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ELECTRICA
1-2- Diodos semiconductores. -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

DIODOS SEMICONDUCTORES

Principios fsicos de los semiconductores Daremos una explicacin resumida, sobre los aspectos ms importantes que tratan el funcionamiento interno del diodo semiconductor, que permitan tratar sin inconvenientes los temas posteriores. Para un anlisis cuantitativo de este segmento, es necesario recurrir a la bibliografa recomendada. La mayora de los dispositivos electrnicos (diodos, transistores, tiristores, etc.) utilizan como materia bsica, los materiales semiconductores. stos, as como los metales y muchos materiales aisladores son de naturaleza cristalina. Los tomos de estos materiales, forman una estructura geomtrica uniforme, denominada red cristalina. Materiales de uso comn son el germanio (Ge) y el silicio (Si). Estos, son de valencia cuatro (4). Tambin se utiliza el arseniuro de galio (GaAs), el boro (B), el fsforo (P), el indio (In) y el antimonio (Sb). ltimamente, se esta utilizando, con propiedades mejoradas en los dispositivos semiconductores, el carburo de silicio (CSi). El dibujo representa una red cristalina, donde los crculos mayores son los ncleos (iones positivos) de los tomos y los crculos menores son los electrones (negativos) perifricos o de ltima capa. Las lneas curvas, representan los enlaces covalentes que requieren cada uno de dos electrones. Estos enlaces son los que unen a los tomos vecinos para formar la estructura cristalina regular, estable y elctricamente neutra. Con esta estructura ideal, si aplicamos una pequea tensin elctrica en el material, no se producir circulacin de corriente elctrica, debido a que los electrones de valencia, estn ligados a los tomos vecinos a travs de los enlaces. La conduccin solo puede tener lugar, cuando se establece una imperfeccin en la red cristalina que rompa algunos de estos enlaces y los electrones liberados formen parte de la corriente elctrica. En la naturaleza real o la fabricacin de estos materiales, se verifica una conduccin elctrica que a igualdad de condiciones, resulta mucho menor que la de un metal; de all el nombre de materiales semiconductores. Niveles de energa atmica En los materiales, la conduccin elctrica se produce cuando los electrones perifricos tienen suficiente energa para moverse a travs de la estructura cristalina, sin estar ligados a ningn tomo. De all la conveniencia de diferenciar las caractersticas entre un conductor, un semiconductor y un material aislante, mediante consideraciones energticas. Para el caso de un tomo aislado, los electrones no pueden tener energas arbitrarias, cualquiera, sino que solo pueden tener ciertos valores discretos de energa. Si tomamos la teora del tomo de Rutherford, La energa de un electrn que se encuentra girando alrededor de su ncleo vale: ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 1

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I ING. ELECTRICA w = - q2 / (4..o.r) (energa total), siendo q, la carga del electrn, o la permitividad del vaco, y r, el radio o distancia del electrn al ncleo. La energa es mas negativa (menor) cuando el electrn se encuentra cerca de su ncleo. El tomo de Bohr explica los espectros de emisin de luz del tomo de hidrogeno, estableciendo los niveles discretos de energa de los electrones. Cuando un electrn salta de un nivel de energa mayor a uno menor, lo hace desprendindose de esa diferencia de energa, en forma luminosa. La frecuencia de dicha radiacin vale : f = (w2w1) / h, siendo w2 el nivel de energa superior, w1 el nivel inferior y h es la constante de Planck. La teora quntica explica a travs del principio de exclusin de Pauli que en un tomo no puede haber dos electrones con el mismo valor de energa; decimos entonces que un tomo aislado tiene un conjunto de niveles de energa discretos.
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Bandas de energas atmica en los materiales Cuando se renen varios tomos, los niveles de energa se desdoblan, apareciendo otros niveles de energa permitidos. Cuando tenemos muchos tomos la diferencia de energa de los niveles es pequea. A los fines prcticos se puede considerar que los niveles de energa permitidos, forman una banda continua de energa. Sin embargo en los materiales, estas bandas de energa son finitas y existen regiones continuas de energa prohibida. De all que en los materiales tenemos para sus electrones bandas de energa permitidas y bandas de energa prohibida, como lo muestra la siguiente figura para un aislador o un semiconductor(a la temperatura T = 0 K). Banda vaca permitida (Banda de conduccin) Varios eVpara aislador Del orden eV para semiconductor Banda prohibida Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida

Energa de los electrones

Banda llena

Como en realidad no son bandas continuas, encontraremos dentro de esas bandas un valor finito de electrones que estn ocupando los niveles discretos de energa, correspondiente a la banda. Cuando el nmero de electrones que tienen energa en dicha banda es el mximo, decimos que la banda esta llena. El tamao de las bandas prohibida y si las bandas ocupadas estn llenas o no, es lo que determina que un material se comporte como conductor, semiconductor o aislador. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 2

