Ricardo Orduz Marzal

UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID
INSTITUTO DE ENERGA SOLAR

DEPARTAMENTO DE ELECTRNICA FSICA

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE
INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN

TESIS DOCTORAL

CONTRIBUCIN A LOS SISTEMAS
DE CONTROL DE POTENCIA MICRO-DISTRIBUIDA
EN EDIFICIOS FOTOVOLTAICOS

AUTOR: D. RICARDO ORDUZ MARZAL
INGENIERO ELECTRNICO
UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID
DIRECTOR: D. MIGUEL ANGEL EGIDO AGUILERA
INGENIERO DE TELECOMUNICACIN
PROFESOR TITULAR DE LA E.T.S.I. TELECOMUNICACIN

MADRID, JULIO DE 2009

A mis padres y hermanos,
Por su apoyo y valioso ejemplo de superacin

A Isabel,
Por su cario y paciencia infinita

A mis familiares y amigos,
Que tuvieron siempre una palabra de nimo y optimismo

Agradecimientos

Quiero agradecer sinceramente a todas las personas que me apoyaron y
contribuyeron al desarrollo de esta tesis doctoral.
Especialmente agradezco a D. Miguel ngel Egido por darme la oportunidad de
trabajar en los proyectos de investigacin que hicieron posible este trabajo, as
como por su apoyo y direccin. Tambin agradezco a D. Estefana Caamao por sus
consejos y recomendaciones durante los primeros aos.
A las personas con las que trabaj en los proyectos de investigacin, especialmente
a D. Eduardo Romn, D. Ricardo Alonso, D. Susana Uriarte y D. Juan Carlos
Jimeno.
A mis compaeros de despacho, por el compaerismo y el buen ambiente que
concibieron un trabajo ameno y creativo. En mis recuerdos estn Blen, Javier,
Pablo, Michael, Marcos, Salva, Mery y Dany. As como a las personas con quienes
he compartido en el IES-UPM, entre comidas y tertulias, con especial aprecio y
amistad.
En aquello de hacer que las ideas se hagan tangibles, agradezco la inmensa ayuda
de Pepe y Zamorano, en los trabajos de taller y laboratorio. Tambin a Ricardo,
Montse, Estrella, Lola, Rosa y M Elena, por su ayuda en todo lo relacionado con la
gestin y trmites, en los viajes y congresos.

RESUMEN

Enriquecida con diversos estudios, simulaciones, desarrollo de instrumentacin y
software, as como de importantes resultados de ensayos; esta tesis doctoral pretende
contribuir al anlisis del comportamiento y control de potencia de generadores fotovoltaicos
constituidos por mdulos MPPT, mdulos fotovoltaicos con un seguidor individual del punto
de mxima potencia; sistema de especial aplicacin en edificios.
Cabe destacar inicialmente, el desarrollo de instrumentacin y software para la
caracterizacin de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT. Con el fin de validar la
instrumentacin, se realiza una amplia campaa de ensayos utilizando varios modelos y
fabricantes de mdulos. Adicionalmente, con el fin de identificar el comportamiento del
MPPT, se llevan a cabo estudios sobre los efectos producidos por el sombreamiento.
Como segunda contribucin, se realiza un extenso estudio terico acerca del
comportamiento y desempeo de mdulos MPPT conectados al generador de un sistema
fotovoltaico conectado a red. Se desarrolla un conjunto de expresiones matemticas que
permiten estimar el voltaje de entrada del inversor, los parmetros elctricos y la mxima
relacin de conversin de los convertidores considerando diferentes condiciones de
funcionamiento. Se realizan adems varias simulaciones por ordenador, las cuales permiten
predecir el comportamiento del sistema en diversas situaciones. Por ltimo, y tomando como
ejemplo prctico la Prgola Fotovoltaica de la Moncloa, se realiza una simulacin energtica
anual considerando mdulos MPPT con diferente inclinacin y orientacin.
En ltimo lugar y a partir de un prototipo de convertidor MPPT desarrollado por
Robotiker Tecnalia, se desarrolla y explica un algoritmo para identificar los estados de
operacin y detectar fallos del prototipo. Mediante una amplia campaa de ensayos, en la
que se prueban cuatro prototipos conectados en serie a un inversor conectado a red, se lleva
a cabo la caracterizacin de los convertidores, se estudia su comportamiento en diversas
condiciones de sombreamiento, y se analizan las situaciones de funcionamiento de los
mdulos MPPT en las que es posible extraer la mxima potencia del generador fotovoltaico.

ABSTRACT

Enriched with a variety of studies, simulations, development of instrumentation and
software, as well as important test results; this thesis aims to contribute to the behaviour
analysis and the power control of photovoltaic generators made by MPPT modules,
photovoltaic modules with an individual maximum power point tracking converter; system
with special application on buildings.
It should consider initially, the development of instrumentation and software for the
characterization of PV modules and MPPT converters. In order to validate the
instrumentation, an extensive tests campaign using different models and manufacturers of
PV modules has been successful carried out. Additional studies to identify the MPPT
behaviour under shading effects are performed.
As a second contribution, an extensive theoretical study about the behaviour and
performance of MPPT modules in a typical grid connected PV system is carried out. A set of
useful mathematical expressions are developed and explained, which allows the input
voltage estimation of the PV inverter, the electrical parameters and the maximum conversion
ratio of MPPT converters considering different operating conditions. Several simulations have
been made, which allow making a prediction of how the system works on different situations.
Finally, Moncloa Photovoltaic Pergola with different tilt and orientation of its PV modules is
taken as an example to simulate its annual energy, but considering a hypothetic case of
MPPT modules installed its PV generator.
In the last stage and starting from a prototype MPPT converter developed by
Robotiker Tecnalia, an algorithm to identify the operation state and possible failures of the
prototype is developed and explained. An extensive tests campaign is successfully
performed, four prototypes in series connected to a PV inverter to the grid are tested, it is
carried out the MPPT converters characterization, their behaviour in different shading
conditions is studied and the operation conditions of the MPPT converters where it is possible
to extract the maximum power of the photovoltaic generator is analyzed.

NDICE

1 Introduccin y objetivos .........................................................1
1.1 Escenario energtico actual ...............................................................................1
1.2 Situacin actual de la fotovoltaica ......................................................................3
Fotovoltaica en Espaa...........................................................................................3
Fotovoltaica en el mundo........................................................................................4
1.3 Sistemas fotovoltaicos en edificios......................................................................8
1.4 Prdidas energticas en edificios fotovoltaicos .....................................................9
1.4.1 Compromiso entre integracin y perdidas ....................................................9
1.4.2 Desacoplamiento de corrientes y prdidas entre mdulos fotovoltaicos
interconectados................................................................................................... 10
1.5 Objetivos ...................................................................................................... 11
1.5.1 Antecedentes ......................................................................................... 11
1.5.2 Objetivos generales ................................................................................ 12
1.5.3 Objetivos especficos............................................................................... 12
1.6 Estructura de la tesis...................................................................................... 13
1.7 Referencias ................................................................................................... 14

2 Estado del arte ........................................................................ 17
2.1 Introduccin .............................................................................................. 17
2.2 Revisin a la normativa tcnica .................................................................... 17
2.2.1 Situacin de la normativa tcnica espaola ................................................ 18
2.2.2 Situacin de la normativa internacional sobre SFCR .................................... 19
2.3 El generador fotovoltaico............................................................................. 21
2.3.1 Modelado............................................................................................... 21
2.3.2 Clulas y mdulos fotovoltaicos: efecto del conexionado en serie.................. 23
2.3.3 Configuracin de los diodos de paso en mdulos comerciales ....................... 25
2.3.4 Medida y caracterizacin de mdulos y generadores fotovoltaicos................. 26
2.4 Sistemas de control de potencia en edificios fotovoltaicos................................ 27
2.4.1 Inversores fotovoltaicos: topologas y tendencias ....................................... 28
2.4.2 MPPT en inversores comerciales ............................................................... 30
2.4.3 Control de potencia distribuida mediante convertidores MPPT....................... 33
2.4.4 Control distribuido con convertidores DC/DC acoplados a mdulos individuales
35
2.5 Referencias................................................................................................ 36

3. Caracterizacin de generadores fotovoltaicos ......................... 41
3.1 Introduccin .............................................................................................. 41
3.2 Antecedentes............................................................................................. 42
3.3 Instrumentacin y mtodo de medida de la caracterstica I-V de mdulos
fotovoltaicos .......................................................................................................... 42
3.3.1 Mtodo de medida exterior ...................................................................... 42
3.3.2 Generador de barrido I-V......................................................................... 49
3.3.3 Software de procesamiento de datos......................................................... 51
3.3.4 Alcances................................................................................................ 52
3.4 Medida y caracterizacin de mdulos fotovoltaicos: Validacin de la
instrumentacin desarrollada ................................................................................... 52
3.4.1 Curva I-V tpica a CEM ............................................................................ 53
3.4.2 Caracterstica I-V y P-V a condiciones reales de operacin en un da tpico de
verano 54
3.4.3 Medida de la potencia mxima a CEM y a diferentes condiciones de operacin 55
3.5 Caracterizacin de los mdulos utilizados ...................................................... 59
3.5.1 Curvas caractersticas y parmetros elctricos a CEM.................................. 61
3.5.2 Caracterizacin en polarizacin inversa...................................................... 63

3.6 Estudio del comportamiento de mdulos fotovoltaicos bajo sombreamiento
localizado...........................................................................................................64
3.6.1 Ensayos de sombreamiento sobre un mdulo con diodos de paso en
configuracin serie............................................................................................65
configuracin redundante...................................................................................70
3.6.3 Conclusiones de los ensayos de sombreamiento ........................................73
3.7 Referencias.............................................................................................74

4 Estudio del comportamiento de convertidores MPPT en mdulos
y generadores fotovoltaicos ...........................................................77
4.1 Introduccin .............................................................................................. 77
4.2 Convertidores DC-DC y MPPT: topologas y modelado ..................................... 78
4.2.1 Convertidor elevador o tipo Boost ......................................................... 79
4.2.2 Convertidor reductor o tipo Back........................................................... 89
4.2.3 Convertidor reductor-elevador o tipo Buck-Boost .................................... 94
4.2.4 Anlisis comparativo de las diferentes topologas .................................... 98
4.3 Simulacin de un convertidor MPPT elevador usando MatLab/Simulink .............. 99
4.3.1 Modelo Simulink y simulacin a nivel de circuito del mdulo fotovoltaico.... 99
4.3.2 Modelo Simulink de un convertidor MPPT elevador ................................ 102
4.3.3 Simulacin de un convertidor MPPT durante un da tpico de verano ........ 104
4.4 Modelado y anlisis del comportamiento de convertidores MPPT interconectados
con un inversor comercial ...................................................................................... 107
4.4.1 Relacin entre corrientes y voltajes de entrada y salida ......................... 107
4.4.2 Relacin entre el desacoplamiento entre corrientes y el voltaje ptimo del
inversor 109
4.5 Anlisis comparativo de la mejora en potencia de convertidores MPPT respecto a
un sistema convencional desde el punto de vista de la caracterstica P-V del generador 113
4.5.1 Caractersticas del software de simulacin MPPT Tracer....................... 114
4.5.2 Comportamiento de los convertidores MPPT respecto al nivel de
sombreamiento sobre una clula ......................................................................... 116
4.6 Simulacin energtica de convertidores MPPT e inversores convencionales en un
sistema fotovoltaico real: La Prgola Fotovoltaica del Palacio de la Moncloa ................. 119
4.6.1 Objetivo........................................................................................... 119
4.6.2 Sistema Fotovoltaico de la Prgola de la Moncloa .................................. 119
4.6.3 Modelo de comportamiento de convertidores MPPT elevadores en mdulos
fotovoltaicos conectados en serie con diferente orientacin e inclinacin................... 122
4.6.4 Procedimiento de clculo para la simulacin ......................................... 124
4.6.5 Resultados de la simulacin................................................................ 127
4.7 Conclusiones............................................................................................ 129
4.8 Referencias.............................................................................................. 130

5 Prototipo de un convertidor MPPT elevador: caracterizacin y
resultado de ensayos ................................................................... 131
5.1 Introduccin ............................................................................................ 131
5.2 Caractersticas generales del prototipo........................................................ 132
5.2.1 Convertidor MPPT elevador GIE........................................................ 132
5.2.2 Unidad de control y supervisin UCS................................................. 134
5.2.3 Mtodo de monitorizacin y deteccin de fallos..................................... 135
5.2.4 Viabilidad econmica e implementacin prctica ................................... 141
5.3 Ensayos individuales modulo-convertidor .................................................... 142
5.3.1 Caracterizacin I-V y P-V del GIE........................................................ 142
5.3.2 Curva de eficiencia vs radiacin durante un da tpico de verano ............. 145
5.4 Ensayo de convertidores interconectados a un sistema convencional............... 147
5.4.1 Sistema de medida e instrumentacin utilizada..................................... 147
5.4.2 Clculo del voltaje de entrada constante del inversor............................. 149
5.4.3 Error y Eficiencia MPPT bajo condiciones estticas................................. 150
5.4.4 Sombreamiento progresivo sobre un mdulo mediante un perfil de sombra
153
5.4.5 Mxima potencia extrada por los convertidores con mdulos sombreados 158
5.4.6 Experiencias de los ensayos ............................................................... 161
5.5 Referencias.............................................................................................. 162

6 Conclusiones generales y futuras lneas de investigacin ... 163
6.1 Principales contribuciones ............................................................................. 163
6.2 Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT ......................... 164
6.2.1 Alcances.............................................................................................. 164
6.2.2 Validacin y resultados de ensayos ......................................................... 165
6.3 Mdulos MPPT en edificios fotovoltaicos .......................................................... 165
6.4 Resultados de ensayo de un nuevo prototipo de convertidor MPPT...................... 166

6.5 Lneas de investigacin en marcha ................................................................. 167
6.6 Propuestas de ampliacin de estudios especficos y/o nuevas lneas de investigacin
168
6.6.1 Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos................................................. 168
6.6.2 Caracterizacin de convertidores MPPT.................................................... 169
6.6.3 Comportamiento de convertidores MPPT.................................................. 169
6.6.4 Aplicacin de convertidores MPPT en otras reas cientfico-tecnolgicas....... 170
6.7 Artculos ..................................................................................................... 170

Anexos ......................................................................................... 173
Anexo I: ...........................................................................................................173
Carga capacitiva: Descripcin del procedimiento de medida de mdulos
fotovoltaicos y convertidores MPPT..................................................................173
DESCRIPCIN DEL PROCEDIMIENTO DE MEDIDA ................................................ 175
Anexo II: ..........................................................................................................181
Carga capacitiva: Manual de operacin y mantenimiento .................................181
MANUAL DE HARDWARE ................................................................................... 183
Anexo III: ........................................................................................................193
Carga capacitiva: Manual de software ..............................................................193
MANUAL DE SOFTWARE.................................................................................... 195

Listado de figuras

Figura 1-1 Consumo energtico por habitante en Espaa en el 2005 (Fuente ASIF) .............2
Figura 1-2 Modelo de evolucin de las sociedades a travs de ciclos energticos [1]............2

Figura 2-1. Esquema elctrico unifilar de un SFCR segn RD1663/2000. .......................... 18
Figura 2-2. Diagrama de bloques de una instalacin fotovoltaica..................................... 19
Figura 2-3. Elementos funcionales de un SFCR.............................................................. 20
Figura 2-4. Circuito equivalente de una clula fotovoltaica.............................................. 21
Figura 2-5 Configuracin serie de diodos de paso.......................................................... 25
Figura 2-6. Configuracin redundante de diodos de paso................................................ 26
Figura 2-7 Tendencia de inversores fotovoltaicos conectados a red.................................. 28
Figura 2-8. Comparacin de diferentes topologas de inversores...................................... 29
Figura 2-9. Estructura general de un convertidor multi-string ......................................... 30
Figura 2-10 Comportamiento errtico del mtodo P&O con cambios rpidos de la irradiancia.
............................................................................................................................... 32
Figura 2-11. Topologa de la electrnica de potencia de un inversor multi-string Sunny Boy
5000. ...................................................................................................................... 34
Figura 2-12. Convertidor DC-DC integrado en cada mdulo FV en un sistema fotovoltaico
conectado a red. ....................................................................................................... 35

Figura 3-1. Ejemplo de medida - utilizando la instrumentacin desarrollada - de las
resistencias serie y paralelo mediante la pendiente a la curva cerca de V
OC
e I
SC

respectivamente. ...................................................................................................... 46
Figura 3-2. Instrumentacin necesaria para la medida de mdulos FV ............................. 47
Figura 3-3. Seales grficas de corriente y voltaje con respecto al tiempo (izquierda) y como
pares de valores I-V (derecha).................................................................................... 50
Figura 3-4: Aspecto de la carga capacitiva desarrollada ................................................. 51
Figura 3-5. Diagrama de flujo del programa ................................................................. 52
Figura 3-6 Medida tpica de una curva I-V de un mdulo fotovoltaico............................... 53
Figura 3-7 Curvas I-V a diferentes condiciones de operacin........................................... 54
Figura 3-8 Cambios en potencia mxima respecto al voltaje en un mdulo tpico .............. 55
Figura 3-9 Potencia mxima a CEM de mdulos individuales a irradiancias entre 600 y 1000
W/m
2
....................................................................................................................... 56
Figura 3-10. Correccin del efecto de cada de tensin debido a la resistencia serie.......... 56
Figura 3-11 Correspondencia de medidas del IES y CIEMAT............................................ 57
Figura 3-12 Ventana del programa PVGen en el que se muestra el resultado de medida de
calibracin del mdulo MBm52 con el patrn MBm51 calibrado por El Ciemat. .................. 59
Figura 3-13 Potencia mxima a STC de tres mdulos fotovoltaicos individuales corregidos
usando mdulos patrn.............................................................................................. 59
Figura 3-14 Curva caracterstica medida a CEM del mdulo I-70R/12.............................. 60
Figura 3-15 Curva caracterstica medida a CEM del mdulo I-94/12................................ 62
Figura 3-16 Curva caracterstica de una medida en polaridad inversa para comprobar el
funcionamiento de los diodos de paso del mdulo I-70R/12............................................ 63
Figura 3-17 Funcionamiento de los diodos de paso en configuracin redundante en un
mdulo en polarizacin inversa. .................................................................................. 64
Figura 3-18 Curva caracterstica con polaridad inversa para comprobar el funcionamiento de
los diodos de paso en del mdulo I-94/12. ................................................................... 64
Figura 3-19. Curvas I-V y P-V del mdulo MBm5.2 con sombreamiento sobre una sola clula
............................................................................................................................... 66
Figura 3-20 Resultados del sombreado progresivo de clulas en el mdulo MBm52. .......... 67
Figura 3-21. Sombreamiento de todo el lado corto del mdulo Mbm52 en el que entran en
funcionamiento los dos diodos de paso. ....................................................................... 68
Figura 3-22 Curvas I-V y P-V del mdulo I-70R/12 bajo sombreamiento sobre una sola
clula. ..................................................................................................................... 69

Figura 3-23. Zonas de influencia de donde actan los diodos de paso en una configuracin
redundante............................................................................................................... 70
Figura 3-24 Curvas I-V y P-V del mdulo I-94/12 en diferentes zonas de actuacin de los
diodos. .................................................................................................................... 71
Figura 3-25 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrea una
clula completamente en uno de los extremos del lado largo. ......................................... 72
Figura 3-26 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrean
once clulas completamente en uno de los extremos del lado largo. ............................... 72
Figura 3-27 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrean 11
clulas de la parte media. .......................................................................................... 73
Figura 3-28 Sombreamiento de dos filas del lado corto del mdulo I-94/12 en el que entran
en funcionamiento los dos diodos de paso. ................................................................... 73

Figura 4-1 Seal de control de conmutacin de un convertidor DC/DC ............................. 78
Figura 4-2 Circuito equivalente de un convertidor elevador ideal. .................................... 79
Figura 4-3 Comportamiento de la el voltaje de salida en un convertidor elevador .............. 80
Figura 4-4 Relacin de conversin M(D) del convertidor Boost ideal................................. 82
Figura 4-5 Circuito equivalente de un convertidor elevador no ideal................................. 83
Figura 4-6 Relacin de conversin M(D)= Vo/Vi vs. el ciclo de trabajo D para un convertidor
elevador no ideal....................................................................................................... 85
Figura 4-7. Eficiencia vs. M(D) en un convertidor elevador real. dependiente de R
L
/Z ........ 85
Figura 4-8 Diagrama de bloques del sistema Mdulo convertidor DC/DC .......................... 85
Figura 4-9 Curva caracterstica terica de un convertidor elevador acoplado a un mdulo
fotovoltaico y generada al variar su impedancia de salida............................................... 86
Figura 4-10 Convertidor MPPT como adaptador de impedancia........................................ 87
Figura 4-11 Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor elevador
integrado en un mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano........................... 88
Figura 4-12 Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor elevador
integrado en un mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano............................ 89
Figura 4-13. Circuito equivalente de un convertidor reductor .......................................... 90
Figura 4-14 Comportamiento de la el voltaje de salida de un convertidor reductor............. 90
Figura 4-15 Relacin de conversin M(D) vs. Ciclo de trabajo D en un convertidor reductor.
............................................................................................................................... 91
Figura 4-16 Curva caracterstica terica de un convertidor reductor al variar su impedancia
de salida. ................................................................................................................. 92
Figura 4-17 Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor reductor
integrado en un mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano ............................ 93
Figura 4-18 Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor reductor
integrado en un mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano. ............................ 94
Figura 4-19. Circuito equivalente de un convertidor elevador .......................................... 94
Figura 4-20. Relacin de conversin M(D) vs. Ciclo de trabajo D en un convertidor reductor.
............................................................................................................................... 95
Figura 4-21 Curva caracterstica terica de un convertidor reductor al variar su impedancia
de salida. ................................................................................................................. 97
Figura 4-22. Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor reductor-
elevador integrado en un mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano. .............. 97
Figura 4-23. Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor reductor-
elevador integrado en un mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano............... 98
Figura 4-24. Comparacin del grado de utilizacin de los interruptores en diferentes
convertidores DC-DC ................................................................................................. 99
Figura 4-25. Modelo Simulink a nivel de circuito de un mdulo fotovoltaico .................... 101
Figura 4-26. Diagrama de bloques Simulink para simulacin del funcionamiento de una carga
capacitiva que mide la curva I-V del mdulo fotovoltaico I-94/12 bajo sombreamiento .... 101
Figura 4-27. Resultado de simulacin Simulink de la caracterstica I-V del mdulo I-94/12
con sombreamiento en la parte media del mdulo....................................................... 102
Figura 4-28 Diagrama de bloques Simulink del convertidor Boost .................................. 103
Figura 4-29. Ejemplo de simulacin de un convertidor boost como variador de impedancia
para el barrido de un mdulo fotovoltaico................................................................... 103
Figura 4-30. Diagrama de bloques Simulink para la simulacin de un convertidor boost MPPT
............................................................................................................................. 104

Figura 4-31. Resultado de simulacin Matlab/Simulink de un convertidor boost MPPT ...... 105
Figura 4-32 Resultados de simulacin de un convertidor MPPT Boost en el que se aprecia el
detalle del rizado de los parmetros elctricos de entrada y salida................................. 106
Figura 4-33. Mdulos con convertidores MPPT interconectados en serie en un sistema
fotovoltaico convencional ......................................................................................... 108
Figura 4-34 Grfica que relaciona la el voltaje Vo ptima y el desacoplamiento de un mdulo
en un sistema compuesto por cuatro mdulos-convertido en serie................................. 111
Figura 4-35. Sombreamiento sobre dos mdulos en la simulacin con MPPT Tracer ......... 115
Figura 4-36. Aspecto del programa MPPT Tracer con un ejemplo de sombreamiento sobre 4
mdulos................................................................................................................. 115
Figura 4-37 Ventana de configuracin del programa de simulacin MPPT Tracer para el
ejemplo concreto de cuatro mdulos-convertidor en el que se sombrean dos mdulos ..... 116
Figura 4-38 Simulacin que muestra la transicin del MPPT en un mdulo fotovoltaico
sombreado............................................................................................................. 118
Figura 4-39 Resultado de simulacin de la curva caracterstica de un sistema de cuatro
mdulos en serie con un mdulo sombreado el 30% sobre una clula............................ 119
Figura 4-40. Ilustracin y Fotografa de la prgola fotovoltaica de la Moncloa. ................ 120
Figura 4-41 Perspectiva lateral de la Prgola de la Moncloa donde se muestra las
inclinaciones de los mdulos y orientacin de la estructura........................................... 120
Figura 4-42. Interconexin de strings del campo A (izquierda) y B (derecha) en la prgola de
la Moncloa.............................................................................................................. 121
Figura 4-43. Esquema elctrico de cada instalacin del sistema fotovoltaico de la prgola de
la Moncloa.............................................................................................................. 122
Figura 4-44 Resultados comparativos de simulacin de la energa anual entregada por el
generador fotovoltaico de la Prgola de la Moncloa en el caso de utilizar convertidores MPPT
por mdulo............................................................................................................. 129

Figura 5-1. Diagrama de bloques del prototipo de convertidor MPPT GIE ........................ 133
Figura 5-2. Circuito de potencia convertidor DC-DC elevador integrado en el GIE............ 133
Figura 5-3. Aspecto fsico exterior e interior del prototipo de convertidor GIE.................. 133
Figura 5-4. Aspecto interno de la UCS y el software de supervisin y control .................. 135
Figura 5-5. Diagrama de flujo correspondiente al algoritmo de calibracin del convertidor 138
Figura 5-6 Diagrama de flujo de los estados de operacin del convertidor ...................... 139
Figura 5-7 Diagrama de flujo de la rutina de deteccin de fallos del convertidor .............. 140
Figura 5-8. Diagrama de bloques del sistema mdulo-GIE-Carga para la caracterizacin del
convertidor MPPT .................................................................................................... 143
Figura 5-9. Fotografas de la instalacin del sistema mdulo convertidor GIE utilizado para
las medidas. ........................................................................................................... 143
Figura 5-10 Caracterstica I-V y P-V del convertidor MPPT elevador GIE ......................... 144
Figura 5-11 Eficiencia vs irradiancia del convertidor GIE............................................... 146
Figura 5-12 Esquema de conexin y parmetros elctricos de medida del sistema compuesto
por 4 convertidores GIE en serie conectados a un inversor configurado a un voltaje constante
de entrada ............................................................................................................. 148
Figura 5-13 Instrumentacin utilizada para la medida de convertidores GIE conectados a un
sistema fotovoltaico conectado a la red...................................................................... 148
Figura 5-14. Fotografas del sistema de cuatro convertidores GIE conectados en serie
instalados en la estructura de medida de mdulos de la terraza del IES-UPM.................. 149
Figura 5-15 Esquema de conexin con el inversor Sunny Boy control y el inversor SB 700,
para configurar el modo de voltaje constante y los niveles de voltaje de entrada............. 149
Figura 5-16 Grfica que relaciona el voltaje V
O
ptimo y el desacoplamiento de un mdulo en
un sistema compuesto por cuatro mdulos-convertidor GIE en serie.............................. 150
Figura 5-17 Sistema de seleccin de conexiones mediante interruptores para independizar
las medidas de la potencia del sistema con convertidores y la disponible en el generador. 151
Figura 5-18 Fotografa que muestra el paso de un perfil de sombra sobre un mdulo
cubriendo el 50% de 3 clulas .................................................................................. 154
Figura 5-19. Termofotografa del efecto de sobre temperatura del convertidor ................ 162

Figura 6-1. Posibilidades de integracin arquitectnica utilizando convertidores MPPT 166

Listado de Tablas

Tabla 1-1. Capacidad fotovoltaica acumulativa mundial....................................................5
Tabla 1-2. Desarrollo de los precios de las compaas elctricas y los costes de generacin
FV. ............................................................................................................................7
Tabla 1-3. Previsin de superficie y energa producida por sistemas fotovotaicos integrados
en edificios. ................................................................................................................8

Tabla 3-1 Promedio y desviacin de medidas IES vs CIEMAT .......................................... 58
Tabla 3-2 Parmetros caractersticos del mdulo I-70R/12 y I-94/12............................... 60
Tabla 3-3 Parmetros elctricos medidos a CEM del mdulo I-70R/12.............................. 61
Tabla 3-4 Parmetros elctricos medidos a CEM del mdulo I-94/12................................ 62

Tabla 4-1 Irradiancias y temperaturas correspondientes ................................................ 88
Tabla 4-2 Parmetros elctricos de un sistema de cuatro mdulos-convertidor conectados en
serie, en el que se produce un desacoplamiento en corrientes del 40% en uno de ellos.... 112
Tabla 4-3 Parmetros elctricos de un sistema de cuatro mdulos-convertidor conectados en
serie, en el que se produce un sombreamiento sobre un mdulo con al menos un 75% de
rea cubierta sobre una clula. ................................................................................. 113
Tabla 4-4 Caractersticas elctricas (proporcionados por el fabricante) de los mdulos
fotovoltaicos Tipo A y Tipo B de la prgola de la Moncloa. ....................................... 121
Tabla 4-5 Datos de partida para la simulacin del sistema fotovoltaico de la prgola de la
Moncloa ................................................................................................................. 128

Tabla 5-1 Anlisis de viabilidad econmica para cada GIE............................................. 142
Tabla 5-2 Comparativa entre parmetros del mdulo FV y el GIE. ................................. 146
Tabla 5-3 Resultados de medida de cuatro convertidores GIE interconectados en serie, donde
se compara su eficiencia y error MPP respecto a la curva caracterstica I-V del generador
fotovoltaico formado por los mdulos asociados a los convertidores............................... 152
Tabla 5-4-A Resultados de medida en el que se realiza un sombreamiento progresivo
mediante un perfil superpuesto al mdulo asociado al convertidor GIE 1, en un sistema de
cuatro convertidores en serie acoplados a un inversor con voltaje de entrada constante e
igual a 105V. .......................................................................................................... 156
Tabla 5-5. Resultados de sombreamiento localizado en un sistema de cuatro convertidores
en serie para conocer la eficiencia MPPT mediante comparativa con la mxima potencia
extrada del generador............................................................................................. 160

1
Captulo 1

1 Introduccin y objetivos

1.1 Escenario energtico actual
El desarrollo de toda sociedad est ligado directamente a la disponibilidad y consumo
energtico, la energa es por tanto un factor esencial para el desarrollo y el crecimiento
econmico, de manera que la aparicin de una crisis energtica desemboca
irremediablemente en una crisis econmica. Es por esto que la utilizacin eficaz de la
energa, as como su uso responsable, es esencial para la sostenibilidad
a
. A travs de la
historia, cada descubrimiento y avance tecnolgico nos ha proporcionado: por un lado, una
infinidad de artefactos tecnolgicos y de consumo para mejorar o mantener nuestro confort y
disminuir nuestro esfuerzo; y por otro, nos ha provisto de nuevas fuentes de energa que
han aliviado y reemplazado poco a poco las fuentes de energa que no han podido mantener
el crecimiento de consumo.
Desde el punto de vista de la demanda y eficiencia energtica, la relacin
b
entre el
consumo final de energa media diaria por persona en Espaa y su necesidad energtica
bsica
c
[1] (3000 kcal por persona y da) es de 22; es decir, 21 se destina a la comodidad
y 1 a existir. La Figura 1-1 proporcionada por ASIF
d
[2], lo refleja grficamente. Si bien es
cierto que la comodidad nos ha proporcionado una mejor calidad de vida, tambin nos ha
acostumbrado a hacer un mal uso de la energa debido a su amplia disponibilidad y acceso, y
bajo coste por el subsidio de la energa primaria. Efecto opuesto es el que se encuentra en
pases en vas de desarrollo en donde la energa es un bien escaso, y por tanto muy
preciado, all se lleva a cabo controles de consumo mediante el racionamiento de la energa y
el establecimiento de tarifas por niveles de consumo. Es por eso que mientras las nuevas
fuentes de energa se desarrollan, es preciso crear medidas e incentivos para incrementar la
eficiencia energtica y el buen uso de la energa, el IDAE
e
es uno de los promotores de estas
medidas en Espaa.

a Se recoge como definicin en el Principio 3 de la Declaracin de Ro (1992): "aquel desarrollo que
satisface las necesidades de las generaciones presentes sin comprometer las posibilidades de las
generaciones futuras para atender sus propias necesidades" y se encuentra en el documento conocido
como Informe Brundtland (1987), fruto de los trabajos de la Comisin de Medio Ambiente y Desarrollo
de Naciones Unidas, creada en Asamblea de las Naciones Unidas en 1983.
b 2,4 tep de energa final por habitante y ao, donde 1 tep=10x10
6
kcal, por tanto 2,4 tep=65753 kcal
por da.
c Las necesidades energticas del ser humano estn dadas por la suma de dos componentes
principales: el metabolismo basal (situacin en reposo, 1 kcal por Kg de peso y hora) y la actividad fsica
que puede variar desde 2,5 kcal por minuto para un oficinista a 10 kcal por minuto en un deportista.
Reuniendo estos dos componentes, en general, los valores ms frecuentes estn en el margen de 2500
kcal a 3000 kcal por da (extrado de la referencia).
d Asociacin de la Industria Fotovoltaica espaola.
e Instituto para la Diversificacin y Ahorro de la Energa.
Contribucin a los Sistemas de Control de Potencia Micro-Distribuida en Edificios Fotovoltaicos
Tesis Doctoral

2

Figura 1-1 Consumo energtico por habitante en Espaa en el 2005 (Fuente ASIF)

Cada organizacin social a travs de la historia ha tenido grandes cambios en su
desarrollo debido principalmente a los ciclos energticos de agotamiento y resurgimiento de
las fuentes de energa. Este fenmeno de concebir la historia a travs de ciclos, se ha escrito
en varios libros y artculos [3][1]. Como se describe en la Figura 1-2 las sociedades
humanas se comportan como sistemas y, como tales, su funcionamiento exige un flujo
continuo de energa. Para mantener este flujo, los sistemas deben organizarse de tal forma
que sean capaces; primero, de captar recursos energticos externos; segundo, de asimilarlos
y transformarlos a travs de una innovacin tecnolgica para extraer orden de ellos; y por
ltimo, librarse o reutilizar (si es sostenible) los residuos resultantes del proceso[3]. Toda
crisis puede terminar rpido si el sistema es capaz de incorporar una nueva tecnologa que
restaure rpidamente la disponibilidad energtica e inaugure un nuevo ciclo.

