UNIVERSIDAD SANTA MARIA LA ANTIGUA FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES Y TECNOLOGIA

UNIDAD 2 ASIGNATURA DE INGENIERIA DE MICROONDAS PROFESOR: FERMIN POVAZ

- COMPONENTES Y DISPOSITIVOS USADOS EN MICROONDAS PASIVOS Lneas de Transmisin Conectores Uniones Por Medio De Tramas Flexibles Flannes Codos Acoplador Carga Dummy Load Atenuador Aisladores Cavidades Resonantes Filtros Secciones T ACTIVOS Componentes Termoinicos (Tubos al vaco) Semiconductores

COMPONENTES MICROONDAS

DISPOSITOVOS

UTILIZADOS

EN

En cualquier sistema de microondas, es indispensable el uso de componentes pasivos y activos. Un enlace simple requiere de un Transmisor que genere la seal a transmitir que luego pasara a ser modulada y transmitida por una antena en frecuencia microonda, del otro extremo una antena y su correspondiente receptor. Se requiere tanto de componentes que generen la onda microonda para modular la seal a transmitirse, como de antenas que acoplen la seal al medio, y de lneas de transmisin para llevar la seal del transmisor a la antena, sin contar los conectores y otros accesorios que interconectan estas partes.

COMPONENTES PASIVOS En los componentes pasivos que se usan en la comunicacin por microondas se encuentran las Lneas de transmisin, algunos componentes como los adaptadores, conectores y uniones.

Lneas de Transmisin
Las lneas de transmisin se utilizan para transmitir energa elctrica y seales de un punto a otro. La lnea de transmisin ms sencilla conecta una fuente con un circuito de carga. Esto puede ser transmisor y una antena, un desplazador de registro y una central de memoria en un computador digital, una planta generadora hidroelctrica y la subestacin a cientos de kilmetros de distancia, una antena de televisin y un receptor o un canal de un tornamesa estreo y una entrada del preamplificador. Muchos tipos diferentes de lneas de transmisin estn involucrados en estas distintas aplicaciones. Una lnea de transmisin es un sistema conductor metlico que se utiliza para transferir energa elctrica de un lugar a otro. Son dos conductores o ms conductores separados por un aislante, como un par de cables o un sistema de par de hilos. Una lnea de transmisin se puede usar para propagar cd o ca de baja frecuencia. Al propagar seales de baja frecuencia, es bastante sencillo y predecible el comportamiento de la lnea de transmisin. Sin embargo, al propagar las seales de alta frecuencia las caractersticas de las lneas de transmisin se vuelven ms complicadas y su comportamiento es un poco peculiar, como en el caso de la microondas. Circuito Equivalente Las caractersticas de una lnea de transmisin se determinan por sus propiedades elctricas, como la conductancia de los cables y la constante dielctrica del aislante, y sus propiedades fsicas, como el dimetro del cable y los espacios del conductor. Estas propiedades, a su vez, determinan las constantes elctricas primarias: resistencia cd en serie R, inductancia en serie L, capacitancia de derivacin C, y conductancia de derivacin G. La resistencia y la inductancia ocurre a lo largo de la lnea, y por lo tanto, se les llama comnmente parmetros distribuidos.