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Materiales aisladores: A la temperatura del cero absoluto, todas las bandas de energa estn ocupadas y entre la banda de valencia y la banda de conduccin, existe un salto de energa de varios electrn-voltio (eV). Para este caso la banda de conduccin esta vaca. Al no tener ningn electrn con ese nivel de energa, el aislador no conduce corriente elctrica cuando se le aplica una tensin elctrica en sus extremos. Si esa tensin elctrica es de un valor muy alto, es posible entonces que se puedan energizar algunos electrones de la banda de valencia y pasen a la banda de conduccin; en esta situacin el material aislante conducira corriente elctrica.(Ejemplo, seria el caso de las descargas elctricas en los aisladores de las lneas elctricas por sobretensiones atmosfricas)
Energa de los electrones

Banda parcialmente llena (banda combinada de valencia y de conduccin) Banda prohibida

Banda llena

Materiales conductores: Los conductores en el cero absoluto tienen una banda parcialmente llena denominada banda combinada de valencia y conduccin. Estas bandas consisten en niveles de energa discretos que estn muy prximos entre si. Por lo tanto algunos de los electrones de la banda parcialmente llena, requieren incrementos de energa extremadamente pequeos para elevarse a un nivel superior de energa. De aqu que la aplicacin de pequeos campos elctricos, produzcan la conduccin elctrica. Por otra parte la elevacin de la temperatura, aumenta la agitacin trmica de los electrones y tomos, aumentando la probabilidad de colisiones, haciendo crecer la resistencia elctrica del material. Materiales semiconductores : En el cero absoluto, la distribucin de bandas de energa (no los valores de energa), son equivalentes a los materiales aislantes, con la diferencia que el intervalo de energa entre la banda llena ms alta (banda de valencia) y la banda de conduccin inmediata superior, es pequeo, del orden del electrn-voltio (eV). La accin de la temperatura (calor) y la luz puede provocar el salto de algunos de los electrones de valencia y pasar a la conduccin. Estos materiales, a la temperatura ambiente, una baja conductividad elctrica, que puede incrementarse con el aumento de temperatura. La conductividad del material esta relacionada con la cantidad de portadores de carga por unidad de volumen del material. Mientras mas alta sea la densidad de los portadores, mayor ser la conductividad. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 3

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Portadores de carga: huecos y electrones Electrn libre, Adems de la conduccin debida excitado por A los electrones libres, en un efecto trmico Semiconductor existe un mecanismo que da lugar a otro tipo de conduccin. Cuando un electrn se excita trmicamente, Liberndose de su enlace covalente, deja + Atrs un espacio singular llamado hueco, Hueco en el sitio del enlace. Antes que ocurra dejado por esta vacante, cada uno de los tomos del el electrn semiconductor tenan una carga neutral. Al faltar el electrn el hueco queda Cargado positivamente por la accin Combinada de todos los tomos que lo Rodean. Este hueco positivo puede contribuir a la conduccin elctrica, dado que es posible que otro electrn de la vecindad lo ocupe, desapareciendo el hueco en ese lugar, trasladndolo a la zona del tomo vecino. Este proceso continuar en forma errtica, de modo que sin la aplicacin de un campo elctrico, el hueco vaga libremente, de la misma forma que un electrn libre. Aunque la dinmica del movimiento de un hueco difiere considerablemente a la de un electrn libre (el movimiento continuado de un hueco, es una serie de movimientos de varios electrones), el anlisis de su comportamiento mediante la mecnica quntica, indica que se puede considerar al hueco como una partcula libre en el material, con carga positiva. La magnitud de su carga es igual a l a del electrn y su masa aparente es ligeramente inferior a la del electrn. Si el material es puro y la red cristalina permanece inalterable por la accin de la temperatura y la luz, el semiconductor tendr portadores de carga electrones y huecos en la misma cantidad. Tales materiales se les denominan intrnsicos. La corriente elctrica producida por estos portadores, se denomina corriente intrnseca. tomos donadores y receptores En un semiconductor se puede aumentar la cantidad de electrones libres o de conduccin, mediante el aditamento de impurezas dopantes llamadas donadores. Los tomos donadores tienen en su capa de electrones de valencia, un electrn ms que los tomos del cristal del semiconductor. Para el semiconductor de silicio o germanio, se agregan tomos donadores de fsforo, arsnico y antimonio. Para el semiconductor de arseniuro de galio, pueden incluir elementos del grupo VI de la tabla peridica (que actan como donadores para los tomos de arsnico) o del grupo IV (que actan como donadores para los tomos de galio). Cuando agregamos a un semiconductor un tomo donador, el electrn adicional de Este, se libera fcilmente por accin de la agitacin trmica, formando parte de los electrones de conduccin elctrica. El electrn liberado deja un ion positivo, fijo en el lugar del tomo de impureza donador, pero el semiconductor, mantiene la neutralidad de cargas. Un semiconductor dopado con electrones adicionales se conoce como de tipo n

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UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS DONADORES

Energa de los electrones

SEMICONDUCTOR TIPO N

Banda de conduccin Nivel de energa de los electrones donadores 0,01eV Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida

Banda llena

Se pueden crear huecos adicionales, en el semiconductor, aadiendo impurezas dopantes receptoras. Para el silicio y el germanio se agregan tomos receptores de boro, indio y aluminio. Para el semiconductor de arseniuro de galio, incluyen los elementos del grupo II de la tabla peridica (actan como receptores para los tomos de galio) o del grupo IV (actan como receptores para los tomos de arsnico). Los tomos receptores o aceptores, tienen en su capa de valencia un electrn menos que los tomos del semiconductor que se va a impurificar. Estos tomos se incorporan a la red cristalina y ponen a disposicin de sus tomos vecinos, un sitio de enlace covalente vaco. Con una pequea energa trmica, un electrn de enlace cercano, puede fcilmente ocupar este espacio vaco. Cuando lo hace, queda en ese lugar en forma fija, creando un ion negativo fijo y a su vez creando un hueco que queda libremente para aportar a la conduccin elctrica. Podemos decir entonces que las impurezas, del tipo receptoras, generan huecos mviles. La neutralidad del semiconductor, se mantiene. Un semiconductor que presenta abundancia de portadores de carga positiva, como lo son los huecos, se dice que es un material del tipo p

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UBICACIN DE ENERGIA DE LOS ELECTRONES DE ATOMOS RECEPTORES

Energa de los electrones

SEMICONDUCTOR TIPO P

Banda de conduccin 0,01eV Nivel de energa de electrones receptores Banda llena (banda de valencia) Banda prohibida

Banda llena

Un semiconductor al cual se le agreg impurezas donadoras o receptoras, se dice que es extrinsico. Cuando se agregan en forma simultanea tomos donadores y receptores al semiconductor, sus efectos tienden a cancelarse entre si. Si es igual el numero de donadores y receptores, agregados el semiconductor se convierte en intrnsico. Cuando las concentraciones de donadores y receptores no sean iguales, las concentraciones resultantes de portadores huecos y electrones no pueden ser determinadas por simple adicin algebraica de impurezas dopantes. En cualquier semiconductor a una temperatura distinta de cero, las concentraciones de huecos y electrones quedan afectadas por los procesos duales de generacin y de recombinacin. La concentracin neta de portadores esta gobernada por un efecto termodinmico conocido como accin de masas, as como el principio fsico bsico de la neutralidad de cargas. Caractersticas fsicas de la unin PN La unin pn esta formada por la aleacin metlica de un semiconductor de tipo p y uno de tipon. Normalmente es fabricada a partir de un solo cristal, por difusin, en el cual cada uno de los lados de la unin (juntura) ha sido impurificado adecuadamente. De esta forma la estructura puede ser tratada como continua. Esta estructura as concebida da lugar a discontinuidades abruptas en la concentraciones de huecos y electrones a cada lado de la juntura, limite de la zona p y zona n. El dibujo siguiente muestra el aspecto fsico de la juntura como as tambin la distribucin de las densidades de tomos donadores, tomos receptores, huecos, electrones, densidad total de la carga elctrica y distribucin del potencial elctrico

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Iones receptores negativos

juntura

Iones donadores positivos

Campo elctrico interconstruido

TipoP

Tipo N

Zona de agotamiento Densidad de tomos receptores

Densidad de tomos portadores Densidad de huecos

Densidad de electrones Densidad total de carga + Distribucin potencial elctrico

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Cuando la unin se forma por primera vez, debido al gradiente de portadores de carga (huecos del lado P y electrones del lado N) se produce por un proceso de difusin, una corriente de portadores que cruzan la juntura, dejando a cada lado de la misma los iones de los tomos del cristal; iones positivos del lado N e iones negativos del lado P. Este proceso se produce en una regin muy estrecha denominada regin de agotamiento o zona de la carga espacial no neutralizada.Tiene estas denominaciones dado que en esta zona no existen portadores de carga. Debido a los iones de la carga espacial, se genera un campo elctrico denominado campo nter construido o barrera de potencial. Este campo elctrico es tal que tiende a oponerse a la difusin de nuevos portadores de carga para cada lado de la juntura, haciendo que esta corriente disminuya. Cabe aclarar por otra parte que en los materiales extrnsecos, tenemos portadores mayoritarios y minoritarios. Los mayoritarios como dijimos se generan por el agregado de impurezas donadoras o receptoras. Los portadores minoritarios, se generan por efecto trmico. En un semiconductor tipo P los portadores mayoritarios son los huecos; los minoritarios los son electrones. Si el material es de tipo N, los portadores mayoritarios son los electrones y los minoritarios son los huecos. Volviendo, despus de esta aclaracin a la circulacin de corrientes en una juntura PN, los portadores minoritarios encuentran al campo elctrico nter construido favorable para que estos puedan atravesar la juntura establecindose una corriente elctrica de portadores minoritarios. En el equilibrio y sin un campo elctrico externo aplicado a la juntura, estas dos corrientes, la de difusin de portadores mayoritarios (que genera la barrera de potencial) y la de portadores minoritarios (generados trmicamente), se igualan y como circulan en sentido opuesto, la corriente neta que atraviesa la juntura, es igual a cero. Polarizacion directa de la juntura PN: Vamos analizar ahora la polarizacion directa de la juntura PN cuando le aplicamos un potencial elctrico externo a travs de dos conectores conectados ohmicamente a los semiconductores P y N respectivamente como muestra la siguiente figura: POLARIZACION DIRECTA