Figura 1-2 Modelo de evolucin de las sociedades a travs de ciclos energticos [1]

La teora del pico de Hubbert, conocida como del cenit del petrleo, es una teora
acreditada acerca de la tasa de agotamiento a largo plazo del petrleo, as como de otros
combustibles fsiles. Apoyndose en los datos de produccin, la Asociacin para el Estudio
Captulo 1. Introduccin y objetivos
3
del Pico del Petrleo y el Gas
f
, consider que el pico del petrleo ocurrira en 2007, y el pico
del gas natural entre el 2010 y 2020. Pero no solo es preciso darse cuenta que estamos
iniciando la crisis definitiva del recurso energtico ms importante del planeta, si no que
adems sus residuos estn provocando un cambio climtico que puede cambiar nuestra
forma y esperanza de vida a corto plazo. Cronolgicamente, el coste del petrleo ha ido
subiendo estrepitosamente y sin parar desde febrero del 2003, hito histrico de la guerra de
Irak, situndose el precio del barril a ms del doble, de 40 a 90 dlares a finales del 2007.
En 2008 todo el mundo fue participe de dos acontecimientos que marcaron historia, el
escaln de precios del barril de petrleo ms trascendente y una crisis financiera mundial sin
precedentes. La causa, la volatilidad de la evolucin al alza del petrleo se ha visto
acentuada por la mermada capacidad en el lado de la oferta [4]; por razones polticas (Irn,
Venezuela, Israel, entre otros) y debido a la creciente conciencia respecto al cenit del
petrleo que agudiz el temor de una posible escasez, teniendo en cuenta adems la
demanda espectacular de India y China. La subida ms importante se produjo en el primer
semestre del 2008, cuando el petrleo subi al pico mximo histrico de 146,69 (3 de julio)
dlares el barril, y la bajada se produjo cuando la crisis financiera estadounidense
g
incentiv
una debilitacin de la demanda poniendo el precio del barril a los 80 dlares a finales de ao,
a principios de 2009 lleg a 44,8 dlares [5]. Esto ltimo corresponde a un escaln con
diferencias del 300% entre base y pico en menos de un ao. Estos cambios nos dan a
entender la relacin entre volatilidad y dependencia energtica.
El depender de fuentes de energa no renovables, tiene varias desventajas. La
desigual distribucin del recurso se ve limitado por su localizacin geogrfica, lo que
ocasiona conflictos geopolticos. Por otro lado, el cambio hacia una nueva fuente de energa
implica grandes cambios en infraestructuras, lo cual repercute en inmovilizar enormes
cantidades de dinero.
La diversificacin de las fuentes de energa de origen renovable proporciona un
abanico enorme de posibilidades: permite el desarrollo de diferentes fuentes cuyo recurso
puede extraerse en la mayor parte del planeta y en la mayora de los casos es ilimitado
h
y
sostenible, lleva la produccin al mismo lugar donde se consume, contribuye a la
independencia energtica, y finalmente no emite residuos que afecten a la salud del ser
humano ni al planeta a corto y largo plazo.
1.2 Situacin actual de la fotovoltaica
Fotovoltaica en Espaa
Se han realizado muchos esfuerzos por incrementar la instalacin de sistemas
fotovoltaicos, empezando por los incentivos proporcionados en el Plan de Fomento de
Energas Renovables y el RD 2818/1998, en el que se otorga la prima de 40 c para
instalaciones menores de 5 kW y 22 c para potencias mayores con una revisin a 4 aos y

f Association for the Study of Peak Oil&Gas -ASPO
g Estados Unidos de Amrica consume una cuarta parte del petrleo mundial.
h como es el caso de la solar, elica y la ocenica.
Tesis Doctoral

4
un lmite de potencia total instalada de 50 MW para el 2010. Posteriormente con el
crecimiento de las instalaciones, el RD 2818/1998 fue revisado y mediante el RD 436/2004
el lmite se extendi de 50 MW a 150 MW para el 2010, adems del disfrute de la prima
mxima a instalaciones de 100 kW y una garanta del cobro de la prima a 25 aos. El
crecimiento del sector prosper y as las expectativas del lmite impuesto para el 2010. De
esta forma se deroga el anterior Real Decreto por el RD 663/2007 que permiti la instalacin
de grandes centrales fotovoltaicas de mega vatios sobre suelo con un prima de 41 c, tan
solo unos 4 c ms baja que la mxima, as mismo el lmite de potencia instalada se situ en
371 MW. Bajo estas ltimas condiciones, se gener una oportunidad de negocio muy
importante para los grandes inversionistas y empresas promotoras. A mediados de 2007 el
sector super esta cifra y entr en un ao de prrroga, en el que se permita inscribir las
instalaciones hasta el 29 de septiembre del 2008. El Ministerio de Industria no se percat de
que en un solo ao podran hacerse varios gigavatios. Esto ocasion un sobre-calentamiento
del sector aprovechando la oportunidad de construir muchas mega-plantas en menos de un
ao, el resultado fue el salto de los 371 (ya superados) a 3130 MW
i
; algo verdaderamente
espectacular, un hito histrico que pone inmediatamente en primera posicin a Espaa como
el pas con ms potencia instalada del mundo en 2008. El Ministerio de Industria redact,
pocos das antes de la fecha lmite de aquel 29 de septiembre, el nuevo RD 1578/2008, en el
que se pretende estabilizar el crecimiento del sector poniendo lmites a las mega plantas y
favoreciendo a las pequeas instalaciones sobre cubiertas y edificios. Esta medida provoc
una parada en seco del sector
j
, mediante una reduccin paulatina de la prima empezando en
un 35% ligada al cupo de potencia instalada (4 convocatorias fijas al ao) para el 2009 de
400 MW (267 MW en edificacin + 133 MW sobre suelo). Sin embargo, esta medida obligar
a una baja importante en los precios de los mdulos fotovoltaicos, inversores, y en menor
medida, a los dems componentes de la instalacin.
Fotovoltaica en el mundo
El mercado fotovoltaico en el mundo crece a un ritmo enorme. La industria
fotovoltaica mundial, en particular en Europa, EE. UU., China y Japn, est realizando fuertes
inversiones en nuevas instalaciones de produccin y tecnologas. A finales de 2007, la
capacidad acumulativa instalada de los sistemas fotovoltaicos de todo el mundo super los
9,2 GW, mientras que en 2008 se instalaron 5,6 GW, esto significa un crecimiento del 60%
alcanzando los 15 GW de potencia mundial acumulada. En la Tabla 1-1 [6] se muestra con
ms detalle el desarrollo histrico de la potencia fotovoltaica acumulada. Desde 1994,
Europa ha sido el lder del mercado fotovoltaico mundial, en 2008 represent el 80%. En el
progresivo desarrollo del mercado durante el 2008, cabe destacar en primer lugar a Espaa,
que ha quintuplicado la potencia instalada en 2007, significa el 45 % (2,511 MW) [6] del
mercado mundial; tambin por orden de potencia instalada a: Alemania (1,5 MW), Estados
Unidos (342 MW), Japn (230 MW), Italia (258 MW), Corea del Sur (274 MW); as como los
mercados fotovoltaicos emergentes en: Francia (105 MW), Repblica Checa (51 MW),

i
Dato proporcionado por la Comisin Nacional de la Energa, a octubre de 2008. No se ha podido
confirmar con exactitud esta cifra, las estimaciones pueden tener una inexactitud de hasta 500 MW.
j
Arrastrando a ms de quince mil puestos de trabajo y el cierre de muchas empresas.
5
Portugal (50 MW) y Blgica (48 MW) [6]. Las instalaciones de clulas y mdulos FV en todo
el mundo han aumentado a una tasa media anual superior al 35% desde 1998 [6][7].
Tabla 1-1. Capacidad fotovoltaica acumulativa mundial

Los precios de los sistemas fotovoltaicos varan entre pases, de acuerdo al nivel de
desarrollo del mercado fotovoltaico local, el cual es estimulado por las polticas energticas
de cada pas, mediante normativas e incentivos econmicos. Un precio promedio estimativo
para sistemas del orden de kW, podran estar entre los 5 /Wp en sistemas fotovoltaicos
conectados a red y 7,5 /Wp en sistemas fotovoltaicos autnomos; mientras que, para
parques fotovoltaicos conectados a red del orden de unos cuantos megavatios, el precio est
por debajo de los 4 /Wp. Teniendo en cuenta la vida til de estos sistemas, el coste medio
de la energa de origen fotovoltaico est en torno a los 0,2 /kWh (sistemas conectados) y 1
/kWh, cuyos valores dependen directamente de la radiacin local, el coste y financiamiento
de la instalacin. Por ejemplo, existen actualmente regiones donde la energa primaria es
ms cara que la energa fotovoltaica, donde se ha alcanzado ya la paridad de red, esto
hace que sea rentable por sin misma sin el uso de incentivos, es el caso de los estados de
California
k
en los Estados Unidos de Amrica y algunas poblaciones de Japn [8], entre otros.
Desde el punto de vista tecnolgico, la cuota de cada tecnologa de clula, de mayor
a menor: 45,2 % en Si multicristalino, 42,2 % en Si monocristalino, 5,2 % en Si amorfo y
micro cristalino (Si-a/Si uc), 4,7 % en Teluro de Cadmio (CdTe), 0,5 % en diseleniuro de
cobre e indio (CIS, CIGS) [8]. La tecnologa ms predominante sigue siendo el silicio cristalino
debido a que est ampliamente disponible, la tecnologa es muy conocida, y emplea la

k Los precios de la electricidad aumentan en especial en verano, llegando hasta 50 $ct/kWh en
California, es tambin el periodo en que la cantidad de electricidad producida por los sistemas FV es ms
elevada.
Tesis Doctoral

6
misma tecnologa que la industria electrnica. El rendimiento mximo en clulas cristalinas
para produccin en serie est en torno al 20 % y en el panel estndar entre el 14 al 16 %, el
uso del silicio ha disminuido a la mitad desde el 2003 situndose el espesor medio en 0,17
mm en 2008 [8].
Desde el punto de vista de costes, a principios del 2009 se podan comprar
contenedores de mdulos (100 kWp aproximadamente) por debajo de los 2,5 /Wp en silicio
cristalino y 1,75 /Wp en amorfo. Con estos costes el tiempo de retorno energtico (TRE)
con tecnologa cristalina est en torno a dos aos [8]; es decir, un sistema FV basado en
tecnologa cristalina en el sur de Europa habr generado la misma energa que se necesit
para producir e instalar todos sus componentes. En un sistema de capa delgada, el TRE es
aproximadamente de un ao. Segn el progreso de la tecnologa fotovoltaica, la energa
empleada en la produccin de sistemas FV se reduce constantemente, el TRE de un sistema
FV tpico
l
sobre tejado esta en tres aos y medio [8].
Desde el punto de vista de la materia prima, la demanda del silicio fotovoltaico ha
superado las expectativas de las empresas fabricantes de silicio de la industria de
semiconductores. En el 2005 la industria fotovoltaica us el 45% del total de la produccin
mundial de silicio de alta pureza y en el 2006 uso ms silicio que la industria
microelectrnica, mientas que en el 2000 esta fraccin fue de tan solo el 10% [8]. El
abastecimiento de silicio provoc una crisis en el sector fotovoltaico entre el 2006 y 2007;
sin embargo, sta ha sido superada rpidamente. Con la construccin de varias plantas
m
de
produccin de polisilicio de grado solar en Espaa, independiente de la industria
microelectrnica y capaz de cubrir ms de cinco veces las necesidades actuales, Espaa
pretende independizarse parcialmente del abastecimiento de silicio. Como nota alentadora, el
mayor productor de silicio del mundo Hemlock Semiconductor planea antes de 2013 ampliar
su capacidad de produccin a 70.000 toneladas y fijar los precios para permitir a la industria
lograr la paridad de red con la electricidad solar [9].
Estas cifras sueltas no resultan ser relevantes sin antes dar respuesta a la pregunta:
cundo conseguiremos una bajada de costes fotovoltaicos tal que el kWh que generamos en
nuestro tejado, o en nuestro patio, iguale el precio del kWh que tenemos que pagar en
nuestro recibo de electricidad?. Para estos existen varios modelos. Segn el modelo que
presenta la EPIA
n
, la evolucin de los costes de generacin FV para pequeos sistemas
distribuidos en la mayora de las principales ciudades del mundo, muestran que en 2020, el
coste de la electricidad solar se habr reducido ms de la mitad; mientas que, en zonas con
alta radiacin solar (sur de Europa) y/o costes de electricidad altos, ya se habr conseguido
la paridad de red en 2010, como puede verse en la Tabla 1-2 [8]. Esto lo hara competitivo

l
En el que se incluyen todos los elementos elctricos y mecnicos de la instalacin.
m En abril de 2007 se inaugura en Los Barrios (Cdiz) la empresa Silicio Energa, la primera planta
dedicada a la fabricacin de polisilicio en Espaa, promovidas por Endesa, Isofotn y la Junta de
Andaluca. Se realiza en dos Fases, la primera permitir alcanzar una capacidad de produccin de 2.500
toneladas de polisilicio al ao y la segunda comenzar a finales de 2010, que tendr una capacidad total
de produccin de 5.000 toneladas al ao. Fuentes: Expansin 30/11/2006, Consultores de Comunicacin
Global y ASIF. Revista Energtica XXI Boletn N 84.
n European Photovoltaic Industrial Asociation
7
con los precios normales que se pagan por la electricidad de consumo domstico. Una razn
de ello es que, mientras que los costes de generacin FV descienden continuamente, los
precios de la electricidad subirn previsiblemente, o lo que es lo mismo, disminuirn las
ayudas de energa primaria de fuentes convencionales. Con la paridad de red, cada kWh de
energa FV consumido supondr un ahorro econmico con respecto a la energa ms cara de
la red. Se espera que la paridad de red se alcance inicialmente en los pases meridionales, y
que despus se extienda sistemticamente hacia el norte. Como ejercicio, en Espaa el
precio final horario diurno de produccin de energa primaria est en torno a los 7,2
c/kWh (el que se pagara sin la prima actual), con un ratio de produccin fotovoltaico de
1400 kWh/kWp (zona media y sur de Espaa e Italia, en sistemas fijos a 30 sur) y 25 aos
de explotacin, el coste de la instalacin
o
tendra que estar por debajo de los 2,5 /Wp para
llegar a la paridad de red y debajo de 1,5 /Wp considerando una amortizacin de 15 aos.

Tabla 1-2. Desarrollo de los precios de las compaas elctricas y los costes de generacin FV.

En la prediccin anterior se consideran sistemas fotovoltaicos conectados a red, pues
en sistemas autnomos sin acceso a la red pblica es rentable por si misma, suponiendo el
caso en que el coste de llevar la red elctrica es mayor que el de la propia instalacin.
Por otro lado, ms de 1600 millones de personas no tienen acceso a la energa
elctrica hoy en da. En 2007 se instalaron 100 MW en sistemas fotovoltaicos autnomos de
energa solar FV en zonas rurales de pases en vas de desarrollo, que dio acceso a la
electricidad aproximadamente a un milln de familias [8]; sin embargo, estas cifras siguen

o Clculo que proviene de multiplicar el coste de la energa primaria diurna [/kWh] por la productividad
de la instalacin [KWh/Wp] (1,4 para el sur de Espaa en sistemas fijos) y por los aos de explotacin.
Tesis Doctoral

8
siendo insuficientes. Pero tambin sabemos que el continuo descenso en los precios de la
fotovoltaica debido al aumento de las instalaciones en las ciudades en pases desarrollados,
har que en la prxima dcada sea asequible consiguiendo cubrir las necesidades
energticas en los pases en va de desarrollo. Manteniendo sta perspectiva, habr valido la
pena el esfuerzo en investigar sobre nuevas tecnologas que permitan mejorar el rendimiento
de los sistemas fotovoltaicos conectados a red en edificios.
1.3 Sistemas fotovoltaicos en edificios
El uso sostenible de la energa se ha convertido en un asunto de vital importancia
para el presente y futuro de las ciudades, los edificios significan un 42% del total de energa
consumida en Europa y las reas urbanas representan el 40% del total de la produccin de
CO
2
[10]. As que, la utilizacin de la tecnologa solar fotovoltaica es una oportunidad nica
para una gestin energtica ms sostenible, debido a su fcil integracin en elementos
arquitectnicos multifuncionales. Adems, su versatilidad y modularidad pueden formar parte
de nuevos y atractivos diseos arquitectnicos, a la vez que contribuyen a la demanda
energtica local.
Los edificios que integran sistemas fotovoltaicos se conocen como Sistemas
Fotovoltaicos Integrados en Edificios (SFIE) o Edificios Fotovoltaicos Conectados a Red (en
adelante EFCR), que en el mbito internacional es conocido por la abreviatura BIPV (Building
Integrated Photovoltaic Systems). Los sistemas fotovoltaicos conectados a la red elctrica
(en adelante SFCR) son el tipo especfico de sistemas que se utilizan en los edificios
fotovoltaicos, cuya funcin es la de entregar a la red elctrica toda la energa generada por el
sistema.
Con el objetivo de facilitar la incorporacin de los EFCR, los pases de la Unin
Europea han ido introduciendo un conjunto de normativas e incentivos econmicos para
fomentar este tipo de sistema. En Espaa, el Cdigo Tcnico de la Edificacin (CTE),
especficamente el documento bsico HE5 Contribucin fotovoltaica mnima de energa
elctrica para nuevas edificaciones, pretende contribuir al crecimiento del mercado de los
EFCR.
La potencialidad de los Sistemas Fotovoltaicos integrados en edificios se ve reflejada
en el informe de la EPIA, Photovoltaics in 2010. La Tabla 1-3 recoge la previsin de
generacin de energa elctrica en el ao 2010 mediante Sistemas Fotovoltaicos en cubiertas
de edificios.

Tabla 1-3. Previsin de superficie y energa producida por sistemas fotovotaicos integrados en edificios.
9
Los primeros EFCR instalados en Europa [11] surgieron a finales de la dcada de los
ochenta en Alemania, Austria y Suiza, y el primer edificio institucional que funcion en
Espaa lo hizo en 1994 en el edificio del Instituto de Energa Solar de la Universidad
Politcnica de Madrid [12].
Un SFCR est compuesto principalmente por un generador fotovoltaico conectado a
un inversor, el cual tiene como funciones principales: la bsqueda y seleccin del punto de
trabajo del generador fotovoltaico a su punto de mxima potencia, y la transformacin de
corriente continua en alterna para inyectar la energa generada a la red elctrica.
De especial atencin, es la interfase entre el generador fotovoltaico y el inversor, en
la que se enfoca esta tesis doctoral; en particular, de los aspectos de control de potencia
necesarios para garantizar que los mdulos trabajen en su mxima potencia; y de especial
aplicacin respecto a la topologa convencional, cuando en el diseo de la integracin
arquitectnica se prev: diferente inclinacin y orientacin de los mdulos, sombreamientos,
suciedad o diferentes modelos de mdulos en un mismo generador.
1.4 Prdidas energticas en edificios fotovoltaicos
1.4.1 Compromiso entre integracin y perdidas
En nuevas construcciones de edificios fotovoltaicos, las directrices tcnico-
urbansticas han de estar basadas en las interacciones existentes entre los parmetros de
diseo urbanstico y los requisitos tcnicos de las instalaciones fotovoltaicas. Es decir, debe
existir un compromiso entre la integracin arquitectnica y las exigencias tcnicas necesarias
que afectan directamente a la produccin de energa fotovoltaica. Sin embargo, desde la fase
de planteamiento no suelen tratarse de forma conjunta estas directrices tcnico-urbansticas.
Esto trae como consecuencia que, en algunos casos, se decida dar flexibilidad a las
exigencias tcnicas fotovoltaicas para conseguir una mejor integracin arquitectnica.
El generador fotovoltaico, en muchos casos, conforma la piel del edificio como
elemento arquitectnico en muros y fachadas, en los que por ejemplo el vidrio de un muro
cortina es reemplazado por mdulos de lmina delgada semitransparente. Por otro lado, los
compromisos en las directrices tcnico-urbansticas suelen conducir muchas veces a la
divisin del generador en varias partes y/o con diferentes inclinaciones y orientaciones o a
que se produzcan sombras parciales durante el da. Esto trae como consecuencia efectos de
desacoplo de corrientes entre clulas y/o mdulos fotovoltaicos, afectando directamente a la
produccin de energa del sistema. Por tanto, el generador fotovoltaico es el elemento
arquitectnico ms sensible a producir las mayores prdidas del sistema en EFCR. La Figura
1-3 muestra la sede ACQUE (Italia), un ejemplo de cmo la integracin arquitectnica puede
llegar a sacrificar la produccin, la fachada fotovoltaica se arquea con un ngulo de 120 de
este a oeste, con 11 inversores que combinan strings con diferente orientacin, la instalacin
fotovoltaica proporciona un promedio de 741 kWh/kWp. El otro ejemplo que se muestra en la
Figura 1-4, es la prgola fotovoltaica del Palacio de la Moncloa en Madrid; presenta seis
combinaciones de inclinacin y orientacin y 8 strings de 36 mdulos en serie que son
conectados a dos inversores.
Tesis Doctoral

10

Las prdidas asociadas con la integracin arquitectnica producen desacoplamientos
entre mdulos que afectan al funcionamiento del sistema. Se han realizado diversos estudios
que demuestran, mediante el seguimiento y monitorizacin de edificios fotovoltaicos,
prdidas de energa globales cercanas al 25% [13][14][15][16], las cuales podran
minimizarse con un control adecuado de la potencia distribuida entre mdulos
interconectados [17].
Otro aspecto importante es que el generador fotovoltaico se encuentra integrado en
el edificio generalmente en lugares de difcil acceso para realizar el mantenimiento y
deteccin de averas. En estos casos, es necesaria una tcnica y procedimiento para localizar
fallos sin tener que acceder directamente al generador.
1.4.2 Desacoplamiento de corrientes y perdidas entre mdulos fotovoltaicos
interconectados
El generador fotovoltaico suele estar dispuesto en lugares del edificio donde puede
producirse irremediablemente desacoplamientos de corrientes, incluso de voltajes.
El efecto de desacoplamiento de corriente se produce cuando existen diferencias en
las caractersticas elctricas de los mdulos o en los niveles de irradiancia incidente sobre
clulas de un mismo modulo o entre mdulos de un mismo generador, como es el caso
prctico del sombreamiento o diferencias de orientacin e inclinacin cuando son
interconectados en serie formando strings. Como consecuencia, surge una dependencia del
punto de trabajo del generador al mdulo con menos corriente, generando prdidas por
efecto de desacoplamiento. Este problema se soluciona parcialmente con el uso de diodos de
derivacin (conocido internacionalmente como by-pass diodes) puestos en paralelo a un
determinado nmero de clulas, sin embargo, su uso origina varios problemas: por un lado,
la bsqueda del punto de mxima potencia MPP (Maximum Power Point) del inversor; y por
otro lado, la prdida de potencia de las clulas bajo el diodo de paso que se activa. Otro
aspecto importante es el efecto de asociaciones en paralelo de agrupaciones de mdulos con
diferente voltaje, stas diferencias pueden surgir como causa de un mal funcionamiento del
los diodos de derivacin (cortocircuito, sobre-temperatura, entre otros), este efecto provoca
que la agrupacin de mdulos con menos voltaje funcione como carga recibiendo corriente
Figura 1-3. Sede central de la compaa de aguas
ACQUE, Chtillon, Italia.
Figura 1-4. Prgola fotovoltaica de la Moncloa,
Madrid, Espaa.
11
de los dems. Este problema se soluciona normalmente poniendo diodos de bloqueo en cada
string; sin embargo, estos diodos suman prdidas de conduccin al sistema.
En un tpico sistema fotovoltaico conectado a red, para extraer la mxima potencia
del generador fotovoltaico, es necesario incorporar un seguidor del punto de mxima
potencia o MPPT (Maximum Power Point Tracking), normalmente es un convertidor DC-DC
con MPPT (en adelante, convertidor MPPT) que es puesto entre el generador y el inversor.
Para garantizar que el generador trabaje en el MPP es necesario implementar un algoritmo
de bsqueda, que consiste en realizar una aproximacin iterativa para cambiar el punto de
operacin del generador y encontrar la direccin para la cual la potencia sea mxima,
aumentando o disminuyendo su voltaje de operacin.
En un generador fotovoltaico sombreado parcialmente y con mdulos con diodos de
paso, se originan en la curva de potencia-voltaje varios puntos mximos relativos, en los que
el algoritmo de bsqueda MPPT podra dirigirse a alguno de estos puntos distintos al mximo
absoluto y en definitiva podra conducir a una prdida global del sistema cuya magnitud
puede ser significativa [17].
Un modulo fotovoltaico ideal est compuesto por clulas idnticas que se
interconectan en un mismo mdulo, y un generador fotovoltaico ideal por mdulos idnticos
interconectados sobre los que incide una irradiancia homognea y uniforme. En la prctica,
las clulas nunca se fabrican idnticas, lo que origina que durante los procesos de fabricacin
de mdulos fotovoltaicos deban ser clasificadas; an as, las clulas difieren en sus
corrientes, y finalmente, esta dispersin es trasladada a la potencia del mdulo, que en
definitiva, da origen (en su mayor parte) a la tolerancia de potencia proporcionada en las
especificaciones tcnicas del fabricante. Del mismo modo, cuando los mdulos son
interconectados en serie para formar un generador, la dispersin de corrientes de las clulas
se extiende a los mdulos interconectados, este efecto es conocido como mismatch o
dispersin de parmetros. Las prdidas de mismatch se definen
p
como: la diferencia entre
la potencia mxima total de dispositivos conectados en serie o en paralelo y la suma de cada
dispositivo medido separadamente bajo las mismas condiciones.
En la experiencia, se encuentran diferencias entre los parmetros elctricos
q
de
mdulos en controles de calidad [18] muy por debajo de los valores nominales de catlogo,
con diferencias significativas de potencia entre ellos.
1.5 Objetivos
1.5.1 Antecedentes
Para alcanzar el objetivo propuesto, esta tesis tiene como punto de partida y fuente
de informacin el extenso trabajo de estudio y desarrollo de convertidores MPPT realizado
con un consorcio formado por el Instituto de Energa Solar, la Universidad del Pas Vasco y

p Expuesto en IEC 61836 TS Ed. 2.0. Solar photovoltaic energy systems Terms, definitions and
symbols.
q Parmetros elctricos a condiciones estndar de medida (1000W/m2 de radiacin incidente y 25C de
temperatura de clula) proporcionado por el fabricante.
Tesis Doctoral

12
las empresas Robotiker e Isofotn S.A., a travs del proyecto GENIUS Gestin de Energa
Integrada para Uso Solar Fotovoltaico (TIC 2002-04245-C02).
De igual forma, en colaboracin con el proyecto TaQSolRE (Tackling the Quality in
Solar Rural Electrification), cofinanciado por la Comisin Europea (NNE5-2002-00098), se ha
trabajado en el diseo e implementacin de instrumentacin electrnica, mtodo de medida
y software para la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
Se realizaron adems, auditorias tcnicas de calidad de diez Edificios fotovoltaicos
conectados a red en el proyecto Tejados solares fotovoltaicos en centros educativos del
municipio de Coslada (Madrid) a travs de un contrato con la empresa Isofotn.
1.5.2 Objetivos generales
Esta tesis doctoral pretende contribuir al estudio y solucin de los problemas
relacionados con el control de potencia en edificios fotovoltaicos. Puede dividirse en tres
lneas fundamentales:
En primer lugar, se trata de realizar el estudio del comportamiento elctrico de
mdulos y generadores fotovoltaicos, as como de convertidores MPPT acoplados a mdulos
fotovoltaicos (en adelante, mdulo MPPT). Cuyo fin ser estudiar los parmetros elctricos
de diferentes modelos y tecnologas, estudiar los efectos producidos por el sombreamiento y
desarrollar un mtodo para identificar fallos. Para lograr este objetivo es necesario el
desarrollo de instrumentacin electrnica y software para su medida y caracterizacin.
En segundo lugar, se pretende realizar un anlisis terico mediante simulacin del
comportamiento de mdulos MPPT. Comprende el desarrollo de modelos matemticos y
programas de simulacin por ordenador.
Por ltimo, se realiza una campaa de ensayos de un prototipo de convertidor MPPT,
con el fin de comprobar y analizar su funcionamiento y su viabilidad prctica.
1.5.3 Objetivos especficos
Desarrollo de instrumentacin electrnica para la medida de la caracterstica I-V y P-V de
mdulos fotovoltaicos en polarizacin directa e inversa. Adaptada para poder caracterizar
mdulos MPPT. A sta instrumentacin se aade el desarrollo de un software de
procesamiento de datos, capaz de leer, procesar y visualizar las curvas de medida I-V y
P-V en directa e inversa. Calcular los parmetros elctricos caractersticos a CEM
r
y
tendr un procesamiento y una interfaz grfica optimizada para la localizacin de fallos y
los efectos producidos por la dispersin de parmetros y sombreamiento parcial. Se
realizar la validacin del mtodo e instrumentacin mediante una amplia campaa de
ensayos, donde se analizar el comportamiento a diferentes condiciones de radiacin y
temperatura, as como de sombreamientos localizados.
Estudio del comportamiento de mdulos MPPT, en el que se desarrollan modelos
especficos para su simulacin y anlisis. Consiste en el desarrollo de software en C++ y

r
Condiciones Estndar de Medida
13
modelos MatLab/Simulink para la simulacin por ordenador de mdulos y generadores
fotovoltaicos individuales e integrados con convertidores MPPT, considerando diferentes
configuraciones en la interconexin y sometidos a diferentes condiciones de operacin
como: irradiancia y temperatura, dispersin de parmetros y sombreamiento.
Anlisis y estudio de produccin energtica anual de un sistema fotovoltaico real con
diferente inclinacin y orientacin, en el que se compara con un hipottico sistema
fotovoltaico idntico con mdulos MPPT.
Estudio y puesta a prueba de la integracin de un prototipo convertidor MPPT para
mdulos fotovoltaicos individuales, verificando su correcto acople y funcionamiento.
Realizacin de una campaa de ensayos en la que se comprara el funcionamiento de un
generador con mdulos MPPT y un generador convencional. Ambos sistemas se someten
a diferentes condiciones de irradiancia y temperatura, sobre los que se estudia los
efectos producidos por el sombreamiento de tipo puntual o localizado y mediante un
perfil de sombra.
Desarrollo de un mtodo de diagnstico y deteccin de fallos de convertidores MPPT
integrados en mdulos fotovoltaicos.
1.6 Estructura de la tesis
La tesis est dividida en seis captulos, a los que se aaden tres anexos que
complementan o amplan la informacin.
Tras este primer captulo introductorio, en el captulo dos se presenta el Estado del
Arte de los temas tratados en esta tesis. Se empieza por un repaso a la normativa sobre:
sistemas fotovoltaicos conectados a red, caracterizacin de mdulos y generadores
fotovoltaicos y los sistemas de control de potencia. Adems, se realiza una revisin a los
sistemas de control de potencia en inversores DC/AC, respecto a los tipos de topologas y
tendencias, as como del MPPT. Finalmente, se centra en el control distribuido mediante el
uso de convertidores MPPT.
El captulo tres trata sobre la caracterizacin elctrica y mtodo de medida de
mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino en polarizacin directa e inversa. Aqu se describe
la instrumentacin y el software que han sido desarrollados. A travs de una campaa de
ensayos, se valida la instrumentacin comparando los resultados con los valores de
calibracin realizados previamente por el CIEMAT, se caracterizan los mdulos utilizados para
los ensayos realizados en el captulo 5 y se lleva a cabo un estudio detallado del
comportamiento de la caracterstica elctrica en condiciones de sombreamiento localizado.
En el captulo cuatro se estudia el comportamiento de convertidores MPPT en
generadores fotovoltaicos. Se describen y estudian las diferentes topologas de convertidores
DC/DC, su modelado e integracin en mdulos fotovoltaicos. Se explican los modelos
MatLab/Simulink desarrollados, que son utilizados para simular el comportamiento individual
de convertidores MPPT integrados en mdulos fotovoltaicos. Tambin se presenta un
software desarrollado en el lenguaje C++, que es utilizado para las simulaciones de potencia
Tesis Doctoral

14
de los convertidores en un sistema fotovoltaico conectado a red convencional, y que tiene
como objetivo identificar las condiciones de mayor aprovechamiento del convertidor.
Finalmente, y tomando como ejemplo la Prgola Fotovoltaica del Palacio de la Moncloa, caso
tpico de un sistema con diferente orientacin e inclinaciones de mdulos, se realiza una
simulacin energtica anual en el supuesto de incluir mdulos MPPT.
En el captulo cinco se presentan las caractersticas principales del prototipo de
convertidor MPPT propuesto. Donde se describe el circuito electrnico, el algoritmo MPPT
utilizado, el sistema de control y comunicaciones, los ensayos y pruebas de rendimiento, y
finalmente se realiza un estudio de viabilidad econmica y produccin comercial. Se expone
un mtodo de supervisin y deteccin de fallos, basado en las medidas individuales de
voltaje y corriente realizadas por cada convertidor MPPT; se explica las caractersticas de la
unidad de control y supervisin y el algoritmo de toma de decisiones. A continuacin, se
presentan las medidas experimentales y anlisis del prototipo de convertidor MPPT integrado
en mdulos fotovoltaicos. Los ensayos se dividen en dos etapas: la primera, mediante la
medida individual de mdulos MPPT; y la segunda, conectados entre s en un sistema
fotovoltaico conectado a la red elctrica. En la primera etapa se realiza la caracterizacin I-V
y P-V de los convertidores utilizando la carga capacitiva desarrollada, se llevan a cabo los
ensayos de rendimiento utilizando una carga resistiva fija, y finalmente se realizan los
ensayos de comportamiento del convertidor bajo sombreamiento localizado. La segunda
etapa consiste en hacer ensayos comparativos de dos sistemas fotovoltaicos: un sistema
convencional generador-inversor-red y otro al que se aaden mdulos MPPT. Se realiza, a
ambos sistemas, sombreamientos localizados y a travs de perfil de sombra, en el que se
miden por separado, la curva P-V del generador y la potencia de salida del generador.
Finalmente, se realiza una combinacin de proyecciones de sombras localizadas sobre los
mdulos con el fin de identificar las situaciones donde es posible extraer la mxima potencia
del generador comparndolo con el sistema convencional.
Por ltimo, en el captulo seis se exponen las conclusiones de los trabajos realizados
y se proponen futuras lneas de investigacin.
Los anexos suministran informacin adicional relacionada con los contenidos de la
tesis, donde se presentan respectivamente, los manuales de hardware y software de la
instrumentacin desarrollada para la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos.
1.7 Referencias

[1] Vaclav Smil. Energy in World History. Westview Press, Boulder, CO. 1994.

