2013

Transistores Bipolares
INSTITUTO TECNOLOGICO DE COATZACOALCOS

Instituto Tecnolgico Superior de Coatzacoalcos

Ing. Sistemas Computacionales Integrantes del equipo:
Bartolo Lpez Selma Astrid Galicia Guzmn Toms Yussef Hernndez Jurez Mara Luisa Jimnez Herrera Katya Karina Torres Martnez Juan Manuel

Actividad
Investigacin de Transistores

Principios Electrnicos y Aplicaciones Digitales

Semestre: 4to. Grupo: A .

Nombre del Docente:

Domnguez
Apellido Paterno

Zambrano
Apellido Materno

Sandra Venezia
Nombre(s)

Fecha de entrega del Reporte: 22/Febrero/2013

TRANSITORES BIPOLARES DE UNION Introduccin

Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo al vaco o bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrnico de mayor inters y desarrollado. El diodo de tubo vaco fue presentado por J. A. Fleming en 1904. Poco tiempo despus, en 1906, Lee De Forest le aadi un tercer elemento al diodo vaco, denominado rejilla de control, con lo que se origin el primer amplificador, el trodo. En los aos siguientes, la radio y la televisin proporcionaron un gran estmulo a la industria de los bulbos. La produccin creci, la cerca de un milln de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de los aos treinta los tubos al vaco de cuatro y cinco elementos (tetrodo y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria de los bulbos. En los aos siguientes, la industria se convirti en una de las ms importantes y se lograron rpidos avances en cuanto al diseo, a las tcnicas de fabricacin, a las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, y a la miniaturizacin. Sin embargo el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrnica experiment la llegada de un campo completamente nuevo en el inters y en el desarrollo. En la tarde de ese da, Walter H. Brattain y John Barden demostraron la accin de amplificacin del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone. EL transistor original (un transistor de punto de contacto). Las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el bulbo se manifestaron de inmediato: era ms pequeo y ligero, no tena requerimientos de calentamiento, su construccin era ms segura y pequea.

Construccin del transistor

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la construccin de receptores de radio porttiles llamados comnmente "transistores", televisores que se encendan en un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenan. Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran: Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores) Los transistores de unin (uno de los tipos ms bsicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas. Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen tambin 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas

Accin amplificadora del transistor.

Una vez establecido la relacin entre IC=IE se puede presentar la accin bsica de amplificacin del transistor bajo un nivel superficial mediante la siguiente red

La diferencia en la resistencia se debe a la unin en polarizacin directa en la entrada (base a emisor) y a la unin en polarizacin inversa en la salida (base a colector). Utilizando como un valor comn de 20 para la resistencia de entrada. Ii= = 10mA

Si asumimos por el momento que ac =1 (Ic = Ie), IL =Ii = 10mA VL = ILR = (10mA)(5 = 50V. El voltaje de amplificacin es: Av = = )

Los valores tpicos de la amplificacin de voltaje para la configuracin de base comn varan entre 50 y 300. La amplificacin de corriente es siempre (Ic/IE) es siempre menor que 1 para la configuracin de base comn. La accin bsica de amplificacin se produjo mediante la transferencia de una corriente I desde un circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia. igual A: Transferencia + resistor + transistor.

Configuracin base comn

La terminologa de base comn, se deriva del hecho de que la base es comn, tanto para la parte de entrada, como para la de salida de la configuracin, adems por lo regular, la base es la terminal mas cercana o que se encuentra en el potencia de tierra, todas las direcciones de corriente se referirn al flujo convencional (huecos) en lugar de al flujo de electrones. Para el transistor: la flecha en el smbolo grafico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Notacin y smbolos empleados con la configuracin de base comn (a) transistor pnp; (b) transistor npn.

Configuracin de Emisor Comn

La configuracin de emisor comn es la ms usada. En l, el transistor acta como un amplificador de la corriente y de la tensin. Aparte de los efectos de amplificacin, tambin invierte la tensin de seal, es decir, si la tensin es tendente a positiva en la base pasa a ser tendente a negativa en el colector; pero, como estos efectos se producen con la corriente alterna.

Para estudiar las propiedades de este tipo de configuracin vamos a basarnos en un transistor tipo P-N-P. Tenemos la unin base-emisor, JE, polarizada directamente y la unin emisor-colector, JC, inversamente polarizada.

Aplicamos una tensin a la base y otra al colector y tenemos dos resistencias, RB conectada a la base y RC conectada al colector. El valor de la corriente de base va a depender del valor de la resistencia R B, la corriente que circula por el colector, IC, depende de la corriente de base, IB, como hemos visto con la formula IC = aumento viene dado por . IB; IC es mucho ms grande que IB y ese , que es un parmetro caracterstico del transistor.

