UNIVERSIDAD DE LOS ANDES DR.

PEDRO RINCN GUTIRREZ

EDUCACIN MENCIN FSICA Y MATEMTICA
ELECTRNICA

DETECTOR DE PROXIMIDAD
(Aplicacin del fototransistor y el transistor de potencia)

AUTORA:
ANDREINA HERNANDEZ
SEMESTRE VIII
PROF. LIC. MIGUEL VERA

SAN CRISTBAL, JULIO DE 2011

DETECTOR DE PROXIMIDAD
Un circuito que no puede faltar en proyectos de robtica es el de los detectores de
proximidad,

ya

que

son

los

ojos

del

robot.

Presentamos un circuito probado de un detector de proximidad construido en base a un

FOTO

TRANSISTOR

de

uso

general

un

diodo

IR.

Adems de la robtica, lo encontramos en los dispensadores de agua automticos, los

secadores de mano automticos y con algunas variantes lo encontramos en las puertas
automticas

de

los

grandes

centros

comerciales.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Generamos una rfaga de pulsos de alta intensidad con el LM555 a baja frecuencia y
los transmitimos por el led de chorro infrarojo.

Luego los recibimos en un fototransistor colocado de tal manera que solo los reciba
cuando un objeto refleje los pulsos. Luego procesamos esa seal para poder utilizarla en el
encendido - apagado de nuestros aparatos.

Para ello colocamos un fototransistor de tal manera que cuando haya una superficie
que refleje los pulsos, bien sea una mano, un objeto cualquiera, a una distancia de unos 10
cm, este los pueda recibir y enviar a un amplificador de corriente, en este caso un par de
transistores en configuracin darlington.

Cuando esta dbil seal alcanza una intensidad suficiente, debido a que se acerc un
objeto, entonces logra disparar un temporizador de unos 10 segundos construido con un
LM555.
Luego colocamos una interface a transistor para alimentar un rel de 12 V 5 PINES, el
cual nos servir para controlar el aparato que queramos, normalmente un servomotor

Tarjeta del circuito detector de proximidad con foto transistor para tus proyectos de robtica y
de domtica tambin.

LISTA DE MATERIALES
Circuito Impreso
2 integrados LM 555
2 bases de 8 pines
1 rel 12 V 5 pines
1 foto transistor de uso general
1 diodo infrarrojo de uso general
1 control de 1 Mega
3 transistores 2N3904
2 cond. de 10 uF/50 V
1 Cond. de 0.1uF/50 V
1 diodo 1N4148
1 led verde de 5 mm
1 R 68 ohm
1 R 1K5
2 R 10K
1 R 100K
1R1M
1 R 470 ohm
Todas las R a 1/2 W

EL REL
Es un interruptor operado magnticamente.
El rel se activa o desactiva (dependiendo de la conexin) cuando el electroimn (que
forma parte del rel) es energizado (le ponemos un voltaje para que funcione).
Esta operacin causa que exista conexin o no, entre dos o ms terminales del
dispositivo (el rel).
Esta conexin se logra con la atraccin o repulsin de un pequeo brazo, llamado
armadura, por el electroimn.
Este pequeo brazo conecta o desconecta los terminales antes mencionados.

FUNCIONAMIENTO DEL REL:

Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el
electroimn se desactiva, conecta los puntos D y E.
De esta manera se puede conectar algo, cuando el
electroimn est activo, y otra cosa conectada, cuando est
inactivo.
Es importante saber cual es la resistencia del bobinado del
electroimn (lo que est entre los terminales A y B) que activa el
rel y con cuanto voltaje este se activa.
Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que
activar el rel y cuanta corriente se debe suministrar a ste.

La corriente se obtiene con ayuda de la Ley de Ohm: I = V / R.

donde:
- I es la corriente necesaria para activar el rel
- V es el voltaje para activar el rel
- R es la resistencia del bobinado del rel

VENTAJAS DEL REL

- El Rel permite el control de un dispositivo a distancia. No se necesita estar junto al
dispositivo para hacerlo funcionar.
- El Rel es activado con poca corriente, sin embargo puede activar grandes mquinas que
consumen gran cantidad de corriente.
- Con una sola seal de control, puedo controlar varios rels a la vez.

EL CONDENSADOR
Es un dispositivo formado por dos placas metlicas separadas por un aislante llamado
dielctrico.
Un dielctrico o aislante es un material que evita el paso de la corriente.