[2] Informe de la Asociacin de la Industria Fotovoltaica ASIF, hacia una generacin
elctrica competitiva, Octubre 2006.

[3] Mohedano Crdoba, Jos Eduardo. Energa e Historia: pocos recursos y muchos
residuos, Interpretacin energtica de la Historia humana, 2003 REDcientfica.

[4] El petrleo sigue subiendo!. www.cenit-del-petroleo.com/2008/11/noviembre-2008-el-
petroleo-sigue-subiendo/. Noviembre 25 de 2008.
15

[5] Cuidado, petrleo barato. Negocios pag. 4, peridico El Pas - Espaa, 8 de febrero de
2009.

[6] Global Market Outlook for Photovoltaics until 2013. EPIA, European Photovoltaic
Industrial Association. April 2009.

[7] Year 2010: Photovoltaic Industry and European Union, Research And Markets, RNCOS,
July 2005, http://www.researchandmarkets.com/reports/302683/.

[8] Solar Generation V 2008, Electricidad solar para ms de mil millones de personas y
dos millones de puestos de trabajo para el ao 2020. EPIA, European Photovoltaic
Industrial Association. September 2008.

[9] Proteger la oca de oro. Revista Photon, Febrero 2009. Pag. 40.

[10] Aplicaciones de Energa Solar Fotovoltaica en Edificios y Entorno Urbano. Basada en la
publicacin original Solar ElectriCity Guide, Energie, 2001.

[11] Castro Gil, M. y otros. Sistemas Fotovoltaicos Conectados A Red: Estndares y
Condiciones Tcnicas. Monografas tcnicas de energas renovables, 2000 Progensa,
Sevilla, Espaa.

[12] E. Camao and E. Lorenzo. Modelling and financial analysis tools for PV grid-connected
systems. Progress in Photovoltaics, 1996, p.295.

[13] Eduardo Romn Medina. Viabilidad de Sistemas Fotovoltaicos con Mltiples Seguidores
del Punto de Mxima Potencia. Tesis Doctoral, Universidad del Pas Vasco. Octubre
2006.

[14] T. Yoshimura, H. Kobayashi, K. Takigama. Evaluation of PV Modules: Outputs Dispertion
at Actual Operation Condition. Proc. 12
th
European Photovoltaic Solar Energy
Conference, Abril 2004, Amsterdam.

[15] K. Korokawa, H. Sugiyama, D. Uchida. Sophisticated Verification of Simple Monitored
Data for Japanese Field Test Program. Proc. 2
nd
World Conference and Exhibition on
Photovoltaic Solar Energy Convertion, pp. 1941-1946, Julio 1998, Viena.

[16] International Energy Agency Photovoltaic Power System Program IEA-PVPS Task 2.
Operational Performance of Photovoltaic System. Analysis of PV Systems: Operational
Performance, maintenance and sizing of photovoltaic power system and sub-systems.
Report IEA-PVPS T2-01:2000.

[17] S. Uriarte, M.J. Senz, F. Hernando, J.C. Jimeno, V.E. Martnez, M. A. Egido, R. Orduz,
P. Ibez, E. Romn and S. Elorduizapatarietxe. Energy Integrated Management
System for PV Applications. 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and
Exhibition, Barcelona (Spain), 2005.

[18] D. Chianese, N. Cerenghetti, S. Rezzonico y G. Travaglini. Eighteen Types of PV
modules under the lens. Proc. 16th European Photovoltaic Solar Energy Conference,
2418-2421, Glasgow, 2000.

Tesis Doctoral

16

17
Captulo 2

2 Estado del arte

2.1 Introduccin
En este captulo se presenta una revisin del estado actual de los sistemas de control
de potencia en EFCR.
Inicialmente, se muestra una breve revisin de la normativa sobre sistemas
fotovoltaicos conectados a red, de los sistemas de control de potencia y la caracterizacin de
mdulos y generadores fotovoltaicos.
A continuacin, se presenta el modelo del generador fotovoltaico desde el punto de
vista de las expresiones y mtodos utilizados para modelar su caracterstica elctrica.
Se realiza una revisin de los sistemas de control de potencia, en aspectos como:
topologas y tendencias desde el control centralizado al distribuido en inversores DC/AC,
factores dinmicos y estticos del MPPT, y finalmente se centra en el control distribuido
mediante el uso de convertidores MPPT.
2.2 Revisin a la normativa tcnica
Se han realizado numerosos esfuerzos para normalizar la conexin de los sistemas
fotovoltaicos a la red elctrica, con la colaboracin de instituciones y organismos nacionales
e internacionales, asociaciones de la industria e institutos de investigacin. En este apartado
se presentan las normativas que estn actualmente en vigor, as como las que estn en
proyecto, o en fase de revisin y aprobacin, y de los aspectos tcnicos relacionados con el
control de potencia en la interfase generador-inversor.
El 90% de las normas internacionales [1], conocidas con las siglas en ingls ISO
a
,
CEI o IEC
b
, son adoptadas por la Institucin Europea de Normalizacin Elctrica (CENELEC
c
)
y posteriormente editadas en Espaa por la Asociacin Espaola de Normalizacin y
Certificacin AENOR. Las normas no tienen carcter de obligatorio cumplimiento, son solo
recomendaciones, a no ser que el Estado otorgue a estas normas el estatuto de obligatorio
cumplimiento o que sean aceptadas particularmente como normas de calidad de producto
para su comercializacin.

a ISO, International Standards Organization
b CEI, Comisin Electrotcnica Internacional ISO, International Electrotechnical Commission
c European Committee for Electrotechnical Standardization
Tesis Doctoral
18
2.2.1 Situacin de la normativa tcnica espaola
El punto de partida de la reglamentacin tcnica espaola sobre los SFCR fue con la
entrada en vigor del Real Decreto 1663/2000 [2], en el que se establece los requisitos sobre
la conexin de instalaciones fotovoltaicas a la red de baja tensin. Posteriormente, en la
resolucin [3] del 31 de mayo de 2001 del ministerio de economa, se establece el modelo
de contrato y modelo de factura, en el que se proporciona el esquema unifilar.

Figura 2-1. Esquema elctrico unifilar de un SFCR segn RD1663/2000.

La Figura 2-1 muestra, segn sta resolucin, el esquema unifilar de un SFCR, en
donde se presentan los componentes fotovoltaicos, elctricos y electrnicos diferenciados
entre dos interfases del sistema, la interfase de DC entre generador-inversor
d
y la de AC
entre inversor-red. La interfase de DC comprendida entre el generador y el inversor, es la
parte que se enfoca esta tesis doctoral.
En esta figura se muestra tambin los requisitos del RD 1663/2000 en el que se
especifica los aspectos de seguridad relacionados con la interfase inversor-red, y en lo que
se refiere a las protecciones por valores de voltaje y frecuencia fuera de los lmites
especificados, aislamiento galvnico, funcionamiento en isla e interruptor automtico
magnetotrmico y diferencial. La normativa no especfica el control sobre la interfase de DC

d Definido en IEC 61836 DC interface como las conexiones entre el generador FV y la entrada del
subsistema de acondicionamiento de potencia.
Cuadro de
distribucin
del edificio
ICP (Interruptor de
Control de Potencia)
N R S
T
C.T
.
CGP ED
(Empresa
Distribuidora)
Caja de
embarrado
G GE EN NE ER RA AD DO OR R
F FO OT TO OV VO OL LT TA AI IC CO O
**
El inversor debe incorporar:
Contactor automtico de interconexin
(reconexin a 3 minutos).
o Mxima y mnima tensin (1,1 y 0,85 Um)
o Mxima y mnima frecuencia (51 y 49 Hz)
Sealizacin de estado (ON/OFF).
Aislamiento galvnico red/generador - AC/DC
***
Protecciones en el lado de AC:
Interruptor magnetotrmico (se puede omitir si esta incluido en el inversor)
Interruptor diferencial
***
Caja de
protecciones
de AC
AC

= == = = == =
**
I IN NV VE ER RS SO OR R

CGP (Caja General de Proteccin)
Contador de
venta
Contador de
compra
Interruptor
General manual
Fusibles de
Proteccin
Contador de
Suministro
Requisitos segn RD1663/2000
.
.
.

DC
*
*
Interruptor diferencial, para proteger a las personas
en el lado de continua de la instalacin
I
n
t
e
r
f
a
s
e

D
C

G
e
n
e
r
a
d
o
r

-

I
n
v
e
r
s
o
r

Punto de
conexin
Caja de proteccin
e interconexin
del generador
fotovoltaico
I
n
t
e
r
f
a
s
e

A
C

I
n
v
e
r
s
o
r

-

R
e
d

Captulo 2. Estado del arte

19
y en este aspecto solo se nombra una proteccin diferencial, como medio de proteccin
contra contactos indirectos en el lado de continua de la instalacin.
La seguridad en la interfase de DC en sistemas fotovoltaicos es un aspecto que se
sigue estudiado en artculos y tesis doctorales [1][4][5]. En la IEC [6] define el voltaje lmite
convencional de contacto como aquel que puede ser mantenido indefinidamente en caso de
un fallo de aislamiento sin causar peligro. Respecto a la proteccin frente a contactos
indirectos en la interfase de DC, se sugiere que toda la instalacin fotovoltaica cumpla con la
proteccin clase II
e
. Otra forma es la de limitar el voltaje de DC a un mximo de 120 V, pero
en general solo podran limitarse a potencias menores a 3 kW debido a las altas corrientes.
Los problemas de seguridad en la parte continua de la instalacin podran resolverse
mediante el control distribuido incorporando un convertidor MPPT en cada mdulo
fotovoltaico, en donde puede monitorizarse los voltajes de continua a tierra y as detectar
fugas de corriente. De esta forma, en caso de presentarse algn problema de aislamiento, el
sistema de control asla las conexiones entre mdulos, y en consecuencia el voltaje de salida
de los convertidores al inversor; incluso puede informar al inversor del fallo y donde se
produjo.
2.2.2 Situacin de la normativa internacional sobre SFCR
La norma UNE-EN 61727:96 sobre Sistemas fotovoltaicos. Caractersticas de la
interfaz de conexin a la red elctrica, establece las recomendaciones sobre los requisitos
de la interfaz entre el sistema fotovoltaico y la red, as como tambin las oportunas
recomendaciones tcnicas.

Figura 2-2. Diagrama de bloques de una instalacin fotovoltaica

En el diagrama de bloques de la Figura 2-2 se muestra el diagrama de bloques de un
sistema fotovoltaico conectado a red que, adems, puede abastecer cargas locales [1]. En
los SFCR espaoles, toda la energa producida tiene que inyectarse a la red elctrica segn la
normativa; por lo tanto, no hay abastecimiento a cargas locales. El subsistema de control de
potencia puede verse como elementos funcionales en la Figura 2-3, donde interesa ver el

e Es la que se exige a los aparatos elctricos que no tienen conexin a tierra y consiste en asegurar la
calidad del aislamiento exterior (caja, conexiones, cables, etc.) mediante pruebas a 2000 V mas cuatro
veces el voltaje de funcionamiento. No se deben producir corrientes dainas para los seres humanos a
travs de estos elementos.
SUBSISTEMA DE CONTROL
SISTEMA FOTOVOLTAICO
C
A
M
P
O

F
O
T
O
V
O
L
T
A
I
C
O

SUBSISTEMA DE
ACONDICIONAMIENTO
DE ENERGA ELCTRICA
INTERFAZ
RED
CARGAS
LOCALES
Tesis Doctoral
20
conjunto de componentes asociados al sistema conectado a la red y particularmente al
convertidor DC/DC entre el generador y el inversor DC/AC. Este convertidor, a diferencia de
los convertidores comerciales usados en fuentes de alimentacin que sirven principalmente
para regular el voltaje y corriente de salida, funciona como subsistema de control de
potencia y tiene el propsito de regular el voltaje y la corriente a su entrada, funcionando
como seguidor del punto de mxima potencia o MPPT (Maximum Power Point Tracking)
f
del
generador fotovoltaico, llamndose generalmente convertidor MPPT.

Figura 2-3. Elementos funcionales de un SFCR.

En el apartado 3.4.2 de la norma habla del MPPT como componente principal del sistema de
acondicionamiento y control de DC, tomndose en consideracin su rendimiento e interaccin
con el control principal.
Este subsistema de control se encuentra integrado en todos los inversores de conexin a red
que admiten un solo generador conectado a su entrada. Existe sin embargo, los inversores
llamados multi-string (como se ver en la seccin 2.4.1) que permiten conectar ms de un
generador a su entrada, en este caso, estos inversores incorporan un convertidor MPPT para
cada generador.
Tambin es importante indicar que, en el apartado 3.7 de la norma en el que se describe
funcionalmente el inversor, hace mencin, como parmetro de condicin de entrada, las
variaciones dinmicas de voltaje. Este aspecto est ntimamente relacionado con el rango del
MPPT; sin embargo, no se detallan ms caractersticas sobre su funcionamiento.

f Definido en el IEC 61836 como una estrategia de control por la que la operacin del sistema esta
siempre cerca del punto de mxima potencia.
SUBSISTEMA DE CONTROL
G
E
N
E
R
A
D
O
R

F
O
T
O
V
O
L
T
A
I
C
O

CONVERTIDOR DC/DC INVERSOR DC/AC
INTERFAZ
DC/DC
SUBSISTEMA DE
ACUMULACIN
ALIMENTACIN
AUXILIAR
CARGAS DC
INTERFAZ
DC/AC
INTERFAZ
AC/AC A
LA RED
ALIMENTACIN
AUXILIAR AC
RED

21
2.3 El generador fotovoltaico
2.3.1 Modelado
El generador fotovoltaico elemental es la clula fotovoltaica
g
, compuesta por un
material semiconductor, tpicamente de silicio cristalino, que es especialmente tratado para
crear dos capas diferentemente dopadas (tipo p y tipo n) y producir en la interfase un campo
elctrico. El efecto fotovoltaico
h
consiste en que, cuando la luz solar incide sobre la clula, los
fotones que la constituyen son absorbidos por sta, suministran la cantidad de energa
necesaria a los electrones de valencia del semiconductor para romper el enlace que los
mantena unidos a sus tomos respectivos, consecuentemente estos electrones son
atrapados por el campo elctrico de la unin permitiendo que fluya una corriente elctrica.
Esta corriente elctrica recibe el nombre de fotocorriente o corriente de iluminacin denotada
como I
L
.
El circuito equivalente de una clula solar se aproxima al mostrado en la Figura 2-4.

Figura 2-4. Circuito equivalente de una clula fotovoltaica.
El modelo matemtico que describe el comportamiento de una clula solar no ideal
esta dado por la siguiente expresin:
L D Rp
I I I I =
S S
L O
t P

exp 1
V I R V I R
I I I
V R
| | | | + +
=
| |
|
\ \
(2.1)
Donde:
I
O
: corriente de saturacin de oscuridad, es aproximadamente equivalente a 10
-12

A/cm
2
por clula.
R
p
corresponde a la resistencia paralelo, debida principalmente a fugas de corriente
por las superficies laterales, pequeos cortocircuitos metlicos o a picos de difusin debidos
a dislocaciones o fronteras de grano [7]. En general, y para efectos ideales, este parmetro

g Desarrollada en 1954 por D.M. Chapin, C.S. Fueller, G.L. Pearson de los laboratorios Bell en New
Jersey E.U. con un 6% de eficiencia. En Espaa se desarrollaron a finales de los 70 las primeras clulas
con el 15% de eficiencia en el Instituto de Energa Solar de la Universidad Politcnica de Madrid.
h El efecto fotoelctrico fue descubierto inicialmente por Heinrich Hertz en 1887 y posteriormente Albert
Einstein le dio el significado fsico correcto en 1905, por el cual le fue otorgado el premio nobel de fsica
en 1921.
Tesis Doctoral
22
no es importante en el anlisis de sistemas y se puede despreciar. No obstante, es
importante anotar que en la caracterstica I-V de un mdulo comercial con voltajes ms
elevados que los convencionales, es posible encontrar valores bajos de la resistencia paralelo
(por debajo de 500 para mdulos con 72 clulas), esto se debe en mayor medida a los
efectos de mismatch, en el que se aprecia un aumento de la pendiente debido al efecto entre
las diferencias de las corrientes de las clulas y el funcionamiento de los diodos de paso.
La resistencia serie R
S
se debe a la suma de varias componentes propias del material
y a los efectos de diseo y fabricacin interna de la clula, a la propia resistencia del
semiconductor, a las corrientes laterales en la cara iluminada de la clula, a la resistencia de
los contactos metal-semiconductor y a la resistencia de la rejilla metlica frontal.
V
t
: Potencial termodinmico, se expresa de la siguiente forma:
C
t
( ) m k T K
V
e
= (2.2)
t
(25 ) 25.7 V C mV = (2.3)
Donde:
e: carga del electrn 1.602 10
-19
C
m: factor de idealidad del diodo, que varia entre 1 y 2. Se considera normalmente 1.
k: constante de Boltzmann 1.381 10
-23
J/K
T
c
: Temperatura de la clula en grados Kelvin
V
t
(25C): Potencial termodinmico a 25 C
La ecuacin (2.1) es una expresin analtica terica y representa el comportamiento
interno de la clula. Sin embargo, no es posible usarla directamente debido a que los
parmetros I
L
e I
O
no tienen una medida directa y son difciles de conocer de forma directa.
Conviene entonces utilizar un mtodo que describa el comportamiento elctrico a nivel de
sistema con la utilizacin de parmetros en unas condiciones particulares de medida
estndar y aceptadas por la comunidad internacional. Para facilitar esto, es necesario hacer
las siguientes aproximaciones.
En primer lugar, considerar que los efectos de la resistencia paralelo son
despreciables, es decir, se asume que R
p
es muy grande y por lo tanto el ltimo trmino de
la ecuacin (2.1) desaparece.
En segundo lugar, la corriente generada I
L
y la corriente de cortocircuito I
SC
pueden
considerarse iguales. Adems, en la regin de corto circuito I(V=0)I
SC
, suponiendo que en
la totalidad de las clulas fotovoltaicas V
OC
> IR
S
.
En tercer lugar, en la regin de circuito abierto se considera que I=0, y en
consecuencia:

23
SC SC
OC t t
o o
1
I I
V V ln V ln
I I
| | | |
= +
| |
\ \
(2.4)
Asumiendo que I
SC
>>I
O
. La expresin para I
O
ser:
OC
O SC
t
exp -
V
I I
V
| |
=
|
\
(2.5)
Que sustituyendo esta expresin en (2.1) y asumiendo que exp(Voc/Vt) >> 1, la
expresin queda:
G OCG G SG
G SCG
S t
-
1 - exp
V V I R
I I
V
( | | +
=
( |
\
(2.6)
Esta ltima expresin corresponde a la caracterstica de un generador fotovoltaico,
donde I
SCG
, V
OCG
y R
SG
son la corriente de cortocircuito, el voltaje de circuito abierto y la
resistencia serie respectivamente.
SCG SC P
I I = ;
OCG OC S
v V = ;
S S
SG
P
R
R
=
Donde, N
S
y N
P
corresponden al nmero de clulas en serie y en paralelo
respectivamente.
2.3.2 Clulas y mdulos fotovoltaicos: efecto del conexionado en serie
Las clulas fotovoltaicas operan a voltajes muy bajos, del orden de 0,5 V, lo que
implica que stas tengan que ser conectadas en serie para alcanzar voltajes apropiados para
la aplicacin elctrica especfica. En sistemas fotovoltaicos autnomos los voltajes nominales
del generador fotovoltaico deben corresponder al voltaje nominal de las bateras, que tienen
como valor de referencia valor de referencia 12 V

(bateras de arranque), es por esta razn
que la mayora de mdulos fotovoltaicos fueron diseados en un principio para este voltaje
de trabajo.
Desde el punto de vista del mercado de fabricacin de mdulos fotovoltaicos, la
tendencia actual [8] ha sido impuesta por las centrales fotovoltaicas y la integracin de
sistemas fotovoltaicos en EFCR. Esto ha generado una tendencia a un aumento del tamao
de las clulas y del mdulo para alcanzar potencias entre los 160 y 230 Wp, as como de los
voltajes de operacin en el orden de los 35 V (proliferacin de mdulos de 72 clulas), cuyo
fin es alcanzar las altos voltajes de entrada de los inversores de conexin a red. La mayora
de mdulos son diseados para voltajes del sistema de hasta 1000 V [8]. Estas
caractersticas obligan a los fabricantes a que los mdulos estn certificados de acuerdo a la
regulacin de proteccin de aislamiento elctrico de clase II por parte de laboratorios
i
de

i Como es el CENER (Centro Nacional de Energas Renovables) y CIEMAT (Centro de Investigaciones
Energticas, Medioambientales y Tecnolgicas) en Espaa; ESTI (European Solar Test Installation) y JRC
(Joint Research Centre) en Ispra Italia; y el TV (Technischer Uberwachungs-Verein) en Alemania.
Tesis Doctoral
24
certificacin segn la IEC 61730 ed.1 (2005) [9] y UNE 20460-7-712:2006 [10] para
edificios fotovoltaicos; sin embargo, no todos los mdulos que se venden pasan por esta
norma [11][12], inclusive por las normas actualizadas: IEC 61215 ed.2 (2005) [13], IEC
61646 ed.2 (2008) [14], y la ANSI/UL 1703 ed.3 (2004) [15].
En los SFCR el voltaje nominal del generador depende del voltaje de entrada del
inversor, y sta ltima del voltaje de trabajo de la red elctrica monofsica a 230V
AC
o
trifsica a 400V
AC
. Se ha encontrado [16] que la eficiencia
j
de los inversores cambia en un
3% al subir o bajar el lmite de voltaje del punto de mxima potencia, y que el rango optimo
de voltajes de entrada debe oscilar entre los 300 y 500V de DC [17]. Para alcanzar estos
voltajes es necesario conectar muchos mdulos en serie formando un string
k
. Estas largas
cadenas de mdulos, que pueden visualizarse como una gran cantidad de clulas conectadas
en serie, aumenta la probabilidad de presentar efectos de desacoplamiento entre corrientes.
La experiencia con grandes instalaciones [18][19] ha demostrado que estos
desacoplamientos generan problemas en el seguimiento del punto de mxima potencia de los
inversores, provocando prdidas de mas del 25% en potencia mxima [20].
A las mismas condiciones de funcionamiento, las caractersticas elctricas individuales
de los mdulos fotovoltaicos en un mismo string nunca son idnticas. Al estar conectados
entre s formando un solo circuito, la corriente que fluye a travs del string corresponde a la
del mdulo que entregue el menor valor de corriente. Este efecto, conocido como
mismatching o dispersin de parmetros, ocurre en mayor proporcin, cuando una clula se
rompe, se ensucia o se sombrea parcialmente ocasionando el fenmeno de desacoplamiento
de corrientes. En este caso la clula trabaja en un punto de operacin distinto al resto,
incluso llega a trabajar en la regin inversa, disipando la energa producida por el resto de
las clulas conectadas en serie, de este modo la clula empieza a calentarse. Este fenmeno
es conocido comnmente como efecto de punto caliente o Hot-Spot (como es conocido
internacionalmente). Desde la deteccin por primera vez de este fenmeno
l
se han llevado a
cabo estudios y procedimientos de ensayos [21][22] con el fin de garantizar la vida til de
los mdulos FV. Una forma de minimizar el problema es mediante el uso de diodos de paso,
que puestos en paralelo cada cierto nmero de clulas, limita la polarizacin inversa de la
clula bajo sombreamiento y por lo tanto su potencia disipada. Sin embargo, la potencia
generada por las otras 17 clulas
m
(en mdulos con 36 clulas y dos diodos de paso) se
pierde mientas la corriente circula por el diodo de paso, para este caso incluso se ha
estudiado la posibilidad de incluir diodos de paso en la misma clula [21][23].
Actualmente, en la fabricacin de mdulos preparados especficamente para edificios,
en donde es muy comn trabajar en condiciones de sombreado parcial, hace que ste sea un
tema de inters para los fabricantes. Adems, ha sido tratado en recientes proyectos de
investigacin subvencionados por la unin europea [23][24] y objeto de debate en grupos de

j Eficiencia Europea
k Circuito de mdulos conectados en serie, IEC 61836 TS Ed. 2.0.
l Su deteccin empez en 1969 en instalaciones espaciales pertenecientes a Estados Unidos.
m
Cortocircuitadas por el diodo en conduccin.

25
trabajo, y tratado adems en profundidad en una reciente tesis doctoral respecto al
modelado de dispositivos fotovoltaicos en polarizacin inversa [23].
2.3.3 Configuracin de los diodos de paso en mdulos comerciales
Como se trat en la seccin anterior, los diodos de paso se conectan en paralelo en
asociaciones de clulas fotovoltaicas en serie con el fin de limitar la potencia disipada sobre
una clula en casos de ruptura o sombreamiento parcial. El diodo se coloca con polaridad
contraria a la de las clulas, de este modo, una polarizacin inversa de una clula o grupo de
clulas defectuosas supone una polarizacin directa del diodo de paso y ste resulta un
camino fcil a la corriente con lo que queda puenteada la zona y desaparece en teora el
efecto de punto caliente. Sin embargo, las diferentes configuraciones de los diodos, la
caracterstica en inversa de las clulas y la eleccin del diodo, condiciona su correcto
funcionamiento (como se ver con ms detalle en el captulo 3).
Las diferentes configuraciones en que los diodos de paso son conectados en un
mdulo afectan al comportamiento de su caracterstica I-V. Existen actualmente dos tipos de
configuraciones de diodos de paso, configuracin serie y redundante.
La configuracin serie es la ms utilizada y se puede identificar fcilmente en
mdulos con una sola caja de conexiones. Para un mdulo tpico de 36 clulas en serie, el
diodo se conecta cada 18 clulas y en caso de sombreamiento severo sobre una clula o
varias, la corriente pasar por un grupo de 18 clulas y el otro grupo de 18 ser puenteado.
Puede verse esta configuracin en la Figura 2-5 para un mdulo de 36 clulas.

Figura 2-5 Configuracin serie de diodos de paso.
En la Figura 2-6 se muestra la configuracin redundante, con un ejemplo tpico de un
mdulo de 33 clulas con dos cajas de conexiones (de este modo se identifica este tipo de
configuracin), donde cada diodo se coloca sobre un grupo de 22 clulas de tal manera que
ambos diodos solapan en paralelo a 11 clulas. En caso de sombreamiento severo, la
corriente fluir por un grupo de 11 clulas y luego a travs del diodo, puenteando 22 clulas.
Este tipo de mdulos tiene la ventaja de no producir cortocircuitos en caso de polaridad
inversa.

_
+
+
_
Tesis Doctoral
26

Figura 2-6. Configuracin redundante de diodos de paso

Generalmente, los diodos de paso utilizados en mdulos fotovoltaicos comerciales
estn diseados para soportar un poco ms de la corriente de cortocircuito a una
temperatura mxima de funcionamiento entre 125 y 175C. En la prctica, las temperaturas
de las cajas de conexiones suelen tener en algunos casos temperaturas mximas de
operacin entre los 100 y 130C [23][24]. La experiencia ha demostrado que en la mayora
de los casos el fallo del mdulo es debido principalmente a la caja de conexiones [25][23].
La nicas normas internacionales que incluye ensayos de los diodos de paso en mdulos es
la IEEE 1262 y la norma IEC 61215 ed.2 (2005). Esta tesis presenta como aspecto
diferenciador, un mtodo de medida en polarizacin inversa, como podr verse ms adelante
en el captulo 3, donde se realizan ensayos de mdulos en polarizacin inversa para
comprobar el funcionamiento de los diodos de paso.
Tambin es importante destacar la problemtica de polarizacin inversa en un
generador fotovoltaico cuando un string tiene un voltaje ms bajo que los dems puestos en
paralelo. En este caso, los diodos de paso del string con menos voltaje se polarizan en
inversa hasta llegar al voltaje de ruptura, lo que ocasiona que los diodos se quemen y por
tanto el panel quede en cortocircuito reduciendo an ms el voltaje y provocando una
reaccin en cadena de ste efecto a los dems mdulos del mismo string. Finalmente, el
voltaje de todo el generador queda condicionada al string ms bajo, lo que reduce
drsticamente la potencia generada del conjunto. La solucin utilizando diodos de bloqueo en
cada string permite minimizar este problema; sin embargo, al estar siempre en conduccin,
induce prdidas de potencia al generador, muy poco conveniente en plantas donde se
desean altos rendimientos.
2.3.4 Medida y caracterizacin de mdulos y generadores fotovoltaicos
Garantizar la produccin de energa es un aspecto muy relevante en edificios y
centrales fotovoltaicas. La caracterizacin elctrica de mdulos y generadores a travs de la
medida de su curva I-V es el mecanismo que nos da la informacin fundamental sobre sus
parmetros de comportamiento cuando el sistema se pone en operacin. Adems, el uso de
mtodos de medida exterior, proporciona la facilidad de hacer un seguimiento y control de
calidad del sistema in situ, como tambin de localizar fallos y detectar la presencia de
suciedad o sombreamiento parcial que puede afectar al sistema de control y seguimiento del
punto de mxima potencia del inversor.
_
+
+
_

27
La norma IEC 60904-1 Ed.2 (2006) [26], describe los procedimientos de medida de
las caractersticas corriente-voltaje de dispositivos fotovoltaicos bajo luz solar natural o
simulada. Estos procedimientos y requerimientos bsicos se pueden aplicar tanto para una
sola clula fotovoltaica como clulas interconectadas y mdulos fotovoltaicos.
En lo que concierne al contenido de esta tesis doctoral, de este ltimo conjunto de
normas cabe citar, la parte 5 (IEC 60904-5) [27] sobre la determinacin de la Temperatura
Equivalente de Clula (TEC) de dispositivos fotovoltaicos por medio del mtodo de circuito
abierto y la parte 6 (IEC 60904-6) [28] sobre los requerimientos para mdulos de referencia
para la medida de la irradiancia.
De igual forma, otra norma fundamental es la IEC 60891 [29] sobre el procedimiento
para realizar las correcciones o extrapolaciones de la corriente y voltaje de unas condiciones
de irradiancia y temperatura medidas a otras. En particular, describe las ecuaciones de
extrapolacin en las que incluye un factor de correccin de curva (y explica como calcularlo)
y una correccin en voltaje debido a la resistencia serie. Explica adems como calcular los
coeficientes de temperatura alfa y beta, as como la resistencia serie realizando medidas a
dos irradiancias distintas.
En lo que respecta nicamente a la medida exterior de mdulos interconectados o
generadores fotovoltaicos, se tiene como referencia la norma IEC 61829 [30]. Esta norma
describe los procedimientos de medida de las caractersticas de campos fotovoltaicos de
silicio cristalino y de extrapolacin a condiciones estndar de medida (CEM) o a otros valores
de irradiancia y temperatura. Se presentan dos mtodos de medida, en los que se aplican los
procedimientos dados en la norma CEI 60891 de correccin de la irradiancia y temperatura.
El primer mtodo describe la medida de la temperatura mediante medida directa en la parte
posterior del mdulo, mientras que el segundo se realiza a partir de datos del voltaje en
circuito abierto de un mdulo de referencia, en la que se aplica una correccin dependiendo
del nivel de irradiancia.
Las normas descritas hasta el momento se refieren nicamente a la caracterizacin
de dispositivos fotovoltaicos. Las directrices para la evaluacin de plantas fotovoltaicas y
especficamente el Documento C sobre ensayo inicial y peridico en plantas fotovoltaicas
Report EUR 16340 EN [31] del JRC (Joint Research Centre), proporciona las
recomendaciones para llevar a cabo ensayos peridicos e inspecciones en campo (in situ) de
generadores fotovoltaicos. Para el caso de generadores fotovoltaicos, recomienda un equipo
de instrumentacin para la medida de la curva I-V del generador, un procedimiento de
medida y las ecuaciones de extrapolacin a Condiciones Estndar de Medida (CEM).
2.4 Sistemas de control de potencia en edificios fotovoltaicos
En los EFCR, el convertidor o inversor cumple dos funciones principales, en primer
lugar es el elemento encargado de controlar el punto de operacin del generador fotovoltaico
y en segundo lugar de adecuar la potencia entregada por el generador en continua a las
caractersticas en alterna de la red elctrica.
Tesis Doctoral
28
2.4.1 Inversores fotovoltaicos: topologas y tendencias
Existen diversas configuraciones y topologas de inversores [32]. Estn los inversores
centralizados, los inversores string, los multi-string y modulares. En la Figura 2-7 puede
verse como han evolucionado los inversores en los ltimos aos.

