El Memristor es llamado informalmente el cuarto elemento faltante bsico de la electricidad, los primeros tres son el resistor, la inductancia y la capacitancia.

La importancia de los Memristores es que funcionan como synapses, el remplazar a los transistores clsicos de la electrnica por Memristores puede llevar a la creacin de circuitos analgicos que podran pensar como el cerebro humano.

Memristor Cmo funcionan?

En 1996, Stanley Williams de Hewlett Packard, comenz a realizar estudios sobre arquitecturas para computadoras que no fueran susceptibles a defectos a escala manomtrica. Esta investigacin eventualmente llevo al equipo al desarrollo de los Memristores

El concepto general es una matriz de cables (conductores), entre cada par de conductores de toda la matriz, existen llaves (interruptores) que en primera instancia se encuentran abiertos. Si conectamos una fuente de alimentacin entre un par de conductores, al principio esta disposicin no almacena o posee informacin alguna.

Pero si empezamos a cerrar algunos de estos interruptores podemos programar la matriz para que contenga una cantidad impresionante de informacin. Se puede abrir o cerrar cualquier interruptor particular, si queremos manejar otro interruptor solo debemos cambiar la conexin de la fuente

Ellos necesitaban crear un interruptor pudiera ser cambiado de estado una gran cantidad de veces, que tuviera una forma cubica, su longitud de lado fuera de solo 2 a 3 nanmetros y que tuviera la posibilidad de cambiar la magnitud de su resistencia en alto grado, Roff / Ron > 1000.

Williams recurri es bsqueda de una respuesta al microscopio electrnico de tunelaje, con l pudo apreciar que alejndose de un conductor una distancia aproximada a 0,1 nm la corriente disminua en un orden de magnitud (por ej., de 10 nA a 1 nA).

Entonces lo nico que tenan que hacer era poder cambiar la altura del cubo de material que forma el interruptor en 3 nm para poder tener un cambio de 100 veces en la magnitud de la resistencia del material.

El problema ahora estaba en encontrar un material que les permitiera realizar ese efecto, los modelos o diseos de ingeniera que se les ocurran no cumplan con los requerimientos. Hasta que encontraron un paper que sentaba las bases tericas. (Publicacin cientfica) redactado en 1972 por Leon Chua.

Despus de aos de experimentacin con platino e interruptores formados con molculas, en un golpe de suerte, observaron que no necesitaban interruptores moleculares despus de todo.

Solo necesitaban un sustrato de platino puro, al cual le depositaban dixido de titanio en su parte superior, luego otro depsito de dixido de titanio seguido de otro sustrato de platino. La diferencia entre los dos xidos reside en que a uno le falta tomos de oxgeno, estos tomos faltantes actan como portadores de carga.

Este anuncio fue hecho por Williams en el 2008

Esta configuracin es tan buena conductora como los metales. Al removerse tomos de Oxigeno del dixido de titanio, los agujeros que dejan (ausencias de cargas negativas) se comportan como cargas positivas, similar a los electrones en una unin PN clsica.

En la figura siguiente, el voltaje positivo empuja las cargas positivas hacia abajo dentro del otro TiO2, de esta forma el espesor del TiO2-x se incrementa al mismo tiempo que el espesor del TiO2 disminuye, despus de un tiempo la separacin entre los dixidos deja de ser la marcada por la lnea azul para convertirse en la marcada por la lnea roja.

Al colocar un voltaje negativo podemos invertir el proceso y aumentar el espesor de TiO2.

El modelo de circuito equivalente consiste en 2 resistores en serie, consideremos que existe un puente entre estos resistores que vara el camino total a recorrer en funcin de la diferencia de potencial aplicada en los extremos de la unin serie

Una diferencia de potencial positiva (considerando + el terminal superior) mueve el puente hacia abajo, y uno negativo hacia arriba. La resistencia del Memristor viene determinada por el espesor resultante de TiO2.

En resumen eso es conceptualmente un Memristor. Un circuito compuesto por memristor y transistores es ms eficiente que uno que solo emplea transistores. Tericamente se puede reemplazar 10 transistores con tan solo 1 memristor, las implicancias de esto son abismales, en modo simplista podramos decir que aumentaramos en 10 veces la capacidad de todos los circuitos electrnicos, y con ello las PC, celulares, tablets, etc.

HP anuncio hace unos das que va a empezar a fabricar en conjunto con HYnix memorias creadas a partir de memrsitores, llamadas ReRAM (Resistive Random Access Memory)

Smbolo Electrnico

El misterioso memristor: Los investigadores de HP resolvieron despus de 37 aos, el misterio del memristor o resistor con memoria, el cuarto elemento de los circuitos. La noticia original en ingls y completa la encontrarn en: http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/themysterious-memristor Mientras tanto se ilustrar la relacin del memristor con los dems elementos de los circuitos:

Fsica
El memristor es un elemento en el que el flujo magntico elctrica q que fluye a travs del dispositivo. Es decir, flujo con carga es conocida como memristancia. es una funcin de la carga . La tasa de cambio del

Esto es comparable a los otros tres elementos de circuito fundamentales:

resistencia

capacitancia inductancia

Donde es la carga elctrica, el flujo magntico.

es la corriente elctrica,

es el potencial elctrico y

es

El voltaje V a travs de un memristor est relacionado con la corriente I por el valor instantneo de la memristancia:

As, en cualquier instante dado, un memristor se comporta como una resistencia ordinaria. Sin embargo, su "resistencia" M(q) depende de la historia de la corriente. Un memristor lineal (uno para el cual M es constante) es indistinguible de una resistencia lineal, con M = R.

Tipos
Clula electroqumica
El memristor fue usado para caracterizar el comportamiento de clulas electroqumicas.

Estado slido
El inters en el memristor revivi en 2007 cuando Stanley Williams de Hewlett Packard inform de una versin experimental de estado slido. No se pudo construir un dispositivo de estado slido hasta que lo hizo posible el comportamiento inusual de los materiales de nano escala. HP ha hecho un prototipo de una memoria crossbar latch usando dispositivos en donde pueden caber 100 gigabits en un centmetro cuadrado. Por comparacin, las memorias flash de ms alta densidad almacenan 16 Gbit en la misma rea. La resistencia de los dispositivos sera leda con corriente alterna de modo que no afecten el valor almacenado. Samsung tiene una solicitud de patente pendiente de Estados Unidos para un memristor similar al descrito por Williams. As que es cuestionable si el grupo de Williams es el primer autor de esta estructura.

Aplicaciones potenciales
Los Memristores de estado slido de Williams pueden ser combinados para formar transistores, aunque son mucho ms pequeos. Pueden tambin ser formados como memoria de estado slido no voltil, que permitira una mayor densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso similares a la DRAM, sustituyendo ambos componentes. Adems, al ser un dispositivo

analgico, no solo podra almacenar bits ("1"s y "0"s), sino bytes o cadenas de bytes en el mismo espacio, solamente mejorando el dispositivo de control del memristor. Esto ofrece un futuro muy prometedor a largo plazo. Algunas patentes relacionadas a los Memristores parecen incluir aplicaciones en lgica programable, procesamiento de seales, redes neuronales, y sistemas de control.

Bibliografa: http://ayudaelectronica.com/memristor/ http://news.cnet.com/8301-11386_3-10257489-76.html http://spectrum.ieee.org/semiconductors/design/the-mysterious-memristor http://es.wikipedia.org/wiki/Memristor