El condensador o capacitor almacena energa en la forma de un campo elctrico (es

evidente cuando el capacitor funciona con corriente directa) y se llama capacitancia o
capacidad a la cantidad de cargas elctricas que es capaz de almacenar

El smbolo del capacitor se muestra al lado derecho:

La capacidad depende de las caractersticas fsicas del condensador:
- Si el rea de las placas que estn frente a frente es grande la capacidad aumenta
- Si la separacin entre placas aumenta, disminuye la capacidad
- El tipo de material dielctrico que se aplica entre las placas tambin afecta la capacidad
- Si se aumenta la tensin aplicada, se aumenta la carga almacenada.
DIELCTRICO O AISLANTE
Un dielctrico o aislante es un material que evita el paso de la corriente, y su funcin
es aumentar la capacitancia del capacitor.
Los diferentes materiales que se utilizan como dielctricos tiene diferentes grados de
permitividad(diferente capacidad para el establecimiento de un campo elctrico

Mientras mayor sea la permitividad, mayor es la capacidad del condensador. La

capacitancia de un condensador est dada por la frmula: C = Er x A / d
donde:
- C = capacidad
- Er = permitividad
- A = rea entre placas
- d = separacin entre las placas
La unidad de medida es el faradio. Hay submltiplos como el miliFaradio (mF),
microFaradio (uF), el nanoFaradio (nF) y el picoFaradio (pF)

Las principales caractersticas elctricas de un condensador son su capacidad o

capacitancia y su mxima tensin entre placas (mxima tensin que es capaz de aguantar
sin daarse).
La robtica es una parte de la electrnica que tiene muchos adeptos, en esta ocasin
solicito un circuito que puede ser utilizado en robtica tal como los detectores de proximidad,
ya que asumen el papel de los ojos del robot.
Este es un circuito de un detector de proximidad construido en base a un fototansistor
de uso general y un diodo infrarrojo o IR.
Estos diodos pueden controlar la cantidad de seal que les llega tanto por reflejo como
por interrupcin.

CONSTRUCCIN DE LOS FOTOTRANSISTORES

Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo

de transistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la
radiacin es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada elctricamente,
usualmente la patilla correspondiente a la base no se incluye en el transistor. El mtodo de
construccin es el de difusin. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, as como
gases como impurezas o dopantes.
Por medio de la difusin, los gases dopantes penetran la superficie slida del silicio.
Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusin, se pueden realizar difusiones
posteriores, creando capas de dopantes en el material. La parte exterior del fototransistor
est hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de
radiacin hacia la base del transistor

FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinacin integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn
(sensible a la luz) donde la base recibe la radiacin ptica. Es importante notar que todos los
transistores son sensibles a la luz, pero los fototransitores estn diseados para aprovechar
esta caracterstica. Existen transistores FET, que son muy sensibles a la luz, pero
encontramos que la mayora de los fototransistores consisten en una unin npn con una
regin de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura

La corriente inducida por el efecto fotoelctrico es la corriente de base del transistor. Si

asignamos la notacin Ibf para la corriente de base fotoinducida, la corriente de colector
resultante, de forma aproximada, es: Ic = hfe * Ibf
En la siguiente grfica se proporciona un conjunto de caractersticas representativas
para un fototransistor, junto con la representacin simblica del dispositivo. Es importante
notar las similitudes entre estas curvas y las del transistor bipolar tpico. Como se espera, un
incremento en la intensidad de la luz corresponde a un incremento en la corriente de colector.

EL FUNCIONAMIENTO DE UN FOTOTRANSISTOR ES EL SIGUIENTE:

Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del
mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que hace que el transistor entre
en la regin activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en
este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica elctricamente.
Es por este motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base est ausente del
transistor. La caracterstica ms sobresaliente de un fototransistor es que permite detectar luz
y amplificar mediante el uso de un slo dispositivo. La sensibilidad de un fototransistor es
superior a la de un fotodiodo, ya que la pequea corriente fotogenerada es multiplicada por la
ganacia del transistor.

OBJETIVOS

Disear un detector de infrarrojo de proximidad que alcance una distancia mnima

de 50 cm, con el fin de aplicar algunos de los circuitos y elementos utilizados durante el
curso de Laboratorio de Diseo Electrnico tales como transistores (2N2222), diodos
(LEDs), timer 555 en modo astable y osciladores.
-

Utilizar elementos basados en el funcionamiento de componentes diseados y

aplicados durante el curso, pero de forma ms compleja debido a la concatenacin de

varios circuitos implementados individualmente, as como de componentes como son los
fotodiodos y fototransistores.

INTRODUCCIN

Se desea construir un circuito detector de infrarrojo de proximidad que al acercarse

cualquier objeto entre el receptor y el emisor se active una alarma. De manera prctica
este circuito se puede colocar en puertas y ventanas de las casas para evitar que gente se
pare frente a ella sin necesidad, y as mismo como una alarma de hogar.
El funcionamiento del circuito se basa en emitir una rfaga de seales luminosas
infrarrojas las cuales al rebotar contra un objeto que se encuentre entre la comunicacin del
receptor y transmisor provoca el encendido de una alarma. Mientras no se encuentre ningn
objeto dentro de la comunicacin el led permanecer encendido, al momento de interferir
entre dicha comunicacin el led, se apagar
El circuito integrado es un generador/decodificador de tonos que bien cumple con las
necesidades de este diseo. Tanto el fotodiodo como el fototransistor debern estar situados
con unidades de enfoque adecuadas para mejorar el alcance. Con simples reflectores de

LED's se pueden obtener alcances del orden del metro. Con lentes convexas se pueden
cubrir distancias de cinco metros.
La alimentacin de este circuito puede ser cualquier tensin comprendida entre 5 y 9
volts.
Para accionar circuitos externos bastar con reemplazar el LED por un optoacoplador,
el cual accionar por medio de su transistor interno el circuito a comandar.