Figura 2-7 Tendencia de inversores fotovoltaicos conectados a red

Inicialmente los SFCR estaban compuestos por un solo inversor centralizado
conectados a un solo generador, conformado por mdulos conectados en serie formando
strings hasta alcanzar el voltaje de entrada del inversor, y estos strings a su vez conectados
en paralelo hasta alcanzar la potencia nominal del inversor. La topologa con este tipo de
inversor puede verse en la Figura 2-8 a). Esta configuracin provoca importantes prdidas.
Por un lado, debido a que cuando un string es sombreado parcialmente, provoca
desacoplamientos importantes que dificulta el seguimiento del punto de mxima potencia.
Por otro lado, muchos strings en paralelo puede ocasionar prdidas por desacoplamiento de
voltaje, que surge como consecuencia de que el generador trabaja al voltaje ms bajo del
string. Desde el punto de vista tecnolgico, la conmutacin en los primeros inversores
centralizados se realizaba por medio de tiristores y los transformadores eran de baja
frecuencia, lo que supona instalar inversores pesados y poco eficientes.
A continuacin surgieron los inversores interconectados entre si en configuracin tipo
maestro-esclavo tambin llamados inversores string, como se puede ver en la Figura 2-8.
Cada string est compuesto por mdulos conectados en serie conectados a la entrada de
cada inversor. Con este tipo de inversores se logra alcanzar altos voltajes y valores bajos de
corriente, lo que signific una disminucin importante de prdidas. Sin embargo, en este tipo
de configuracin, cada inversor est limitado a potencias inferiores a 3 kWp. A nivel
Inversor Central
Inversor Central
Mdulo AC
Inversor String
Inversor
Multi-String
Inversor String
Plantas FV
Potencia
Aos

29
tecnolgico, surgi una mejora importante en el uso de IGBTs como transistores de
conmutacin y los transformadores pasaron a ser de alta frecuencia. En los ltimos aos,
han surgido los inversores sin transformador, que aporta un aumento en el rendimiento
(llegando a alcanzar casi el 98%
n
de rendimiento europeo) as como una disminucin del
coste.

Figura 2-8. Comparacin de diferentes topologas de inversores

Los inversores integrados en el propio mdulo, tambin conocidos como mdulos
AC, eliminan el cableado de continua y van conectados directamente a la lnea de AC como
puede verse en la Figura 2-8. Sin embargo, el convertidor debe incorporar adems de un
convertidor DC-DC con MPPT, circuitos de filtrado, protecciones de AC, control anti-islanding,
condensadores y un transformador de aislamiento, todo esto en un solo mdulo. Por otro
lado puede ser mucho ms complejo el control de interferencias electromagnticas y
problemas de armnicos, en la implementacin de varias decenas de inversores AC
conectados en serie [45]. En general, los mdulos AC han mostrado serios problemas
tecnolgicos relacionados con su fiabilidad, coste y eficiencia. Normalmente al estar
expuestos a la temperatura ambiente y puestos en la parte posterior del mdulo en
ocasiones pueden llegar a superar los 80 C. Teniendo en cuenta que a nivel de la
electrnica el MTBF (Tiempo medio entre fallos) de los componentes se reduce a razn del
50% por cada 10 C de sobre temperatura, los mdulos de AC han presentado en este
aspecto serios problemas de fiabilidad [33][34]. Los condensadores electrolticos han tenido
que ser reemplazados por otros componentes de mayor fiabilidad. Tambin el diseo trmico
de los inversores ha tenido que ser revisado [35][36].

n
SMC series, Sunny Mini Central de SMA.
a) Inversor central b) Inversor tipo string Inversor modular
o mdulo de AC
Inversor
Lnea AC
Lnea AC
Lnea AC
Tesis Doctoral
30
Un nuevo concepto y tendencia se ha estado desarrollando en los ltimos 5 aos,
tomando como punto de partida los inversores string, se trata del concepto multi-string
[37]. Como se ilustra en la Figura 2-9, el inversor multi-string consiste en varios
convertidores MPPT extensibles y modulares, cada uno va conectado a un bus de continua
comn y este a un mismo inversor. Un bloque funcional lleva a cabo el seguimiento MPP local
y monitoriza las tareas asignadas a cada uno de los convertidores MPPT. Cada string de
mdulos fotovoltaicos tiene su propio convertidor DC/DC en el que incluye su propio control
MPP, esto permite que puedan instalarse strings con diferentes valores nominales de
potencia, tamao o tipo de clulas, as como strings con diferente orientacin e inclinacin, y
el fallo o sombreamiento de un string no afectara al de los otros.

Figura 2-9. Estructura general de un convertidor multi-string
2.4.2 MPPT en inversores comerciales
Los fabricantes de inversores y las empresas instaladoras de sistemas asumen que
los inversores normalmente trabajan en el punto de mxima potencia (MPP) de la curva P-V
del generador fotovoltaico, y que por lo tanto su eficiencia es prcticamente el 100%.
2.4.2.1 Factores estticos y dinmicos que afectan al comportamiento
En la prctica, hay varios factores que causan que el punto de trabajo del inversor
vari del valor verdadero del MPP. Por un lado, en condiciones normales de funcionamiento
(factor esttico), los dispositivos que usan algoritmos de bsqueda para encontrar el MPP
tienden a moverse constantemente alrededor de ese punto ptimo haciendo operar al
generador en el MPP solo por algunos periodos de tiempo.
Por otro lado, en condiciones anormales, existen factores dinmicos que afectan al
comportamiento del MPPT como son:
Fluctuaciones de potencia, como consecuencia de cambios en los niveles de
irradiancia. Debido principalmente a la nubosidad, es decir, al paso de nubes en
un da soleado.
Inversor
comn
RED
Unidad de
control de
operacin
Bus comn
de DC
Ampliacin
a ms
elementos
Convertidor DC-DC
con control MPP
Inversor multi-string Mdulos FV

31
El voltaje debido a cambios en la temperatura, desacoplamientos debido a
sombreamientos, y operacin fuera de los rangos de voltaje del MPPT.
Estas imprecisiones en el MPPT conducen a reducir la eficiencia de conversin del
generador fotovoltaico y consecuentemente a todo el sistema. En la actualidad, no existe una
normativa o certificacin de inversores que incluya la medida del rendimiento del MPPT bajo
determinadas condiciones. Inclusive en la norma americana ANSI/UL 1741 [38] no se
describen los requerimientos en aspectos de control potencia, remitindose solamente a
aspectos mecnicos, conexiones elctricas y protecciones.
2.4.2.2 Algoritmos MPPT ms utilizados
La funcin principal de un MPPT es ajustar el voltaje de operacin del generador
fotovoltaico de tal forma que pueda extraer su mxima potencia.
Un algoritmo MPPT consiste en un conjunto finito de pasos y operaciones necesarias
para optimizar y controlar el punto de mxima potencia de los generadores fotovoltaicos.
Generalmente, estos algoritmos son implementados como cdigo de mquina dentro del
microcontrolador del convertidor MPPT. Toma como datos de partida los valores de voltaje y
corriente a su entrada y salida, y genera como resultado un cambio en su circuito interno de
conmutacin PWM
o
que modifica su impedancia de entrada y en consecuencia el voltaje del
generador fotovoltaico.
En la actualidad los tres algoritmos ms utilizados son: Perturbacin y Observacin
(P&O, Perturb and Observation), Incremento de la Conductancia (INC, Incremental
Conductance) y voltaje constante (CV, Constant Voltage).
P&O se basa en la perturbacin por medio de pequeos incrementos iterativos del
voltaje, si la primera perturbacin V es positiva y la variacin de potencia P es positiva se
incrementa, en caso contrario se aplica una perturbacin negativa. Este mtodo de control
produce una oscilacin alrededor del MPP y est sujeto a errores en presencia de variaciones
rpidas de la irradiancia, como puede verse en la Figura 2-10 [39], los puntos A, E y H
corresponden al MPP real y el mtodo de control estara oscilando entre B, A y C. Suponiendo
que al estar en A se incrementa la irradiancia podra moverse haca D y luego hacia G debido
al incremento de P. Sin embargo, han sido propuestas varias mejoras a este problema en la
literatura [40]. En general, por la simplicidad del algoritmo, es el ms utilizado en inversores
comerciales.
El segundo algoritmo INC, a costa de una gran complejidad computacional,
proporciona la ms alta precisin en el caso de das claros y parcialmente nublados. Este
mtodo sigue el criterio dP/dV=0, donde relaciona la conductancia del generador fotovoltaico
y la carga.

o
Pulse-Width Modulation, modulacin por ancho de pulso.
Tesis Doctoral
32

Figura 2-10 Comportamiento errtico del mtodo P&O con cambios rpidos de la irradiancia.

Finalmente el mtodo CV, se basa en el principio de que la relacin entre el voltaje
mximo del generador y su voltaje de circuito abierto es aproximadamente constante (K, en
la expresin), esto es:
MPP
OC
K 1
V
V
< (2.7)
De esta forma el generador fotovoltaico se asla temporalmente del MPPT y se mide el
voltaje V
OC
y entonces el MPPT calcula el punto de operacin correcto usando la expresin
(2.7) y el valor presente de K y ajusta el voltaje del array hasta que alcanza el valor
calculado de V
MPP
. Esta operacin se repite peridicamente para seguir la posicin del MPP.
Segn la literatura [41][39], el valor de K se encuentra entre el rango de 73 y 80%.
2.4.2.3 Precisin, error y eficiencia del MPPT
Existen tres trminos para describir el buen funcionamiento del MPPT: la precisin, el
error y la eficiencia. Estos trminos son funciones del tiempo, incluso bajo condiciones
estticas (debido a movimientos en la bsqueda MPP) y de parmetros adicionales [42].
La precisin (esttica y dinmica) indica qu tan cerca opera el MPPT del MPP del
generador y puede ser definido como el porcentaje de Im, Vm o Pm, de la forma siguiente:
MPPT,X
m
X
a
X
= (2.8)
con X=I,V o P
La eficiencia indica la relacin entre la potencia o energa actual y la disponible en el
generador. Y se expresa como:
MPPT,P
m
P
P
= (2.9)

33
Tm
0
MPPT,E Tm
m
m
0
( )dt
( 1)
( )dt
P t
E
E
P t
= =

El error (esttico o dinmico) indica la diferencia absoluta o relativa entre el valor
actual de voltaje, corriente o potencia y el del MPP del generador.
MPPT,X m
X X = (absoluto) (2.10)
MPPT,X
m
1
X
X
= (relativo) (2.11)
Con X=I,V o P.
2.4.3 Control de potencia distribuida mediante convertidores MPPT
2.4.3.1 Concepto de convertidores DC/DC
Los convertidores DC/DC comerciales son usados en fuentes conmutadas pero en las
que se asume en su diseo que la potencia a controlar corresponde a un generador ideal,
debido a que generalmente estn conectados a la red elctrica. En nuestro caso, debemos
asumir un generador no ideal y que la mayor potencia extrada depende de la caracterstica
I-V del generador fotovoltaico.
El uso de un conversor DC/DC basado en microcontrolador tiene la ventaja de
incorporar un algoritmo MPPT, capaz de hacer trabajar siempre al generador en el punto
ptimo de operacin, independizndolo as de sus condiciones de operacin.
Desde el punto de vista electrnico, un convertidor DC/DC esta compuesto por
condensadores, bobinas y diodos, que conmutados adecuadamente a travs de un transistor
(usualmente un Mosfet), convierte el conjunto de componentes en una impedancia variable.
Normalmente en un convertidor comercial, si se mantiene fija el voltaje de entrada, el
cambio de esta impedancia regula el voltaje de salida, diferenciando de esta forma tres tipos
bsicos de convertidores DC/DC, los que elevan el voltaje o tipo Boost, los reductores o
tipo Buck y los elevadores-reductores tipo Buck-Boost.
El propsito de los convertidores DC/DC comerciales es suministrar desde un voltaje
fijo de entrada de DC un voltaje de salida regulado. Son comnmente utilizados en
aplicaciones de control de potencia de salida de DC, como ordenadores (UPS),
instrumentacin mdica, cargadores de batera, control de velocidad de motores de DC,
entre otros.
Sin embargo, cuando el convertidor DC/DC es aplicado a generadores fotovoltaicos,
cumple la funcin inversa, es decir, lo que se quiere controlar es el voltaje de entrada del
convertidor. Para realizar esto, se fija el voltaje de salida para que la impedancia variable del
convertidor pase a gobernar su entrada y pueda ser enfrentada al generador fotovoltaico, de
Tesis Doctoral
34
esta forma puede entonces ajustar el voltaje de operacin al punto de mxima potencia
(MPP). Finalmente, el convertidor DC/DC se convierte en un seguidor del punto de mxima
potencia del mdulo o generador fotovoltaico.
2.4.3.2 Convertidores DC/DC acoplados a inversores y reguladores de carga
Generalmente los inversores con seguimiento MPP utilizan convertidores DC/DC con
topologa elevadora, cuyo fin es de proporcionar un amplio rango de voltaje a la entrada del
inversor. En la Figura 2-11 puede verse la electrnica de potencia de un inversor Sunny Boy
5000 de la empresa alemana SMA, que utiliza el concepto multi-string [37]. Es interesante
ver la sencillez del circuito. Esta basado en la ausencia de transformador, lo que proporciona
una mejora en la eficiencia al restar las prdidas galvnicas. Sin entrar en detalle sobre el
funcionamiento de convertidores DC (que ser explicado en el capitulo 4), puede verse como
los strings se conectan a los convertidores y estos a su vez se conectan en paralelo al bus de
DC. Los condensadores (Cpos y Cneg) almacenan la energa entregada por los convertidores
sobre el bus de DC. Debido a que los condensadores operan constantemente cerca de su
voltaje de trabajo nominal, el inversor opera al voltaje constante del bus. Este concepto es
muy interesante para el control de potencia de edificios fotovoltaicos, una tendencia hacia el
control distribuido de generacin fotovoltaica con el uso de convertidores MPPT conectados a
un mismo bus de continua.

Figura 2-11. Topologa de la electrnica de potencia de un inversor multi-string Sunny Boy 5000.


35
La tendencia a usar convertidores MPPT se ha extendido ltimamente al desarrollo de
reguladores de carga para aplicaciones fotovoltaicas aisladas [43]. Los reguladores
convencionales tienen la funcin de proteger las bateras contra la sobrecarga o descarga
excesiva, adems de controlar la alimentacin a las cargas de continua. Los reguladores
MPPT o maximizadores permiten independizar el punto de trabajo del generador respecto
al voltaje nominal del banco de bateras, haciendo que el generador trabaje siempre en su
punto de mxima potencia. Adems, tienen la ventaja de poder modular los voltajes del
generador respecto a la del banco de bateras, usando convertidores DC/DC reductores o tipo
buck cuando los voltajes del generador son ms altas que los voltajes de las bateras y
elevadores o tipo Boost en el caso contrario.
2.4.4 Control distribuido con convertidores DC/DC acoplados a mdulos
individuales
Yendo un poco ms all y tomando como punto de partida la tendencia a utilizar
convertidores DC/DC independientes para cada string, varios autores [19][44][45] han
propuesto la idea de realizar el control de potencia de forma distribuida con la
implementacin de un convertidor DC/DC en cada mdulo sobre un bus de DC, como se
muestra en la Figura 2-12. Sin embargo, este sistema de control distribuido est en fase de
estudio. Es por esto que una de las contribuciones ms importantes de esta tesis doctoral es
proporcionar un conocimiento ms profundo acerca del control de potencia de convertidores
MPPT integrados en mdulos fotovoltaicos y poner a prueba un prototipo de convertidor
MPPT elevador.

Figura 2-12. Convertidor DC-DC integrado en cada mdulo FV en un sistema fotovoltaico conectado a
red.
El objetivo principal es que cada convertidor incorporado en cada mdulo pueda
controlar independientemente la potencia y optimizarla a travs del string de DC, as que en
caso de desacoplamiento de corrientes en el string, el convertidor pueda acoplar y distribuir
las corrientes y voltajes de cada mdulo y del string, de tal forma que pueda aprovecharse
toda la potencia suministrada por el generador.
Cada convertidor puede llevar a cabo el MPPT de forma independientemente al
mdulo que le corresponde. Esta idea tiene las siguientes ventajas:
Convertidores DC-DC
conectados en serie
Bus DC Inversor DC-AC
Filtro AC
Mdulo
FV
Convertidor DC-DC
Tesis Doctoral
36
Compensa el efecto de dispersin de corrientes entre mdulos en serie y de
voltajes entre agrupaciones en paralelo, que de acuerdo a la tolerancia
proporcionada por los fabricantes de mdulos, podra llegar a tener diferencias de
hasta un 10%.
Proporciona una amplia tolerancia a sombreamientos localizados.
Permite incorporar mdulos fotovoltaicos con diferente inclinacin y orientacin,
as como con diferentes caractersticas elctricas (tamaos), abriendo nuevas
posibilidades en integracin arquitectnica.
Al ser un circuito electrnico, es posible adicionar fcilmente un sistema de
comunicaciones en el que pueda transferirse la informacin a un sistema de
control centralizado para monitorizacin y supervisin a nivel de mdulo y/o
string (como se ver ms adelante en el captulo 5). De esta misma forma, puede
incorporarse sistemas de proteccin inteligente: contra derivaciones en la parte
continua, cortocircuito, puentear o aislar su propia fuente en presencia de
mdulos defectuosos o con fallos, o tambin deshabilitar el propio convertidor en
caso de mal funcionamiento, robo, entre otras funciones.
2.5 Referencias

[1] Castro Gil, M. y otros. Sistemas Fotovoltaicos Conectados A Red: Estndares
Condiciones Tcnicas. Monografas tcnicas de energas renovables, 2000 Progensa,
Sevilla, Espaa.
[2] REAL DECRETO 1663/2000 de 29 de septiembre de 2000. Sobre conexin de
instalaciones fotovoltaicas a la red de baja tensin.
[3] RESOLUCIN del MINISTERIO DE ECONOMA de 31 de mayo de 2001, de la Direccin
General de Poltica Energtica y Minas, por la que se establecen modelo de contrato
tipo y modelo de factura para instalaciones solares fotovoltaicas conectadas a la red de
baja tensin.
[4] E. Lorenzo y E. Caamao. Seguridad y condiciones tcnicas en Edificios fotovoltaicos
conectados a red. Revista Era Solar, nmeros 90 y 91.
[5] J. Muoz Cano. Recomendaciones sobre el uso de corriente alterna en la electrificacin
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Telecomunicacin, 2004.
[6] IEC Standard 60050-826 ed. 2.0 (2004). International Electrotechnical Vocabulary -
Part 826: Electrical installations. 2004.
[7] E. Lorenzo y otros. Electricidad Solar, Ingeniera de los sistemas fotovoltaicos. Editorial
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[8] Solar Modules 2006, Market survey with over 500 products. Photon International,
February 2006. p.74.

37

[9] IEC 61730 ed. 1.0 (2004), Photovoltaic (PV) Module Safety Qualification. This standard
comprises all tests that are part of the safety class II qualification. The test sequences
of the IEC 61730 are designed such that they can co-ordinate with those of the IEC
61215 / IEC 61646.
[10] UNE 20460-7-712:2006 : Instalaciones elctricas en edificios. Parte 7-712: Reglas
para las instalaciones y emplazamientos especiales. Sistemas de alimentacin solar
fotovoltaica (PV).
[11] Caractersticas elctricas de mdulos comerciales Market survey on solar modules.
Revista Photon International, February 2006.
[12] Module Overview. PV Magazine, photovoltaic markets and technology. Edition
03/2009.
[13] IEC 61215 ed. 2.0 (2005). Crystalline silicon terrestrial photovoltaic (PV) modules
Design qualification and type approval.
[14] IEC 61646 ed. 2.0 (2008). Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design
qualification and type approval.
[15] ANSI/UL 1703 ed.3 (2004). Standard for Safety for Flat-Plate Photovoltaic Modules
and Panels. ANSI, American National Standards Institute. UL, Underwriters
Laboratories.
[16] SMA Technical Newsletter, Teil 9, Nov. 2003, www.sma.de
[17] F.P. Baumgartner, H.Scholz. MPP Voltage monitoring to optimise grid connected
system design rules. 19th European Photovoltaic Solar Energy Congerence, 7-11 June
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[18] G. Graditi, F. Spertino, S. Li Causi. SHADING EFFECT ON MPPT PERFORMANCE IN A
GRID CONNECTED 20 kWp PV SYSTEM. 19th European Photovoltaic Solar Energy
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[19] S. Uriarte, M.J. Senz, F. Hernando, J.C. Jimeno, V.E. Martnez, M. A. Egido, R. Orduz,
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[23] Alonso Gracia, M del Carmen. Caracterizacin y modelado de asociaciones de
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[24] Publishable report IMOTHEE project: Improvement of photovoltaic modules. Measures
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[26] IEC 60904-1: 2006, Part 1: Measurements of PV current-voltage characteristics.
[27] IEC 60904-5. Photovoltaic devices - Part 5: Determination of the equivalent cell
temperature (ECT) of photovoltaic (PV) devices.
[28] IEC 60904-6: Photovoltaic devices Part 6: Requirements for reference solar modules
[29] UNE-EN 60891:1994: Procedimiento de correccin con la temperatura y la irradiancia
de la caracterstica I-V de dispositivos fotovoltaicos de silicio cristalino. (Versin oficial
EN 60891:1994).
[30] UNE-EN 61829 : Campos fotovolticos (FV) de silicio cristalino. Medida en el sitio de
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[31] Report EUR 16340 EN. Guidelines for the assessment of photovoltaic plants,
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[32] Gnther Cramer, Frank Greizer, John Berdner. String Inverters lower costs of solar
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[33] W. Bower. Inverters Critical Photovoltaic Balance-of-system Components: Status,
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[34] H. Wilk and C. Panhuber. Power Conditioners for Grid Interactive PV Systems, What is
the Optimal Size: 50 W or 500 kW?. 13
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[35] D. Schekulin and G. Schumm. AC-modules Technology, Characteristics and
Operational Experience. 13
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European Photovoltaic Solar Energy Conference. October
1995, Nice (France).
[36] J. Myrzik, M. Meinhardt, B. de Mey et al. HICAAP Highly Integrable Converters for
Advanced AC-photovoltaics Study of Topologies, Principle Design. 2
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Conference and Exhibition of Photovoltaic Solar Energy Conversion. July 98, Vienna
(Austria).
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enhanced functionality. Solar Energy Vol. 69(Suppl.), Nos. 16, pp. 217227, 2000.
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Power Production Systems. 2001. Note: New title revised from original: Static
Inverters and Charge Controllers For use in Photovoltaic Power Systems.
[39] D. P. Hohm and M. E. Ropp. Comparative Study of Maximum Power Point Tracking
Algorithms. PROGRESS IN PHOTOVOLTAICS: RESEARCH AND APPLICATIONS, Appl.
2003; 11:4762
[40] Johan H. R. Enslin. Integrated Photovoltaic Maximum Power Point Tracking Converter.
IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS, VOL. 44, NO. 6, DECEMBER
1997
[41] Andersen, M. Alvsten, B.. 200W Low Cost Module Integrated Utility Interface for
Modular Photovoltaic Energy Systems. Industrial Electronics, Control, and
Instrumentation, 1995., Proceedings of the 1995 IEEE IECON 21st International
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MAXIMUM POWER POINT TRACKING PERFORMANCE. 14th European Photovoltaic Solar
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[43] R. Akkaya, A. A. Kulaksiz. A microcontroller-based stand-alone photovoltaic power
system for residential appliances. Applied Energy 78 (2004) 419431.
[44] R. Alonso, E. Romn, and Others. A new distributed converter interface for PV panels.
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Photovoltaic Modules. IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, VOL. 19, NO.
4, JULY 2004.

Tesis Doctoral
40

41
Captulo 3

3. Caracterizacin de generadores fotovoltaicos

3.1 Introduccin
Este captulo presenta la caracterizacin elctrica y mtodo de medida de mdulos
fotovoltaicos de silicio cristalino en polarizacin directa e inversa.
Se describe un mtodo de medida exterior
a
en condiciones reales de operacin, como
tambin la instrumentacin y software que permiten medir la curva I-V de mdulos
fotovoltaicos y procesar los resultados. La instrumentacin desarrollada est compuesta por
una carga variable capacitiva que funciona como generador de barrido de la curva
caracterstica del mdulo fotovoltaico, as como de la curva de respuesta de convertidores
MPPT acoplados a mdulos, sta es una principal cualidad respecto a otros trazadores de
curvas I-V. A esta instrumentacin se aade un osciloscopio como sistema de adquisicin de
datos y un software que ha sido desarrollado para procesar los resultados y mostrar las
curvas I-V y P-V y los parmetros elctricos a Condiciones Estndar de Medida (CEM)
b
. El
mtodo y la instrumentacin, constituyen un nico sistema cuyos objetivos prcticos son:
Determinacin de la potencia nominal de mdulos y generadores fotovoltaicos en
campo
a
.
Control de calidad de suministros de mdulos fotovoltaicos, conforme a criterios de
aceptacin establecidos con el fabricante en el proceso de compra.
Diagnstico, seguimiento y deteccin de fallos del generador fotovoltaico tales como:
conexionado, sombreamiento y degradacin o ruptura de clulas.
Determinacin de las curvas de respuesta I-V y P-V de convertidores MPPT acoplados a
mdulos fotovoltaicos.
Con el propsito de validar la instrumentacin desarrollada, se muestran los
resultados de un conjunto de ensayos de medida de la caracterstica elctrica de mdulos
fotovoltaicos en polarizacin directa e inversa.
Finalmente, se realiza un estudio detallado de los efectos producidos por el
sombreamiento en la caracterstica I-V y P-V de mdulos con diferente configuracin de los
diodos de paso.

a Realizado al exterior, tambin llamado internacionalmente Outdoor method.
b Conocida internacionalmente como Standar Test Conditions STC. Se explica en el apartado 3.3.1
Tesis Doctoral

42
3.2 Antecedentes
Inicialmente, y con el objetivo de realizar el control de calidad de mdulos y
generadores fotovoltaicos que se necesitaron para la construccin de la central Toledo-PV en
1994 [1], el Instituto de Energa Solar llev a cabo dos trabajos [2][3] sobre la medida y
caracterizacin elctrica de generadores fotovoltaicos. stos fueron el punto de partida en los
10 aos de experiencia del instituto de Energa Solar en el control de calidad de mdulos y
generadores, y adems fueron la base para el desarrollo de la instrumentacin y software
desarrollados en esta tesis doctoral.
Por otro lado, la solicitud de instrumentacin y mtodos de control de calidad por
parte de laboratorios de pases donde se han implementado programas de electrificacin
rural, ha conducido al desarrollo de este trabajo a travs del proyecto Europeo TaQSolRE [4].
Finalmente, en el marco del proyecto GENIUS [5], se hace necesario una carga
variable para caracterizar convertidores MPPT acoplados a mdulos fotovoltaicos. La
instrumentacin desarrollada y expuesta en este captulo ha sido adaptada para funcionar
como carga variable y puede ser utilizada a la salida de los convertidores MPPT de tal forma
que pueda barrer toda su caracterstica elctrica. Los resultados de estos ensayos se
exponen en el captulo 5.
3.3 Instrumentacin y mtodo de medida de la caracterstica I-V de
mdulos fotovoltaicos
3.3.1 Mtodo de medida exterior
El estndar internacional IEC 60904-1 [6] describe tres procedimientos de medida de
la caracterstica I-V de clulas y mdulos fotovoltaicos, dos son de laboratorio o Indoor
c
y
otro exterior o Outdoor.
La tcnica de medida interior, permite controlar los parmetros ambientales de
medida como son la irradiancia, el espectro solar y la temperatura, pero con el sobre coste
de tener que utilizar una instrumentacin costosa como es un simulador solar de pulsos,
cuyo coste ronda los 150.000 . Sin embargo, en algunos casos estas medidas no son
realistas, debido a que estos pulsos de luz pueden llegar a ser tan cortos que no permiten
alcanzar el equilibrio trmico
d
del mdulo.
La medida exterior permite medir los mdulos en condiciones reales de operacin,
adems tiene la ventaja de poder realizar las medidas en la propia instalacin in situ, muy
til para efectos de control de calidad de instalaciones fotovoltaicas. Otro aspecto importante
que aporta este mtodo es la sencilla instrumentacin desarrollada, de bajo coste y de fcil
implementacin en cualquier laboratorio. Sin embargo, este mtodo depende

c Contrario a la medida exterior, corresponde a las medidas realizadas en interior, en el laboratorio en
donde se puede controlar las condiciones de medida.
d El cual se alcanza a observar cuando el voltaje de circuito abierto se estabilice, pues este parmetro
vara directamente con la temperatura del mdulo.
Captulo 3. Caracterizacin de generadores fotovoltaicos

43
necesariamente de unas condiciones meteorolgicas mnimas para que la posterior
extrapolacin a las CEM pueda considerarse vlida.
El informe EUR 16340 EN [7] describe que la experiencia en medidas al exterior y
extrapoladas a las CEM indica que la precisin de los valores finales para obtener la potencia
mxima es usualmente del 5 %.
3.3.1.1 Condiciones estndar de medida
Para la certificacin (por un laboratorio homologado) y comercializacin de mdulos
fotovoltaicos es necesario especificar sus caractersticas elctricas, referidas a unas
condiciones experimentales de medida que sirvan de referencia comn. stas son
reconocidas internacionalmente
e
como Condiciones Estndar de Medida (CEM) y estn
definidas del modo siguiente:
Irradiancia Global (G) de 1000 W/m
2
incidente sobre el mdulo.
Distribucin espectral
f
AM1.5 global: Corresponde en la prctica a un da despejado de
primavera.
Temperatura de operacin de clula (T
C
) de 25 C.
El mtodo permite medir valores I-V (corriente-voltaje) de mdulos y generadores
fotovoltaicos en condiciones reales de operacin (por lo general distintas a las CEM). Para
ello, como se explicar ms adelante, el mtodo propone el uso de sensores fotovoltaicos
para la medida de G y T
C
. Posteriormente, un programa informtico desarrollado permite
extrapolar punto a punto las medidas I-V a las CEM, obteniendo as todos los parmetros
elctricos del mdulo o generador referido a stas condiciones.
3.3.1.2 Modelo de extrapolacin a las CEM
La extrapolacin a las CEM se realiza punto a punto de 512 valores de corriente y de
voltaje de acuerdo a las recomendaciones del IEC 60904-1 [6] y EUR 16340 EN JRC [7]
vlidas para mdulos de silicio cristalino.
La expresin para la extrapolacin de la corriente es,
( )
2
*
MED P c C 2
1000[ / ]
25 [ C]
[ / ]
W m
I I T
G W m
= + (3.1)
y la extrapolacin para el voltaje,
( )
*
MED S C C
25 [ C] V V T = + (3.2)
Donde, el superndice * corresponde a los valores a CEM, de este modo, I
*
en [A] y
V
*
en [V] corresponden al par de puntos de la curva I-V extrapolados a las CEM, I
MED
en [A]
y V
MED
en [V] corresponden respectivamente a los valores medidos de corriente y voltaje del

e Establecido a travs de las condiciones de medida indoor en el IEC 60891.
f reference solar espectral irradiance distribution, descrita en la norma IEC 904-3
Tesis Doctoral

44
mdulo a las condiciones particulares de irradiancia G en [W/m
2
] y de temperatura de clula
T
C
en [C]. N
P
y N
S
son el nmero de clulas en serie y en paralelo del mdulo
respectivamente.
c
en [A/C] representa el coeficiente de variacin de la corriente con la
temperatura de la clula; que puede aproximarse en la prctica a 1 mA por grado y por
clula, cuando se desconocen los datos especficos del mdulo medido.
c
corresponde al
coeficiente de variacin del voltaje con la temperatura de la clula, cuyo valor es aceptado
como -2,3 mV/C. Estos coeficientes se describen en el estndar internacional IEC 60891 y
se pueden considerar casi constantes en el margen de inters.
Cabe tambin mencionar que en las recomendaciones expuestas en EUR 16340, la
expresin de extrapolacin (3.2) va acompaada por un factor de correccin de voltaje
relacionado con la resistencia serie del mdulo fotovoltaico, transformando as la expresin
(3.2) de la forma siguiente:
( )
* *
MED S C C S MED
25 [ C] ( ) V V T R I I = + (3.3)
Donde, R
S
representa la resistencia serie del mdulo.
Sin embargo, el factor de correccin aadido depende significativamente del mtodo
de clculo de la resistencia serie del mdulo.
La norma IEC 60891 (parte 4) y el JRC-ISPRA [7] recomiendan realizar dos medidas
a diferente irradiancia, lo que aade complejidad al mtodo de medida propuesto.
El objetivo del mtodo propuesto es utilizar un mtodo de medida sencillo y a la vez
preciso realizando una sola medida. Se evalan tres mtodos en los cuales se puede medir la
R
S
mediante una sola medida: el mtodo de los cuatro parmetros, el mtodo de Green y el
mtodo del clculo de la pendiente.
El mtodo de clculo de la resistencia serie mediante cuatro parmetros, extrada de
la expresin que define la curva I-V del mdulo fotovoltaico, es el siguiente,
(25C)
*
* *
m
S t OC m *
SC
*
S *
m
ln 1
I
V V V
I
R
I
( | |
+
( |
\
= (3.4)
Donde V
t
(25C)=25,7 mV y corresponde al valor del voltaje trmico del diodo a 25 C
de temperatura, considerando un factor de calidad igual a la unidad. Este mtodo considera
que el valor de la resistencia serie es invariable respecto a los cambios en la irradiancia y
temperatura de clula.
La aproximacin de M. Green [8] para la determinacin de los parmetros referidos a
las condiciones de mxima potencia, es un mtodo muy aceptado. Inicialmente se define un
voltaje de circuito abierto normalizado
OC
=V
OC
/(mV
t
), a partir de all llega a una expresin
emprica para el factor de forma ideal FFo para v
OC
>15 V, y es el siguiente:

45
( ) ln 0.72
o
1
oc oc
oc
FF
+
=
+

Y el factor de forma real FF es:
s
o(1 ) FF FF r = , donde
S
s
OC SC
/
R
r
V I
= , con r
s
<0,4
Como el FF se puede calcular mediante los valores caractersticas en CEM,
* *
m m
* *
SC OC
I V
FF
I V
,
Entonces, es posible dar una expresin directa de la R
S
, como:
OC
S
SC
1-
o
V FF
R
FF I
| |
=
|
\
(3.5)
La aproximacin mediante la pendiente de la curva, es un mtodo basado en las
derivadas de la funcin en puntos locales de la curva caracterstica I-V y se denomina
resistencia dinmica. La resistencia serie se obtiene a partir de la derivada de la funcin en
torno a V
OC
y se representa como:
OC
SO V=V
=-( )
V
R
I

Y para la resistencia paralelo, la derivada de la funcin en torno a I
SC
y se representa
como:
SC
ShO I=I
=-( )
V
R
I

Esta misma aproximacin se puede obtener mediante la recta tangente a la curva
cerca de V
OC
e I
SC
para R
S
y R
P
respectivamente. Mediante software (PVGen, que se explicar
en la seccin 3.3.3) se realiza una regresin lineal de los puntos cerca a V
OC
e I
SC
, luego se
hayan la pendientes respectivas m
Voc
y m
Isc
de la recta a la curva, de este modo:
S
Voc
1
=- R
m
y
P
Isc
1
=- R
m

En la Figura 3-1 se muestra un ejemplo del clculo de la resistencia serie y paralelo
mediante la pendiente a la curva cerca de V
OC
e I
SC
respectivamente, utilizando la
instrumentacin y el software desarrollado, que se explicar ms adelante.

