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DISEO CON PARMETROS S Luego de ver el diseo de amplificadores de RF de baja seal utilizando parmetros Y, lo estudiaremos bajo la ptica de los parmetros S o de Scattering. Han ganado popularidad desde fines de los 60 debido a la aparicin de instrumentos de medicin para la medicin de los parmetros S. Hoy en da es mucho ms comn que las hojas de datos de los transistores de radiofrecuencia contengan las especificaciones de los parmetros S que de los Y. Los parmetros S varan con la frecuencia y la polarizacin. Por lo tanto, luego de elegir la frecuencia y el transistor, debemos determinar un punto de operacin estable, y calcular los parmetros S. Utilizando los parmetros S veremos algunas propiedades del amplificador que ya han sido definidas en el estudio con parmetros Y y cuya definicin no repetiremos. ESTABILIDAD Calculemos en primer lugar: Ds = S11S 22 S12 S 21 El Factor de Estabilidad de Rollett (K): K= 1 + DS S11 S 22 2 S 21 S12
2 2 2

No es otra cosa que la inversa del factor de estabilidad de Linvill. K=C -1 y no debe ser confundido con el factor de estabilidad de Stern. Sucede que con este enfoque, el factor ms usado es el de estabilidad de Rollett. Si K>1, el dispositivo es estable incondicionalmente para cualquier combinacin de impedancias de fuente y de carga. Si K<1 es potencialmente inestable y oscilar para algunas combinaciones de impedancias de fuente y carga. GANANCIA MXIMA DISPONIBLE B 1 = 1 + S11 S 22 DS MAG = 10 log
2 2 2

S 21 + 10 log K K 2 1 S12 Con el signo +- del radical, opuesto al de B1. Notar que MAG no queda definida para un transistor potencialmente inestable.
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ADAPTACIN CONJUGADA SIMULTNEA (Transistores estables incondicionalmente) Calcularemos la impedancia de carga y la de la fuente que sern las conjugadas de las impedancias impedancias de salida y de entrada al transistor. Con eso se puede calcular la red de adaptacin que debe tener el transistor en la salida y la entrada. Calcularemos el coeficiente de reflexin de la carga. Con ello se deriva la impedancia de carga mediante el baco de Smith o analticamente mediante la definicin del coeficiente de reflexin. C2 = S 22 DS S11
2

)
2 2 2

B2 = 1 + S 22 S11 DS L = B2 B2 4 C 2 2 C2
2

El signo que precede al radical es el opuesto de B 2. El ngulo del coeficiente de reflexin de la carga es el opuesto al de C2. Mediante la siguiente frmula calculamos el coeficiente de reflexin que se necesita para terminar correctamente la entrada del transistor. S12 S 21 L S = S11 + 1 ( L S 22 )

Con esto, obtenemos la impedancia de fuente mediante el baco de Smith o analticamente mediante la definicin del coeficiente de reflexin. Ejemplo: Un transistor tiene los siguientes parmetros S a 200 Mhz, con un V CE= 10 V y un IC= 10 mA: S11= 0.4 / 162 S22= 0.35 / -39 S12= 0.04 / 60 S21= 5.2 / 63 El amplificador debe operar entre terminaciones de 50 ohm. Disear las redes de adaptacin de entrada y salida, para adaptacin conjugada simultnea del transistor, para obtener la ganancia mxima.
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Solucin. Primero, calculamos el factor K para ver si el transistor es estable en la frecuencia de operacin y en el punto de polarizacin: DS= (0.4 / 162) (0.35 / -39) 0.04 / +60) (5.2 / 63) = 0.14 / 123 - 0.208 / 123 = 0.068 / -57 Se utiliza la magnitud de D para calcular K. K= [1+ (0.068)2 (0.4)2 (0.35)2] / [2 (5.2) (0.04)] = 1.74 Como K es mayor que 1, el transistor es incondicionalmente estable y podemos continuar con el diseo. A continuacin, se calcula B. B1= 1+ (0.4)2 (0.35)2 (0.068)2 = 1.03 La ganancia mxima disponible se calcula por la ecuacin que la define: . MAG= 10 log (5.2 / 0.04) + 10 log 1.74 [(1.74)2-1] = 21.14 + (-5) = 16.1 dB El signo negativo mostrado frente al radical en las ecuaciones antecedentes resulta de que B1 es positivo. Si la especificacin del diseo hubiera pedido una ganancia mnima mayor a 16.1 dB, hubiramos precisado un transistor diferente. Consideraremos que 16.1 dB se adeca a nuestros propsitos. El prximo paso es encontrar el coeficiente de reflexin en la carga necesario para una adaptacin conjugada. Las dos cantidades intermedias (C 2 y B2) primero deben ser encontradas. C2 = 0.35 / -39 - [(0.068 / -57) (0.4 / -162 ] = 0.272 j0.22 [- 0.021 + j0.017] = 0.377 / -39 B2 = 1 + (0.35)2 (0.4)2 (0.068)2 = 0.958