TipoP

Tipo N

Contacto hmico

Contacto hmico

VD

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En este caso, el potencial externo aplicado se opone al de la barrera de potencial. El potencial neto en la zona de la juntura disminuye, provocando esto, que los portadores mayoritarios puedan atravesarla (inyeccin de portadores), y de manera la corriente debido a estos portadores, se incremente. Se produce entonces una circulacin de corriente en el circuito elctrico formado por la fuente de tensin externa VCC, los conectores, los contactos ohmicos y el semiconductor PN. La corriente aportada por los portadores minoritarios, permanece inalterable(es de sentido contrario). Solo puede aumentar , si aumenta la temperatura. Las densidades de portadores mayoritarios que se inyectan a cada lado de la juntura, estn gobernadas por un principio fisico llamado relacin de Boltzman; estas, se incrementan en forma exponencial con el valor del voltaje externo aplicado. Pn = pno. e(VD/VT) np = npo . e(VD/VT) pn = concentracin de huecos. np = de electrones pno = de huecos antes de aplicar la tensin VD npo = de electrones antes de aplicar la tension VD VT = K.T/ q se denomina tensin trmica donde: K = constante de Boltzman ( 1,38 x 1(-23) J/K) T = temperatura absoluta en gradas kelvin q = la carga del electrn ( 1,6 x 10-19 coulombs) A la temperatura normal (300K) VT = 25,88 mv. Polarizacin inversa de la juntura PN POLARIZACION INVERSA

Tipo P

TipoN

Contacto hmico

Contacto hmico

VD

Si el voltaje VD aplicado a la juntura PN es inverso o negativo, el campo elctrico externo tendr el mismo sentido que la barrera de potencial y por lo tanto en la juntura el campo elctrico se incrementa. Como resultado la inyeccin de portadores minoritarios decrece, hacindose prcticamente nula. La corriente debido a estos ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. 9

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portadores entonces se hace cero; solo queda la corriente debida a los portadores minoritarios, denominada de saturacin inversa y que no es afectada por la tensin inversa aplicada, prcticamente. Las relaciones de Boltzman se cumplen para tensin inversa dado que los exponentes se hacen negativos y las concentraciones de portadores mayoritarios decrecen hasta hacerse igual a cero. Cpsula El diodo semiconductor Esta construido por una unin PN, con dos terminales metlicos exteriores, que conectan a los materiales p y n por medio de contactos ohmico. El material utilizado para formar la unin pn puede ser el Germanio, silicio, o arseniuro de galio. De acuerdo al semiconductor que se utilice, dimensiones geomtricas y caractersticas fsicas para formar la juntura, definirn las propiedades elctricas del diodo como ser capacidad de corriente, tensin inversa que soporta, velocidad de conmutacin, etc.

Terminal nodo Anodo

Juntura PN

Terminal ctodo Catodo

SMBOLO El smbolo del diodo nos indica con el sentido de la flecha, la circulacin de la corriente directa (debida a los portadores mayoritarios), que se produce cuando polarizamos, con una fuente de tensin externa, el nodo mas positivo que el ctodo. En diodos reales tenemos varias maneras de identificar los terminales. Una forma es a traves de una banda circular prxima al Terminal de nodo; otra es la impresin sobre la capsula del smbolo del diodo. En laboratorio, utilizando un multmetro o medidor de resistencia en el que se conoce la polaridad del medidor. Cuando indique baja resistencia es que estamos polarizando en directa al diodo y el Terminal positivo del instrumento, nos indica el nodo del diodo Caracterstica tensincorriente La teora de la juntura nos lleva a formular a esta relacin VI como:

iD = Is .(e(VD/n.VT)1) donde:
Is: corriente de saturacin inversa .;es funcin de la concentracin de impurezas donadores y aceptores, como as tambin de la temperatura, rea de la unin y de otras constantes fsicas. Para diodos de Ge, su valor es del orden del micro amperes. Para diodos de silicio es del orden de los nanoamperes y para un diodo de silicio en circuito integrado, esta en el orden del micro Amper. VD: Tensin aplicada en los terminales del diodo. Es positiva cuando el nodo se polariza mas positiva que el ctodo; vd es negativa cuando se invierte la polarizacin. n: Coeficiente de emisin. Vale entre 1 y 2, dependiendo del tipo de semiconductor, la magnitud de la corriente directa y del valor de Is. Para diodos discretos de silicio,

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operando con corrientes del orden de los 10 ma o menores n = 2. Para diodos integrados o discretos operando con valores mayores de 10 ma, n=2. Para diodos de Ge. n =1. VT = K.T/q : tensin equivalente trmica cuyos valores ya lo hemos definidos anteriormente. vd + id -

+id(mA) Regin polarizacin directa -vd (volt)

Regin polarizacin inversa

Vd=0,6 volt Silicio

+vd (volt)