Prdidas en las Lneas de Transmisin Prdida por radiacin Falta de acoplamiento en las lneas de transmisin, se pierde potencia porque se irradia. Si la separacin, entre los conductores en una lnea de transmisin, es una fraccin apreciable de una longitud de onda, los campos electrostticos y electromagnticos que rodean al conductor hacen que la lnea acte como antena y transfiera energa a cualquier material conductor cercano. La cantidad de energa difundida depende del material dielctrico, los espacios del conductor, y la longitud de la lnea. Las prdidas por radiacin se reducen protegiendo adecuadamente el cable. Por lo tanto, los cables coaxiales tienen menos prdidas por radiacin que las lneas de dos cables paralelos. La prdida por radiacin, tambin es directamente proporcional a la frecuencia. Prdida por conduccin Cuando acta como una resistencia. Si el conductor es muy delgado y se comporta como resistencia no pasan muchos electrones, en cambio en un conductor ms grueso hay espacio para ms electrones y la resistencia baja. Para reducir las prdidas por conduccin simplemente se debe acortar la lnea de transmisin, o utilizar un cable de dimetro ms grande. Prdida por efecto pelicular La seal viaja por la superficie, mientras ms alta la frecuencia tiende ms a viajar por la superficie. Como en la superficie la resistencia es AC, se usa oro en la superficie, usando un bao de oro para disminuir la resistencia AC, y para algunos conductores coaxiales se les da la forma de tubo para minimizar costos. Prdida por dielctrico El dielctrico asla el material. Si la Er es muy baja funciona como un filtro con una frecuencia de corte muy baja. El mejor dielctrico es el espacio libre o el aire. Una diferencia de potencial entre dos conductores de una lnea de transmisin causa la prdida por dielctrico. El calor es una forma de energa y tiene que tomarse de la energa que se propaga a lo largo de la lnea. Para lneas dielctricas de aire, la prdida de calor es despreciable. Sin embargo, para lneas slidas, se incrementa la prdida por calentamiento del dielctrico con la frecuencia. Impedancia Caracterstica de la Lnea de Transmisin Para una mxima transferencia de potencia, desde la fuente a la carga, una lnea de transmisin debe terminarse en una carga puramente resistiva igual a la impedancia caracterstica de la lnea. La impedancia caracterstica de la lnea de transmisin es una cantidad compleja que se expresa en ohms, que idealmente es independiente de la longitud de la lnea, y que no puede medirse. La impedancia 5

caracterstica se define como la impedancia que se ve desde una lnea infinitamente larga o la impedancia que se ve desde el largo finito de una lnea que se termina en una carga totalmente resistiva igual a la impedancia caracterstica de la lnea.

R + jwL G + jwC Lnea de transmisin libre de prdidas. Z o ( ) =

Para frecuencias extremadamente altas como las usadas en microondas, la inductancia y la capacitancia dominan y la ecuacin anterior se simplifica a: L Z o () = C

Tipos de Lneas de Transmisin Lnea Paralela Desventaja, mucha prdida por radiacin, no se usa en microondas debido a que presenta demasiada prdida.

Impedancia caracterstica Z o () =

276 2D log d Er

Lnea Coaxial El cable coaxial est construido con una gua de ondas circular y un conductor central aislado. Es una gua de ondas ya que direcciona el campo electromagntico en su interior. La gua ms sencilla es un plano conductor; desde luego que las prdidas son elevadas pero el principio por el cual se gua una onda mediante el movimiento de cargas en un conductor es idntico. Para frecuencia inferiores a 3 GHz son conductores coaxiales mientras que por encima de sta se recurre a la gua de ondas sin conductor central. Las prdidas se dan en el dielctrico y en los conectores. Pueden operar hasta 20GHz. Algunos dialcticos usados son gaseosos como el helio y el hidrgeno.

Impedancia caracterstica

Z o () =

138 D log d Er

Gua de Onda Es el medio perfecto para propagar microondas, se encuentran recubiertos de oro o de plata. Existen de diferentes tipos: Cuadrada Cilndrica Elptica La forma en que se distribuyen los campos E y H en el interior del coaxial o gua de ondas se denomina modos de transmisin. Cuando la onda que se propaga es plana las componentes de los campos E y H en el sentido de propagacin es cero, a este campo se lo llama onda transversal electromagntica TEH. Si slo se anula el campo elctrico se trata de una onda transversal elctrica TE y si se anula el campo magntico se trata de una onda transversal magntica TH. En el cable coaxial, como en la gua de onda circular, los modos de propagacin se numeran de acuerdo con el nmero de medias longitudes de onda a lo largo de la circunferencia y en el radio. Por ejemplo, en TEm,n/THm,n/TEHm,n se representa con m el nmero a lo largo de circunferencia y n en el sentido radial. En la gua de onda rectangular el nmero de modos de propagacin se numera de acuerdo con las medias longitudes de onda que hay en cada cara (m y n). Las dimensiones de las guas rectangulares responden a la relacin 2:1 entre caras y por ser rgidas se instalan por tramos. Las dimensiones de las guas de onda rectangular, circular y elptica estn contenidas en IEC-153/154. La gua de onda ms usada para enlaces terrestres es la gua elptica debida a que en su construccin se usa chapa de cobre corrugada de seccin en forma de capullo. Permite que se adapte a curvaturas. La gua elptica tiene una cubierta de proteccin de goma que est aislada del cobre por un estrato de Polyment que evita la catalizacin del metal e introduce un leve escurrimiento entre ambos estratos extremos favoreciendo la flexibilidad. La gua flexible se instala en un solo tramo lo cual permite reducir el tiempo de instalacin pero es ms cara que las guas rgidas rectangulares o circulares. Otro problema que tiene es que si luego de la instalacin la medicin de ROE (relacin de onda estacionaria) no es buena se debe reemplazar la totalidad de la gua.