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De esta forma, la magnitud del coeficiente de reflexin de la carga puede obtenerse:

L= [0.958 ((0.958)2 4(0.037)2)] / [2 (0.377)] = 0.487 El ngulo del coeficiente de reflexin de la carga es simplemente el opuesto del ngulo de C2, o +39. Por lo tanto, L = 0.487 / 39 Usando L, se calcula s : s=
(((0.4 / 162)+ ((0.04 / 60) (5.2 / 63) (0.487 / 39)) / (1 (0.487 / 39) (0.35 / -39)))*

= [0.052 / 162 ]* = 0.522 / 162 Una vez que ya conocemos las s y L deseadas, lo que queda es rodear al transistor con componentes que le otorguen impedancias de fuente y de carga que se vean como s y L. El diseo de la red de adaptacin de la entrada se muestra en el primer baco de Smith del ejemplo. El objetivo del diseo es forzar la fuente de 50 ohm para presentar un coeficiente de reflexin de 0.522 / -162. Con s graficada como se muestra, la impedancia normalizada correspondiente deseada se lee directamente del diagrama como Z s = 0.32 j0.14 ohm. Esta es un impedancia normalizada, por lo que hay que multiplicarlo por 50 ohm para obtener la real. 50 (0.32 j0.14) = 16 j7 ohms. Necesitamos que la fuente de 50 ohm se vea como una impedancia 16 j7ohm al transistor. Agregamos un componente reactivo en paralelo y otro en serie, como se muestra en la figura. Viniendo desde la fuente, tenemos Arc AB = C en paralelo = j1.45 mhos Arc BC = L en serie = j0.33 ohm Los valores de los componentes reales son : C1= 1.45 / [2 (200 x 106) 50] L1= [(0.33) (50)] / [2 (200x 106)] = 13 nH
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Esto completa la red de adaptacin de la entrada. El coeficiente de refleccin en la carga es graficado en el otro baco de Smith de este ejemplo y representa una impedancia de carga deseada (como se lee del diagrama) de ZL= 50 (1.6 + j1.28) ohms, o 80 + j64 ohms. La red de adaptacin est diseada como sigue. Viniendo desde la carga: Arc AB = C en serie = -j1.3 ohms Arc BC = L en paralelo = -j0.78 mho De donde: C2 = 1 / [2 (200x106) (1.3)(50)] = 12 pF L2 = 50 / [2 (200x106)(0.78) = 51 nH El diseo final, excluyendo el circuito de polarizacin, se muestra en la siguiente figura.

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GANANCIA DE TRANSDUCTOR Se calcula mediante la siguiente frmula: GT = S 21 1 S

2

(1

S11 S )(1 S 22 L ) S12 S 21 L S

)(1 )
2 L

Donde, S y L son los coeficientes de reflexin de la fuente y la carga, respectivamente. Nuevamente destacamos que GT es muy cercana a la MAG aunque levemente menor, ya que S12 no es cero y proporciona al transistor una leve realimentacin interna. Ejemplo Calcular la ganancia de transductor del amplificador que fue diseado en el ejemplo anterior. Solucin. Utilizando la definicin de GT, tenemos: GT= [(5.2)2 (1-(0.522)2)(1-0.487)2] / [|(1-0.2088)(1-0.170)-(0.04 / 60)(5.2 / 63)(0.487 / 39)(0.522 / -162)|2] = 41.15 = 16.1 dB DISEO PARA UNA GANACIA DADA Muchas veces deseamos que la etapa de amplificacin que estamos diseando tenga una ganancia dada. Puede que si el transistor est con adaptacin conjugada simultnea, nos d mucha ganancia. En este caso realizamos una desadaptacin selectiva. Desadaptamos el transistor a su carga. Con esto bajamos la ganancia. Podemos valernos del baco de Smith y dibujar cculos de ganancia constante. Es el lugar geomtrico de todas las impedancias de carga que fuerzan al amplificador a una determinada ganancia. Se grafica calculando el centro del crculo y su radio de la siguiente manera: 1. Calcular DS 2. Calcular D2 D2=|S22|2-|DS|2 3. Calcular C2 C2=S22-DSS11* 4. Calcular G G= Ganancia deseada/|S21|2 La ganancia se expresa en nmeros absolutos y no en dB 5. Calcular la posicin del centro del crculo.
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r0=GC2*/(1+D2G) 6. Calcular el radio del crculo. 1 2 K S12 S 21 G + S12 S 21 G 2 1 + D2 G