-id(nA) Polarizacin directa del diodo semiconductor: En la formula, vemos que para vd = 115 mv la corriente del diodo se puede expresar como iD= Is. e(VD/n.VT). Por otra parte la corriente vale cero, para valores de 0<= vD => 0,5 a 0,7 volt (silicio). Superando este valor, la corriente comienza a incrementarse con caractersticas exponencial segn se muestra el grafico. La tensin directa de vd para la cual la corriente del diodo comienza a incrementarse, se le denomina tensin umbral o de activacin y la designamos como v (gama); su valor oscila en 0,5 a 0,7 volt. Para el silicio, 0,2 volt. aprox. para el germanio y 0,9 a 1,0 volt. para el AsGa. Para valores altos de corriente, prcticamente la caracterstica VI, deja de ser exponencial para convertirse en lineal; el diodo se comporta como una resistencia elctrica, predominado, la cada ohmica. La VI en directa es dependiente de la temperatura. La cada vD disminuye con el aumento de la temperatura en un valor de aproximado d(vD)/dt = -2,5 mV/C. Esto significa que si mantenemos vd = cte. La corriente del diodo id crece con la temperatura. Polarizacin inversa del diodo Si vd es negativa, el trmino exponencial de la frmula, se hace cero con valores bajos de vd. La relacin VI se transforma en id = - Is. La corriente inversa del diodo se hace muy pequea, del orden del micro Amper para Ge o nanoamper para Si. y As.Ga. Tericamente Is es debido a los portadores minoritarios a ambos lados de la juntura pn. En diodos prcticos, la corriente inversa depende no solamente de los portadores minoritarios sino que hay que agregarle la corriente de fuga superficial y a un efecto de recombinacin de 2 orden. Como los portadores minoritarios se generan por efecto ___________________________________________________________________ 11 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

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trmico, entonces Is es funcin de ella. En los diodos prcticos que estamos tratando, su valor se incrementa en 0,07% /C lo que significa que se duplica por cada 10 de aumento de la temperatura. Si seguimos aumentando la tensin inversa aplicada, llega un momento que los portadores minoritarios adquieren suficiente energa del campo elctrico aplicado como para romper enlaces covalentes y generar nuevos portadores de carga. Este fenmeno se vuelve en avalancha y hace que la corriente inversa comience a crecer rpidamente y por efecto de potencia disipada inversa se destruya la juntura por efecto de la temperatura. vd + id +id(ma) 40C 20C Regin polarizacin directa

-vd(volt)

20C

Regin polarizacin inversa 40C

Vd=0,6 volt Silicio

+vd(volt)

-id(na)

Corriente inversa en los diodos reales La corriente inversa medible en un diodo real ( IR o ICB0) tiene dos componentes : Is debido a los portadores minoritarios y dependiente de la temperatura e If debido a la corriente superficial y dependiente prcticamente en forma lineal de la tensin inversa aplicada. IR = Is + If (If es una corriente de huecos en la superficie de la juntura) Problema: Un diodo a la Tj = 75C tiene una corriente Is = 5 na y If = 10 na para una tensin inversa VR= -vd = 15 volt. Determinar la corriente IR para VR = 30 volt. IR1 = Is1 + If1 = 5+10 = 15 na para Tj1 = 75C y VR1 = 15 volt. Tj1=Tj2 IR2 = Is2 + If2 = 5 + 2x10 = 25 na para Tj2 = 75c y VR2 = 30 volt Is1=Is2 Problema: Determinar la corriente inversa del diodo del problema anterior si para VR2 = 30 volt., la temperatura de la juntura aumenta a Tj2 = 100 C ; Is2 = 5 na. Is3 = Is2x 1,07(Tj2-Tj3) = 5 x 5,43 = 27 na IR3 = Is3 + If3 = 27 + 20 = 47 na If3 = If2 Problema: Determinar la corriente de fuga superficial para el diodo 1N4001 en base a los datos suministrados por el fabricante. Datos: IR1 = 10 ua para Tj1 = 25C y VR1 = 50 volt. IR2 = 50 ua para Tj2 = 100C y VR2 = 50 volt. IR1 = Is1 +If = ___________________________________________________________________ 12 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

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IR2 = Is1x(1,07)exp.(Tj2-Tj1) + If tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas despejando: If = 9,7 ua y Is1 = 0,3 ua para Tj = 25C Problema: Determinar la resistencia inversa del diodo anterior para Tj1 = 25C Tj2 = 100C y VR1 = VR2 = 50 volt. Para Tj1 Ri1 = VR1 / IR1 = 50/10 = 5 Megohm Para Tj2 Ri2 = VR2 / IR2 = 50/50 = 1 Problema : Determinar la resistencia directa del diodo 1N4001, definida como la relacin entre la cada de tensin directa y la corriente directa que circula (denominada tambin como resistencia elctrica en continua) De los datos del fabricante tomemos para Id = 1 amper Vd = 0,93 volt a Ta = 75 C RD = Vd /Id = 0,93 /1 0,93 ohm Ta = temperatura ambiente. Resolucin de un circuito elctrico que tiene un diodo semiconductor El problema consiste en determinar la corriente que circula por el diodo y la tensin en sus extremos, cuando forma parte de un circuito lineal. Como primera medida conviene realizar una simplificacin, aplicando Thevenin en los extremos del diodo, quedando el circuito segn muestra la figura. id + vd Luego tenemos varias alternativas como ser plantear las ecuaciones VI del diodo y la de la recta de carga y resolver analticamente: iD = Is .(e(vD/n.VT)1) La resolucin de ecuaciones con trminos exponenciales es complicada; No obstante un mtodo practico es utilizar programas de computacin como las planillas de calculo (Exel o Qpro) y resolver por aproximacin. Otra alternativa (complicada para resolver manualmente) es por el mtodo iterativo. Tambin se puede resolver grficamente. Resolucin grafica: Para ello, representamos la ecuacin VI del diodo y la recta de carga del circuito equivalente de Thevenin.La interseccin en el punto Q, es la solucin del problema. Si invertimos la tensin de Thevenin del circuito, la ecuacin de la recta de carga pasa por el tercer cuadrante y la interseccin ser en el punto Q donde la corriente es prcticamente cero y la tensin del diodo (inversa) es el valor de la tensin de Thevenin. +iD(ma) Vth/Rth Q Q vD