Conectores

Los conectores se hacen de: acero inoxidable y de berilio. Tipos de conectores de uso comn: APLICACION Radar de Polica Comunicacin por satlite(DOWN) Microwave radio links Instrumentos de Prueba Radar de Navegacin Airbone Radar CONECTOR FRECUENCIA

SMA SMS SIS/SSIS

Banda Ku
12.4 - 18GHz

1.6/5.6 1.0/2.3 SMC SSMC Brass SMA

Banda X
8 12.4GHz

Comunicaciones por MCX Satlite (UP) BNC Telecomunicaciones TNC Bsqueda por SMB Radar de SMD aeropuerto SSMB Type 43 SMZ Radio Mvil Scaners Cable TV MPC-Coax

Banda C
4 8GHz

Banda S
2-4 GHz

Banda L
1-2GHz

Flannes
Se usan para unir dos tipos de gua de onda

Uniones por medio de Tramas Fexibles

Solo sirve para guas de onda cuadradas

Codos
Establecen cambios de polaridad Hay de dos tipos:

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El totalmente Plano Plano Vertical Cambia el plano elctrico Plano Horizontal Cambia el plano magntico

El Twister Cambia totalmente el campo elctrico y magntico, sirve para cambiar la polaridad despus de acopladores y antenas. Si se recibe seales de polaridad circular y luego se utiliza un acoplador que las cambia de circular a polaridad horizontal, pero la gua de onda es vertical se usa un Twister para cambiar la polaridad.

Acoplador

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Acoplador Direccional Permite dividir una seal. Un acoplador direccional es una juntura de microondas de cuatro puertos.

El acoplador direccional ideal tiene la propiedad de que la onda incidente en el puerto uno acopla la potencia en los puertos 2 y 3 pero no in el puerto 4. Similarmente, la potencia incidente en el puerto 4 se acopla con los puertos 2 y 3 pero no con el puerto 1. Los puertos 1 y 4 se encuentran desacoplados. Para ondas incidentes en el puerto 2 o el 3, la potencia se encuentra acoplada para los puertos 1 y 4 solamente pero los puertos 2 y 3 estarn desacoplados. Si tres puertos tienen cargas acopladas, el cuarto puerto aparece terminado en una carga acoplada y la onda incidente en este puerto no sufre de reflexin. Los acopladores direccionales usualmente consisten en dos guas de onda rectangulares con aperturas acopladores localizadas en la pared comn que tienen. Como estos dispositivos tienen que operar dentro de una banda de frecuencias, no es posible obtener un desempeo ideal en toda la banda de frecuencias. El desempeo de un acoplador direccional es medido por dos parmetros: Factor de acoplamiento: C = Pi - Pf donde Pi es la potencia incidente en el puerto 1, y Pf la potencia medida en dB en el puerto 3. Factor de directividad: D = Pf Pb donde Pf es la potencia medida en el puerto 3 en dB y Pb es la potencia medida en el puerto 4. El factor de directividad es una medida de que tan bien la potencia es acoplada en la direccin deseada en la segunda gua de onda. Existe una gran variedad de maneras de construir acopladores direccionales. Algunos de los ms comunes son el tipo de apertura acoplada (aperture-coupled). Estos diseos estn basados en la teora de pequeas aperturas acoplantes que fue originalmente desarrollada por Bethe. Bethe-Hole couplers Two Hole couplers Schwinger Reversed-Phase couplers 12

Multielement couplers Otros tipos (que no usan aperturas) son: Coupled-line directional Couplers Branch-line directional coupler Large directional coupler

Carga Dummy Load

Carga Ficticia, terminacin.