Para poder entender ms plenamente el funcionamiento de este circuito, se tratar de

manera ms amplia el funcionamiento de algunos elementos importantes tales como el
fotodiodo, fototransistor, el LM567, por mencionar algunos.

FOTODIODO

Es un fotoconductor o fotodetector que cambia su resistencia elctrica debido a la

exposicin a energa radiante.

Un fotodiodo consiste en esencia de una unin de material "P" y material

"N" polarizada inversamente, en la cual la corriente inversa est en funcin de la
luz que incide en el fotodiodo y se considera que a mayor intensidad de luz existe una
corriente de fuga mayor.
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generacin de pares
electrn - hueco debido a la energa luminosa. La aplicacin de la luz a la unin dar como
resultado una transferencia de energa de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones) a
la estructura atmica, dando como resultado un aumento en la cantidad de portadores
minoritarios y un incremento del nivel de la corriente inversa.

*Curva caracterstica:

Respuesta

La corriente de fuga en la oscuridad (Io) aumenta al haber mayor intensidad de

luz (H).
El espaciado casi igual entre las curvas para el mismo incremento en flujo
luminoso revela que la corriente inversa y el flujo luminoso estn relacionados casi
linealmente. En otras palabras, un aumento en intensidad de luz dar como resultado
un incremento similar en corriente inversa.
Con base a la grfica de respuesta se puede determinar que el dispositivo es lineal.
El comportamiento del fotodiodo en inversa se ve claramente influenciado por la
incidencia de la luz. Las corrientes de fuga son debidas a los portadores minoritarios,
electrones en la zona P y huecos en la zona N. La generacin de portadores debido a la luz
provoca un aumento sustancial de portadores minoritarios, lo que se traduce en un aumento
de la corriente de fuga en inversa. El modelo circuital del fotodiodo en inversa esta formado
por un generador de intensidad cuyo valor depende de la cantidad de luz.
En directa, el fotodiodo se comporta como un diodo normal. Si est fabricado en silicio,
la tensin que cae en el dispositivo ser aproximadamente de 0.7 V. El comportamiento del

fotodiodo en directa apenas se ve alterado por la generacin luminosa de portadores. Esto es

debido a que los portadores, provenientes del dopado (portadores mayoritarios) son mucho
ms numerosos que los portadores de generacin luminosa.

PARMETROS PRINCIPALES:
- Corriente Oscura (Dark Current): Es la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe
luz incidente.
- Sensibilidad: Es el incremento de intensidad al polarizar el dispositivo en inversa por unidad
de intensidad de luz, expresada en luxes.
*Aplicaciones:
- Comunicaciones pticas.
- Fotmetros.
- Control de iluminacin y brillo.

- Control remoto por infrarrojos.

- Enfoque automtico y control de exposicin
en cmaras
**Combinadas con una fuente de luz:
- Codificadores de posicin.
- Medidas de distancia.
- Medidas de espesor.
- Transparencia.
- Detectores de proximidad y de presencia.
- Sensado de color para inspeccin y control
de calidad
**Agrupando varios sensores:
- Reconocimiento de formas.
- Lectores de tarjetas

Con ayuda del osciloscopio se midi la frecuencia de salida en la pata

nmero 5, dicha frecuencia fue de 937 Hz, por lo que se decidi que a travs
de un LM555, podamos generar dicha frecuencia en un para as lograr
separar el circuito anterior en la parte receptora como en la transmisora.
Se eligi la conexin monoestable para el LM555, de la hoja de
especificaciones obtuvimos la siguiente frmula:

f =

1.44
( Ra + 2 Rb) * C

Con dicha frmula y el valor obtenido de nuestra frecuencia que es a

la cual opera, se sustituyeron valores y se propuso el capacitor de 100 nF y
una de las resistencia de 10K, pues sabemos que dentro del mercado es
ms fcil conseguir una resistencia que un capacitor.
sustituyendo
937 Hz =

1.44
(10 K + 2( 2.7 K )) * 100nF

As fue como se obtuvieron los valores y con ellos se decidi armar el

LM555 con una frecuencia de 937Hz, cabe sealar que la resistencia de 2.7
K se cambi por un potencimetro de 4.7K, para lograr tener una frecuencia
ms precisa.