con la capacidad de un imn permanente para atraer limaduras de metal hacia el imn sin necesidad de un contacto real. El campo magntico del imn permanente envuelve las limaduras y las atrae hacia el imn mediante un esfuerzo por parte de las lneas de flujo magntico con la finalidad de que sean lo ms cortas posible. Para el caso del FET, se establece un campo elctrico mediante las cargas presentes, que controlar la trayectoria de conduccin del circuito de salida, sin necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas (Boylestad y Nashelsky 2003).

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La funcin logartmica
En nuestra disciplina, debemos manejar con destreza la funcin logartmica. Como un primer paso para dar claridad a la relacin entre las variables de la funcin logartmica, considere las siguientes ecuaciones matemticas: a = b x, x = log b a

Las variables a, b y x son las mismas en ambas ecuaciones. Si a se obtiene al elevar la base b a la potencia x, la misma x se obtendr si se toma el logaritmo base b de a. Por ejemplo, si b = 10 y x = 2,

a = b x = (10) 2 = 100 pero x = log b a = log 10 100 = 2

En otras palabras, si se requiere calcular la potencia de un nmero que produce un resultado especfico como el que se muestra a continuacin: 10.000 = 10 x el valor de x se podra determinar mediante logaritmos. Esto es, x = log 10 10.000 = 4 En las industrias elctrica y electrnica y, de hecho, en la mayor parte de la investigacin cientfica, se emplea como base de la ecuacin logartmica el 10 o el nmero e = 2.71828.. Los logaritmos que se toman con la base 10 se denominan logaritmos comunes, mientras que los logaritmos tomados con la base e se denominan logaritmos naturales. En resumen: Logaritmo comn: Logaritmo natural: Ambos estn relacionados mediante log e a = 2.3 log 10 a. x = log 10 a y = log e a

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Los textos sobre transistor BJT y FET se han tomado de la siguiente fuente: Boylestad, Robert L. y Nashelsky, Louis (2003). Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Mxico: Pearson Educacin.