Esto es til cuando se desea realizar un cambio de antena para que la seal pase del transmisor al dummy load mientras se cambia la antena, eso se consigue usando un interruptor.

Atenuador
Es una proteccin para el transmisor que puede ser de semiconductor o de tubo. Puede ser fijo o variable. El atenuador es una seccin de gua de onda con una lmina en su interior, sta puede ser de grafito o plexiglass, la lmina logra la atenuacin debido a que desfasa la onda electromagntica en el interior del atenuador, digamos que para una onda el camino es ms largo ya que tiene mayor espacio para reflejarse en cambio para el lado donde la lmina se encuentra ms cerca de la pared del atenuador la onda se refleja pero recorre menos camino lo cual significa que cuando se unen estn desfasadas, y dependiendo de la distancia de la lmina a la pared se logran diferentes niveles de atenuacin.

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Atenuador Fijo La lmina se encuentra fija dentro del atenuador Atenuador Variable La lmina puede moverse dentro del atenuador.

Aisladores
Aslan el sistema para que no ocurran ondas estacionarias. Est hecho de un material que posee resonancia a cierta frecuencia y polariza el material de tal forma que si se llega a producir una onda estacionaria u onda reflejada el material (generalmente ferromagntico) no deja pasar la onda, la absorbe, para esta onda reflejada el material tiene alta impedancia y libera la energa en forma de calor. Se encuentra construido para una sola frecuencia. Lo malo es que deja pasar frecuencia diferentes. Si se detecta una seal de diferente frecuencia puede quemar el transmisor ya que pasa el aislador. Circuladores Para un sistema de transmisin y recepcin, se puede usar un circulador. Permite el paso de una frecuencia en una direccin y el paso de otra frecuencia en otra direccin y no son intercambiables las frecuencias.

Cavidades Resonantes
Se desea restringir la banda de frecuencia. Las dimensiones de la cavidad y el iris dan la frecuencia. Pueden ser cilndricos o circulares. Se recubren de oro o plata, la seal viaja a una profundidad dada que depende de la frecuencia, si a cierta frecuencia se transmite a tal profundidad all se debe colocar el recubrimiento de oro o plata ya que se desea que conduzca mejor all. 14

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Filtros
Se usan para eliminar armnicos, informacin, seales espurias e interferencia. Se usan diferentes tipos de filtro: Filtros YIG (Yitrium Iron Garnet) Es un cristal de cierta mescla de carbn y hierro en polvo que se pone en una esfera de yitrium y se establecen propiedades ferromagnticas, debido a sus propiedades ferromagnticas se establece la selectividad especfica a los campos magnticos. O sea que el filtro YIG aprovecha las propiedades ferromagnticas y selecciona un valor especfico de frecuencia de acuerdo a la variacin del campo magntico. La frecuencia que se selecciona depende del campo magntico, a mayor voltaje DC sube la frecuencia seleccionada en la banda de in o sea que la frecuencia central se corre. Filtros de superficie SAW Filtro de superficie acstico usa las propiedades piezo elctricas oara fuktrar seales espurias. Los hay de 900MHz a 10GHz y se encuentran en PCB circuito impreso. Filtro por medio de Microstrip lineales y Strip-lines

Secciones T
Son secciones de guas de onda las cuales nos permiten dividir la seal microondas y establecer la variacin de las fases de las mismas. Hay de varios tipos:

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Shunt Se utiliza para derivar o dividir corriente, o el plano magntico, es un dispositivo de 3 puertos, las seales de salida se encuentran en fase, por lo que se puede utilizar de forma inversa. Se usa en el interfermetro y en radares dopler Se usa para mezclar seales Para establecer diferencia entre dos seales Serie T Se utiliza para derivar el campo elctrico, la seal entra por el puerto principal y se divide en dos seales con la reduccin de la seal a la mitad y desfasadas 180 .

T Hbrido Es la combinacin de las propiedades del Shunt y del Serie T. Se usa en anlisis de interferometra, genera patrones interferentes.