Tesis Doctoral

46
Figura 3-1. Ejemplo de medida - utilizando la instrumentacin desarrollada - de las resistencias serie y
paralelo mediante la pendiente a la curva cerca de VOC e ISC respectivamente.
3.3.1.3 Instrumentacin utilizada
La Figura 3-2 muestra un esquema explicativo de la instrumentacin utilizada. Se
observan cuatro bloques que merecen atencin:
Instrumentacin para la medida de las condiciones ambientales, la irradiancia global
G (W/m
2
) y temperatura de clula T
C
(A). Se recomienda el uso de sensores
fotovoltaicos con el fin de asegurar la misma respuesta espectral y trmica que los
mdulos a medir de acuerdo a los requisitos establecidos en el IEC 60904-6 [9].
Opcionalmente puede medirse la radiacin difusa D (W/m
2
) y la velocidad del viento
Vv (m/s), en su defecto, es vlido estimar valores de acuerdo a la sensacin de baja
velocidad de viento y la visibilidad de un cielo despejado. En general se debe cumplir
las siguientes condiciones:
G>600 W/m
2

Vv<8 m/s (30 km/h)
D<20% de G. Tpico de un da despejado o con pequeas formaciones de nubes
alejadas del sol
Mdulo de medida y un mdulo patrn o de referencia calibrado.
Generador de barrido I-V, sistema de adquisicin de datos (vlido nicamente para
los osciloscopios HandyScope2 y/o Fluke 97/105B), opto acoplador y conexiones
entre instrumentos utilizando el mtodo de las cuatro puntas para la corriente y
voltaje conforme a la norma internacional EN 60904-1 [6].
-1/R
P

-1/Rs
R
P
=229
Rs=0.8

47
Ordenador y software de procesamiento de datos desarrollado en el que se
introducen los parmetros (de los mdulos de medida y la medida de las condiciones
ambientales) y procesan los resultados.

Figura 3-2. Instrumentacin necesaria para la medida de mdulos FV
3.3.1.3.1 Medida de la temperatura de clula
Se establece de acuerdo a las recomendaciones de la norma IEC 60904-5 [10] para
determinar la temperatura de clula equivalente (ECT)
g
de dispositivos fotovoltaicos por el
mtodo de voltaje de circuito abierto. La norma IEC 60904-6 [9] recomienda que la
incertidumbre para la medida de la temperatura sea menor a 2 C para todos los
dispositivos de referencia.
La expresin utilizada para determinar la temperatura de clula equivalente por el
mtodo de circuito abierto es la siguiente:
*
OC,TS OC,TS
C,TS
S,TS C,TS
( )
25
V V
T

= +
(3.6)

g ECT, Equivalent Cell Temperature.
Sensor FV G
G=f(ISC)
Sensor FV - Tc
Tc=f(VOC)

Piranmetro Anemmetro
Mdulos a medir
Mdulo de medida
Mdulo de referencia
calibrado
+
-
Generador de
barrido I-V
O
p
t
o
-
I
s
o
l
a
t
o
r

P
r
e
-
A
m
p
l
i
f
i
e
r

I = f(mV shunt)
) |

V Ch1
I Ch2
O
s
c
i
l
o
s
c
o
p
i
o

H
a
n
d
y
S
c
o
p
e
2

/

F
l
u
k
e

9
7
-
1
0
5
B

Medida obligatoria
G (W/m
2
): Irradiancia global.
Tc (C): Temperatura de clula.
O Tc = f(Ta): Tc por medio de la
medida de temperatura ambiente.
Medida opcional
D (W/m
2
): Irradiancia Difusa.
Vv (m/s): Velocidad del viento.
Condiciones de medida:
G>600 W/m
2
.
Vv<8 m/s.
D<20% de G.
Medida complementaria D y Vv
optativa
Parmetros
Ns : clulas serie
Np : clulas paralelo
Alfa[A/C]: 1mAxA
Beta =-2.3 mV/C

Parmetros de los mdulos medidos introducidos por teclado
Medida recomendada con sensores PV
Medida Tc alternativa
Medidas de T
c
y G
Temperatura
ambiente Ta
Tc=f(Ta,NOCT)
Ordenador con
software de
adquisicin y
procesamiento
de datos.
Medida
independiente
corriente - voltaje
Datos (Vi,Ii)
Medida de la curva I-V de mdulos
Tesis Doctoral

48
Donde el subndice TS se refiere al mdulo sensor de temperatura. En esta
expresin se ha omitido el efecto de segundo orden relacionado con la irradiancia debido a
su bajo peso en el clculo de la temperatura de clula.
Sin embargo, a falta de un mdulo fotovoltaico como sensor de temperatura, el
mtodo propuesto tambin permite
h
obtener la temperatura de clula a travs del mtodo de
medida de la temperatura ambiente por medio de la NOCT o temperatura de operacin
nominal de la clula del mdulo a medir, que debe ser proporcionada por el fabricante. La
expresin es la siguiente,
[ ]
[ ]
2
C,Ta a 2
C 20C

800
OCT
T T C G W m
W m

| |
( = +
|

\
(3.7)
El subndice Ta se refiere a la medida obtenida a partir de la temperatura ambiente.
La precisin entre ambos mtodos es obviamente diferente. Algunos autores
mencionan una incertidumbre de 5 C usando el mtodo de la NOCT [11] y mucho ms
pequeo usando el mtodo a travs de ECT, <1 C en mdulos vidrio-tedlar y <2 C en
vidrio-vidrio [12]. Estas discrepancias son reflejadas en un error para la estimacin de V
OC
de
3 % para un 5 C en el clculo de T
C,Ta
.
3.3.1.3.2 Medida de la irradiancia
Se propone el uso de un sensor fotovoltaico en cortocircuito a travs de un shunt de
precisin como describe el IEC 60904-2 (4.3) [13]. El sensor de referencia, as como el de
corriente, deben estar previamente calibrados por un laboratorio certificado de acuerdo al
IEC 60904-6 [9]. Los mdulos de referencia deben ser preferiblemente del mismo modelo y
tecnologa (clula y encapsulado) que los mdulos objetos de medida.
La ecuacin para el clculo de la irradiancia debe ser coherente con la expresin para
la extrapolacin a las CEM de la corriente. La expresin es la siguiente:
SH
SH
*
SC,GS GS P,GS C,TS
V
1000
R
G
I N (25 T )
=

(3.8)
Donde, los subndices TS y GS corresponde a los valores de los sensores TC y G
respectivamente, el superndice * corresponde a los valores a CEM (valores de calibracin),
N
P
al nmero de clulas en paralelo, R
SH
es la resistencia del shunt en ohmios y V
SH

corresponde a la cada de voltaje en el shunt.
3.3.1.4 Procedimiento de medida
El mtodo de medida proporciona dos alternativas: medida de mdulos FV
individuales o con un mdulo de referencia [1][14] del mismo modelo, previamente calibrado
por un laboratorio certificado. La medida exterior de mdulos individuales proporciona

h Aunque menos precisa que utilizando un mdulo sensor fotovoltaico.

49
diferencias en los resultados de potencia mxima con respecto a los dados por los
laboratorios de calibracin (mtodo de medida indoor, a travs de simuladores solares).
stos pueden ser reducidos haciendo medidas cuasi-simultneas con un mdulo de
referencia y corregir los resultados obtenidos. Estas diferencias son debidas a los
procedimientos usados para la medida de las condiciones ambientales (calibracin de
sensores) y la extrapolacin a CEM (efectos espectrales y de temperatura) [14].
En el caso de medida usando un mdulo FV de referencia, los resultados de potencia
mxima a CEM del mdulo objeto de medida y mdulo de referencia (P
MTT
y P
MRT

respectivamente) son usados para calcular el valor de la potencia mxima de aceptacin del
mdulo FV objeto de medida P
MTA
:
MRT
MTA MTT
MRC
P
P P
P
= (3.9)
Donde P
MRC
es la potencia mxima calibrada del mdulo de referencia.
La medida de mdulos FV individuales es de especial inters para Pruebas de
Aceptacin y la alternativa usando tambin un modulo de referencia es particularmente
interesante para el Control de Calidad de Suministro de Mdulos Fotovoltaicos.
En los anexos 1, 2 y 3 se explican con detalle el mtodo y procedimiento de medida.
3.3.2 Generador de barrido I-V
El informe del JRC EUR 16340 recomienda el uso de una carga capacitiva para la
medida de la caracterstica I-V de generadores fotovoltaicos en polarizacin directa. La
instrumentacin utilizada en este mtodo cumple con estas recomendaciones, adems de la
posibilidad de medida en polarizacin inversa. Adicionalmente, la instrumentacin ha sido
preparada para la medida de mdulos MPPT.
Para generar el barrido I-V de un mdulo fotovoltaico, se ha desarrollado una carga
capacitiva que usa un condensador electroltico como carga para el mdulo fotovoltaico, el
cual es cargado en un tiempo comprendido entre 20 y 100 ms tal y como se recomienda en
la normativa. En el caso de medida de convertidores MPPT el tiempo de barrido es entre 10 y
15 segundos. La conmutacin entre el mdulo y el condensador se realiza por medio de un
transistor MOSFET gobernado por un circuito de control que protege la puerta del transistor y
filtra los efectos de ruido elctrico.
En la Figura 3-3 se muestra un ejemplo de medida de un mdulo FV en el que se
puede apreciar el efecto de carga del condensador efectuando el barrido corriente-voltaje
con respecto al tiempo y a la derecha como valores I-V describiendo la caracterstica
elctrica del mdulo FV.
Tesis Doctoral

50
Figura 3-3. Seales grficas de corriente y voltaje con respecto al tiempo (izquierda) y como pares de
valores I-V (derecha).
La medida en polarizacin inversa se realiza cargando el condensador a un voltaje
negativo
i
de aproximadamente 9 V. Al enfrentar el condensador al mdulo, empezar el
barrido I-V en la regin de polarizacin inversa del mdulo, logrando as que pueda verse el
segundo cuadrante de la curva I-V.
La instrumentacin desarrollada tiene las siguientes funciones generales:
Generador de barrido I-V en polarizacin directa hasta circuito abierto e
inversa desde un valor de -9Vdc.
Medida de la corriente de corto circuito del mdulo.
Amplio rango de medida de dispositivos fotovoltaicos y pequeos
generadores manteniendo el tiempo de muestreo entre 10 y 100 ms.
Posibilidad de conmutar entre dos condensadores y aadir condensadores
externos. Muy til para medir clulas o mdulos con diferentes
configuraciones de clulas.
Permite medir mdulos o pequeos arrays de hasta 500 Wp de potencia y
100 V de DC en circuito abierto.
Caracterizacin de convertidores MPPT conectados a mdulos
fotovoltaicos. Con el objeto de aumentar el tiempo de barrido, para esta
funcin, la instrumentacin permite aadir condensadores externos de
mayor capacidad.
En la Figura 3-4 puede verse una fotografa del aspecto interno y externo de la carga
capacitiva desarrollada.
En el Anexo 2 puede verse con ms detalle las caractersticas tcnicas y operacin del
equipo.

i
Segn datos del fabricante de condensadores electrolticos, es posible introducir voltajes negativos de
esta magnitud sin que se produzcan daos en el dispositivo.
I,V
t
I
V

51
Figura 3-4: Aspecto de la carga capacitiva desarrollada
3.3.3 Software de procesamiento de datos
El software PVGen desarrollado bajo lenguaje de programacin C++, cumple la
funcin de procesar los datos I-V (pares de valores corriente (I), Voltaje (V)) adquiridos
previamente mediante el osciloscopio en combinacin con la carga capacitiva.
El software inicialmente lee 512 muestras I-V del osciloscopio y almacena los datos
introducidos de las caractersticas elctricas de los mdulos y las condiciones ambientales de
medida de irradiancia y temperatura de clula. A continuacin, el programa realiza las
siguientes tareas:
Recorte de puntos no vlidos: Estos puntos son causados por el sincronismo
entre el disparo producido por el interruptor de la carga capacitiva y el comienzo de la
adquisicin de datos. El programa corrige este problema recortando stos puntos en los
extremos de los ejes Y y X, es decir, en el punto de cortocircuito y de circuito abierto.
Extrapolacin de los 512 valores de corriente y voltaje a CEM.
Filtrado Digital Adaptativo de las muestras, optimizado en la zona mxima
potencia. Tiene como objetivo eliminar el ruido elctrico y el rizado producido por la
cuantificacin de la conversin A/D.
Clculo de los parmetros elctricos del mdulo y configuracin de la
presentacin.
Presentacin grfica de la(s) curva(s) I-V, de las condiciones de medida y los
parmetros elctricos del mdulo. Finalmente, el programa almacena los resultados en un
archivo con extensin propia .fil o .filc con valores tabulados en modo texto, lo que lo hace
compatible con cualquier software de clculo (MS Excel o OpenOffice Calc).
Guardado de la configuracin del programa.
En la Figura 3-5 se muestra el diagrama de flujo del programa.

2
0
0
m
m

275mm
Tesis Doctoral

52
Figura 3-5. Diagrama de flujo del programa
El funcionamiento del programa se describe en el Anexo 2: Manual de Software.
3.3.4 Alcances
El equipo aqu propuesto ha sido utilizado en el laboratorio de sistemas fotovoltaicos
del Instituto de Energa Solar para diversas actividades relacionadas con ensayos y controles
de calidad de mdulos y clulas fotovoltaicas.
Cabe citar las siguientes actividades destacadas:
Realizacin de manuales tcnicos y guas de implementacin del equipo
desarrollado y as como la descripcin del procedimiento de medida. De mucha
utilidad para su implementacin en otros laboratorios, principalmente en pases
donde los programas PVRE vayan a implementarse. Realizado a travs del
proyecto TaQSolRE [4].
Medida de mdulos fotovoltaicos suministrados para la realizacin de lmparas
solares en India. Asociado con el proyecto TaQSolRE.
Control de calidad de suministro de mdulos fotovoltaicos de Isofotn en
proyectos de electrificacin rural en Marruecos.
Control de calidad de instalaciones fotovoltaicas conectadas a red de Isofotn
(Coslada y Mstoles), en medidas de generadores fotovoltaicos.
Control de suministro de los mdulos fotovoltaicos en el proyecto UPM-Solar
Decathlon 2005.
Medida de mdulos y convertidores MPPT a travs del proyecto GENIUS Gestin
de Energa Integrada para Uso Solar Fotovoltaico (TIC 2002-04245-C02).
As mismo se realiz una transferencia de tecnologa a la Facultad de Ciencias Fsicas
de la Universidad Complutense para el Grupo de Energas Renovables a travs de un
proyecto de fin de carrera titulado Diseo e implementacin de instrumentacin electrnica
y software para la caracterizacin elctrica de mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
3.4 Medida y caracterizacin de mdulos fotovoltaicos: Validacin de la
instrumentacin desarrollada
Los resultados de caracterizacin I-V mostrados en este apartado tienen dos
objetivos: validar la instrumentacin desarrollada y medir los mdulos que sern usados en
la etapa de ensayos del captulo 5.
PROCESO INTERNO DE DATOS
DATOS INTRODUCIODOS
POR TECLADO
RECORTE DE
PUNTOS NO
VALIDOS
EXTRAPOLACION
A STC
FILTRADO
OBTENCIN
DE CURVAS Y
PARMETROS
PRESENTACIN
ARCHIVO DE
DATOS
ARCHIVO CON DATOS
DE MEDIDAS

53
Para validar la instrumentacin desarrollada, el software de procesamiento de datos y
el procedimiento, se ha realizado una amplia campaa de medidas usando siete mdulos
fotovoltaicos comerciales con diferente tecnologa de clula (mono y policristalino) calibrados
previamente por el CIEMAT. Los resultados de medida se realizan utilizando mdulos
individuales o mediante comparacin con mdulos patrn.
Los resultados comprenden aspectos como: medida en polarizacin directa a
diferentes condiciones de operacin y bajo efectos de sombreamiento, y en polarizacin
inversa.
3.4.1 Curva I-V tpica a CEM
En la Figura 3-6 se muestran los resultados de medida de un mdulo fotovoltaico. Se
trata del mdulo MBm52 (Referencia IES-UPM), que corresponde comercialmente al mdulo
BP275 F de silicio monocristalino, cuyo valor calibrado (CIEMAT) de potencia mxima es 69,9
W. A la izquierda se muestran la curva corriente-voltaje medida a las condiciones de 718,1
W/m
2
y 52,5 C, extrapolada a las CEM y filtrada, como tambin la curva Potencia-Voltaje en
CEM. A la derecha se presentan las condiciones de medida y los parmetros elctricos en
condiciones estndar. En este caso la resistencia serie se calcula por medio del mtodo de
los cuatro parmetros (seleccin previa en la configuracin del programa PVGen) y la
resistencia paralelo por medio del clculo de la pendiente mediante regresin lineal en el
extremo del cortocircuito.
Figura 3-6 Medida tpica de una curva I-V de un mdulo fotovoltaico

Curva I-V
extrapolada y
filtrada
Curva I-V
medida
Curva P-V
extrapolada y
filtrada
P
a
r
m
e
t
r
o
s

A

C
o
n
d
i
c
i
o
n
e
s

E
s
t
n
d
a
r

Tesis Doctoral

54
3.4.2 Caracterstica I-V y P-V a condiciones reales de operacin en un da
tpico de verano
El comportamiento de las curvas I-V, en diferentes condiciones de operacin, permite
conocer los aspectos ms significativos que influyen en el cambio de la potencia mxima del
mdulo. Se presentan las medidas tomadas en el mes de julio al mdulo MDp12 (Referencia
IES-UPM) que corresponde al PHOTOWATT BPX 47500 de 46Wp de silicio policristalino.
En la Figura 3-7 se muestran cinco curvas I-V y P-V en las condiciones de operacin
de G (W/m
2
) y Tc (C) expuesas como (G,Tc). Se compara la curva en Condiciones Estndar
(1000,25) con las otras cuatro curvas medidas entre 629 y 906 W/m
2
. Se puede oberservar
que la temperatura influye en un 14% en la potencia mxima del mdulo, mientras que el
86% restante es afectada por la irradiancia. La potencia mxima del mdulo se desplaza
respecto al voltaje debido principalmente al cambio de la temperatura, al ser los cambios
pequeos, los cambios en voltaje tambin lo son, y equivale a un factor promedio de 94,5
mV/C para el mdulo y 2,6 mV/C para la clula (muy cercano al valor terico de Beta=2,3
mV/C), entre 25 (a CEM) y 65 C (a 906W/m
2
).

Figura 3-7 Curvas I-V a diferentes condiciones de operacin
En la Figura 3-8 se puede ver con ms detalle los cambios en potencia mxima
respecto al voltaje utilizando el mdulo MBm5.2 que corresponde a la referencia BP 275F del
fabricante BP Solar. En la grfica se muestran once muestras que se realizaron durante un
da tpico del mes de mayo, las medidas se realiza de forma consecutiva mientas aumenta la
irradiancia desde 625 hasta 900 W/m
2
. Se observan los cambios en voltaje que debera
hacer un MPPT para alcanzar la potencia mxima del mdulo en un da despejado y sin
sombreamientos. Se aade una lnea de tendencia que describe levemente una hiprbola y
que representa el movimiento de un MPPT ideal. Las pequeas diferencias respecto a la
hiprbola se deben principalmente al cambio del voltaje con la temperatura en el transurso
del da.

Curvas I-V y P-V
medidas a diferentes condiciones de operacin
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
V (V)
I

(
A
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
(1000,25)
(906,65)
(803,58)
(706,56)
(629,54)

55

Figura 3-8 Cambios en potencia mxima respecto al voltaje en un mdulo tpico
3.4.3 Medida de la potencia mxima a CEM y a diferentes condiciones de
operacin
Se realiza una amplia campaa de medidas usando siete mdulos fotovoltaicos
comerciales con diferentes tecnologas de clula (mono y policristalino) y calibrados
previamente por el CIEMAT. Los resultados aqu expuestos constan de dos partes, la medida
de un mdulo individual y mediante comparativa usando un mdulo patrn o de referencia.
3.4.3.1 Medida de mdulos individuales
En la Figura 3-9 se muestran los resultados de medida y extrapolacin a CEM de tres
mdulos diferentes MBm23 y MBm24 (equivalentes comerciales al modelo BP495) y el
MBm52 (BP275 F), tomados a valores de irradiancia comprendidos entre 600 y 1000 W/m
2
.
A cada conjunto de valores (llamado de ahora en adelante muestra) de cada
mdulo se aade un valor promedio de la muestra ms un intervalo de desviacin
j
. Esta
desviacin ha sido calculada como el porcentaje de la desviacin estndar
k
con respecto al
valor promedio de la muestra, conocido tambin como coeficiente de variacin de Pearson
l
.
El resultado de las medidas arroja entonces una desviacin en los resultados de medida de
potencia mxima de mdulos individuales de 1,9 %. Al comparar el valor promedio de la
muestra del mdulo MBm52 respecto al valor de potencia calibrado por el CIEMAT, da una
diferencia de -0,9 %, cuyo valor se encuentra dentro de nuestro intervalo de desviacin de

j Diferente al valor de incertidumbre, que es el valor de un intervalo, generalmente simtrico, dentro del
cual se encuentra, con alta probabilidad, el valor verdadero de la magnitud medida.
k Es el grado de dispersin de los datos respecto a su valor promedio. Dicho de otro modo, determina
cunto tienden a alejarse los valores puntuales de su valor promedio.
l Se calcula como cociente entre la desviacin tpica y la media. El resultado obtenido es un porcentaje,
lo cual introduce la ventaja de que permite comparar el nivel de dispersin de dos muestras. Esto no
ocurre con la desviacin tpica, ya que viene expresada en las mismas unidades que los datos de la
serie.
Cambios de Potencia-Tensin
a diferentes condiciones de operacin
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
13.5 13.75 14 14.25 14.5 14.75 15 15.25 15.5
V (V)
P

(
W
)
G=625W/m
2

G=900W/m
2

MPPT
Hiprbola
MPPT
Tesis Doctoral

56
1,1 % en el que se puede encontrar el valor verdadero. Cabe tambin mencionar que la
incertidumbre del mtodo de medida proporcionada por CIEMAT es del 2,2%.

Figura 3-9 Potencia mxima a CEM de mdulos individuales a irradiancias entre 600 y 1000 W/m
2
.
Tambin se puede observar en el grfico que se ha aadido una lnea de tendencia a
cada muestra, y puede verse una cada de la potencia mxima proporcional al nivel de
irradiancia. Este efecto ha sido comprobado en varias medidas al exterior llevadas a cabo en
el Instituto de Energa Solar, tanto para mdulos comerciales [14] como para generadores
de grandes centrales [15], y es debido principalmente a la cada de voltaje producida por la
resistencia serie del mdulo, la cual aumenta proporcionalmente con la cantidad de corriente
que circula por el mdulo, o lo que es lo mismo, al aumentar el nivel de irradiancia. Se ha
comprobado que la correccin aadida en la expresin (3.3) en el factor R
S
(I*-I) y tratada
en la seccin 3.3.1.2, ayuda a aliviar esta tendencia en la mayora de los casos.
Figura 3-10. Correccin del efecto de cada de tensin debido a la resistencia serie
Pm vs. irradiancia
Medida de mdulos inviduales
55
60
65
70
75
80
85
90
95
600 700 800 900 1000
Irradiancia (W/m)
P
m

(
W
)
MBm24
MBm23
MBm52
83.9W 1.9%
75.8W 1.5%
69.3W 1.1%
Pm(STC) vs. Irradiancia
V
STC
=V
STC-EXTRAPOL
-Rs(I
STC
-I
MED
)
64
65
66
67
68
69
70
71
72
650 700 750 800 850 900 950
Irradiancia (W/m
2
)
P
m

(
W
)
MBm52_Med-IRs
MBm52-Med
Pm(STC) vs. Irradiancia
V
STC
=V
STC-EXTRAPOL
-Rs(I
STC
-I
MED
)
64
65
66
67
68
69
70
71
72
650 700 750 800 850 900 950
Irradiancia (W/m
2
)
P
m

(
W
)
Mbm51_Pat-IRs
MBm51-Pat
67W 0.3%
68.9W 1.5%
66.4W 0.6%
68.4W 2%

57
En la Figura 3-10 puede observarse dos ejemplos de medida de mdulos FV a los que
se ha corregido el efecto de cada de voltaje debido a la resistencia serie. A lado de la lnea
de tendencia, se aade el valor promedio de cada muestra ms el intervalo de la desviacin
estndar. En las grficas para MBm51-Pat y MBm53-Med, se observa la tendencia
decreciente de la potencia a medida que aumenta la irradiancia, y que se cruza con las
curvas corregidas en Mbm51_Pat-IRs y MBm52_Med-IRs cerca de los 1000 W/m
2
. Esto se
debe principalmente porque el trmino R
S
(I*-I) en la expresin (3.3) se hace nulo cuando
G=G* y tiene mayor peso a medida que disminuye la irradiancia, de esta forma va
corrigiendo la tendencia decreciente. La correccin de la cada de voltae mejora el mtodo de
medida individual de mdulos al disminuir el error en hasta un 1.4% (en el peor caso
expuesto) de la potencia mxima medida a condiciones estndar.
Como se ha dicho en la seccin 3.3.1.2, esta correccin depende en gran medida del
mtodo de clculo de la resistencia serie. En los ejemplos expuestos se calcul de acuerdo a
la expresin (3.4), sin embargo, es preciso hacer un anlisis mas profundo respecto a los
resultados utilizando los otros dos mtodos expuestos, el mtodo de Green y el clculo de la
pendiente.
Con el objeto de comparar la dispersin en potencia mxima de las medidas de
mdulos individuales con el valor de calibracin proporcionado por un laboratorio certificado,
se han medido cinco mdulos a CEM con irradiancias entre 600 y 1000 W/m
2
y no se ha
realizado la correccin de la cada de voltaje debido a la resistencia serie. En la Figura 3-11
se muestra un grafico en el que se enfrentan las potencias mximas medidas por el IES (eje
de abscisas) con el valor de calibracin del Ciemat (eje de ordenadas) para cada mdulo
correspondiente.

Figura 3-11 Correspondencia de medidas del IES y CIEMAT
En la Tabla 3-1 se muestran los resultados comparativos de potencia mxima, P
m
,
para cada mdulo medido. Inicialmente se observa el valor promedio de las medidas del IES
Pm vs. irradiancia
Medidas individuales
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
40 50 60 70 80 90
Pm IES (W)
P
m

C
I
E
M
A
T

(
W
)
"MB51"
"MB52"
"MBm25"
MA71
"Mdp12"
Tesis Doctoral

58
con su respectiva desviacin estndar como porcentaje respecto a su valor promedio, a
continuacin se muestra el valor de calibracin del CIEMAT, y finalmente este valor es
comparado con el valor promedio de las muestras del IES. Respecto a los resultados, por una
parte la mxima desviacin de las medidas del IES ha sido del 2,1%, mientras que las
dems oscilan entre el 1,1 y 1,5 %. Por otra parte, para comprobar que nuestras medidas
son vlidas dentro del rango de desviacin dado, debemos comprobar que la medida de
calibracin del CIEMAT se encuentra dentro del intervalo. Se puede observar entonces, que
la medida del mdulo MA71 es la nica que se sale de nuestro intervalo de incertidumbre,
con lo que se puede concluir que el 80% de las medidas concuerdan con las medidas
realizadas por el CIEMAT.
Ref. IES Promedio
medidas (W)
Desviacin
porcentual
Calibracin
CIEMAT (W)
Diferencia
CIEMAT/IES
MB5.1 68.9 1.5% 69.6 -1.0%
MB5.2 69.4 1.4% 69.9 -0.7%
MBm25 81.1 1.5% 81.9 -1.0%
MA71 47.2 1.1% 46.4 1.6%
Mdp12 46.9 2.1% 46.3 1.3%
Tabla 3-1 Promedio y desviacin de medidas IES vs CIEMAT
3.4.3.2 Medida con mdulo de referencia
Como se ha visto en la seccin 3.3.1.4, la medida de mdulos FV individuales es de
especial inters para pruebas de aceptacin del suministro, mientras que la alternativa
usando un modulo de referencia o patrn es particularmente interesante para el Control de
Calidad de Suministro de Mdulos Fotovoltaicos. Este ltimo se realiza enfrentando los
resultados de medida individual con los realizados con un mdulo calibrado y establece una
relacin contractual entre estas medidas y el resultado proporcionado por un laboratorio
homologado.
En la Figura 3-12, se muestra la medida del mdulo MBm52 con mdulo patrn
MBm51 previamente calibrado por el CIEMAT. En la columna derecha de la grfica, puede
verse los parmetros corregidos del mdulo MBm52 y los valores calibrados del CIEMAT del
mdulo patrn MBm51. En los resultados, se puede observar que las diferencias de medida
de potencia individuales del modulo de medida y patrn y los valores calibrados son muy
pequeos, sin embargo es necesario analizar su comportamiento cuando los mdulos son
medidos entre 600 y 1000 W/m2, ste resultado se muestra en la Figura 3-13 (se muestra
igualmente para los mdulos MBm23 y MBm24 corregidos con el mdulo patrn MBm25),
cuyo resultado arroja una desviacin en los resultados de medida de potencia mxima de
mdulos individuales corregido con patrn de 0,5 %. Al comparar estos resultados con los
de la Figura 3-9 que fueron expuestos en la seccin 3.4.3.1, se observa una mejora en la
precisin de las medidas del 1,9 % al 0,5 %.


59
Figura 3-12 Ventana del programa PVGen en el que se muestra el resultado de medida de calibracin del
mdulo MBm52 con el patrn MBm51 calibrado por El Ciemat.

Figura 3-13 Potencia mxima a STC de tres mdulos fotovoltaicos individuales corregidos usando
mdulos patrn.
3.5 Caracterizacin de los mdulos utilizados
Se ha elegido el mdulo I-70R/12 y I-94/12 de la empresa Isofotn para realizar las
medidas expuestas en el captulo 5. En la Tabla 3-2 se muestran los parmetros
caractersticos. Cuatro mdulos I-70R/12 y cuatro I-94/12 se han etiquetado como
identificacin para las medidas con las referencias MAS.Gen.1 a MAS.Gen.4 y MA.Gen.1 a
MA.Gen.4 respectivamente.
Pm vs. irradiancia
Medida de modulos individuales + Patrn
55
60
65
70
75
80
85
90
95
600 700 800 900 1000
Irradiancia (W/m
2
)
P
m

(
W
)
MBm24
MBm23
MBm52
76.5W 0.4%
84.8W 0.4%
68.9W 0.5%
Parmetros
calibrados
usando la
expresin (3.9)
Parmetros
calibrados por el
CIEMAT
Tesis Doctoral

60
En esta seccin se muestran las medidas de sus curvas caractersticas y sus
parmetros elctricos a CEM, tambin se lleva a cabo medidas en polarizacin inversa, y
finalmente se realiza un estudio de comportamiento de la potencia mxima del mdulo bajo
sombreamiento parcial y total.

