1

Semiconductores
Masa Efectiva
Cualquier electrn est sujeto a fuerzas
Si expresamos la ecuacin slo en funcin de
las fuerzas externas
El electrn se comporta como si su masa
cambiara. Esta es la masa efectiva.
ma F F F
int ext total
= + =
a m F
*
ext
=
Masa Efectiva
Consideremos la velocidad de grupo
Tomemos su derivada
dk
d
dk
d
v
g

h
1
= =
dt
dk
dk
d
dtdk
d
dt
dv
g
2
2 2
1 1
h h
= =
Masa Efectiva
El momento lineal del electrn se puede
expresar como as que
Entonces
k h
( )
eE
dt
k d
=
h
( )
( ) eE
dk
d
dt
k d
dk
d
dt
dk
dk
d
dt
dv
g
= = =
2
2
2 2
2
2 2
2
1 1 1
h
h
h h
Masa Efectiva
La masa efectiva es entonces
2
2
2
1 1
dk
d
m
*

h
=
Hueco
La densidad de corriente est dada por
Si expresamos la ecuacin en funcin de los
vacos
Pero esta suma es cero.

=
) (ocupado i
i
v
V
e
J

+ =
) ( ) ( vacos i
i
total i
i
v
V
e
v
V
e
J

+ =
) (vacos i
i
v
V
e
J
2
Hueco
As la corriente se puede interpretar como una
corriente de huecos de carga positiva

+ =
) (vacos i
i
v
V
e
J
Distribucin de electrones
La distribucin de electrones en la banda de
conduccin est dado por la densidad de
estados en la banda de conduccin por la
probabilidad de que ese estado est ocupado:
) ( ) ( ) ( E f E g E n
c
=
Concentracin de Huecos
La distribucin de huecos en la banda de
valencia est dado por la densidad de estados
de la banda de valencia por la probabilidad de
que ese estado no est ocupado por un
electrn:
| | ) ( 1 ) ( ) ( E f E g E p
v
=
A Temperatura Cero
Todos los estados de la banda de valencia van
a estar ocupados y ningn estado estar
ocupado en la banda de valencia.
Por lo mismo ningn hueco estar presente en
la banda de valencia.
A Temperatura Mayor que Cero
Electrones trmicamente excitados pasan a la
banda de conduccin dejando en la banda de
valencia una concentracin de huecos
3
Concentracin de Electrones
El nmero de electrones por unidad de
volumen est dado por
Para entonces y la
distribucin de Fermi se aproxima a la
distribucin de Maxwell-Boltzmann.

=
C
c o
dE E f E g n ) ( ) (
c
E E > ( ) kT E E
F c
>>
( )
( )
kT
E E
kT
E E
E f
F
F

+
= exp
exp 1
1
) (
Concentracin de Electrones
Aplicando la distribucin de estados.
Haciendo el cambio de variable
( ) ( )

=
c
E
F
c
n
o
dE
kT
E E
E E
m
n exp
2
2
3 2
2 / 3
*
h
kT
E E
c

=
( ) ( )
( )

=
c
E
F c n
o
d
kT
E E kT m
n

exp exp
2
2
2 / 1
3 2
2 / 3
*
h
Concentracin de Electrones
Pero...
Entonces
2 / 3
2
*
2
2
|
|
.
|

\
|
=
h
kT m
N
n
c
( )
2
1
exp
0
2 / 1
=

d
( )
kT
E E
N n
F c
c o

= exp
donde
Concentracin de Huecos
El nmero de huecos por unidad de volumen
est dado por
Para entonces as que
| |

=
V
v o
dE E f E g p ) ( 1 ) (
v
E E < ( ) kT E E
v F
>>
( )
( )
kT
E E
kT
E E
E f
F
F

+
= exp
exp 1
1
) ( 1
Concentracin de Huecos
Aplicando la distribucin de estados.
Haciendo el cambio de variable
( )
( )

=
v
E
F
v
p
o
dE
kT
E E
E E
m
p exp
2
2
3 2
2 / 3
*
h
kT
E E
v

=
( )
( )
( ) ( )

=
0
2 / 1
3 2
2 / 3
*
exp exp
2
2

d
kT
E E
kT m
p
v F
p
o
h
Concentracin de Huecos
Pero...
Entonces
2 / 3
2
*
2
2
|
|
.
|