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COMPONENTES ACTIVOS EN MICROONDAS

En cualquier sistema de microondas, es indispensable el uso de componentes activos y no lineales. En tales dispositivos se incluyen: diodos, transistores, y tubos que suelen ser usados en: deteccin, mezclado, amplificacin, multiplicacin de frecuencia, conmutacin y fuentes. Son dispositivos que establecen generacin y amplificacin de seales microondas. Para microondas hay de tubos (componentes termoinicos) los cuales se usan para generacin y amplificacin de potencia y los semiconductores. Quizs fue el MAGNETRON, como generador de m. De alta potencia, el dispositivo que dio pie al desarrollo a gran escala de las m., al abrir paso a la utilizacin de sistemas de radar durante la II Guerra Mundial; sin embargo, fueron KLYSTRONS, los que dieron una mayor versatilidad de utilizacin de las m., sobre todo en el campo de las comunicaciones, permitiendo adems una mayor comprensin de los fenmenos que tiene en lugar los tubos de m. El principio bsico de funcionamiento de estos generadores es la modulacin de velocidad de un haz electrnico que al atravesar una cavidad resonante, excita en ella oscilaciones electromagnticas de la frecuencia de m, deseada. El estudio de los KLYSTRONS oblig a un amplio desarrollo desde los fenmenos de carga espacial, la interpretacin de la operacin de los tubos Sin embargo, fue el desarrollo de otro tipo de vlvulas, las de ONDA PROGRESIVA (TWT, Travelling-Wave Tube); siglas de sta clase de tubos, las que dieron lugar a una mejor compresin de los fenmenos que tienen lugar en los haces electrnicos, sobre todo en lo que respecta a las ondas electromecnicas, daban lugar a amplificacin o generacin de m. Para que este acoplamiento sea efectivo es preciso reducir la velocidad de fase de la onda electromagntica lo cual se hace mediante estructuras peridicas de entre las cuales la ms utilizada es la hlice; de esta forma es posible mantener una iteracin continuada entre la onda electromagntica y el haz electrnico, modulado en velocidad, y consecuentemente en densidad, que va cediendo su energa, digamos cintica, a la onda electromagntica. Posteriormente tambin se desarrollo el tubo de onda regresiva (BWO< Backward- wave oscillator), en el cual la velocidad de fase de la onda va en direccin opuesta al flujo de energa en el circuito, que ofrec a, adems, una mayor amplitud de sintona en frecuencia mediante control electrnico. Los dispositivos anteriores se basan en la conversin de energa de continuidad en la energa de m, mientras que los amplificadores paramtricos (AMPLIFICADOR, 8) utilizan como fuente de energa una de alterna que convierten, por un procedimiento de mezcla, en la de alta frecuencia deseada. En lugar de utilizar como elemento resistivo, utilizan un elemento reactivo, como puede ser un diodo de capacidad variable, y de aqu el bajo nivel de ruido que se puede lograr. Un fundamento anlogo tienen los amplificadores cunticos MASER. Son estos amplificadores de bajo nivel de ruido los que han abierto un gran campo de operacin en radioastronoma, as como las intercontinentales va satlite etc.

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Un problema concerniente al desarrollo de las microondas, lo ha constituido hasta ahora el precio elevado de los generadores; ha sido el descubrimiento de los osciladores a semiconductores el que ha abaratado, va camino de hacerlo aun ms, dichos generadores, con el cual el campo de aplicaciones de las m. Est creciendo a un nivel tal que impide predecir las repercusiones futuras, que incluso pueden ser negativas. Estos dispositivos tambin tienen una concepcin diferente a los usuarios de baja frecuencia esencial en que en los de baja frecuencia los electrones del semiconductor son TIBIOS en el sentido que sus energas no difieren grandemente de la red del material, mientras que en los de m. Los electrones son CALIENTES, con energas elctricas adquiridas de campos elctricos elevados, que pueden ser muy superiormente a energa de m. El primero de estos dispositivos se bas en el denominado efecto GUNN que se presenta en semiconductores compuestos, como el arseniuro de galio, material en el fue inicialmente detectado, y desde entonces se han descrito muchos dispositivos, algunos basados en fenmenos bulmicos en el semiconductor, como los gunn, y otros fenmenos que tienen lugar en uniones de semiconductores.