2

po =

r0 se grafica en el baco de Smith igual que un valor del coeficiente de reflexin. p0 es un nmero entre 0 y 1, siendo 1 el radio del baco. Teniendo este crculo elegimos el coeficiente de reflexin en la carga y por lo tanto la impedancia de carga. Luego obtenemos el coeficiente de reflexin en la fuente necesario completar el diseo sin disminuir la ganancia. Este valor del coeficiente de reflexin en la fuente es el conjugado del verdadero coeficiente de reflexin en la entrada del transistor con la carga especificada. Veamos el siguiente Ejemplo Un transistor tiene los siguientes parmetros S a 250 MHz, con V CE= 5 V, e IC= 5 mA. S11= 0.277 / -59 S22= 0.848 / -31 S12= 0.078 / 93 S21= 1.92 / 64 Disear un amplificador que d una ganancia de 9 dB a 250 MHz. La impedancia de la fuente es ZS= 35 - j60 ohms y la impedancia de la carga es ZL= 50 - j50 ohms. El transistor es incondicionalmente estable con K= 1.033. Solucin A partir de las frmulas anteriores: DS= S11S22 - S12S21 = (0.277 / -59) (0.840 / -31) - (0.078 / 93) (1.92 / 64) = 0.324 / -64.8 D2= (0.848)2 - (0.324)2 = 0.614 C2= 0.848 / -31 - (0.324 / -64.8)(0.277 / 59) = 0.768 / - 33.9 G= 7.94 / (1.92)2 = 2.15
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El centro del crculo se localiza entonces en el punto: ro= 2.15 (0.768 / 33.9) / [1+(0.614)(2.15)] = 0.712 / 33.9 Este punto ahora puede ser graficado en el baco de Smith. El radio del crculo de ganancia de 9dB se calcula como: po= [ 1- 2 (1.033)(0.078)(1.92)(2.15)+(0.150) 2(2.15)2] / [1+(0.614)(2.15)] = 0.285 La construccin del Diagrama de Smith se muestra en el primer baco adjunto. Ntese que cualquier impedancia de carga ubicada a lo largo de la circunferencia del crculo va a producir una ganancia del amplificador de 9dB si la impedancia de entrada del transistor est adaptada conjugadamente. La real impedancia de carga con la que tenemos que trabajar es 50 - j50 ohms, como fue dado en el planteo del problema. Su valor normalizado (1 - j1) se muestra en el punto A. La red de salida del transistor debe transformar la impedancia de carga real en un valor que cae en el crculo de ganancia constante. Obviamente, existen numerosas configuraciones de circuito que resolvern el problema. La configuracin mostrada fue elegida por conveniencia. Procediendo desde la carga: Arc AB= C en serie = -j2 ohms Arc BC= L en paralelo = -j0.425 mho Los valores reales de los componentes son: C1= 1 / [2(250x106)(2)(50)] = 6.4 pF y, L1= 50 / [2 (250x106) (0.425)] = 75 nH Para una adaptacin conjugada a la entrada del transistor con L = 0.82 / 14.2 (punto C) , el coeficiente de reflexin de la fuente deseado debe ser: S= {[0.277 / -59]+ [(0.078 / 93)(1.92 / 64)(0.82 /14.2) / (1-(0.82 / 14.2) (0.848 / -31))]}* = 0.015 / 160 Este punto es graficado como punto D en el segundo baco del ejemplo. La impedancia normalizada real de la fuente es graficada en el punto A (0.7 - j1.2
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ohms). Por lo tanto, la red de entrada debe transformar la impedancia real en el punto A a la impedancia deseada en el punto D. Por practicidad, esto fue hecho con un diseo de tres elementos como se muestra. Arc AB = C2 en paralelo = j0.62 mho Arc BC = L2 en serie = j1.09 ohms Arc CD = C3 en paralelo = j2.1 mhos Obteniendo: C2= (0.62) / [2 (250x106) (50)] = 7.9 pF C3= 2.1 / [2 (250x106) 50] = 27 pF L2= (1.09)(50) / [2 (250x106)] = 34.7 nH El diseo completo, excluyendo de red de polarizacin, se muestra en la siguiente figura.