Al colocar una resistencia en un circuito estamos provocando una caida de la tensin, como si bajramos la presin del agua. Al pasar la corriente por RC se va a producir una cada de potencial; luego, la tensin que obtengamos a la salida, tambin va a depender del valor de esta resistencia. Podemos colocar una resistencia en el emisor, que llamaremos RE, que va a perjudicar mucho la amplificacin de tensin, pero va a hacer que el transistor sea mucho ms estable y no le afecten los cambios de la temperatura. Aumentando o disminuyendo los valores de las tres resistencias podemos conseguir corrientes y tensiones diferentes en los tres terminales. Por ejemplo, si aumentamos la resistencia de base el valor de la corriente IB ser menor, lo que implicar que IC tambin sea menor, y al pasar una corriente de colector menor a travs de RC, el potencial que se obtendr a la salida ser mayor; pero si disminuimos RB aumenta IB y con ella la corriente de colector, y la tensin de colector disminuir.

Disminuyendo mucho la resistencia de base podemos llegar a un punto en el que pasemos de la zona de activa a la de saturacin, es decir, que la unin colectorbase, que est inversamente polarizada en activa, pase a estar directamente polarizada y, por lo tanto, en saturacin. Esto se produce porque I B aumenta y, en consecuencia, IC tambin aumenta. Si un circuito est trabajando en zona activa, el transistor se comporta de forma lineal. Es decir, que a iguales variaciones de la corriente de base, I B, se producen iguales variaciones de la corriente de colector, IC. El primer punto en el cual al aumentar IB ya no aumenta IC pertenece a la zona de saturacin. Tambin podemos modificar los valores de la corriente de base, de colector y de la tensin de salida jugando con la tensin de entrada o con la resistencia de colector. Una caracterstica muy importante dentro de un circuito es determinar su punto de funcionamiento. La corriente continua, y la tensin en cada terminal del transistor determinan el punto de funcionamiento de un circuito. Este punto de funcionamiento se encuentra situado en la recta de carga. Para saber cul es el punto de funcionamiento de un transistor tenemos que determinar el valor de VC, potencial de colector, VB potencial de base, e IC corriente de colector cuando el potencial trabaja en zona activa. Para determinarlas podemos usar las curvas caractersticas que representan a un transistor, o tambin podemos hallar el punto matemticamente, usando dos frmulas que ya conocemos, la ley de Omh V = I . R y la igualdad IC = Combinando correctamente ambas frmulas hallaramos los datos necesitamos para obtener el punto de funcionamiento . IB. que

Configuracin de Colector Comn

La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.

La figura muestra una configuracin de circuito de colector comn con la resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde un punto de vista de diseo, no se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito de la figura. Puede disearse utilizando las caractersticas de salida para la configuracin de colector comn son la mismas que para la configuracin de emisor comn.

LIMITES DE OPERACIN
Para cada transistor existe una regin de operacin sobre las caractersticas, que asegurar que no se excedan los valores mximos y que la seal de la salida presente un distorsin mnima. Todos los lmites de operacin se definen en una hoja de especificaciones tpica. Algunos de los lmites de operacin se explican por s solos, como la corriente mxima del colector ( a la que normalmente se denomina en la hoja de especificaciones como corriente continua del colector) y el voltaje mximo del colector al emisor. La lnea vertical sobre las caractersticas que se define como voltaje de conector al emisor de saturacin especifica el voltaje mximo del

conector al emisor mnimo que puede aplicarse sin caer en la regin no lineal denominada como regin de saturacin. El nivel de voltaje del conector al emisor de saturacin suele encontrarse tpicamente cercano.

Tipos de Encapsulado de Transistores

Cpsula TO-3. El colector est directamente conectado al cuerpo del mismo (carcasa), pudiendo verse que slo tiene dos pines o patitas. Estas patitas no estn en el centro del transistor sino que ligeramente a un lado y si se pone el transistor como se muestra en la figura, al lado izquierdo estar el emisor y la derecha la base.

Cpsula TO-220. Se utiliza para transistores de menos potencia, para reguladores de tensin en fuentes de alimentacin y para tiristores y triacs de baja potencia. Generalmente necesitan un radiador de aluminio, aunque a veces no es necesario, si la potencia que van a disipar es reducida.

Cpsula TO-126. Este tipo de encapsulado se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se este utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante

Cpsula TO-92. Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos.

Cpsula TO-18. Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor. Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias.

POLARIZACIN DE DC PARA BJTS

Un transistor es aquel dispositivo electrnico que est construido por tres materiales semiconductores intrnseco de forma pnp o npn Un transistor bjts se conoce tambin como transistor bipolar, porque la conduccin es atreves de huecos y electrones.

Consiste en dos uniones pn, produccin de tres terminales de conexin con cada terminal, se le asigna el nombre, estas tres terminales son conocidos como emisor (E) la base (B) y el conector (C).

Bibliografa
Electrnica: teora de los circuitos y dispositivos electrnicos. Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky Pearson Ao 2009, p.912