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Componentes Termoinicos (Tubo al Vaco)

Tubo al vaco. Generacin de electrones a partir del calentamiento de una estructura metlica y el desprendimiento de ste.

Tubos rectificadores de seales de radio El tubo fue inventado por el cientfico Britnico John Ambrose Fleming en el ao 1904, al utilizar una vlvula diodo (el diodo Fleming) para pasar corriente alterna a corriente directa (proceso de rectificacin). Un tubo de vaco consiste en una cpsula de vidrio de la que se ha extrado el aire, y que lleva en su interior varios electrodos metlicos. Un tubo sencillo de dos elementos (diodo) est formado por un ctodo y un nodo, este ltimo conectado al terminal positivo de una fuente de alimentacin. El ctodo (un pequeo tubo metlico que se calienta mediante un filamento) libera electrones que migran hacia l (un cilindro metlico en torno al ctodo, tambin llamado placa). Si se aplica una tensin alterna al nodo, los electrones slo fluirn hacia el nodo durante el semiciclo positivo; durante el ciclo negativo de la tensin alterna, el nodo repele los electrones, impidiendo que cualquier corriente pase a travs del tubo. Los diodos conectados de tal manera que slo permiten los semiciclos positivos de una corriente alterna (c.a.) se denominan tubos rectificadores y se emplean en la conversin de corriente alterna a corriente continua (c.c.).

Trodo Muchos intentaron mejorar este diodo, pero no lo lograron hasta que en 1907, un inventor de Nueva York, Lee de Forrest patent, el mismo diodo que Fleming, slo que con un electrodo ms, creando el primer amplificador electrnico verdadero, "El Trodo". Al insertar una rejilla, al diodo o tubo al vaco, formada por un hilo metlico en espiral, entre el ctodo y el nodo, y aplicando una tensin negativa a dicha rejilla, es posible controlar el flujo de electrones. Si la rejilla es negativa, los repele y slo una pequea fraccin de los electrones emitidos por el ctodo puede llegar al nodo. Este tipo de tubo, denominado trodo, se puede utilizar como amplificador. Las pequeas variaciones de la tensin que se producen en la rejilla, como las 20

generadas por una seal de radio o de sonido, pueden provocar grandes variaciones en el flujo de electrones desde el ctodo hacia el nodo y, en consecuencia, en el sistema de circuitos conectado al nodo.

Tubo BKO Barkausen-Kurtz Oscilador. Disminuye en forma extrema lo que consista las prdidas por capacitancias parsitas invirtiendo las polaridades de los terminales de la placa y de la rejilla. Los electrones son atrados por la rejilla y algunos la pasan y son rechazados por la placa y oscilan. Hay que controlar el nivel de voltaje en la rejilla y este es el que controla la oscilacin. Se puede controlar el flujo de electrones remplazando la rejilla por una cavidad resonante, con esto se pueden crear otros elementos termoinicos como son los Klystron y los Magnetrones.

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TWT- Can Electrnico Un Tubo de onda progresiva (TWT) es una vlvula electrnica especializada usada en comunicaciones radiofnicas, especialmente en sistemas de satlite. El TWT puede amplificar o generar seales microondas. Dos tipos comunes de TWT incluyen el Klystron y el magnetrn. . Sirven para amplificar seales de microondas.

Klystron Un tubo del electrones que genera o amplifica las microondas mediante la modulacin de velocidad. El klystron solo genera microondas, si se tienen ms de dos cavidades se puede amplificar microondas. Se usan varios tipos; en el klystron de dos cavidades sencillo un haz de electrones de alta energa pasa de un can de electrones a una cavidad resonante, donde acta recprocamente con ondas de alta frecuencia. La energa de la microonda modula las velocidades de los electrones en el haz, que entonces entra un espacio donde los electrones ms rpidos alcanzan los lentos para formar grupos. El haz agrupado ahora tiene un 22

componente alterno, que es transferido a una cavidad de la salida y de all a una gua de onda.