--Vth

Vth

--Vth/Rth

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Resolucin grfica cuando Vth es una tensin alterna: En este caso la tensin varia en el tiempo y de la misma forma variara la recta de carga, pero su pendiente (--1/Rth) permanece inalterada por lo que su graficacin sern infinitas rectas paralelas que intersectan a la caracterstica VI del diodo; sus valores limites, sern los que tome Vth. Modelos aproximados lineales del diodo semiconductor Se utiliza para obtener estos modelos, la tcnica de modelado lineal por tramos. De acuerdo a la aplicacin y exactitud del modelo, podemos encontrar distintas aproximaciones a saber: 1 aproximacin: Se considera al diodo id ideal. Cuando esta polarizado directamente o sea para vd>=0, el diodo conduce sin presentar resistencia alguna. Cuando se lo polariza inversamente, el diodo no conduce. Esta aproximacin se la puede utilizar para vd realizar un anlisis de funcionamiento de un circuito o para clculo preliminar cuando la tension equivalente de Thevenin del circuito asociado, es muy alta respecto a la cada de tensin directa del diodo. id 2 aproximacin: En este caso se le asigna al diodo una cada de tensin directa por ejemplo Vd = 0,7 volt. para diodos de Si. , Vd=0,7volt Vd = 0,2 volt para Ge. y Vd=0,9 volt para Si diodos de AsGa. Superada esta tensin , el diodo comienza a conducir si oponer resistencia. Esta aproximacin puede utilizarse para clculos primarios o para deteccin de fallas en circuitos prcticos. vd Polarizado inversamente, no conduce 3 aproximacin: Esta aproximacin se la utiliza para clculos mas exactos y consiste id el linealizar la curva real del diodo, teniendo en cuenta el normal de trabajo. Por ejemplo si el punto de trabajo es el punto A, la curva se puede representar con dos trminos: uno, la pendiente en el punto de trabajo did/dvd cuyo valor inverso representa a una resistencia elctrica, denominada resistencia dinmica rd. El otro trmino representa la cada de tensin directa en el momento que el diodo comienza a conducir y cuyo valor lo obtenemos por la interseccin de la pendiente en el punto de trabajo, con el eje de las tensiones Vj (tension umbral). De esta forma la tensin del punto A la obtenemos como: vdA = Vj + rdA x idA

vd

Vj(umbral)

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Los circuitos equivalentes de las aproximaciones son los siguientes:

1 aproximacin

2 aproximacin

3 aproximacin

Modelo lineal del diodo semiconductor para corriente alterna de baja seal Cuando un diodo se polariza directamente en continua, circula una corriente Id constante y se produce el sus extremos, una cada de tensin continua Vd. Si la corriente cambia en una pequea cantidad +- Id en torno a Id, tambin se producir una variacin de tensin +- Vd en sus extremos; en el caso de variaciones muy pequeas Id y Vd estn relacionadas por la pendiente tangencial de la caracterstica VI del diodo en el punto de polarizacion. Debido a la curvatura, esta pendiente no es constante, sino que varia con el punto de polarizacion (Id, Vd). Resulta entonces de inters determinar la expresin matemtica para esta pendiente y su valor reciproco que tiene dimensiones de resistencia dvd / did = rd. Esta resistencia se le denomina resistencia dinmica del diodo en su punto de polarizacion. Para obtener la expresin terica de rd partimos de la ecuacin del diodo: id = Is . (e(vd/nVT) 1) donde VT= K.T/q. Para polarizacion directa y vd > 115 mv, el termino 1 en la expresin anterior, representa menos del 1% por lo que podemos despreciarlo, quedando la ecuacin: id = Is . e(vd/n.VT) = Is . e((q.vd)/(K.T)) para n=1. Diferenciando esta expresin: d(id) = q/(K.T) . Is. e ((q.vd)/(K.T)). d(vd) = q/(K.T) .id. d(vd) . la resistencia dinmica la definimos como : rd = dvd/did = (K .T) / (q .id) En esta ultima expresin vemos que rd es funcin de la temperatura y del punto de polarizacion dado por el valor de id. Si tomamos una temperatura ambiente de 20C la ecuacin de rd nos queda: rd(ohm) = 25 / id(ma) Esta ultima expresin es la que se utiliza para analizar la dependencia de la resistencia dinmica con la corriente de polarizacion en cc. Problema: Determinar la 3 aproximacin lineal del diodo en la vecindad del punto de operacin Id = 1ma para n =1,6 , Is = 10exp(-4) amper es y VT = 25,88 mv Partimos de la ecuacin: id = Is. ( e(vd/n.VT) -1) y la derivamos obteniendo: d(id)/d(vd) = Is/(n.VT) . e(vd/nVT) = 1/rd. Como id es aprox igual a Is. e(vd/nVT) entonces la inversa de la resistencia dinmica vale: 1/rd = id / e(vd/nVT) resolviendo resulta rd = 40 ohm. Para calcular Vj aplico la inversa de la ecuacin o sea aplico logaritmo en base e a ambos miembros y despejo Vd valor de la cada de tensin para Id =1ma. Vd = n .VT. Ln (id/Is + 1) = 0,74 voltios. A este valor le resto la cada de tensin en la resistencia dinmica y obtengo el valor de Vj Vj = Vd - id . rd = 0,74 volt - 10(-3)amp. . 40 ohm = 0,7 volt. Circuito equivalente del diodo semiconductor para seales incrementales El comportamiento del diodo polarizado directamente con seales alternas incrementales o de baja magnitud, se puede entonces representar mediante su resistencia dinamicard. Para altas frecuencias, es necesario incluir adems una capacitancia en paralelo con rd , denominada capacidad de difusin o de almacenamiento Cd. Mas adelante analizaremos las capacidades del diodo. ___________________________________________________________________ 15 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