\
|
=
h
kT m
N
p
v
( )
2
1
exp
0
2 / 1
=

d
( )
kT
E E
N p
v F
v o

= exp
donde
4
np Constante
Si multiplicamos n
o
y p
o
tenemos
No depende de la energa de Fermi
( ) ( )
( )
( )
kT
E
m m
kT
kT
E
N N
kT
E E
N N
kT
E E
N
kT
E E
N p n
g
p n
g
p c
v c
p c
v F
v
F c
c o o

|
.
|

\
|
=

=

=

=
exp
2
4
exp exp
exp exp
2 / 3
* *
3
2
h
Semiconductores Intrnsicos
Sin impurezas, la concentracin de electrones
es igual a la concentracin de huecos
As que
2 2
i i i i
p n p n = =
( )
kT
E
m m
kT
p n
g
p n i i
2
exp
2
2
4 / 3
* *
2 / 3
2

|
.
|

\
|
= =
h
Energa de Fermi para
Semiconductores Intrnsicos
Nota que si las masas efectivas son iguales, el
nivel de energa de Fermi est a la mitad de la
regin prohibida.
i i
p n =
( ) ( )
kT
E E
N
kT
E E
N
v F
v
F c
c

=

exp exp
( )
|
|
.
|

\
|
+ + =
*
*
ln
4
3
2
1
n
p
v c F
m
m
kt E E E
Semiconductores Extrnsecos: Donadores
Existe un electrn adicional incrementando n.
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
= = = = =
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
=
=
=
=
Si Si Si Si
Si Si P Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
= = = = =
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
=
=
=
=
e
-
Semiconductores Extrnsecos : Donadores
La energa para elevar este electrn donado es
menor que la energa para elevar cualquier
electrn que est en un enlace covalente.
Este es un semiconductor tipo n.
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
c
E
v
E
d
E
Semiconductores Extrnsecos : Aceptores
Existe un hueco adicional incrementando p.
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
= = = = =
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
=
=
=
=
Si Si Si Si
Si Si B Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
= = = = =
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
= = =
= = = =
= = = =
= = = =
= = = =
=
=
=
=
5
Semiconductores Extrnsecos : Aceptores
La energa para ocupar esta posicin es menor
que la energa para elevar cualquier electrn
que est en un enlace covalente. Pero el
electrn no queda en la banda de conduccin.
Este es un semiconductor tipo p.
Banda de Conduccin
Banda de Valencia
c
E
v
E
a
E
Distribucin de Electrones y Huecos en
Semiconductores Extrnsecos
Tenemos que la concentracin de electrones
en la banda de conduccin y la concentracin
de huecos en la banda de valencia estn dadas
por:
( )
kT
E E
N n
F c
c o

= exp
( )
kT
E E
N p
v F
v o

= exp
Distribucin de Electrones y Huecos en
Semiconductores Extrnsecos
Sumemos y restemos el nivel de la energa de
Fermi intrnseca:
( ) ( )
( ) ( )
( )
kT
E E
n
kT
E E
kT
E E
N
kT
E E E E
N n
Fi F
i
Fi F Fi c
c
Fi F Fi c
c o

=
+
=
exp
exp exp
exp
Distribucin de Electrones y Huecos en
Semiconductores Extrnsecos
De la misma manera obtenemos la
concentracin de huecos:
De tal manera que se mantiene que
( )
kT
E E
n p
Fi F
i o

= exp
2
i o o
n p n =
Distribucin de Electrones y Huecos en
Semiconductores Extrnsecos
Si , entonces
Si , entonces
Fi F
E E >
i o
n n >
Fi F
E E <
i o
n p >
6
Concentracin Electrnica en Funcin de
la Concentracin de Impurezas
Por medio de la neutralidad del material y si
asumimos ionizacin completa
Adems,
Entonces
d o a o
N p N n + = +
2
i o o
n p n =
d
o
i
a o
N
n
n
N n + = +
Concentracin Electrnica en Funcin de
la Concentracin de Impurezas
Resolviendo
De la misma manera,
2
2
2 2
i
a d a d
o
n
N N N N
n + |
.
|

\
|
+

=
2
2
2 2
i
d a d a
o
n
N N N N
p + |
.
|

\
|
+

=
Conduccin
La conduccin estar dada por electrones y
por huecos:
E pe E pev J
E ne E nev J
p p dpv p
n n dnc n


= = =
= = =