Se pueden generar niveles de seal de 20 Watt para arriba. Se puede amplificar con un Klystron usando ms de dos cavidades resonantes.

Magnetrn Un generador de microondas en el cul los electrones generados por un ctodo calentado, se mueven bajo la fuerza combinada de un campo elctrico y un campo magntico. El ctodo se compone de un cilindro hueco central, la superficie exterior de que lleva emisores de electrones de bario y de xido de estroncio. El nodo es tambin un cilindro, arreglado concntricamente alrededor del ctodo, y contiene una serie de cavidades resonantes de cuarto de longitud de onda arregladas alrededor de su superficie interior. El campo elctrico se aplica radialmente entre nodo y ctodo, el campo magntico es coaxial con el ctodo. El artefacto entero se mantiene encerrado al vaco. El magnetrn se usa extensamente como un generador para instalaciones de radar y puede producir pulsos de microsegundo de hasta 10 MW. Se basa en la utilizacin de cavidades resonantes y de un ctodo. 23

La limitante es que a mayor frecuencia se achica la estructura y debido a que maneja altos niveles de potencia se puede destruir. Solo llega a 5GHZ. Fue el primer dispositivo usado con el radar.

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Dispositivos Semiconductores
En microondas se utilizan dispositivos semiconductores, al principio estos no eran dispositivos activos o sea que generan y amplifican seales microondas debido a su limitacin de potencia y de frecuencia por lo que solo se utilizaban como dispositivos pasivos como en el caso del diodo schottky, PIN, varactor y el SDR, con el desarrollo de la tecnologa salieron los primeros dispositivos semiconductores capaces de generar microondas utilizando la regin negativa como lo son el diodo tnel, gunn y el impatt, posteriormente se crearon transistores Bipolar Fet. Estos dispositivos generalmente se usan para mezclar seales de microondas, como detectores, amplificadores, generadores, limitadores y rectificadores. La tecnologa de semiconductores, que proporciona dispositivos activos que operan en el rango de las microondas, junto con la invencin de lneas de transmisin planares; ha permitido la realizacin de tales funciones por circuitos hbridos de microondas. En estos circuitos, sobre un determinado sustrato se definen las lneas de transmisin necesarias. Elementos pasivos (condensadores, resistencias) y activos (transistores, diodos) son posteriormente incorporados al circuito mediante el uso de pastas adhesivas y tcnicas de soldadura. De ah el nombre de tecnologa hbrida de circuitos integrados (HMIC: "Hibrid Microwave Integrated Circuit"). Recientemente, la tecnologa monoltica de circuitos de microondas (MMIC), permite el diseo de circuitos/subsistemas capaces de realizar, muchas de las funciones mencionadas anteriormente, en un slo "chip". Por las ventajas que ofrece sta tecnologa, su aplicacin en el diseo de amplificadores para receptores pticos, constituye un campo activo de investigacin y desarrollo. El diseo de circuitos de microondas en ambas tecnologas, ha exigido un modelado preciso de los diferentes elementos que forman el circuito. De especial importancia son los dispositivos activos (MESFET, HEMT, HBT); pues conocer su comportamiento tanto en pequea seal como en gran seal (rgimen no lineal), es imprescindible para poder predecir la respuesta de un determinado circuito que haga uso de l. El anlisis, modelado y simulacin de estos dispositivos, constituye otra de las reas de trabajo

Diodos Schottky Usa una lmina de metal en la cual se coloca una unin N-P, reduce una gran cantidad de portadores minoritarios. Mejora loas capacitancias parsitas de la unin y mejora el tiempo de respuesta. Ventajas del dispositivo: Nos permite una unin menos ruidosa 25

No hay almacenamiento de cargas Su aplicacin como rectificador es muy buena Aplicacin: Mezclador con mejor figura de ruido Deteccin de seales en banda ancha

Diodos PIN (Positivo Intrnseco Negativo) Dispositivos semiconductores pasivos, no amplifica seales son muy comunes en amplificadores de microondas. Se usan para: Rectificar Detectar Atenuar Desfasadores de seal Cuando se aplica un nivel de polarizacin en una seal de RF, la impedancia del dispositivo varia con el nivel de corriente, su resistencia puede ser controlada en un rango de 1-10k Caractersticas Unin P-N con una zona intermedia poco dopada Voltaje de ruptura muy elevado Capacitancia muy pequea Es un dispositivo muy lineal Por lo general vienen en montaje de superficie.