MODULO ISOFOTN
I-70R/12
MODULO ISOFOTN
I-94/12
Parmetros constitutivos
Tecnologa de clulas: Silicio monocristalino Silicio monocristalino
Clulas serie: 36 33
Clulas paralelo: 1 2
Diodos de paso: 2 en configuracin serie 2 en configuracin
redundante
Caja de conexiones: 1 2
Parmetros elctricos a CEM
Potencia mxima: 70 W 10% 94 W 10%
Corriente mxima: 4.05 A 5.88 A
Voltaje mximo: 17.3 V 16 V
Corriente corto circuito: 4.45 A 6.54 A
Voltaje circuito abierto: 21.06 V 19.8 V
Tabla 3-2 Parmetros caractersticos del mdulo I-70R/12 y I-94/12

Figura 3-14 Curva caracterstica medida a CEM del mdulo I-70R/12.


61
3.5.1 Curvas caractersticas y parmetros elctricos a CEM
Para caracterizar los mdulos fotovoltaicos que van a ser utilizados en el captulo 5,
se llevaron a cabo diez medidas a cada mdulo con irradiancias comprendidas entre 750 y
900W/m
2
. De todas las medidas realizadas, la desviacin tpica en potencia mxima, tambin
llamada repetitividad
m
de la muestra, fue del 1%. En la Figura 3-14 se observa una medida
tpica del mdulo MAS.Gen (I-70R/12) en el que se muestra sus parmetros elctricos a
CEM. La Tabla 3-3 muestra los resultados del ensayo donde se observan los parmetros
elctricos de cada mdulo expuestos como valores promedio. Finalmente, se muestra la
dispersin entre parmetros elctricos de los cuatro mdulos.
Ref. IES Modelo SN Pm*
( 1%)
Im* Vm* Isc* Voc* FF*
MAS.Gen.1 I-70R/12 03020014001 71.01 4.17 17.01 4.72 21.39 0.7027
MAS.Gen.2 I-70R/12 03020013009 74.32 4.31 17.24 4.74 21.49 0.7302
MAS.Gen.3 I-70R/12 03020013002 72.76 4.23 17.1 4.7 21.53 0.7222
MAS.Gen.4 I-70R/12 03020014002 71.54 4.21 16.9 4.7 21.29 0.7183

Desviacin 4.5% 3.2% 1.3% 0.4% 0.5%
Tabla 3-3 Parmetros elctricos medidos a CEM del mdulo I-70R/12.
Desde el punto de vista de dispersin de parmetros, el parmetro ms influyente
en la conexin serie de mdulos es la corriente I
m
, que en este caso ha sido del 3,2%, esta
desviacin produce prdidas por mismatch que puede ser calculada como: mismo

m.min m
Mismatch(I)
m
I V
L (%)= 1- 100
P
(
(
(

(3.10)
Donde L
mismatch.Serie
representa las prdidas por mismatch del generador, I
m.min
es la
corriente en el punto de mxima potencia (MPP) mas pequea de los 4 mdulos del
generador, V
m
el voltaje MPP y P
m
la potencia MPP de cada mdulo.
Mismatch(I)
4,1768, 3
L (%)= 1- 100 1, 8%
290
(
=
(

Este valor se refiere entonces que un conjunto de mdulos con una tolerancia en
potencia del 2,3 % (desviacin respecto al valor promedio de la Tabla 3-3). Este resultado
no es un valor tpico en generadores fotovoltaicos (18 mdulos en serie) encontrndose ms
bien por encima del 2 % para mdulos con tolerancias de potencia del 3%. Sin embargo,
este efecto suele reducirse clasificando los mdulos por corrientes y conectando en serie
todos los mdulos correspondientes a la misma clasificacin.
Otro fenmeno de dispersin ocurre cuando los mdulos son conectados en paralelo
siendo la expresin calculada como:

m
Se define como la Desviacin del valor esperado al repetir varias veces la misma medida, sin cambiar
el objeto de medida, realizada a las mismas condiciones y utilizando un mismo mtodo o procedimiento
de medida.
Tesis Doctoral

62
m.min m
Mismatch(V)
m
V I
L (%)= 1- 100
P
(
(
(

Haciendo el mismo ejercicio y conectramos estos cuatro mdulos en paralelo
obtendramos una prdida por mismatch en voltaje del 1,4%.
De igual forma, en la Figura 3-15 se presenta la curva caracterstica tpica del mdulo
MA.Gen (I-94/12) y en la tabla se observan los parmetros elctricos medidos a CEM
expuestos como valores promedio. La desviacin entre corrientes de mdulos fue del 3,6%,
y las prdidas de mismach del 2%.
Figura 3-15 Curva caracterstica medida a CEM del mdulo I-94/12

Ref. IES Modelo SN Pm*
( 0.8%)
Im* Vm* Isc* Voc* FF*
MA.Gen.1 I-94/12 01-081728 87.76 5.86 14.90 7.09 19.31 0.638
MA.Gen.2 I-94/12 01-081752 91.67 6.08 15.08 7.01 19.62 0.666
MA.Gen.3 I-94/12 01-081725 91.65 6.06 15.09 7.05 19.66 0.660
MA.Gen.4 I-94/12 01-081711 86.62 5.87 14.76 6.94 19.45 0.642

Desviacin
5.5% 3.6% 1.3% 2.1% 1.8%

Tabla 3-4 Parmetros elctricos medidos a CEM del mdulo I-94/12.

63
3.5.2 Caracterizacin en polarizacin inversa
Generalmente la exploracin de medidas en polarizacin inversa ha sido realizada en
clulas fotovoltaicas con el objeto de observar el comportamiento de la resistencia paralelo y
el voltaje de ruptura inverso. Sin embargo, esta prctica puede tambin realizarse en
mdulos fotovoltaicos proporcionando informacin sobre el funcionamiento de los diodos de
paso. Los fabricantes de mdulos suelen utilizar dos tipos de diodos de paso, diodos
convencionales de silicio con un voltaje umbral de orden de 0,7 V o diodos de bajas prdidas
como son los diodos Schottky con un voltaje de umbral entre 0,2 V a 0,4 V. Una medida en
polarizacin inversa permite observar el voltaje de operacin del diodo. En segundo lugar,
varios artculos [16] [17] [18] confirman los efectos entre la resistencia paralelo de clulas y
el uso de diodos de paso en mdulos (como se ver en la seccin 3.6), fallos de mdulos
debidos a los diodos de paso, as como de recomendaciones de ensayo de los diodos de paso
para verificar su correcto funcionamiento.
Para llevar cabo esto, la carga capacitiva utiliza la funcin de pre-carga negativa, que
permite polarizar al mdulo en inversa visualizando de esta forma su curva caracterstica
desde los -9 V.
En la Figura 3-16 se muestra una medida de la curva caracterstica I-V del mdulo I-
70R/12 en polaridad inversa, comprobndose el funcionamiento de los diodos de paso. Se
puede observar en la grfica de la derecha como a -1.4 V entran en conduccin los diodos de
paso, este valor de voltaje corresponde a la suma de las cadas de voltaje de los diodos en
polarizacin directa de 0,7 V para cada diodo.

Figura 3-16 Curva caracterstica de una medida en polaridad inversa para comprobar el funcionamiento
de los diodos de paso del mdulo I-70R/12.
Todos los mdulos comerciales con diodos de paso en configuracin serie presentan
esta misma caracterstica en inversa. Sin embargo, los mdulos con diodos de paso en
configuracin redundante (conocido internacionalmente en ingls como overlapping)
presentan un comportamiento diferente. A modo de ejemplo se ha medido el mdulo I-94/12
de Isofotn, que tiene dos diodos de paso en configuracin redundante cada 22 clulas,
tpico en mdulos con dos cajas de conexiones, una en cada extremo del mdulo y muy
usado en aplicaciones fotovoltaicas aisladas.
Tesis Doctoral

64
Como puede verse en la Figura 3-17 los diodos de paso estn polarizados
directamente y fuerzan a las clulas que solapan los dos diodos a trabajar como diodos
polarizados en directa, de esta forma se suman los voltajes de los diodos de paso y del diodo
equivalente de las clulas.

Figura 3-17 Funcionamiento de los diodos de paso en configuracin redundante en un mdulo en
polarizacin inversa.
En la Figura 3-18 se muestra la curva caracterstica del mdulo I-94/12 medido
desde -9 V. Se puede apreciar la suma de las curvas I-V de los 13 diodos (2 diodos de paso
y 11 clulas), que dan como resultado una curva de un diodo equivalente. Como es sabido,
el punto de la curva de un diodo en el que se vence la barrera de potencial se le llama codo,
la "Barrera de Potencial" "Voltaje Umbral" es el comienzo del codo, a partir de ah conduce
mucho el diodo en directa, este punto se reconoce en la curva a un voltaje de -7V, que
tericamente equivale a la suma de dos diodos de 0,7 V ms once diodos de 0,5 V (0,6V
menos la cada por temperatura a 50C).
Figura 3-18 Curva caracterstica con polaridad inversa para comprobar el funcionamiento de los diodos
de paso en del mdulo I-94/12.
3.6 Estudio del comportamiento de mdulos fotovoltaicos bajo
sombreamiento localizado
El factor ms sensible y que ms afecta a la produccin de un generador fotovoltaico
es la proyeccin de sombras sobre l. En edificios fotovoltaicos es frecuente encontrar
+
_
+
-
+
+
-
-


65
obstculos que pueden sombrear la superficie de captacin de diferentes formas. Tambin,
los generadores suelen estar ubicados en lugares de difcil acceso para realizar labores de
limpieza y mantenimiento, y donde es frecuente que se acumule suciedad que pueden
afectar drsticamente la produccin fotovoltaica.
Es preciso pues, realizar un estudio de comportamiento de los mdulos y generadores
bajo sombreamiento, con el objetivo de conocer el perfil de sombras que afecta en mayor o
menor medida a su produccin. Es tambin importante observar la ubicacin del punto de
mxima potencia del mdulo, que servir para conocer a priori las condiciones que tendra
que tener un MPPT para encontrar el punto de mxima potencia MPP (Maximum Power Point)
absoluto. Haciendo uso de la instrumentacin desarrollada, se realizan medidas de
sombreamiento a los dos tipos de configuracin de diodos de paso ms utilizados en mdulos
fotovoltaicos; en configuracin serie, utilizando el mdulo MBm52 (BP275 F) y el I-70R/12; y
redundante, utilizando el I-94/12.
configuracin serie
Las condiciones en que el diodo de paso empieza a conducir depende bsicamente de
dos factores: El porcentaje sombreado y el perfil de la caracterstica I-V de la clula en
polarizacin inversa. Para observar como influyen estos dos factores sobre un mdulo se
realizan medidas con dos mdulos con clulas distintas de diferentes fabricantes, el primer
ensayo se realiza con el mdulo BP275 F de BP Solar y en el segundo usando el I-70R/12 de
Isofotn.
El primer ensayo consiste en hacer incidir cuatro niveles de sombreamiento sobre una
sola clula al mdulo BP275 F. El resultado se muestra en la Figura 3-19, donde se puede
observar el comportamiento de las curvas I-V y P-V a CEM a medida que se aumenta el
sombreado sobre la clula. Al 25% se ve como el diodo de paso asociado a la clula
sombreada entra en funcionamiento haciendo que se forme un codo partiendo la curva I-V
original (sin sombreamiento) a la mitad, y en consecuencia aparecen dos puntos mximos de
potencia en la curva P-V. A medida que aumenta el porcentaje de sombreado sobre la clula,
la potencia mxima absoluta, situada al lado derecho de la curva P-V, disminuye; mientras
que el mximo relativo, a la izquierda, se incrementa. Cuando se alcanza el 70% de
sombremiento, la potencia mxima absoluta pasa al lado izquierdo (con voltaje de
aproximadamente la mitad del V
m
) de la curva P-V. En este punto la corriente del mdulo,
que disminua proporcionalmente con el nivel de sombreamiento, pasa inmediatamente a ser
aproximadamente el valor de la corriente mxima del mdulo sin sombreamiento.
En conclusin, a partir del 70% de sombreamiento no es posible disminuir ms la
potencia del mdulo, quedndose su potencia a la mitad; por encima de este nivel, la
influencia de la potencia mxima absoluta pasa a las clulas no sombreadas, es decir, al
extremo izquierdo de la curva y el voltaje en este punto disminuye a la mitad.

Tesis Doctoral

66
Figura 3-19. Curvas I-V y P-V del mdulo MBm5.2 con sombreamiento sobre una sola clula
25% sobre una sola clula

Dos puntos Pm
Pm absoluto al lado derecho de la
curva, disminuye un 8% respecto a
Pm(0%).
Im<Im(0%)
Vm>Vm(0%).

0%

Curva I-V y P-V a CEM tpica
Pm = Pm(0%) = 75 W
Im = Im(0%) = 4.4 A
Vm = Vm(0%) = 17.2 V

Dos puntos Pm
Pm(0%).
Im<Im(0%),
Vm>Vm(0%).


Dos puntos Pm
Pm absoluto al lado izquierdo de la
Pm(0%).
ImIm(0%).
Vm a la mitad de Vm(0%).

Dos puntos Pm
Pm(0%).
ImIm(0%).

67
El mismo estudio se realiz con un sombreado progresivo de varias clulas en el
mismo lado de influencia del diodo de paso. Los resultados fueron muy parecidos a los
encontrados en Figura 3-19; es decir, sin observarse cambios en las potencias mximas ni
en la forma de la curva. En la Figura 3-20 se presenta un ejemplo de comparacin entre una
clula sombreada (parte superior) y tres clulas (en la parte inferior) con el mismo nivel de
sombreamiento. La potencia es prcticamente la misma, lo nico que cambia es la forma de
la curva de las clulas sombreadas en el punto de mxima potencia, se aprecian diferencias
en la curva del codo siendo ms suave a medida que se aumentan las clulas sombreadas.
Por otro lado, en otros ensayos se ha verificado que este efecto tambin influye en la
pendiente de corriente negativa [19] y depende de la caracterstica I-V de la clula en
inversa (como se ver en ensayos posteriores), siendo ms acusada en clulas con
resistencia paralelo muy bajas, esta variacin de la pendiente es proporcional al nmero de
clulas sombreadas, al aumentar las clulas sombreadas disminuye la pendiente.

Figura 3-20 Resultados del sombreado progresivo de clulas en el mdulo MBm52.
El siguiente ensayo consiste en sombrear todo el lado corto del mdulo MBm52,
donde entran en funcionamiento los dos diodos de paso. El resultado se muestra en la Figura
3-21. La potencia disminuye en un 90%, y la curva resultante corresponde a la suma de las
curvas de las clulas sombreadas que generan el 10% de la potencia restante, la cual es
proporcionada por la irradiancia difusa. El mismo resultado se encontr cuando se sombrea
completamente una clula de cada lado que afecta a los dos diodos de paso.
Finalmente, se realiza un segundo ensayo en el que se pretende mostrar la influencia
de la caracterstica I-V en polarizacin inversa de la clula sombreada utilizando otro mdulo
con caractersticas elctricas parecidas, se trata del mdulo I-70R/12 de Isofotn.

Tesis Doctoral

68

Figura 3-21. Sombreamiento de todo el lado corto del mdulo Mbm52 en el que entran en
funcionamiento los dos diodos de paso.
En la Figura 3-22 Curvas I-V y P-V del mdulo I-70R/12 bajo sombreamiento sobre
una sola clula.
se muestra, semejante al ensayo mostrado en la Figura 3-19, el comportamiento de
las curvas I-V y P-V a CEM a medida, donde se aumenta el nivel de sombreamiento a pasos
de 25 % de rea sombreada sobre una clula. En comparacin con el grfico de la Figura
3-19, se observa como la pendiente de la curva en polarizacin inversa de la clula
sombreada afecta a la curva total de mdulo, de tal forma que a bajos niveles de
sombreamiento en torno al 25% de rea sombreada, no se aprecia la formacin de un
segundo MPP a lado izquierdo de la curva. Esto se debe a que las clulas que tienen elevadas
corrientes al polarizarse inversamente (como es el caso) necesitan una fraccin de
sombreado mayor para alcanzar el voltaje a partir del cual el diodo empieza a funcionar. Por
otra parte, para el mismo porcentaje de sombreado, las clulas con elevadas corrientes en
polarizacin inversa
n
disipan ms potencia en la propia clula y producen corrientes ms
bajas a travs del diodo de paso, haciendo que ste se active a irradiancias ms altas [20]
que en clulas con bajas corrientes en polarizacin inversa.
Por otro lado, el nmero de clulas conectadas en serie para un mismo diodo de paso
afectara fundamentalmente a la cantidad de potencia que se disipa en la clula sombreada,
debido a que, a mayor nmero de clulas e igual porcentaje de sombreado, es necesario
alcanzar voltajes ms negativos en la clula sombreada para que se active el diodo de paso,
aumentando as la potencia disipada, y por tanto la temperatura. Esto ltimo permite
concluir que, los diodos de paso no aseguran totalmente la no formacin de puntos calientes.
En reglas generales, respecto al comportamiento del punto de mxima potencia del
mdulo, no se ve prcticamente alterado, llegando a las mismas conclusiones que se
obtuvieron con MBm52. Principalmente, que para niveles de sombreamiento con reas de
sombreado entre el 50% y 75% la influencia de la potencia mxima absoluta pasa de la
clula sombreada a las clulas no sombreadas.

n Se considera esta corriente cuando se mide la clula a -10 V

69

Figura 3-22 Curvas I-V y P-V del mdulo I-70R/12
bajo sombreamiento sobre una sola clula.

Dos puntos Pm
Pm(0%).
Im < Im(0%)
Vm > Vm(0%).


Dos puntos Pm, aunque podra
identificarse levemente un tercer
punto a V=12V.
Pm(0%).
Im Im(0%).

Dos puntos Pm
Pm(0%).
Im Im(0%).

Un punto Pm (el segundo punto de
Pm desaparece debido a la forma de
la caracterstica en inversa de la
clula sombreada).
Pm al lado derecho de la curva,
disminuye un 9% respecto a
Pm(0%).
Im < Im(0%)
Vm > Vm(0%)

0%

Pm = Pm(0%) = 73.8 W
Im = Im(0%) = 4.3 A
Vm = Vm(0%) = 17.2 V
Tesis Doctoral

70
configuracin redundante.
En estos ensayos solo se hace nfasis en el sombreamiento total de clulas en las
tres zonas de influencia sobre las que actan los diodos de paso en un mdulo en
configuracin redundante utilizando el mdulo I-94/12, como se muestra en la Figura 3-23.

Figura 3-23. Zonas de influencia de donde actan los diodos de paso en una configuracin redundante.
En la Figura 3-24 se muestran los resultados del ensayo de sombreamiento sobre el
mdulo I-94/12. Se observan cinco curvas I-V y P-V a CEM, la primera corresponde a la
curva del mdulo a CEM sin sombreamiento (curva original), que sirve como referencia y
comparacin con las dems.
En la segunda grfica se sombrea una clula completa de la zona 1 del mdulo, en
consecuencia, se forma un codo aproximadamente a 1/3 de V
m
de la curva original, y por
tanto dos puntos de mxima potencia, con el mximo absoluto ubicado en el lado derecho de
la curva. El funcionamiento interno del mdulo en estas condiciones se muestra en la Figura
3-25, donde se puede observar el recorrido de las corrientes que conducen a la formacin de
la curva, la flecha con guin corresponde a la formacin de la primera parte de la curva y se
debe a la contribucin de las once clulas no sombreadas hasta que el diodo D2 entra en
funcionamiento a 1/3 (tensin de las once clulas) de V
m
de la curva original (sin
sombreamiento). A partir de ese momento se traza toda la curva de estas once clulas hasta
que el valor de la corriente iguale a la de las clulas que cubren este diodo (D2), entonces se
suma la corriente de las clulas sombreadas con la de las clulas no sombreadas como se
muestran en la Figura 3-25, que sern 22 clulas iluminadas mas una pequea contribucin
de la clula sombreada debido a la irradiancia difusa.

_
+

Zona 1 Zona 2 Zona 3
-
+
Fila 1
Col 1 Col 11
Fila 6

Zona 1
Zona 2
Zona 3

71

Figura 3-24 Curvas I-V y P-V del mdulo I-94/12
en diferentes zonas de actuacin de los diodos.
0%
Curva I-V y P-V tpica a CEM

Pm = Pm(0%) = 88.6 W
Im = Im(0%) = 5.9 A
Vm = Vm(0%) = 15.1 V

100% sobre una clula
[ Zona 1 ]

Dos puntos Pm
Pm absoluto al lado derecho de
la curva, disminuye 37%
respecto a Pm(0%).
Im < Im(0%).
Vm > Vm(0%).
100% sobre 11 clulas en serie
[ Fila 6 - Zona 3 ]

Dos puntos Pm
curva, disminuye 36% respecto a
Pm(0%).
Im < Im(0%)
Vm > Vm(0%).
y 11 en paralelo
[ Filas 5 y 6 - Zona 3 ]

Dos puntos Pm
Pm absoluto al lado izquierdo
de la curva, disminuye 65%
respecto a Pm(0%).
Im Im(0%).
Vm 1/3 de Vm(0%).
[ Fila 3 - Zona 2 ]
y 50% sobre 11 en paralelo
[ Fila 4 - Zona 2 ]

Dos puntos Pm
Pm absoluto al lado izquierdo
de la curva, disminuye 40%
respecto a Pm(0%).
Im > Im(0%) (70% ms).
Vm 1/3 de Vm(0%).

Tesis Doctoral

72

Figura 3-25 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrea una clula
completamente en uno de los extremos del lado largo.
En la tercera grfica se cubren 11 clulas del otro extremo del mdulo, es decir, la
fila 6 de la zona 3. Se comprueba que la curva adquiere el mismo comportamiento que en la
grfica 2, solo que el diodo que entra en funcionamiento es el D1, y el recorrido de las
corrientes es simtrico al del caso anterior como se muestra en la Figura 3-26.

Figura 3-26 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrean once clulas
completamente en uno de los extremos del lado largo.
En esta parte del ensayo, es importante mencionar que el mdulo se comporta de
igual forma si se sombrea una o todas las clulas de una fila de cualquiera de los extremos
del lado largo.
Para finalizar el estudio de la influencia de las sombras sobre los extremos largos del
mdulo, es fcil deducir que si se cubren las dos filas de cualquiera de los dos extremos,
encontramos que ya no hay prcticamente contribucin de las clulas que estn bajo
influencia del diodo de paso que entra en funcionamiento como se muestra en la grfica 4 de
la Figura 3-24. Como consecuencia, la curva I-V del extremo derecho de la grfica se ver
reducida drsticamente, y la nica contribucin del mdulo ser la que proporcione las 11
clulas iluminadas del otro extremo, pasando el punto de mxima potencia absoluto al lado
izquierdo de la curva I-V.
A continuacin, se verifica el comportamiento cuando se sombrea la parte media del
mdulo, en la zona 2. En este ensayo se cubren completamente 11 clulas en serie de la fila
3 y el 50% sobre las otras 11 clulas puestas en paralelo de la fila 4. En la grfica 5 de la
Figura 3-24 se muestra la curva I-V y P-V resultante, donde se puede apreciar el mismo
efecto de formacin de un codo aproximadamente a 1/3 de V
m
de la curva sin sombras, pero
en este caso, la curva empieza a formarse a una intensidad de aproximadamente el doble de
la I
SC
de la curva original. Para entender este fenmeno, es preciso analizar lo que pasa en el
interior del mdulo. En la Figura 3-27 se muestra el comportamiento de las corrientes en el
circuito. Como puede verse, inicialmente la sombra producida hace que ambos diodos de
paso entren en funcionamiento, esto fuerza a que las clulas de los extremos del mdulo
sumen sus corrientes al salir al extremo positivo del mdulo. A partir de ese momento se
_
+
D1
D2
Sombra
100%
_
+
D1
D2
Sombra
100%

73
traza toda la curva de estas 4 filas en paralelo compuestas por once clulas en serie hasta
que el valor de la corriente iguale a la de las clulas que intersecan los dos diodos de paso
cuyo valor ser igual a la mitad de una clula a CEM. En este caso el MPP absoluto est
dominado por la contribucin de las clulas de los extremos del mdulo.

Figura 3-27 Recorrido de las corrientes dentro del mdulo I-94/12, cuando se sombrean 11 clulas de la
parte media.
Este efecto puede ser muy prejudicial en instalaciones fotovoltaicas donde la
corriente entregada por el generador debe ser controlada.
Finalmente, se sombrean las columnas 10 y 11 del mdulo; es decir, dos filas de
clulas del lado corto del mdulo. Como se puede deducir, los dos diodos de paso entran en
funcionamiento inicialmente, pero como ninguna de las clulas de los extremos ni tampoco
las del medio pueden contribuir a la generacin, se traza nicamente las suma de las curvas
de las clulas sombreadas. Consecuentemente la potencia mxima cae en un 85%.

Figura 3-28 Sombreamiento de dos filas del lado corto del mdulo I-94/12 en el que entran en
funcionamiento los dos diodos de paso.
3.6.3 Conclusiones de los ensayos de sombreamiento
Como conclusin general, y aplicable tanto para mdulos con dos diodos de paso en
configuracin serie como redundante, se puede concluir que:
En la mayora de los casos, cualquier clula sombreada parcialmente o
totalmente genera dos puntos de mxima potencia.
La potencia del mdulo se pierde casi en su totalidad (>85%) cuando se sombrea
(al 100%) una o varias filas de clulas del lado corto o medio mdulo en forma
diagonal.
D2
_
+
D1
Sombra
100% y 50%
Suma de dos
componentes
Tesis Doctoral

74
Acerca de los ensayos de sombreamiento en mdulos con diodos de paso en
configuracin serie, se puede concluir que:
La potencia del mdulo cae a aproximadamente la mitad, el MPP absoluto se
ubica a 1/2 parte de V
m
y la corriente se iguala a Im, cuando se sombrea:
o Cualquier clula con ms del 70% de rea cubierta.
o Una fila de clulas de cualquiera de los extremos del lado largo del mdulo
y, en general, cualquier cantidad de clulas en serie cubiertas por alguno de
los diodos de paso, con ms del 70% de rea cubierta por alguna clula.
Respecto a los ensayos de sombreamiento en mdulos con diodos de paso en
configuracin redundante, se puede concluir que:
La potencia del mdulo cae a aproximadamente el 37%, el MPP absoluto se ubica
a aproximadametnte V
m
y la corriente es aproximadamente la mitad, cuando se
sombrea:
o 100% de cualquier clula ubicada en cualquiera de las dos filas de alguno de
los extremos largos del mdulo.
o Una fila de clulas en serie de cualquiera de los extremos del lado largo del
mdulo y, en general, cualquier cantidad de clulas en serie cubiertas por
alguno de los diodos de paso y que estn ubicadas en cualquiera de las dos
filas de alguno de los extremos largos del mdulo.
La potencia del mdulo cae aproximadamente al 65%, el MPP absoluto se ubica a
1/3 de V
m
y la corriente es aproximadamente I
m
, cuando se sombrea:
o 100% de dos clulas en paralelo ubicadas en cualquiera de las dos filas de
alguno de los extremos largos del mdulo.
o Una fila de clulas serie-paralelo de cualquiera de los extremos del lado
largo del mdulo y, en general, a cualquier cantidad de clulas en serie-
paralelo cubiertas por alguno de los diodos de paso y que estn ubicadas en
cualquiera de las dos filas de alguno de los extremos largos del mdulo.
La potencia del mdulo cae aproximadamente el 40%, el MPP absoluto se ubica a
1/3 de V
m
y la corriente es aproximadamente el 70% mayor a I
m
.
o Una fila de clulas serie-paralelo de la parte media del mdulo y, en
general, a cualquier cantidad de clulas en serie-paralelo solapadas por los
dos diodos de paso y que estn ubicadas en la parte media del mdulo.
3.7 Referencias

[1] E. Lorenzo and R. Zilles. PV Modules and Arrays Test at 1MW Toledo PV Plant,
Instituto de Energa Solar. 12th European photovoltaic solar energy conference,
Amsterdam, the netherlands, 11-15 April 1994.

75

[2] Juan de Dios Llornz Gonzlez. Determinacin de la curva I-V de un generador
FV. Proyecto de fin de carrera, ETSI Telecomunicacin, Universidad Politcnica de
Madrid, 1994.
[3] Isabel Lpez Bravo Diez. Caracterizacin elctrica de campos fotovoltaicos.
Proyecto de fin de carrera, ETSI Telecomunicacin, Universidad Politcnica de
Madrid, 1994.
[4] Proyecto TaQSolRE, siglas de Tackling the Quality in Solar Rural Electrification,
cofinanciado por la Comisin Europea, Ref. NNE5-2002-00098.
[5] Proyecto GENIUS, Gestin de Energa Integrada para Uso Solar Fotovoltaico,
TIC 2002-04245-C02.
[6] IEC 60904-1.: 2006. Photovoltaic devices Part 1: Measurement of
photovoltaic current-voltage characteristics.
[7] Report EUR 16340 EN, Guidelines for the Assessment of Photovoltaic Plants,
Document C, Initial and Periodic Test on PV Plants. Joint Research Centre, European
Commission, 1995.
[8] Stuart R. Wenham, Martin A. Green, Muriel E. Watt and Richard Corkish.
Applied Photovoltaics (2nd Edition). Earthscan, 2007. ARC Center for Advanced
Silicon Photovoltaics and Photonics.
[9] UNE/IEC 60904-6 : 2006. Dispositivos fotovoltaicos. Parte 6: Requisitos para
los mdulos solares de referencia.
[10] UNE/EN 60904-5: 2006. Determination of the equivalent cell temperature
(ECT) of photovoltaic (PV) devices by the open-circuit voltage method.
[11] M. Alonso Abella, V.C. Alonso, K. Mukadam, F. Chenlo. Validation of theoretical
models in big size PV pants. Proc. 14
th
Conference, Barcelona, 1997, pp. 1551-1554.
[12] P. Koltay, J. Wenk and K. Bcher. Outdoor measurements of NOCT and
simulations of its influence on energy collection. Proc. 2th World Conference and
Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Viena, 1998, pp. 2234-2237.
[13] IEC 60904-2 Ed.2 : 2006: Photovoltaic devices-Part 2: Requirements for
reference solar devices.
[14] R. Orduz y E. Caamao-Martn. Quality assurance in PV rural electrification
programmes: characterization method for crystalline silicon pv modules. 19th
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition 7-11 Junio 2004
Palacio de Congresos, Paris, Francia.
Tesis Doctoral

76

[15] Javier Muoz Cano. Recomendaciones sobre el uso de corriente alterna en la
electrificacin rural fotovoltaica. Tesis doctoral, Escuela Superior de Ingenieros de
Telecomunicacin, Universidad Politcnica de Madrid, 2004.
[16] Swaleh, M. S., Green, M. A.. Effect of shunt resistance and bypass diodes on
the shadow tolerance of solar cell modules. Solar Cells, vol. 5, Jan. 1982, p. 183-
198.
[17] Wohlgemuth, J.H., Solarex Corp., Frederick, M.. Reliability testing of PV
modules. Photovoltaic Energy Conversion 1994, Conference Record of the Twenty
Fourth, IEEE Photovoltaic Specialists Conference, IEEE First World Conference, 5-9
Dec 1994.
[18] Molenbroek, E. Waddington, D.W. Emery, K.A.. Hot spot susceptibility and
testing of PV modules. Photovoltaic Specialists Conference, 1991., Conference
Record of the Twenty Second IEEE. 7-11 Oct 1991.
[19] Ana Beln Cuelli y Faustino Chenlo. Efectos de sombreamiento sobre un
mdulo fotovoltaico. Era Solar 123.
[20] M del Carmen Alonso Garca. Caracterizacin y modelado de asociaciones de
dispositivos fotovoltaicos. Tesis Doctoral, Universidad Politcnica de Madrid, ETSI
Telecomunicacin, Madrid, 2004.
77
Captulo 4

4 Estudio del comportamiento de convertidores MPPT en
mdulos y generadores fotovoltaicos

4.1 Introduccin
El control de potencia en SFCR se realiza en la interfase entre el generador
fotovoltaico y el inversor mediante un convertidor MPPT. Este convertidor tiene que cumplir
dos funciones principales, variar su impedancia de entrada para controlar la corriente y
voltaje del generador mediante un convertidor DC/DC y seguir el punto de mxima potencia
mediante un algoritmo MPPT.
Como se estudi en el captulo tres, la caracterstica I-V y P-V de un mdulo
fotovoltaico cambia con las condiciones meteorolgicas y muy drsticamente cuando es
sombreado. Un convertidor MPPT ideal, debe ser capaz de controlar y entregar la potencia
mxima generada por el mdulo en cualquier condicin. Sin embargo, en la prctica, esta
capacidad se ve restringida debido a varias razones; por un lado, los criterios de diseo de
los circuitos de los convertidores DC/DC y los algoritmos utilizados estn limitados a su
mxima relacin de conversin, a la eficiencia del dispositivo y a errores del propio algoritmo
MPPT; y por otro lado, la operacin del convertidor se ve afectada por la caracterstica de la
curva P-V del mdulo asociado.
En ste captulo se describen los tipos de convertidores DC/DC desde el punto de
vista circuital, se estudia su comportamiento de entrada y salida individualmente, y cuando
son utilizados como MPPT en mdulos fotovoltaicos. Se realizan tambin simulaciones por
ordenador utilizando modelos MatLab/Simulink con el objeto de estudiar como cambian sus
parmetros durante un da tpico del ao.
Se desarrollan y exponen varios modelos matemticos de comportamiento del
convertidor MPPT elevador acoplado a mdulos fotovoltaicos e interconectados entre si a un
inversor fotovoltaico convencional. Con estos modelos se explica como conseguir la
optimizacin del funcionamiento de los convertidores bajo determinadas condiciones de
sombreamiento y desacoplamiento de corrientes.
A continuacin, se analiza el comportamiento de los convertidores desde el punto de
vista de la curva del generador. Se explican las caractersticas de un software de simulacin
que ha sido desarrollado para comparar la mejora en potencia en el uso de mdulos MPPT
respecto a un sistema convencional. Se lleva a cabo una serie de simulaciones y anlisis de
comportamiento bajo diferentes condiciones de sombreamiento.
Tesis Doctoral

78
Tomando el caso concreto de la Prgola Fotovoltaica del Palacio de la Moncloa [1], se
realiza una simulacin energtica anual en la que se consideran mdulos MPPT en el
generador. Se muestra el desarrollo de nuevos modelos matemticos de comportamiento de
convertidores MPPT con diferente inclinacin y orientacin de mdulos, se explica el mtodo
utilizado y se analizan los resultados.
Finalmente, se lleva a cabo un anlisis de los resultados obtenidos y se exponen una
serie de conclusiones que sern de gran utilidad para la fase de ensayos del captulo 5.
4.2 Convertidores DC-DC y MPPT: topologas y modelado
Desde el punto de vista circuital existen dos grupos principales de convertidores DC-
DC, los que usan circuitos analgicos con el control realimentado clsico y los que se usa un
microcontrolador para mantener el control del punto de operacin. Los sistemas analgicos
tienen la ventaja de tener componentes ms baratos, pero son ms problemticos de
controlar. Los sistemas controlados digitalmente mediante conmutacin, tienen la ventaja de
poder incorporar microcontroladores con algoritmos de control especficos para regular el
voltaje y corriente del controlador DC-DC de acuerdo a unas condiciones preestablecidas.
Adems, permiten almacenar y transmitir informacin a otros convertidores y/o a un sistema
centralizado para la monitorizacin y control externo.
El principio bsico de conmutacin de un convertidor DC-DC es bien conocido en la
industria electrnica [2], consiste en lo siguiente: durante la operacin del convertidor, la
conmutacin (normalmente a travs de un transistor MOSFET
a
) se da a una frecuencia f
s

constante con un tiempo de encendido DT
s
y un tiempo de apagado (1-D)T
s
, donde T
s
es el
perodo de conmutacin igual a f
s
-1
, y D es el llamado ciclo de trabajo (o Duty Cicle, en la
nomenclatura e ingls) con D [0,1], y se define como:
on
s
t
D
T
= (4.1)
Que se puede ver representado en la seal de control de conmutacin V
S
(t)

en la
Figura 4-1.