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CRCULOS DE ESTABILIDAD Cuando el transistor es potencialmente inestable (K<1) nos interesa determinar cules son las impedancias de carga y de fuente para las que el transistor no oscilar. El crculo de estabilidad en el diagrama de Smith representa el lmite entre los valores de impedancia de fuente o de carga que causarn inestabilidad y los que no. Es el lugar geomtrico de los puntos que tienen K=1 Para calcular el centro y radio de dichos crculos usamos el siguiente procedimiento: 1. Calcular DS por la frmula dada en el apartado anterior. 2. Calcular C1 C1=S11 - DSS22* 3. Calcular C2 por la frmula dada en el apartado anterior. 4. Calcular el centro del crculo de estabilidad de la entrada rs1= C1* / (|S11|2-|DS|2) 5. Calcular el radio del crculo de estabilidad de la entrada ps1=|S12S21 / (|S11|2-|DS|2)| 6. Calcular el centro del crculo de estabilidad de la salida rs2= C2* / (|S22|2-|DS|2) 7. Calcular el radio del crculo de estabilidad de la salida ps2=|S12S21 / (|S22|2-|DS|2)| Para un transistor incondicionalmente estable el baco entero es regin de operacin estable. Pueden no verse los crculos porque caen fuera del baco.

Para uno potencialmente inestable el baco con los crculos de estabilidad se ver en general as:

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En general, la regin que contenga al centro del baco de Smith ser la regin estable. Proviene del hecho que el punto central es cuando tiene impedancia de fuente y carga 50 ohm, que son las condiciones de medicin de los parmetros S. En general, en estas condiciones el transistor es incondicionalmente estable. Se debe confirmar que S11<1 y S22<1, si no en estas condiciones el transistor sera inestable. Para ilustrarlo veamos el siguiente Ejemplo Los parmetros S para un transistor 2N5179 a 200 MHz, con un V CE = 6 volts y un IC= 5 mA, son: S11= 0.4 / 280 S22= 0.78 / 345 S12= 0.048 / 65 S21 = 5.4 / 103 Elegir un coeficiente de reflexin estable en la fuente y en la carga que proporcionen una ganancia de potencia de 12 dB 200 MHz. Solucin El clculo del factor de estabilidad de Rollet para el transistor indica una inestabilidad potencial con K= 0.082. Por consiguiente, se debe tener extrema precaucin al elegir las impedancias de la fuente y de la carga para el dispositivo, o podra oscilar. Para encontrar la regin de operacin estable en el diagrama de Smith, se grafican los crculos de estabilidad de entrada y salida. Procediendo con el Paso 1, ya mencionado, tenemos: DS= (0.4 / 280) (0.75 / 345) - (0.048 / 65) (5.4 / 103) = 0.429 / -58.18 C1= 0.4 / 280 - (0.429 / -58.2)(0.78 / -345) = 0.241 / -136.6 C2= 0.78 / 345 - (0.429 / -58.2)(0.4 / -280) = 0.65 / -24 Entonces, el centro del crculo de estabilidad de entrada se localiza en el punto: rS1= (0.241 / 136.6) / [(0.4)2 -(0.429)2] = 10 / 136.6 El radio del crculo se calcula como:
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pS1= |[(0.048 / 65)(5.4 / 103)] / [(0.4)2 - (0.429)2]| = 10.78 De forma similar, para el crculo de estabilidad de salida: rs2= (0.65 / 24) / [(0.78)2 - (0.429)2] = 1.53 / 24 ps2 = |[(0.048 / 65) (5.4 / 103)] / [(0.78)2 - (0.429)2]| = 0.610 Estos crculos se muestran en el siguiente baco de Smith. Ntese que el crculo de estabilidad de entrada est dibujado en realidad como una lnea recta debido a que el radio del crculo es muy grande. Como S 11 y S22 son ambas menores a 1, podemos deducir que el interior del crculo de estabilidad de entrada representa la regin de impedancias estables de la fuente, mientras que el exterior del crculo de estabilidad de salida representa la regin de impedancias estables de la carga para el dispositivo. La ganancia del crculo de 12 dB tambin se muestra graficada en ese baco. El centro del crculo resulta ser: ro= 0.287 / 24 con un radio de: po= 0.724 Las nicas impedancias de carga que podemos no seleccionar para el transistor se localizan dentro del crculo de estabilidad de entrada. Cualquier otra impedancia de carga localizada en el crculo de ganancia de 12 dB proporcionar la ganancia necesaria siempre que la entrada del dispositivo est adaptada conjugada, y siempre que la impedancia requerida para una adaptacin conjugada caiga dentro del crculo de estabilidad de entrada. Escoger L igual a un valor conveniente en el crculo de ganancia de 12 dB. L = 0.89 / 70 Utilizando la ecuacin que calcula el coeficiente de reflexin de la fuente necesario para una adaptacin conjugada obtenemos: S = 0.678 / 79.4 y se grafica este punto en el diagrama de Smith. Obsrvese que S cae dentro de la regin estable del crculo de estabilidad de entrada y, por consiguiente, representa una terminacin estable para el transistor.
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FIGURA DE RUIDO PTIMA Es un hecho conocido que para cualquier circuito la salida tendr ms ruido que la entrada. La figura de ruido da una idea de qu tanto ruido est sumando un determinado circuito. Nos interesa minimizarla eligiendo el punto de operacin y la resistencia de fuente. Para la primera seleccin, recurrimos a las hojas de datos de los transistores que habitualmente traen una grfica de figura de ruido ptima contra corriente de colector. Para la segunda, tambin en las hojas de datos de los transistores aparece una impedancia de fuente ptima o un coeficiente de reflexin en la fuente ptimo. Por lo general aparece para algunas frecuencias de inters, tpicamente 60 y 450 MHz. En el caso general habr que tomar estos datos como punto de partida y avanzar en el diseo mediante mediciones sobre el circuito de inters. Finalmente se determina el coeficiente de reflexin ptimo en la carga mediante la siguiente frmula: S S L = S 22 + 12 21 S 1 S11 S

