"NI:ERSIDAD NACIONAL DE IN*ENIER;A

Ao de la Inversin para el Desarrollo Rural y la Seguridad Alimentaria INFORME FINAL - LABORATORIO N 11

TEMA: AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR FET PROFESOR: C"RSO: EST"DIANTES: Lpez Arambur Fernan ! Lab!ra#!r$! e E%e&#rn$&a I EE''1-M De%(a ! Pu%&e) R!na% *+ ,--.,-/0E Lu1ue Cu#$pa) *u2#a3! A+ ,--4-1456 San#!2 Ca7ar$) F8%$9 :+ ,--/-10-A

CICLO ,-15-II
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA 28 de noviembre del 2013

INFORME FINA AM! IFI"ADOR "ON #RANSIS#OR FE#

"$ES#IONARIO% &'( Presentar las mediciones efectuadas (los clculos) con todas las mediciones del circuito en una hoja. Circuito N 1:

Datos experimentales: Vi = 40mV (pico-pico) Vo= 00mV (pico-pico) !"= #.$ Cto. Original 8.54 0.62 0 Rs = 3k 5.86 0.45 0

VD = VS = VG =

!umentar el ni"el de Vi hasta o%ser"ar una distorsi&n en la se'al de salida Vo. (a deformaci&n no de%e lle)ar a recortes de la se'al* sino hasta apreciar una alineaci&n* deformando las alineaciones positi"as + ne)ati"as en distinta proporci&n. ,sta deformaci&n ocurre cuando: Vi = --4 mV (pico-pico) Vomx= ../0V (pico-pico)

1aciendo una simulaci&n al circuito con Vi= --4mV* "emos 2ue efecti"amente empie3a a deformarse (parte ne)ati"a de la onda).
4.0V

0V

-4.0V

0s

0.5ms 1.0ms V(C0:2) V(Vi:+)

1.5ms

2.0ms

2.5ms 3.0ms

4anteniendo Vi constante "ariar la frecuencia del )enerador. f(Hz = 50 !00 200 500 !k 2k 5k !0k 20k 50k !00k 200k 2" 280 !40 Vo(#V = 300 308 308 304 300 2$0 284 2$2 284 284 286 5etirar el condensador 6s = --u7 + determinar la )anancia de tensi&n. Vi = 40mV (pico-pico) Vo= 04mV (pico-pico) !"= (Vo8Vi)=04840 = ..0 6omparando con la simulaci&n son aproximados.

40mV

0V

-40mV 0s

0.5ms 1.0ms V(C0:2) V(Vi:+)

1.5ms

2.0ms

2.5ms 3.0ms

Vi = 40mV (pico-pico) Vo= #4mV (pico-pico) !"= (Vo8Vi)=#4840 = ..9$ )'( :ra3ar la cur"a de transferencia ;D "s V<S indicando los puntos de operaci&n de la ta%la llenada + las rectas de polari3aci&n: ;D = (-.85s)= V<S* o%tenidas de: V<S = % ;D = 5s Por inducci&n de la cur"a aproximar los datos del 7,: como son ;D>> + VP0. ,xplicar las o%ser"aciones 2ue diera a lu)ar. Cto.Original Rs = !k Rs=3.3k 8.54 5.86 0.62 0.45 0 0 %0.62 %0.45 0.!88 0.45 Rs=5.6k $.!$ 0.68 0 %0.68 0.!2! Rs=3.3k & R'=5.6k $.36 0.62 0 %0.62 0.!88

VD(V = VS(V = VG(V = VGS(V = ;D (m!) =

6on los datos de la ta%la )raficamos los puntos + haciendo una interpolaci&n cuadrtica* o%tenemos la ecuaci&n:
y =..94$0/49 x - + .$.000// x +..0$94#9

Para x = 0 * tenemos y = ..0$94#9 I DSS = ..00mA Para y = 0 * tenemos x. = 0.9$/ x - = ..040 V PO

x. + x = 0./$-$ VP 0 = 0./$V -

*'( :ra3ar la cur"a de salida ;D "s VDS indicando los puntos de operaci&n o%tenidos. ;ndicar la 3ona del transistor + la recta de car)a en cada caso. Cto.Original Rs = !k Rs=3.3k (.$2 5.4! 0.!88 0.45 Rs=5.6k 8.5! 0.!2! Rs=3.3k & R'=5.6k 8.(4 0.!88

VDS(V = ;D (m!) =

Veamos la 3ona del transistor en cada punto: ,n el punto . tenemos: VGS V P 0 = 0.0- + 0./$ = 0. V
V DS = #./-V > VGS V P 0 = 0. V

6omo

,l transistor se encuentra en la 3ona de estran)ulamiento en .. ,n el punto - tenemos: VGS VP 0 = 0.4$ + 0./$ = 0.$0V
V DS = $.4.V > VGS V P 0 = 0.$0V

6omo

,l transistor se encuentra en la 3ona de estran)ulamiento en -.

,n el punto

tenemos: VGS V P 0 = 0.09 + 0./$ = 0.-#V

6omo

V DS = 9.$.V > VGS V P 0 = 0.-#V

,l transistor se encuentra en la 3ona de estran)ulamiento en . ,n el punto 4 tenemos: VGS V P 0 = 0.0- + 0./$ = 0. V

V DS = 9.#4V > VGS V P 0 = 0. V

6omo

,l transistor se encuentra en la 3ona de estran)ulamiento en 4.