Diodo Varactor Son dispositivos que presentan una variacin de la capacitancia de la unin cuando se polariza de forma inversa. Se crea una zona de alta resistividad. Logrando capacitancia de 5pF-25pF para un rango de frecuencias de aproximadamente 100GHz. Son dispositivos cuya aplicacin se basa en la multiplicacin de frecuencias en la generacin de armnicos. Desventaja, al iterar a frecuencias ms elevadas, la eficiencia del dispositivo disminuye as tambin la potencia de salida.

Diodo SDR (Stop Recovering Diode) Conocido como interruptor controlado caractersticas: Es un dispositivo no muy lineal 26 por carga, tiene
1 n

las

siguientes

Generalmente de armnicos con una eficiencia de donde n es el armnico elegido. 1 En otros tipos de generadores de armnicos la eficiencia es de n 2 Este dispositivo cuando se polariza de modo directo almacena carga, en el modo inverso la libera generando pulsos los cuales son una sumatoria de armnicos.

Diodo Tnel Desarrollado por Leo Esaki en 1958 (Diodo ESACI). Primer dispositivo que observa el fenmeno de la resistencia dinmica negativa.

El semiconductor se dopa extremadamente aproximadamente 1000 veces con respecto a un diodo convencional. Se obtiene una regin de agotamiento muy delgada. Funciona de 0 a0.3V donde empieza a oscilar, lo malo que despus de este rango de voltajes se quema. Debido a que tiene la corriente baja, la potencia del dispositivo es muy baja. Usando una cavidad resonante, se obtiene una alta Q , o sea que a solo hay seal a cierta frecuencia de salida, resulta que es muy selectivo y un excelente oscilador.

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Diodo Gunn Inventado en 1963 por John B. Gunn. Es un diodo oscilador, que funciona como un dispositivo acumulador de cargas y posee resistencia negativa. Las oscilaciones que ocurren en materiales con estructura de banda de energa fueron descubiertas pro J. B. Gunn. La posibilidad de obtener resistencia negativa diferencial fue predicha por Ridley y Watkins. Existen dos principales modos de operacin como resultado de las oscilaciones de un dispositivo Gunn. Cuando un voltaje excede el valor umbral, un dominio dipolo (una regin concentrada y repleta de electrones) forma un ctodo que termina con la mayor parte del voltaje cado a lo largo de la parte de alta resistencia del dispositivo. Una pequea seccin de la regin de entrada es la de baja energa y alta movilidad para los electrones que salen del ctodo con mucha velocidad. En este punto el material que separa los dos estados de alta y baja movilidad, acumulan electrones el lado izquierdo debido a las diferentes velocidades de los electrones. Este es un arreglo dipolo.

Esta regin de dipolo se mueve a lo largo del dispositivo, desde el ctodo al nodo y cuando llega al nodo el dispositivo entra en un estado de alta movilidad y un nuevo dipolo se forma en el ctodo y se mueve hacia el nodo. Este mecanismo es repetitivo y representa una oscilacin con un periodo igual al tiempo transitorio. Este modo de oscilacin es de baja eficiencia (con un bajo porcentaje) de generacin de poder y una frecuencia que no puede ser controlada por un circuito externo. Este modo de oscilacin es llamado de modo de tiempo transitorio o modo Gunn. Un segundo modo de operacin es el de carga limitada de espacio (LSA-limited space charge). Cuando el oscilador Gunn se encuentra en el modo LSA produce ms watts de poder con eficiencias de ms del 20 %. La potencia disminuye con el aumento de la frecuencia y llega a ser menor de 1W con frecuencias mayores que los 10GHz.

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Diodo Impatt Caractersticas mejoradas del diodo tnel y del Gunn. Aprovecha las mismas caractersticas de los dispositivos que operan en la regin negativa. Es un Oscilador y amplificador de potencia, su frecuencia de operacin es de 1300GHz con una potencia de hasta 5W y en pulsos de hasta 50W.

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