Donde, S es el coeficiente de reflexin en la fuente para figura de ruido ptima. Ejemplo Se ha determinado que el punto de punto de polarizacin para figura de ruido mnima para un transistor es VCE = 10 V e IC = 5 mA. Su ptimo coeficiente de reflexin de la fuente, segn las hojas de datos, es: S = 0.7 / 140 Los parmetros S para el transistor, bajo las condiciones de polarizacin dadas a 200 MHz, son: S11= 0.4 / 162 S22= 0.35 / -39 S12= 0.04 / 60 S21= 5.2 / 63
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Disear un amplificador de bajo ruido que opere entre una fuente de 75 ohm y una carga de 100 ohm a 200 MHz. Qu ganancia puede esperarse para el amplificador cuando se haya construido? Solucin. El factor de estabilidad de Rollet (K) resulta de 1.74 lo cual indica estabilidad incondicional. Por lo tanto, podemos continuar con el diseo. Los valores del diseo de la red de adaptacin de la entrada se muestran en el siguiente baco de Smith. Aqu la resistencia normalizada de la fuente de 75 ohm se transforma a S utilizando dos componentes. Arc AB = C en paralelo = j1.7 mhos Arc BC = L en serie = j0.86 ohm Obtenemos: C1= 1.7 / [(50)(2)(200x106)] = 27 pF L1= [(0.86)(50)] / [2 (200x106)] = 34 nH El coeficiente de reflexin de la carga necesario para terminar de forma adecuada el transistor se encuentra usando la ecuacin obtenida anteriormente. L = {(0.35 / -39) + [((0.04 / 60) (5.2 / 63) (0.7 / 140)) / (1- (0.4 / 162) (0.7 / 140))]}* = 0.427 / 60.7 Este valor, junto con el valor normalizado de la resistencia de la carga, se grafica en el ltimo baco del ejemplo. La carga de 100 ohm debe ser transformada en L. Un mtodo posible se muestra en ese mismo baco. Ntese que solamente un inductor en paralelo proporciona la transformacin de impedancia necesaria: Arc AB = L en paralelo = -j0.48 mho L2 = 50 / [2(200x106)(0.48)] = 83 nH El diseo final, incluyendo una red de polarizacin tpica, se muestra en la ltima figura. Los capacitores de 0.1 -F son utilizados solamente como elementos de bypass y acoplamiento. La ganancia del amplificador GT, es 13.3 dB.