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Diodo polarizado en directo

Circuito equivalente

Ahora bien, podramos hacernos la siguiente pregunta que tan pequea es una seal incremental pequea? La respuesta es que debe ser extremadamente pequea a fin de mantener a rd constante durante la variacin de la seal en torno al punto de polarizacion. Para el caso de seales alternas distintas de cero, la pendiente de la caracterstica VI del diodo cambia, por lo que rd no se mantiene constante y la relacin tensin / corriente no es lineal. No obstante es comn utilizar el modelo anterior, suponiendo a rd = constantete, pero reconociendo al mismo tiempo que la no linealidad (llamada tambin distorsin) aumenta con la amplitud de la seal. En la regin de polarizacion inversa, rd es de un valor muy alto y en algunos casos no se la tiene en cuenta. En esta regin tambin hay que considerar una capacidad denominada capacidad de transicin Ct. Para funcionamiento en baja frecuencia el diodo puede considerarse como un circuito abierto.

+
Diodo polarizado inversamente

Circuito equivalente

Los valores de los componentes de ambos dibujos son aproximados, solamente para tener una idea del orden de los mismos. rs tiene en cuenta la resistencia serie del cuerpo (ohmica) del diodo. Problema: En el circuito de la figura, se muestra un diodo conectado con una resistencia en serie y alimentado con una fuente de tensin continua de 10,7 volt. Si la fuente de seal de ca genera una onda senoidal de 100 mv pico a pico, calcular la cada de tensin en corriente alterna, en los extremos del diodo, para Tamb = 20C

Vd(cc)+vd (ca)

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Solucin: Calcularemos primero la corriente directa que circula por el diodo; para ello utilizaremos la 2 aproximacin del diodo con una cada de tensin Vd = 0,7 volt Id = (VccVd) / Rs = (10,7 0,7) / 10.000 = 0,001 A = 1 ma Para calcular la resistencia dinmica rd usamos la formula: rd(ohm) = 25 / Id(ma) = 25 / 1 = 25 ohm Para la seal va, el resistor Rs y la resistencia dinmica, forman un divisor de tensin, donde la cada de tensin (ca) en rd vale:

vd (ca)

vd(ca) = rd . va /(Rs.+rd) = 25 . 100 /(10.000+25 = 250 uvolt (pico a pico) Como vemos, en los extremos del diodo, tendremos una onda de tensin senoidal de amplitud 250 uv p.p superpuesta a un nivel de continua de 0,7 volt. Parmetros elctricos suministrados por los fabricantes de diodos semiconductores Tensiones elctricas (valores mximos): VRWM = Tensin inversa de pico de operacin (amplitud senoidal) VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva (la duracin del pico esta especificada) VRSM = Tensin inversa de pico no repetitiva no repetitiva VR = Tensin inversa de continua. VF = Cada de tensin instantnea para una determinada corriente directa. VF(av) = Cada de tensin promedio para un ciclo completo. Corrientes elctricas (valores mximos): Io (IFAV) = Mxima corriente promedio para una forma de onda senoidal con un ngulo de conduccin de 180 y determinada frecuencia (50 o 60c/seg. para diodos de baja frecuencia) IFSM = Mxima corriente de pico no repetitiva (con especificacin de su duracin) IR = Corriente inversa mxima con especificacin de la temperatura de la juntura y la tensin inversa aplicada. IR(av) = Corriente promedio inversa para una determinada corriente directa IFAV. Otros parmetros especificados: -Temperaturas mximas de almacenamiento y operacin -Resistencias trmicas de disipacin. -Curvas VI tpicas en funcin de la temperatura. -Potencia disipada por el diodo como funcin de la corriente media. -Parmetros fsicos y mecnicos. Ejemplo : Diodo 1N4001 (designacin Motorota semiconductor) VRWM = VRRM = VR =50 volt VRSM = 60 volt VF = 0,93 volt(valor tpico) para id = 1amper. Valor mximo esperado 1,1 volt. ___________________________________________________________________ 17 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli.