Figura 4-1 Seal de control de conmutacin de un convertidor DC/DC

a
Transistor de efecto de campo METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR tipo NPN de enriquecimiento.
t
DT
S
(1-D)T
S

V
Si

DT
S
T
S

V
S
(t)

Captulo 4. Estudio del comportamiento de convertidores MPPT en mdulos y generadores fotovoltaicos

79
La relacin de conversin, M(D), es una funcin que depende de D, y es un
parmetro que relaciona el voltaje de salida con el voltaje de entrada del convertidor, de
este modo M(D) clasifica los tipos de convertidores DC/DC en elevadores, reductores y
elevadores-reductores de voltaje. La expresin de M(D) es la siguiente:
( )
V
M D
V
O
i
= == = (4.2)
4.2.1 Convertidor elevador o tipo Boost
Como se ha visto en el captulo 2 Estado del arte, el convertidor MPPT elevador es
la topologa ms ampliamente usada en inversores convencionales, debido a su amplio rango
de voltaje de entrada y por su caracterstica elevadora que permite obtener altos voltajes de
salida, lo cual es ptimo para los altos voltajes de entrada de los inversores conectados a red
(como se explica en el captulo 2). Por lo tanto, en este apartado se har ms nfasis en el
estudio de ste tipo de convertidores.
4.2.1.1 Modelo de circuito ideal
El circuito ideal
b
equivalente de un convertidor elevador se muestra en la Figura 4-2.

Figura 4-2 Circuito equivalente de un convertidor elevador ideal.

Su principio de funcionamiento se basa en que durante el primer intervalo de tiempo
DT
S
del perodo de conmutacin T
S
, el interruptor se cierra nivel bajo de V
S
(t) y conecta la
entrada a travs de la bobina a masa, provocando que empiece a fluir una corriente i
L
a
travs de la bobina de acuerdo a la ecuacin (4.3), suministrando de esta forma energa a la
bobina. En este punto el diodo se encuentra en inversa y entonces la corriente no fluye a
travs de la carga y v
o
se hace cero.
L
l
i
di
v
dt
= == = (4.3)
Cuando el interruptor se abre nivel alto v
S
(t) - en el segundo intervalo de tiempo
(1-D)T
S
del perodo de conmutacin T
S
, i
L
fluye a travs de la bobina y a travs de la
polarizacin directa del diodo D hacia la carga. La apertura del interruptor provoca un cambio
busco en i
L
y consecuentemente un voltaje inducido en la bobina que se suma a v
i
, elevando

b No se tiene en cuenta la resistencia serie de la bobina RL, ni la resistencia de drenaje-fuente del
transistor Mosfet RDS.
vi
ii
is
iC1
C1
id
L
C2
iC2
iL
io
vo
+
vs
+ +
D
S
Tesis Doctoral

80
de esta forma el voltaje de salida v
o
. En la Figura 4-4 se muestra grficamente el
comportamiento del voltaje de salida del convertidor durante todo el proceso de
conmutacin.
L
l
o i
di
v v
dt
= + (4.4)

Figura 4-3 Comportamiento de la el voltaje de salida en un convertidor elevador

Aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito en el primer intervalo de tiempo de v
S
(t)
se encuentran las siguientes expresiones:

1
1
( )
( ) ( ) ( ),
i
C i L
dv t
i t C i t i t
dt
= = (4.5)
2
2
( )
( ) ( ),
o
C o
dv t
i t C i t
dt
= =
( )
( ) ( ),
L
L i
di t
v t L v t
dt
= =
Haciendo lo mismo para el circuito en el segundo intervalo de tiempo de v
S
(t), se
llega a:
1
1
( )
( ) ( ) ( ),
i
C i L
dv t
i t C i t i t
dt
= = (4.6)
2
2
( )
( ) ( ) ( ),
o
C L o
dv t
i t C i t i t
dt
= =
( )
( ) ( ) ( ),
L
L i o
di t
v t L v t v t
dt
= =
Cada componente de estas expresiones, tiene un componente de rizado aadido a su
valor de DC. Para un buen diseo del convertidor, la magnitud de este rizado debe ser
V
i

V
o


81
mucho ms pequea que su componente de DC. Si se desprecia este pequeo rizado, la
seal puede ser aproximada nicamente a su componente de DC. Esta aproximacin es
llamada aproximacin de pequeo rizado (conocido por la denominacin en ingls de
Small-ripple Approximation or Linear-ripple Approximation) y hace que el anlisis
matemtico del circuito sea ms fcil [3]. Con esta aproximacin, las expresiones de (4.5)
quedan finalmente:
,
C i L
i I I
1
= = = = (4.7)
,
C o
i I
2
= = = =
,
L i
v v =
Para (4.6) ser:
,
C i L
i I I
1
= = = = (4.8)
,
C L o
i I I
2
= = = =
,
L i o
v v v =
Para encontrar los valores promedio de i
C1
, i
C2
y v
L
, para todo el perodo Ts, las
ecuaciones (4.7) y (4.8) son sustituidas en la siguiente expresin genrica (para cada valor
i
C1
, i
C2
y v
L
en x(t)):
[ ) [ )
0, ,
1 1
( ) ( ) | ( ) |
s s
S S S
s S S
S
t T t D T t T
D T D T T
t t t D T
x t x d x d x
T T

+ + +
+
(
= = +
(

(4.9)
Bajo las condiciones de balance de voltaje de la bobina y balance de carga del
condensador [2], queda (4.9) en:

) )) ) ) )) ) , ,
(1 )
s s s
D T D T T
x D x D x
0

= + = + = + = + (4.10)
donde, el componente x
[0,DTs)
corresponde a las expresiones (4.7) y x
[DTs,Ts)
a (4.8), se llega
finalmente a la siguiente expresin para el modelo del convertidor elevador ideal [2]:
( ) (1 )( ) 0,
C i L i L
i D I I D I I
1
= + = = + = = + = = + = (4.11)
( ) (1 )( ) 0,
C o l o
i D I D I I
2
= + = = + = = + = = + =
(1 )( ) 0,
L i i o
v DV D V V = + = = + = = + = = + =
Simplificando estas expresiones se llega a,
,
i L
I I = == = (4.12)
(1 ) ,
o L
I D I = = = = (4.13)
Tesis Doctoral

82
(1 ) ,
i o
V D V = (4.14)
La expresin (4.14) describe entonces la relacin de conversin del voltaje M(D) del
convertidor:
1
( )
1
o
i
V
M D
V D
= =
(4.15)

Figura 4-4 Relacin de conversin M(D) del convertidor Boost ideal.

En la Figura 4-4, puede verse la relacin de conversin M(D) con respecto al ciclo de
trabajo D. A medida que aumenta el ciclo de trabajo, aumenta el voltaje de salida V
o

respecto a su voltaje de entrada V
i
a razn de M(D).
De la expresin (4.12) y (4.13) se define tambin la relacin de conversin M(D)
i

respecto a las corrientes de entrada y salida:
1
(1 ) ( )
o
i
i
I
D M D
I

= = (4.16)
Es importante indicar que al tratarse de un convertidor ideal M(D)
i
=M(D). Sin
embargo, en convertidores no ideales (eficiencia menor a la unidad) M(D)
i
M(D).
A medida que aumenta el ciclo de trabajo D disminuye la corriente de salida a razn
de M(D)
-1
, lo cual explica la compensacin en la corriente de salida del convertidor respecto a
su aumento de voltaje. En la prctica, el ciclo de trabajo se limita a un valor fijo de acuerdo
a la M(D) mxima especificada en los criterios de diseo del convertidor y depende del
comportamiento del circuito real del convertidor, que ser explicado con ms detalle en el
apartado siguiente.
4.2.1.2 Consideraciones respecto a las prdidas y el circuito real
Hasta ahora se ha visto el modelo circuital de convertidor en condiciones ideales, es
decir con un 100% de eficiencia, sin embargo, en la realidad existen prdidas debidas en
M(D) Convertidor Boost
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
D
M
(
D
)

83
mayor medida a la resistencia de la bobina y en menor medida a la resistencia drenador-
fuente del transistor Mosfet (que hace de interruptor para la conmutacin) y a la resistencia
serie del condensador. Si se consideran todos estos efectos, el modelo matemtico se
tornara ms complejo, por lo tanto, stos no sern considerados para los anlisis posteriores
a este apartado.
Con el objeto de entender como afectan estas prdidas en un convertidor elevador
real, en este apartado se lleva a cabo un breve anlisis [3] de la eficiencia del convertidor
bajo la influencia solo de la resistencia de la bobina.

Figura 4-5 Circuito equivalente de un convertidor elevador no ideal.
Al incluir una resistencia serie R
L
en la bobina, el circuito equivalente queda
representado como se muestra en la Figura 4-5. Se genera un nuevo sistema de ecuaciones
para el convertidor elevador. Aplicando el mismo anlisis circuital realizado en la seccin
4.2.1.1, se llega a:
,
i l
I I = (4.17)
(1- )
o L
I D I = (4.18)
(1- )
i L L o
V R I D V = + (4.19)
Por otro lado, la expresin que relaciona la relacin de conversin con la eficiencia del
convertidor es:
( )
o
c
i
V
M D
V
= (4.20)
Donde, la eficiencia del convertidor se define como:
out o o
c
in i i
P V I
P V I
= = (4.21)

Usando por orden las ecuaciones (4.20), (4.16), , (4.19) y (4.18) se llega a:
O O
O
2 2
O O O
1 1
1 1
1 1
( )

(1 ) (1 )
1 1 1
(1 ) (1 ) (1 )
c
L L L L L
i L L
V V
D D
M D
R I R I R
V D V R I D
D V D V D V

= = = = =
+
+ + +

(4.22)
Con Z=V
O
/I
O
, que corresponde a la impedancia de salida del convertidor. Con lo cual:
vi
ii
is iC1
C1
id
L
C2
iC2
iL io
vo
+
vs
+ +
D
S
RL
Tesis Doctoral

84
c
L
2
1
1
(1 )
R
D Z
=
+
(4.23)
La ecuacin (4.22) muestra que la eficiencia y la relacin de conversin no solo llegan
a ser dependientes de los efectos parsitos de los componentes del circuito, sino de la carga
del convertidor. La relacin (4.23) muestra que la eficiencia de un convertidor elevador
depende del ciclo de trabajo D, o ms apropiadamente de su complemento 1-D. Esto hace
que la relacin de conversin V
o
/I
o
sea una funcin no lineal.
La Figura 4-6 muestra esta dependencia, M(D) o V
o
/V
i
con el ciclo de trabajo D, y la
relacin R
L
/Z. En este caso se ha considerado una resistencia
c
de la bobina tpica de 0,032
(a 25C) y Z que vara entre 3, 1 y 0,25 . Como se puede observar, para valores de D
mayores a 0,6, M(D) se torna inestable. Para remediarlo, se suele restringir el valor de D a
un valor mximo. Con el fin de simplificar las expresiones para posteriores anlisis y
simulaciones, se considera que en las condiciones de diseo del convertidor, D est limitado
a un valor mximo, por tanto se consideran no influyentes los efectos de R
L
en posteriores
anlisis de este trabajo.
Para conocer la influencia de M(D) y R
L
/Z en la eficiencia del convertidor [3], se debe
separar primero el valor (1-D) de la ecuacin (4.23), quedando la siguiente expresin:
(1 )
1
L
R
D
Z

=
(4.24)
Esta expresin es entonces sustituida en (4.22),

1 1 1 (1 )

1 / /
o
i L L
V
V D R Z R Z

= = =

(4.25)
Extrayendo de esta ltima expresin la eficiencia (Vo/Vi) se obtiene:

2
1 1
( )
2 4
o o L
c
i i
V V R
V Z V
| |
=
|
\
(4.26)
el factor positivo de la raz puede verse reflejada en el grfico de la Figura 4-7, que
muestra como la mxima relacin de conversin depende del factor R
L
/Z. Esta limitacin se
origina en el segundo trmino de la ecuacin (4.26) y se puede expresar [3] como:

1
1
2
o L
i
V R
V Z
| |
|
\
(4.27)

c
Es importante tener en cuenta que en la prctica la temperatura de la bobina podra subir hasta los
80C en verano, aumentando el valor resistivo en un 20% aproximadamente. R(t) = R(25) x [ 1 +
alfa (t-25)] , donde alfa(cobre) es 0,0039 / C.

85

Figura 4-6 Relacin de conversin M(D)= Vo/Vi vs. el ciclo de trabajo D para un convertidor elevador no
ideal.

Figura 4-7. Eficiencia vs. M(D) en un convertidor elevador real dependiente de RL/Z
4.2.1.3 Anlisis de comportamiento del convertidor elevador acoplado a
Para observar con detalle el comportamiento del convertidor, se conecta a su entrada
un mdulo fotovoltaico a CEM y a su salida una carga resistiva fija Z, tal y como se muestra
en Figura 4-8.

Figura 4-8 Diagrama de bloques del sistema Mdulo convertidor DC/DC

M(D) Convertidor Boost real
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
D
M
(
D
)
RL/Z=0
RL/Z=0.01
RL/Z=0.032
RL/Z=0.128
Z
I
i
=I
m

V
i
=V
m

+
-
V
O

+
-
I
O

Eficiencia vs M(D) en un convertidor Boost real
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.8
0.85
0.9
0.95
1
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
D
E
f
i
c
i
e
n
c
i
a
RL/Z=0.0032
RL/Z=0.01
RL/Z=0.032
RL/Z=0.128
M(D)
Tesis Doctoral

86
Se debe entonces relacionar el ciclo de trabajo D con Z, V
i
=V
m
e I
i
=I
m
(considerando
la corriente y voltaje del mdulo en el punto de mxima potencia). De las expresiones (4.15)
y (4.16) y haciendo uso de la expresin de la impedancia del convertidor Z
i
, se llega a:

2 2 O
O
(1 ) (1 )
i
i
i
V V
Z D Z D
I I
= = = (4.28)
Donde Z
i
corresponde a la impedancia del convertidor y Z a la impedancia aplicada a
su salida. De (4.28) podemos llegar a la siguiente expresin para D:

1
1
m
m
V
D
I Z
= (4.29)
Esta ltima expresin muestra que, para valores constantes de V
m
e I
m
, el valor
mnimo de Z (del orden de unos pocos ohmios) est condicionado al valor mnimo del ciclo
de trabajo (0). Al aumentar el valor de Z empezar a incrementarse D y este aumento
conducir a elevar V
O
y disminuir I
O
de acuerdo a las expresiones (4.15) y (4.16). Este
efecto se representa grficamente en la forma de una hiprbola, que caracteriza el
funcionamiento del convertidor elevador, tal y como se muestra en la Figura 4-9. Este caso
concreto corresponde a la curva caracterstica terica del mdulo I-94/12 de la empresa
fabricante Isofotn acoplado al convertidor elevador ideal. El barrido de la curva fue
realizado variando Z entre 2,25 (cuando D=0 y V
O
=Vm) y 14,75 (cuando D=0,62 y
V
O
=35V).

Figura 4-9 Curva caracterstica terica de un convertidor elevador acoplado a un mdulo fotovoltaico y
generada al variar su impedancia de salida.

Como puede verse en la Figura 4-9, la curva de salida del convertidor traza una
hiprbola que representa los valores V
O
e I
O
posibles para los cuales el convertidor debe
mantener constante la potencia mxima del mdulo ante un cambio en la carga de salida Z.
Tericamente, y en condiciones ideales, la hiprbola contina indefinidamente representando
el aumento del voltaje de salida a medida que aumenta Z. En la prctica, el ciclo de trabajo
Curva de salida de un convertidor Boost
0
1
2
3
4
5
6
7
0 5 10 15 20 25 30 35
Vo (V)
I

(
A
)
Curva I-V Mdulo
Curva de salida convertidor

87
se limita a un valor razonable respecto a la relacin de conversin del convertidor, lo que
provoca que la hiprbola caiga al valor correspondiente de V
O
que es limitado por M(D) o lo
que es lo mismo por D, es decir, para un valor del ciclo de trabajo D=0,5, M(D)=2 y el valor
de V
O
= M(D) x V
i
= 2 x 15V = 30 V.
Si se hace ahora el caso inverso, y lo que se quiere es variar el punto de operacin
del mdulo, se debe fijar el valor de Z en la expresin (4.29). De esta forma, cualquier
cambio en las condiciones de operacin del mdulo provocar un cambio en su punto de
mxima potencia (V
m
e I
m
), ante esto el convertidor cambia su ciclo de trabajo D y esto da
lugar a un cambio en su impedancia Z
i
(esto puede verse al fijar Z en (4.28)), que al ser
enfrentada al mdulo, provoca un cambio en el punto de trabajo y convierte al convertidor
en un adaptador de impedancia. Luego, si el convertidor incorpora un dispositivo micro-
controlado para cambiar D, entonces ste se convierte en un seguidor del punto de mxima
potencia (MPPT) del mdulo fotovoltaico, llamado convertidor MPPT. Los diferentes mtodos
de decisin de como debe aumentar o disminuir D para seguir el punto de mxima potencia,
se implementan en el microcontrolador.

Figura 4-10 Convertidor MPPT como adaptador de impedancia.

En la Figura 4-10 se muestra el funcionamiento del convertidor elevador como
adaptador de impedancia, donde puede verse las rectas de carga posibles para tres puntos
de operacin del mdulo con sus respectivos valores hmicos. El punto de trabajo se
modifica al aumentar la impedancia a medida que se aumenta el voltaje en cada punto. En
este caso el punto de mxima potencia se consigue cuando Z
i
=2,2 .
Para entender mejor la operacin del convertidor como adaptador de impedancia del
mdulo, o lo que es lo mismo, como seguidor del punto de mxima potencia al fijar una
impedancia de salida, se toma como ejemplo el mdulo I-70R/12 con un convertidor
Curva de salida de un convertidor Boost
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 5 10 15 20
Vo (V)
I

(
A
)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
P

(
W
)
Curva I-V Mdulo
Zi=1.5 Ohms
Zi=2.2 Ohms a Pm
Zi=3 Ohms
Curva P-V mdulo
Vi (V)
Puntos de operacin del mdulo
Tesis Doctoral

88
elevador al que se fija una impedancia
d
Z=10 a su salida. De acuerdo a la expresin (4.29)
, el convertidor se ver obligado a cambiar su ciclo de trabajo D conforme cambien los
valores V
m
e I
m
del mdulo. Como los valores de V
m
e I
m
dependen de las condiciones
meteorolgicas, se han tomado valores horarios promedio de irradiancia y temperatura de
clula de un da tpico de verano haciendo uso del Ao Meteorolgico Tpico (AMT)
proporcionado por el Instituto de Energa Solar, cuyos valores se muestran en la Tabla 4-1.
De manera que, los valores V
m
e I
m
son extrapolados de las condiciones estndar a stas
condiciones elegidas utilizando de forma inversa las expresiones (3.1) y (3.2).
G T
C

292.1 24.76
551 35.9
786.5 46.54
857.9 51.75
1011 59.42
1029 61.83
970.6 60.86
823.8 56
611.5 48.44
377.5 39.94
158.8 31.56
Tabla 4-1 Irradiancias y temperaturas correspondientes

Figura 4-11 Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor elevador integrado en un
mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano

Los resultados se muestran en la Figura 4-11, en el que se comparan los voltajes de
entrada (mdulo) y salida del convertidor para una misma potencia P
i
=P
O
(convertidor ideal).
Se observa en el grfico como la potencia del mdulo evoluciona durante el da,
incrementndose por la maana hasta llegar a la mxima potencia, cayendo por la tarde. Se

d Impedancia calculada a partir de: el voltaje del mdulo a 14,2 V (62C), la corriente mxima a 4,23 A
(1000W/m2) y D=0,45.
Puntos (P,V) modulo I-70R/12 y convertidor boost
para Z=10, en un da tpico de verano
0
10
20
30
40
50
60
70
13 15 17 19 21 23 25
V (V)
P

(
W
)
Mdulo (Vi,Pi)
Convertidor (Vo,Po)
G=159
Tc=32
Coinciden
D=0
M(D)=1
Maana
Tarde
G=1029
Tc=62

89
observa una diferencia del voltaje debido principalmente a que la temperatura por la maana
es ms baja que durante la tarde. La respuesta del convertidor es que, para potencias muy
bajas, la relacin de conversin es 1 y los voltajes se igualan, y a medida que aumenta la
potencia del mdulo, la relacin de conversin se incrementa. Hablar de relacin de
conversin es lo mismo que de ciclo de trabajo D, tiene entonces D una relacin directa
tambin con la impedancia de entrada y finalmente con la potencia, como se muestra en la
Figura 4-12. Cuando las potencias son bajas, el ciclo de trabajo hace que la impedancia del
convertidor Z
i
iguale a la impedancia de salida Z; para que esta condicin se cumpla, D debe
ser cero y M(D)=1. Se observa entones que, a medida que se incrementa la potencia, lo
hace tambin D, mientras que Z
i
disminuye. Sin embargo, el ciclo de trabajo disminuir
desde 0 hasta un lmite impuesto por los criterios de diseo del convertidor, tpicamente
hasta 0,5 limitando el rango de accin para seguir el punto de mxima potencia; de
manera que, si el exceso o defecto de potencia provoca que el convertidor fije D a uno de los
valores lmite, entonces el convertidor no podr seguir el punto de mxima potencia y
empezar a generar prdidas. Es lo que ocurre cuando los voltajes de entrada y salida se
igualan o sobrepasan la relacin de conversin, como se puede ver en el grfico de la Figura
4-12 cuando D=0.

Figura 4-12 Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor elevador integrado en un
mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano.
El uso de convertidores elevadores es ideal con inversores que utilizan o se disean
para altos voltajes de entrada de continua, como es el caso de los inversores de conexin a
red.
4.2.2 Convertidor reductor o tipo Back
Consiste en convertir el voltaje de entrada a un voltaje ms bajo. El modelo de
circuito equivalente es el que se muestra en la Figura 4-13.

Zi vs. D y Po vs. D del Convertidor Boost
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
D
Z
i

(
O
h
m
s
)
0
10
20
30
40
50
60
70
P
o

(
W
)
Convertidor Zi vs. D
Convertidor Po vs. D
Tesis Doctoral

90

Figura 4-13. Circuito equivalente de un convertidor reductor
Cuando el interruptor S se cierra (en el tiempo t [0, DT
s
)), el diodo se polariza en
inversa y la corriente I
L
fluye a travs de la bobina a la carga de acuerdo a la expresin:

L
i o L
V V di
dt

= (4.30)
El voltaje de salida ser:

O
L
L
i
di
V V
dt
= (4.31)
Por tanto, el voltaje de salida ser siempre menor que V
i
.
Tan pronto como S se abre (en el tiempo t [DTs, Ts]), la carga se separa de la
fuente. La energa almacenada en la bobina mantendr el flujo de corriente a la carga, y el
bucle se cierra a travs del diodo polarizado en directa. Finalmente, la corriente decae de
igual forma que el voltaje de salida de acuerdo a la expresin:

O
L
L
di
V
dt
= (4.32)
En la Figura 4-14 se muestra grficamente el comportamiento del voltaje de salida
del convertidor durante todo el proceso de conmutacin.

Figura 4-14 Comportamiento de la el voltaje de salida de un convertidor reductor

Haciendo el mismo anlisis circuital [3] que para el convertidor elevador, esto es,
aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito en el primero y segundo intervalo de tiempo de
V
S
, y realizando la aproximacin de pequeo rizado y las condiciones de balance de voltaje
vi
ii is
iC1
C1
id
L
C2
iC2
il io
vo
+
Vs
+ +
S
V
i

V
o


91
de la bobina y balance de carga del condensador, se llega a las tres ecuaciones que definen
el modelo del convertidor reductor ideal:

i o
DV V = (4.33)

i L
I D I = (4.34)

L o
I I = (4.35)
Donde la expresin (4.33), representa la relacin de conversin M(D) del convertidor
reductor:

O
i
( )
V
M D D
V
= = (4.36)
Como puede verse, corresponde a una relacin lineal, como se muestra en la Figura
4-15.

Figura 4-15 Relacin de conversin M(D) vs. Ciclo de trabajo D en un convertidor reductor.

De (4.34) y (4.35) se extrae la siguiente expresin para las corrientes:

1 O
1
( )
i
i
I
M D
I D

= = (4.37)
En el circuito real, se considera nicamente las prdidas inductivas, aadiendo una
resistencia en serie con la bobina del circuito de la Figura 4-13. Su anlisis circuital es similar
al realizado para el convertidor elevador, en el que se llega a la expresin que relaciona la
eficiencia, la resistencia de la bobina R
L
y la impedancia.

1
1
c
L
R
Z
=
+
(4.38)
A diferencia con el convertidor elevador en la expresin (4.23), sta expresin no
depende de D. Por tanto, M(D) sigue siendo una expresin lineal de D.
M(D) Convertidor Buck
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
D
M
(
D
)
Tesis Doctoral

92
4.2.2.2 Anlisis de comportamiento del convertidor reductor acoplado a
Tomando el mismo esquema de un mdulo acoplado a un convertidor y ste a una
carga Z mostrado en la Figura 4-8, se busca una expresin que relacione el ciclo de trabajo
D con Z y V
m
e I
m
del mdulo. Haciendo uso de las expresiones (4.36) y (4.37) y tomando
como referencia la impedancia interna del convertidor, se llega a:

2 2 O i
i
O

V V
Z D Z D
I I

= = = (4.39)
Y la relacin de D con el punto de mxima potencia y Z ser:

m
m
I
D Z
V
= (4.40)
Esta ltima expresin muestra que para valores constantes de V
m
e I
m
, que
corresponden al punto de mxima potencia del mdulo, el valor ms alto de Z (unas decenas
de Ohms) est condicionado al mximo ciclo de trabajo de 1. Al disminuir Z, en algunos
casos disminuye D, esta disminucin conduce a reducir V
o
y aumentar I
o
de acuerdo a las
expresiones (4.36) y (4.37). Este efecto se representa grficamente en la forma de una
hiprbola, la cual caracteriza el funcionamiento del convertidor reductor al variar su
impedancia de salida, tal y como se muestra en la Figura 4-16. Este caso concreto
corresponde a la curva caracterstica terica del mdulo I-94/12 acoplado al convertidor
reductor ideal, variando Z entre 2.2 (cuando D=1 y Vo=Vm) y 0.5 (cuando D=0.48 y
Vo=6.4 V).

Figura 4-16 Curva caracterstica terica de un convertidor reductor al variar su impedancia de salida.
En la Figura 4-16 se muestra la curva de salida del convertidor, una hiprbola que
representa los valores V
O
e I
O
posibles para los cuales el convertidor debe mantener
constante la potencia mxima del mdulo ante un cambio en la carga de salida Z.
Tericamente, y en condiciones ideales, la hiprbola contina indefinidamente representando
Curva de salida de un convertidor Buck
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20
Vo (V)
I

(
A
)
Curva I-V Mdulo

93
la disminucin del voltaje de salida a medida que disminuye Z. En la prctica, el ciclo de
trabajo se limita a un valor razonable respecto a la relacin de conversin del convertidor, lo
que provoca que la hiprbola caiga al valor correspondiente de V
O
que es limitado por M(D),
o lo que es lo mismo por D; es decir, para un valor del ciclo de trabajo D=0,5, M(D)=0,5, el
voltaje e intensidad de salida son: V
o
= M(D) x V
i
= 0,5 x 15 V = 7,5 V y I
o
= I
i
/M(D) = 2 x
6.14 A= 12.28 A respectivamente.
Asimismo, y como se expuso en el funcionamiento del convertidor elevador como
adoptador de impedancia o convertidor MPPT al fijar la impedancia de salida, en la Figura
4-17 se muestra la comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor reductor
para una misma potencia P
i
=P
O
(convertidor ideal). En este ejemplo se utiliza el mdulo I-
70R/12 y se fija una carga de salida Z a 3 . Para variar las condiciones de radiacin y
temperatura del mdulo se utilizan los mismos datos de un da de verano del Ao
Meteorolgico tpico expuestos en la Tabla 4-1. El grfico muestra la proporcionalidad del
voltaje de salida con la potencia del mdulo, alejndose del MPP a medida que la potencia
disminuye. En la Figura 4-18 se muestra tambin la proporcionalidad entre el ciclo de trabajo
y la impedancia interna del convertidor Z
i
a potencias cercanas a la potencia mxima del
mdulo en CEM. El ciclo de trabajo hace que la impedancia del convertidor Z
i
iguale a la
impedancia de salida Z. Para que esta condicin se cumpla, D debe ser 1 y M(D)=1,
entonces, a medida que la potencia disminuye, lo hace el ciclo de trabajo y la impedancia
interna Z
i
del convertidor. Sin embargo, el ciclo de trabajo disminuir desde 1 hasta un
lmite impuesto por los criterios de diseo del convertidor, tpicamente hasta 0,5, limitando
el rango de accin para seguir el punto de mxima potencia. De manera que, si el exceso o
defecto de potencia provoca que el convertidor fije D a uno de los valores lmite, entonces el
convertidor no podr seguir el punto de mxima potencia y empezar a generar prdidas. Es
lo que ocurre cuando los voltajes de entrada y salida se igualan o sobrepasan la relacin de
conversin.

Figura 4-17 Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor reductor integrado en un
mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano

Puntos (P,V) modulo I-70R/12 y convertidor Buck
0
10
20
30
40
50
60
70
0 5 10 15
V (V)
P

(
W
)
Mdulo (Vi,Pi)
Convertidor (Vo,Po)
Tesis Doctoral

94

Figura 4-18 Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor reductor integrado en un
mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano.

4.2.3 Convertidor reductor-elevador o tipo Buck-Boost
Combina las propiedades del convertidor elevador y el reductor. Es decir, es capaz de
transformar un voltaje de entrada a cualquier nivel de voltaje de salida. Sin embargo, su uso
prctico se ve limitado por las prdidas provocadas por sus componentes.