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REDES TPICAS DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA Y LA SALIDA Las redes de adaptacin resuelven el problema de que el transistor en general est conectado a una fuente con impedancia de salida 50 ohm y cargado con una carga de 50 ohm. Como el transistor no tiene ni impedancia de entrada ni de salida iguales a 50 ohm, debemos interponer estas redes de adaptacin para evitar reflexiones. Ya fue visto dentro de la resolucin de varios ejemplos a lo largo de este trabajo, el diseo de una red de adaptacin, su visualizacin en el baco de Smith como transformador de impedancias. Veremos ahora cuatro redes tpicas de adaptacin. Cada una de ellas tiene su propia limitacin. A veces ser preferible una sobre otra para conseguir valores de componentes realistas desde un punto de vista prctico. Recordemos que muchas veces los componentes en UHF o VHF estn medidos para una determinada frecuencia y pueden comportarse distinto en otras frecuencias. Por ejemplo un capacitor de mica de plata de 100 pF medido a 1 MHz, puede presentar 300 pF a 100 MHz. En cambio puede haber un efecto contrario en algunas frecuencias con la inductancia serie de las patas del capacitor, que disminuyan su efecto capacitivo. Valores de inductancia de unos pocos nanohenry tambin son difciles de obtener en la prctica. En las figuras que siguen, la resistencia y el capacitor que se muestran en el recuadro que dice Device to be matched representan la impedancia compleja de la entrada o salida del transistor. En algn caso estn en paralelo y en otros en serie segn favorezca a los clculos. La impedancia resultante de la red de adaptacin cuando est terminada con 50 ohm debe ser igual a la conjugada de la impedancia en el recuadro. Para que est bien adaptada y no exista potencia reflejada.

RED A La red A se aplica slo en el caso que el artefacto a adaptar tiene una parte real en serie de menos de 50 ohm. Cuando la parte real en serie se acerca a 50 ohm, la reactancia de C1 tiende a infinito. Es comn que en amplificadores de RF encontremos que la parte real serie de la entrada y la salida sea menor a 50 ohm, por lo que es de comn uso esta red.
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A continuacin la resolucin analtica: 1.- Seleccionar Q XL1 = QR1+XCout XC2 = ARL XC1 = (B/A)(B/Q) / ((B/A)-(B/Q)) = B / (Q-A) donde A = (R1(1+Q2) / RL 1 B = R1(1+Q2)

RED B Es la red PI de uso comn en transmisores de vlvulas. No es prctico usarlo cuando R1 es pequeo ya que L se vuelve muy pequeo y C1 y C2 son muy grandes. Solucin analtica: Seleccionar Q XC1 = R1/Q XC2 = RLR1 / RL((Q2+1)-(R1/RL)) XL = (QR1+(R1RL/XC2)) / (Q2+1)

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RED C La red C se resolvi en dos formas. Ambas tienen la limitacin de que R 1 debe ser menos de 50 ohm. Habitualmente es la configuracin que lleva a mejores valores de los componentes cuando se usan valores bajos de R 1. Para resolver red C1: Seleccionar Q XL1 = XCout XC1 = QR1 XC2 = RLR1/(RL-R1) XL2 = XC1+ (R1RL/XC2) Para resolver red C2 Seleccionar Q L1 no se usa en esta red. XC1 = QR1 XC2 = RLR1/(RL-R1) XL2 = XC1+ (R1RL/XC2)

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RED D La red D es una red T. Esta red es til para adaptar impedancias menores que o mayores que 50 ohm. Ha sido observado en pruebas de laboratorio esta red presenta gran eficiencia en el colector cuando se usa para adaptacin en la salida en etapas de amplificacin de potencia de RF. Para resolver la red D: Seleccionar Q XL1 = QR1+XCout XL2 = RLB XC1 = (A/Q)(A/B) / ((A/Q)+(A/B)) = A / (Q+B) donde A = R1 (1+Q2) B = A/RL - 1

Para resolver estas redes de adaptacin muchas veces se utilizan lneas en el propio impreso (Microstrip Matching Networks).

No es de inters en este trabajo ingresar al estudio del diseo de estas redes. Simplemente mencionaremos que al aumentar las frecuencias empieza a tener importancia el efecto inductivo de la lnea y la capacidad respecto de plano de tierra a travs del dielctrico.

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