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VF(av) = 0,8 volt. (mximo) Io IFAV = 1 amper IFSM = 30 amperes (para un ciclo) IR = 0,05ua para Tj = 25C y VR = 50 volt. (mximo esperado 10 ua) IR = 10 ua para Tj = 100C y VR = 50 volt. (mximo esperado 50 ua) IR(av) = 30 ua para IFAV 1 amper y Tj = 75C Vc o Vj = 0,7 volt (tensin de codo) Resistencia dinmica rd = (0,930,7) / 1 = 0,23 ohm para Io = 1 Amper id Id=1 A Vd=0,93 Volt

vd
Vc=0,7 volt

Tiempos de conmutacin del diodo semiconductor Cuando un diodo semiconductor pasa del estado de polarizacin directa al estado de polarizacin inversa y viceversa, el diodo pasa por un periodo de transicin hasta que recupera su estado de estabilidad. Estos tiempos de transicin, se los define de la siguiente manera: Tiempo de recuperacin directa (tfr) Este tiempo se lo define cuando el diodo pasa de la condicin inversa a la directa. El tiempo tfr se lo mide como diferencia de tiempo entre el instante que la tensin directa vale un 10% y el instante que alcanza el 90%. En la practica este tiempo no suele traer inconvenientes, salvo en los diodos de potencia Tiempo de recuperacin inversa (trr): Este tiempo se produce cuando el diodo pasa de la conduccin directa a la inversa. Suele traer inconvenientes en los diodos o en los transistores de juntura bipolar cuando trabajan con seales elctricas de alta frecuencia pn(0)

Tipo N npo np(0)

pno Tipo P

x=0 (inicio juntura) Concentracin portadores minoritarios con polarizacin directa

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Tipo P np pn(0) pn

Tipo N

pno x=0 np(0) Concentracin de portadores minoritarios con polarizacin inversa np: portadores minoritarios (huecos) en el material n lejos de la juntura pn: portadores minoritarios (electrones) en el material p lejos de la juntura np(0): portadores minoritarios (huecos) en el material n en la zona de juntura pn(0): portadores minoritarios (electrones) en el material p en la zona de juntura. Cuando se le aplica polarizacin directa a la juntura pn, se produce una elevada concentracin de portadores minoritarios a ambos lados de la juntura, consecuencia de la inyeccin de portadores mayoritarios sobre la juntura. Esta concentracin disminuye al alejarnos de la juntura por un efecto de recombinacin hasta alcanzar los niveles normales ( npo y pno ) correspondientes al material tipo p y tipo n respectivamente. Cuando polarizamos inversamente, en la zona de la juntura (para x= 0 ) prcticamente no tenemos concentracin de portadores minoritarios. Vemos entonces que para pasar del estado de conduccin directa al estado inverso debemos eliminar la concentracin de portadores minoritarios en exceso hasta llegar al valor que corresponde al estado inverso. Durante esta transicin, el diodo conducir corriente elctrica, solo limitada por el circuito externo. Pasado este periodo, el diodo comienza a aumentar su tensin inversa y la corriente inversa comienza a disminuir hasta llegar al valor correspondiente Is para ese estado. En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarizacin directa, conduce la corriente id VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo t1, el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id -VR / RL. Durante el intervalo (t2t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminacin de la carga en exceso, llamada tambin carga almacenada. A partir de t2, comienza un periodo de transicin, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensin inversa, bloqueando la corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is. El tiempo Trr = ts + tt se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este valor , es generalmente suministrado por el fabricante, y depende de : la corriente directa previa a la conmutacin, de las caractersticas de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las caractersticas fsicas del diodo. Un tiempo de recuperacin largo, respecto a la frecuencia de conmutacin, produce una disipacin de energa en exceso, elevando la temperatura por encima de los valores mximos lo cual puede provocar la inutilizacin ___________________________________________________________________ 19 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. npo

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del diodo semiconductor. Por esta razn, cuando se debe trabajar con frecuencias de conmutacin altas, se debe seleccionar diodos que tengan un trr bajo

id

vi

VF

-VR t

+ vi -

+ vd -

(pnpno ) en la juntura

t1 id VF/RL

t2

-VR/RL ts vd Almacenamiento portadores minoritarios -VR En el siguiente grafico podemos ver que cuando el diodo esta con polarizacin directa, conduce la corriente id VF / RL. Cuando se polariza inversamente en el tiempo t1, el diodo pasa a conducir una corriente inversa de valor id -VR / RL. Durante el intervalo (t2t1) = ts (tiempo de almacenamiento), se produce la eliminacin de la carga en exceso, llamada tambin carga almacenada. A partir de t2, comienza un periodo de transicin, donde se eliminan las cargas del resto del material. El diodo a partir de este tiempo, comienza a incrementar su tensin inversa, bloqueando la corriente inversa, hasta reducirse al valor de Is. El tiempo Trr = ts + tt se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este valor, es generalmente suministrado por el fabricante, y depende de: la corriente directa previa a la conmutacin, de las caractersticas de decrecimiento de esta corriente (di/dt) y de las caractersticas fsicas del diodo. Un tiempo de recuperacin largo, respecto a la ___________________________________________________________________ 20 Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli. trr tt

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frecuencia de conmutacin, produce una disipacin de energa en exceso, elevando la temperatura por encima de los valores mximos lo cual puede provocar la inutilizacin del diodo semiconductor. Por esta razn, cuando se debe trabajar con frecuencias de conmutacin altas, se debe seleccionar diodos que tengan un trr bajo.

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