Figura 4-19. Circuito equivalente de un convertidor elevador
Cuando el interruptor S se cierra (en el tiempo t [0, DT
s
]), el diodo se polarizar
en inversa y la energa proporcionada por la fuente se almacena en la bobina L. Cuando el
interruptor se abre, el diodo se polariza en directa y la energa almacenada en L es liberada y
entregada a la carga. El diodo D hace que la corriente fluya hacia la bobina en un solo
sentido durante los estados de encendido y apagado de S. Como resultado, v
O
tiene entonces
una polaridad opuesta a v
i
, por esto este circuito es tambin llamado convertidor inversor.
La funcin principal de estos condensadores es que, inicialmente, el condensador C
1
soporta
el voltaje de suministro de v
i
y C
2
suaviza el voltaje de salida v
O
. En conclusin, la amplitud
de v
O
puede ser ms baja o mas alta que v
i
dependiendo de los tiempos de encendido y
apagado del interruptor S cumpliendo la relacin:

on
O i
off
t
v v
t
= (4.41)
Zi vs. D y Po vs. D del Convertidor Buck
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.2 0.4 0.6 0.8 1
D
Z
i

(
O
h
m
s
)
0
10
20
30
40
50
60
P
o

(
W
)
vi
ii is
iC1
C1
id
L C2
iC2 il
io
vo
+
vs
+ +
D

95
Haciendo el mismo anlisis circuital [3] que el realizado para el convertidor elevador;
esto es: aplicando las leyes de Kirchhoff al circuito en el primero y segundo intervalo de
tiempo de v
S
(t), realizando la aproximacin de pequeo rizado, y por ltimo, las condiciones
de balance de voltaje de la bobina y de carga del condensador; se llega a las tres ecuaciones
que definen el modelo del convertidor elevador-reductor ideal:

l
I D I = (4.42)

O
(1 )
l
I D I = (4.43)

i O
(1 ) DV D V = (4.44)
Donde (4.44) proporciona la relacin de conversin del convertidor:

O
i
( )
(1 )
V D
M D
V D
= =
(4.45)
La Figura 4-20 muestra la relacin de conversin del convertidor elevador-reductor.
Como puede verse, cuando D est entre 0 y 0,5 el convertidor funciona como reductor y
entre 0,5 y 0,9 como elevador. Sin embargo, si en los criterios de diseo electrnico se
especifica un limite M(D) para la etapa elevadora, entonces el margen de actuacin de D se
ve limitada.

Figura 4-20. Relacin de conversin M(D) vs. Ciclo de trabajo D en un convertidor reductor.

La relacin de las corrientes se puede extraer de (4.42) y (4.44), llegando a la
siguiente expresin:

1
O
( 1)
( )
D
I I M D I
D

= = (4.46)
En el caso de un convertidor elevador-reductor no ideal, se consideran solo las
prdidas inductivas asociadas a la resistencia serie de la bobina. De igual forma como se
M(D) Convertidor Buck-Boost
-10
-8
-6
-4
-2
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
D
M
(
D
)
Tesis Doctoral

96
realiz para el convertidor elevador, la expresin que relaciona la eficiencia con las prdidas
asociadas a la inductancia es,

2
1
1
(1 )
c
L
R
Z D
=
+
(4.47)
La eficiencia depende de D, adems de la relacin R
L
/Z, lo que convierte la expresin
en una funcin no lineal. Al ser un convertidor inversor, la grfica que representa la
expresin (4.47) se dibuja M(D) en el eje negativo y su comportamiento es parecido al
expuesto en la Figura 4-6 para el convertidor elevador.
4.2.3.2 Anlisis de comportamiento del convertidor elevador-reductor
acoplado a mdulos fotovoltaicos
Como punto de partida, se adopta el mismo esquema de la Figura 4-8, un mdulo
acoplado a un convertidor y ste a una carga Z. Se trata entonces de hallar una expresin
que relacione el ciclo de trabajo D con Z, V
m
e I
m
. Haciendo uso de las expresiones (4.45) y
(4.46) y tomando como punto de partida la impedancia interna Z
i
del convertidor, se llega a:

2
2 O
O
1
( )
i
i
V V D
Z Z M D
I I D

| |
= = =
|
\
(4.48)
Luego, las ecuaciones que relacionan D con Z y el punto de mxima potencia del
mdulo son:
para D [0;0,5]:
m
m
I
(1 ) D Z D
V
= (4.49)
Estas expresiones corresponden a dos ecuaciones implcitas en D. La expresin
(4.49) proporciona informacin sobre el comportamiento del convertidor como reductor,
mientras que (4.50) como elevador. En la Figura 4-21 se muestra un ejemplo de la curva
caracterstica terica del mdulo I-94/12 acoplado al convertidor reductor ideal. Al variar Z
entre 0,5 (cuando D=0,3 y V
o
=6,8) y 2.4 (cuando D=0,49 y V
o
V
m
) el convertidor
funciona como reductor; mientras que, cuando incrementamos Z entre 2,5 (cuando D=0,5
y V
o
V
m
) y 11 (cuando D=0,69 y V
o
=32 V), funciona como elevador.
para D [0,5;1]:
m
m
1
I
D
D
Z
V
= (4.50)


97

Figura 4-21 Curva caracterstica terica de un convertidor reductor al variar su impedancia de salida.

Figura 4-22. Comparativa de voltajes de entrada y salida en un convertidor reductor-elevador integrado
en un mdulo I-70/R, para Z=3, en un da tpico de verano.

V vs. Po, modulo I-70R/12 y convertidor Buck-Boost
0
10
20
30
40
50
60
70
6 8 10 12 14 16 18 20
V (V)
P

(
W
)
Mdulo (Vi,Pi)
Convertidor (Vo,Po)
Curva de salida de un convertidor Buck-Boost
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 5 10 15 20 25 30 35
Vo (V)
I

(
A
)
Curva I-V Mdulo
Tesis Doctoral

98

Figura 4-23. Comparativa de potencia de salida y Zi vs. D en un convertidor reductor-elevador integrado
en un mdulo I-70/R, para Z=10, en un da tpico de verano.

De la misma forma en que se explic el funcionamiento del convertidor reductor y el
elevador como adaptador de impedancia o convertidor MPPT al fijar la impedancia de salida,
en la Figura 4-22 se muestra la comparativa de voltajes de entrada y salida en un
convertidor reductor-elevador para una misma potencia P
i
=P
O
(convertidor ideal). En este
ejemplo, se utiliza el mdulo I-70R/12 y se fija una carga de salida Z=6 . As como se hizo
con los otros tipos de convertidores para variar las condiciones de radiacin y temperatura
del mdulo, se utilizan los mismos datos del da de verano del Ao Meteorolgico tpico
expuestos de la Tabla 4-1. La figura muestra la proporcionalidad del voltaje de salida con la
potencia del mdulo. En la Figura 4-23 se muestra tambin la proporcionalidad del ciclo de
trabajo y la impedancia interna del convertidor Z
i
. Como puede verse, a medida que la
potencia disminuye lo hace tambin el ciclo de trabajo y la impedancia interna Z
i
del
convertidor. El ciclo de trabajo hace que la impedancia del convertidor Z
i
iguale a la
impedancia de salida Z cuando D es 0.5 y M(D)=1, que comparado con los otros
convertidores, proporciona un mayor rango de operacin para modificar su impedancia
interna y por tanto el voltaje de salida del convertidor.
4.2.4 Anlisis comparativo de las diferentes topologas
Desde el punto de vista del grado de utilizacin del interruptor G
u
es una referencia
sobre el mayor o menor aprovechamiento de las caractersticas de los interruptores de un
convertidor. Se define como la relacin entre la potencia de salida Po y la potencia
conmutable, siendo su valor ptimo cuanto ms se acerque a la unidad. La comparativa de
este parmetro entre los diferentes tipos de convertidores puede verse en la Figura 4-24 [4].
Sin duda, es preferible emplear el convertidor o elevador, desde el punto de vista de la
utilizacin del interruptor.

Zi vs. D y Po vs. D del Convertidor Buck-Boost
0
5
10
15
20
25
30
0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6
D
Z
i

(
O
h
m
s
)
0
10
20
30
40
50
60
P
o

(
W
)

99

Figura 4-24. Comparacin del grado de utilizacin de los interruptores en diferentes convertidores DC-
DC
Desde el punto de vista del rendimiento, por la topologa de circuito como divisor de
voltaje, el convertidor Buck-Boost es el que tiene mayores prdidas.
Entre el elevador y reductor, el elevador tiene la ventaja de poderse utilizar en
aplicaciones donde se necesitan altos voltajes, como es el caso de los SFCR. Por tanto, este
trabajo se enfocar ms en el anlisis de convertidores DC-DC elevadores.
4.3 Simulacin de un convertidor MPPT elevador usando MatLab/Simulink
En este apartado se muestran diversas simulaciones utilizando modelos
MatLab/Symulink desarrollados a partir de los modelos matemticos y de circuito que han
sido tratados en el transcurso de la tesis. El objetivo es poder predecir el comportamiento del
sistema a diferentes condiciones de operacin y evaluar tericamente su desempeo con
diferentes configuraciones y realizar comparativas.
El paquete de software MATLAB de MathWorks, incluye la herramienta de simulacin
Simulink, la cual posibilita la simulacin de sistemas discretos y continuos al mismo tiempo.
Esta caracterstica hace que sea ms fcil de implementar y evaluar modelos matemticos y
diagramas de circuitos elctricos y/o electrnicos en un mismo diagrama de bloques.
Simulink permite adems simular sistemas formados por subsistemas ms pequeos, como
mdulos fotovoltaicos, convertidores DC-DC y algoritmos MPPT como unidades
independientes dando la posibilidad de verificar su funcionamiento individual o bien
interconectarlos fcilmente para construir diversos circuitos.
4.3.1 Modelo Simulink y simulacin a nivel de circuito del mdulo
fotovoltaico
La simulacin de generadores fotovoltaicos permite predecir el comportamiento de la
curva potencia-voltaje a diferentes condiciones de operacin de forma homognea en toda la
superficie, o de forma no homognea como es el caso del estudio de sombreamientos.
Adems, el programa Simulink, al ser un lenguaje orientado a objetos mediante bloques, que
permiten ser interconectarlos de diferente forma y experimentar con diversas
configuraciones.
G G
u u
( (B Bo oo os st t) ) = = 1 1- -D D

G G
u u
( (B Bu uc ck k) ) = = D D

G G
u u
( (B Bu uc ck k- -B Bo oo os st t) )= =D D( (1 1- -D D) )
Tesis Doctoral

100
El modelo Simulink del mdulo fotovoltaico se basa en el modelo matemtico
expuesto en el captulo 2 Estado del Arte, en la expresin 2.6, que para efectos de
afinidad con el modelo Simulink, se puede reescribir de la siguiente forma:

OC(G,Tc) S
L D SC(G,Tc) SC(G,Tc)
S t
-
- - exp

V V I R
I I I I I
mV
+ | |
= =
|
\
(4.51)
Donde I
L
es la corriente de iluminacin equivalente a la I
SC(G,Tc),
que corresponde a la
corriente de cortocircuito del mdulo y el subndice (G,Tc) representa su dependencia con la
irradiancia G y temperatura de clula T
C
; de igual forma para V
OC(G,Tc)
. Ambos trminos,
I
SC(G,Tc)
y V
OC(G,Tc)
se calculan extrapolando los valores I
SC
*
y V
OC
*
de catlogo del mdulo a
otros valores reales de operacin cualquiera:

*
SC(G,Tc) SC c p C 2
( 25 C)
1000 /
G
I I T
W m
= + (4.52)

*
OC(G,Tc) OC S c C S t
( 25C) ln
1000
G
V V T m V
| |
= + +
|
\
(4.53)
Donde, el superndice * representa el valor de catalogo del mdulo en CEM,
c
en
[A/C] corresponde al coeficiente de variacin de la corriente con la temperatura de la clula
y que puede ser aproximada en la prctica a 1 mA por grado y por clula.
c
es el coeficiente
de variacin del voltaje con la temperatura de la clula, cuyo valor ms aceptado es -2,3
mV/C.
El trmino R
S
de la expresin (4.51) corresponde a la resistencia serie del mdulo, es
calculado utilizando el mtodo de Green (tratado en el captulo 3). La expresin (4.51)
muestra el comportamiento del mdulo en cualquier condicin de irradiancia y temperatura,
con base en sta se ha realizado el modelo Simulink mostrado en la Figura 4-25. Como se
puede apreciar en el modelo, el bloque PV representa el mdulo con las entradas
correspondientes de irradiancia G y temperatura T
C
y las salidas de voltaje V+ y V-. Este
bloque principal est compuesto internamente por un conjunto de sub-bloques que
representan el circuito electrnico y un conjunto de bloques matemticos unidos para formar
los trminos de la ecuacin (4.51). La resistencia paralelo R
p
se incluye en el modelo
Simulink como un parmetro adicional, que es introducido manualmente y su valor oscila
entre 250 y 500 en un mdulo comercial. Para conservar el modelo (4.51) se pueden
tomar valores de R
p
1000 .
A manera de ejemplo, se realiza una simulacin del funcionamiento de una carga
capacitiva que traza la curva I-V del mdulo fotovoltaico I-94/12 en condiciones de
sombreamiento localizado. Consiste en sombrear una fila de la parte media del mdulo que
corresponde a la zona en donde se solapan los dos diodos de paso y permite comprobar
tericamente el fenmeno medido y analizado en la seccin 3.6.2.
Desde el punto de vista del modelo, en la parte izquierda de la Figura 4-26 puede
verse el diagrama de bloques Simulink del mdulo I-94/12, dividido en tres mdulos de 11

101
clulas y en la parte derecha se observa los bloques para visualizar y mostrar grficamente
los resultados.

Figura 4-25. Modelo Simulink a nivel de circuito de un mdulo fotovoltaico

Figura 4-26. Diagrama de bloques Simulink para simulacin del funcionamiento de una carga capacitiva
que mide la curva I-V del mdulo fotovoltaico I-94/12 bajo sombreamiento

Tesis Doctoral

102
El resultado de esta simulacin se muestra en la Figura 4-27, donde se puede
comprobar el mismo comportamiento de la figura (3.26) (grafica 3.5 del captulo 3). De esta
misma forma se comprob en los dems casos de sombreamiento sobre mdulos, en los que
los resultados de simulacin corresponden con los encontrados en las medidas realizadas con
la carga capacitiva desarrollada y expuesta en el captulo 3.

Figura 4-27. Resultado de simulacin Simulink de la caracterstica I-V del mdulo I-94/12 con
sombreamiento en la parte media del mdulo
4.3.2 Modelo Simulink de un convertidor MPPT elevador
El modelo Simulink del convertidor MPPT elevador (en adelante convertidor) esta
compuesto por dos bloques fundamentales: un algoritmo MPPT y un convertidor DC-DC
elevador.
En la seccin 4.2.1.1 se presentaron las ecuaciones bsicas que describen al
convertidor. El conjunto de ecuaciones diferenciales (4.5) para el perodo DTs y (4.6) para el
(1-D)Ts, pueden utilizarse para obtener un modelo de valores promedio utilizando (4.9).
Haciendo esto, se llega a:

1
C ( ) (1 )( )
i
i L i L i L
dV
D I I D I I I I
dt
= + = (4.54)
2 O O O
C ( ) (1 )( ) (1 )
o
L L
dV
D I D I I D I I
dt
= + =
O O
L (1 )( ) (1 )
L
i i i
dI
DV D V V V D V
dt
= + =
Para permitir la interconexin entre los bloques Simulink, se pueden reorganizar
estas ecuaciones de la siguiente forma:

1
C
i
L i
dV
I I
dt
= (4.55)
Curva caracterstica del mdulo I-94/12
bajo sombreamiento
0
2
4
6
8
10
12
14
0 5 10 15 20
V (V)
I

(
A
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
P

(
W
)

103
O
O 2
(1 ) C
L
dV
I D I
dt
=
O
(1 ) L
L
i
dI
V D V
dt
= +
Con estas expresiones es posible representar los bloques simulink que describen el
comportamiento del convertidor. En la Figura 4-28 se muestra el diagrama de bloques
Simulink del convertidor.
Figura 4-28 Diagrama de bloques Simulink del convertidor Boost

A manera de ejemplo, en la Figura 4-29 se presentan los diagramas de bloques y el
resultado de simulacin de un convertidor como variador de impedancia para realizar el
barrido de un mdulo fotovoltaico. Con este ejemplo se pretende mostrar como un
convertidor adems de buscar el punto de mxima potencia de un mdulo, puede barrer su
curva caracterstica I-V funcionando de esta forma como carga electrnica. En este ejemplo
se fija la impedancia de salida a 20 y se limita D a 0,8. Para abarcar toda la curva y
realizar el barrido lo ms rpido posible, es necesario poner a trabajar al convertidor en
valores de D cercanos a la unidad y la impedancia Z a valores altos, del orden de los k.
Figura 4-29. Ejemplo de simulacin de un convertidor boost como variador de impedancia para el barrido
de un mdulo fotovoltaico

V (V)
I

(
A
)

Tesis Doctoral

104
4.3.3 Simulacin de un convertidor MPPT durante un da tpico de verano
Esta simulacin tiene como objetivo estudiar la respuesta a nivel de circuito de un
convertidor MPPT ante cambios bruscos de las condiciones de operacin en un da tpico de
verano.
La simulacin consiste en un convertidor MPPT elevador acoplado al mdulo I-
70R/12, como se muestra en la Figura 4-30, en este caso la irradiancia y la temperatura son
variables. El convertidor DC-DC va conectado al bloque MPPT-P&O, compuesto por un
conjunto de sub-bloques que representa el algoritmo P&O perturbacin y observacin
(descrito en el captulo 3 Estado del arte), tiene como entradas la lectura de voltaje y
corriente del mdulo, y como salida el ciclo de trabajo.

Figura 4-30. Diagrama de bloques Simulink para la simulacin de un convertidor boost MPPT

Los valores de los componentes del convertidor DC-DC boost de la Figura 4-2, se han
elegido de acuerdo a los criterios de diseo del prototipo desarrollado y expuesto en el
captulo 5. Estos valores se han fijado para el condensador C
1
y C
2
en 1000 F y la
inductancia de la bobina en 100 H. La simulacin de la seal de control del convertidor se
realiza mediante una seal PWM (Modulacin por ancho de pulso) ajustando su ciclo de
trabajo D en incrementos de D=0,001 (tiempo de muestreo de 1ms).
Al sistema se introducen cambios sbitos de irradiancia y temperatura cada medio
segundo (tiempo de simulacin), los cuales son tomados de un fichero de datos que contiene
los valores de la Tabla 4-1.
En la Figura 4-31 se observan las seales elctricas como resultado de la simulacin
del mdulo y del convertidor. En orden se observa: los grficos de intensidad, voltaje y
potencia del mdulo y los parmetros correspondientes al convertidor. Como se puede
apreciar en el grfico, cada medio segundo (tiempo de simulacin) se produce un cambio de
las condiciones de operacin, que corresponde a la lectura de los valores horarios de
irradiancia y temperatura del AMT. El tiempo mximo de respuesta del convertidor para
buscar el punto de mxima potencia es de aproximadamente 250 ms, caso que puede
semejarse al paso de una nube o de una sombra sobre el mdulo.


105
Figura 4-31. Resultado de simulacin Matlab/Simulink de un convertidor boost MPPT
Como se observa en el grfico, durante la maana conforme se incrementa la
irradiancia, se produce un aumento de la corriente del mdulo, el ciclo de trabajo aumenta y
el voltaje del mdulo disminuye. Este comportamiento corresponde al mismo encontrado en
el ejemplo expuesto en la seccin 4.2.1.3 para un convertidor elevador ideal.
t (s)
Tesis Doctoral

106
Figura 4-32 Resultados de simulacin de un convertidor MPPT Boost en el que se aprecia el detalle del
rizado de los parmetros elctricos de entrada y salida.

t (s)

107
En la Figura 4-32 se presenta con ms detalle los parmetros del sistema simulado,
justo en el cambio de las condiciones de operacin a 2,5 s de tiempo de simulacin. Se
observa las oscilaciones del punto de mxima potencia, que surge como resultado de la
continua perturbacin del algoritmo para encontrar el MPP. Esta oscilacin repercute en una
variacin del 0,3 % de potencia mxima.
4.4 Modelado y anlisis del comportamiento de convertidores MPPT
interconectados con un inversor comercial
En el transcurso de este captulo se ha estudiado el comportamiento de convertidores
MPPT como elementos aislados, con el fin de conocer su funcionamiento interno cuando son
conectados a un mdulo fotovoltaico. Sin embargo, el inters del estudio es analizar su
comportamiento cuando los mdulos MPPT se conectan en serie para construir un generador
fotovoltaico, que se conecta a su vez a la entrada de un inversor. De cara a los ensayos de
laboratorio tratados en el captulo 5, resulta imprescindible realizar un anlisis de
comportamiento de stos convertidores cuando son interconectados en serie de tal forma
que puedan operar ptimamente con un inversor en un sistema fotovoltaico convencional. El
convertidor elevador es el tipo de topologa ideal, pues con pocos mdulos fotovoltaicos
puede llegar fcilmente a los voltajes de entrada de un inversor de conexin a red
convencional.
4.4.1 Relacin entre corrientes y voltajes de entrada y salida
Todos los inversores comerciales tienen incorporado su propio MPPT. Para que los
mdulos MPPT puedan trabajar adecuadamente, el inversor tiene a su entrada un voltaje
constante.
Como se observa en la Figura 4-33, los convertidores MPPT estn interconectados en
serie y stos a su vez en paralelo a un inversor. El inversor pone a su entrada un voltaje
constante V
O
y obliga al conjunto de convertidores MPPT a trabajar a este voltaje.
El voltaje impuesto por el inversor V
O
es equivalente a la suma de los voltajes de
salida de los convertidores en serie; las corrientes de salida de todos y de cada uno de los
convertidores, igual a la corriente I
O
; por lo tanto, el voltaje de salida de cada convertidor
debe ser proporcional a la potencia que cada convertidor entrega, y de acuerdo a lo
estudiado en secciones anteriores, en cada convertidor MPPT elevador se debe cumplir que
V
i
V
O
e I
i
I
O
.

Tesis Doctoral

108

Figura 4-33. Mdulos con convertidores MPPT interconectados en serie en un sistema fotovoltaico
convencional
Tomando como punto de partida la eficiencia
e

CONV
del sistema de convertidores
expuesto en la Figura 4-33, se extrae una expresin que relaciona las potencias de entrada
P
m
y salida del convertidor I
O
V
O
; y se comprueba que, el hecho de poner un voltaje V
O
al
sistema fuerza a que trabajen todos los convertidores a una intensidad especfica dada por:

m
O CONV
O
P
I
V
=

(4.56)
De la expresin (4.16) y (4.56) se extrae que la relacin de conversin M(D) para
cada convertidor i tiene que cumplir:

m. O
m. CONV
( )
i
i
i
I V
M D
P
=

(4.57)
Donde M(D)
i
y I
m.i
representan respectivamente la relacin de conversin y la
corriente de mxima potencia del mdulo i, V
O
es el voltaje fijado por el inversor y P
m.i

corresponde a la suma de las potencias de todos los mdulos. Es importante mencionar que
si
CONV
est implcita en el clculo previo de V
o
, sta debe omitirse en la expresin (4.57).
Esta expresin puede reescribirse como:

m. O
m. m
1
( )
i
i
i COV
I V
M D
I V
=

(4.58)
Aqu se separan los trminos de voltaje y corriente, de los que se puede deducir que,
en condiciones normales de operacin de los mdulos, es decir, a igual irradiancia y

e
En la expresin se simplifica asumiendo que todos los convertidores tienen la misma eficiencia y su
valor es constante e independiente de la potencia de entrada.

.

.

.

.

.

.

MPPT
MPPT
MPPT
I
O1

I
O2

I
ON

V
O1

V
O2

V
ON

M 1
M 2
M 3
MPPT
V = Cte
V
O

I
i1

V
i1

V
i2

I
i2

I
iN

V
i3

O Oi
1
i
V V
=
=
O Oi
I I = i=1 ... N
Red

109
temperatura de clula, el primer trmino que relaciona las corrientes no se altera con la
variacin de la irradiancia, sin embargo, en el segundo trmino V
m
es una variable
dependiente de la temperatura, que se considera en este caso igual para todos mdulos. En
condiciones normales de operacin, M(D) cambia con las variaciones de temperatura del
mdulo con V
O
a un voltaje constante, las mximas variaciones entre 25 y 60 C implican
variaciones en el voltaje del 17 %. En mayor medida, el voltaje V
O
es el parmetro ms
significativo de la expresin e influye directamente sobre las condiciones especficas de un
desacoplamiento concreto dado en la expresin I
m.i
/( I
m.i
).
4.4.2 Relacin entre el desacoplamiento entre corrientes y el voltaje ptimo
del inversor
La propiedad ms importante de estos convertidores es su capacidad para adaptar su
corriente y el voltaje de salida cuando ocurre un desacoplamiento entre las corrientes de los
mdulos, debido tanto a la dispersin de parmetros elctricos o mismatch como al
sombreamiento parcial o a las diferencias entre inclinacin y/o orientacin. Estos efectos
suelen encontrarse con frecuencia en edificios fotovoltaicos.
Sin embargo, el convertidor tiene una tolerancia limitada a los desacoplamientos y
est impuesta por tres parmetros crticos: la relacin de conversin, el mximo
desacoplamiento entre corrientes de mdulos y el voltaje impuesto por el inversor.
Cuando un mdulo es afectado por sombras u otros efectos de tal forma que la
corriente de mxima potencia cae a un valor mas bajo que la de los otros mdulos, la
corriente de salida del convertidor tambin cae respecto a la de los otros convertidores en
serie. Por tanto, para que los dems convertidores mantengan la misma potencia que
estaban entregando antes de producirse el desacoplamiento de corrientes, stos debern
aumentar su voltaje de salida proporcionalmente, pero solo hasta un cierto lmite y es el
impuesto por la relacin mxima de conversin M(D)
MAX
. Respecto al mdulo afectado, como
al disminuir su corriente los dems convertidores aumentan su voltaje de salida, ste se ve
obligado a reducir el voltaje de salida para mantener el voltaje impuesto por el inversor, por
tanto, el incremento del sombreamiento har disminuir su relacin de conversin hasta el
lmite mnimo M(D)
MIN
=1.
Este comportamiento se puede ver con mayor claridad, tanto para el mdulo afectado
como los dems, a travs de las siguientes expresiones tomando como base la expresin
(4.58) donde se relacionan estos parmetros. Desde el punto de vista de los mdulos no
afectados, stos alcanzarn la mxima relacin de conversin, M(D)
MAX
, cuando I
i
es
mxima, max(I). Y con el objeto de poner las expresiones en trminos del desacoplamiento
entre corrientes, se define DES
i
como,
max( )
i
i
I
DES
I
= ;
Con este criterio, la expresin (4.58) queda,
Tesis Doctoral

110
O
MAX
m CONV
( )

i
i
V
M D
V DES
=

(4.59)
Desde el punto de vista del mdulo afectado, ste alcanza la mnima relacin de
conversin, M(D)
MIN
, cuando I
i
es mnima, min(I).
MAX
MIN
m CONV
( )

O
i
i
V DES
M D
V DES
=

(4.60)
MAX
min( )
max( )
i
I
DES DES
I
= =
Donde, M(D)
MAX
y M(D)
MIN
representan la relacin de conversin mxima y mnima
para el voltaje V
O
y un desacoplamiento de corrientes entre mdulos DES
i
para cada mdulo-
convertidor i y un desacoplamiento mximo DES
MAX
del mdulo afectado. M(D)
MIN

corresponde a la relacin de conversin mnima alcanzada por el convertidor asociado al
mdulo afectado y M(D)
MAX
es la correspondiente al convertidor con menos desacoplamiento
del conjunto.
El voltaje que debe fijarse en el inversor puede extraerse directamente de las
expresiones (4.59) y (4.60) para un caso concreto de desacoplamiento, evaluado en el caso
ms desfavorable, cuando los mdulos no afectados superan la mxima relacin de
conversin.
Desde el punto de vista del voltaje ptimo que se debe fijar al inversor para el caso
en que un solo mdulo se desacopla respecto al resto. De esta forma se tiene una variable
comn para el desacoplamiento DES. Corresponde entonces a las siguientes expresiones:

m MAX
' ( ) ( ( 1))
O
V V M D DES i = + (4.61)

m MIN
( 1)
'' ( )
O
DES i
V V M D
DES
+
= (4.62)
Donde V
O
en (4.61) representa el voltaje que debe fijarse a la entrada del inversor
para un determinado desacoplamiento DES en un mdulo, y donde interesa que los dems
convertidores no afectados no alcancen la mxima relacin de conversin M(D)
max
. En la
siguiente expresin, V
O
en (4.62) proporciona el voltaje que debe fijarse al inversor para un
desacoplamiento DES en un mdulo, donde interesa que ste no alcance su mnima relacin
de conversin M(D)
min
. En estas expresiones se considera que la influencia de la eficiencia del
convertidor sobre V
o
est intrnseca en el valor de M(D). Otra variable muy influyente sobre
la eleccin del voltaje V
O
, es el voltaje del mdulo V
m
, que en condiciones normales de
operacin vara con la temperatura, la cual puede cambiar nuestro criterio de eleccin en un
17 %. Otro aspecto importante es que, en condiciones de sombreamiento, V
m
puede tambin
variar dependiendo de donde se encuentre el MPP absoluto del mdulo, como se ver ms
adelante.

111
Puede adems observarse que en las expresiones (4.61) y (4.62) no se ha tenido en
cuenta la eficiencia del convertidor, esto se debe a que en la expresin se considera ya
asumido en el valor de la relacin de conversin M(D).
Las expresiones anteriores pueden representarse grficamente como se muestra en
la Figura 4-34, la cual proporcionar una informacin ms prctica sobre el comportamiento
del convertidor a diferentes voltajes del inversor.

Figura 4-34 Grfica que relaciona la el voltaje Vo ptima y el desacoplamiento de un mdulo en un
sistema compuesto por cuatro mdulos-convertido en serie.
El sistema que se muestra corresponde a un mdulo I-70R/12 acoplado a un
convertidor con M(D)
max
=2 y M(D)
min
=1 en un sistema de 4 convertidores en serie, con la
eficiencia igual a la unidad (ya considerado en el valor de M(D)) y unas condiciones de
irradiancia y temperatura
f
elegidas del AMT de la Tabla 4-1 con G=858 W/m
2
y Tc=52 C. En
la Figura 4-34 se muestran los grficos que relacionan el voltaje V
O
ptimo y el porcentaje
de desacoplamiento sobre un mdulo. Puede observarse como cada voltaje del inversor
elegido establece un margen mximo de desacoplamiento; tanto para el convertidor asociado
al mdulo afectado, para el cual M(D) es mnimo; como para los dems convertidores, para
los que M(D) es mximo. Por ejemplo, suponiendo el caso en el que se produce el mximo
desacoplamiento (cercano al 90%) y se desea que los convertidores no afectados no lleguen
al lmite M(D)=2, el voltaje ptimo del inversor debe ser menor o igual a 90 V, en este caso
el sistema podra aprovechar la potencia mxima del mdulo afectado solo hasta un
desacoplamiento mximo del 40% (para exactamente 90 V). Puede verse tambin como
para voltajes V
O
menores de 90V, los convertidores no afectados podran tolerar el mximo
desacoplamiento (1-DES=100 %). La siguiente expresin simplificada puede ser utilizada en
el caso de considerar un solo mdulo con el mximo desacoplamiento:

f
Como haba analizado en la seccin anterior, la eleccin del nivel de irradiancia no es un factor
influyente en la eleccin de la el voltaje Vo, sin embargo la temperatura si.
Vo ptimo respecto al desacoplamiento sobre un
mdulo en un sistema de 4 mdulos I-70R/12 serie
para M(D) [1;2]
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150
Vo (V)
D
E
S

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
o

=

1
-
D
E
S
Vo vs (1- DES) para el
mdulo afectado
Vo vs (1-DES) para el
resto de mdulos
Tesis Doctoral

112

O min CS max CONV
( -1) ( ) V V M D = (4.63)
Siendo N
CS
el nmero de convertidores en serie y V
min
es el voltaje mnimo de los
mdulos a la temperatura de operacin mxima.
La Tabla 4-2 muestra los parmetros elctricos del sistema expuesto como ejemplo
en el cual se fija el voltaje del inversor a V
O
=90 V y en el que se produce un
desacoplamiento en el primer mdulo-convertidor del 40%. En primera fila se muestra el
convertidor asociado al mdulo FV 1 sin sombreamiento y a continuacin los parmetros
elctricos del sistema total compuesto por cuatro convertidores. Se puede ver como la
relacin de conversin M(D) baja al mnimo permitido M(D)=1 (D=0) para el mdulo
afectado, mientras que la de los dems convertidores se incrementa. Esto hace que el voltaje
de salida del convertidor afectado disminuya y el de los otros convertidores aumente, de tal
forma que el voltaje total del sistema se mantenga constante a 90 V. La corriente de salida
I
O
disminuye debido al sombreamiento, su valor es igual para todos los convertidores y se
calcula de acuerdo a la expresin (4.56). Desde el punto de vista de la impedancia de salida,
la imposicin de un voltaje constante a la salida del sistema y una misma intensidad para
todos los convertidores que disminuye con el nivel de desacoplamiento, hace que la
impedancia total del sistema aumente, disminuyendo para el mdulo-convertidor afectado y
aumentando para los dems.
MPPT

G
(W/m
2
)
Tc
(C)
1-DES
%
Im
(A)
Vm
(V)
Pi
(W)
D

M(D)

Io
(A)
Vo
(V)
Po
(W)
Zi
()
Z
()
1 858 52 0% 3.6 15.1 54 0.33 1.5 2.4 22.5 54 4.2 9

Sistema completo 60.2 216 2.4 90 216 38

1 858 52 40% 2.2 15.1 32.4 0 1 2.2 15 32.4 7 7
2 858 52 0% 3.6 15.1 54 0.4 1.7 2.2 25 54 4.2 12
3 858 52 0% 3.6 15.1 54 0.4 1.7 2.2 25 54 4.2 12
4 858 52 0% 3.6 15.1 54 0.4 1.7 2.2 25 54 4.2 12

Sistema completo 60.2 194 2.2 90 194 42
Tabla 4-2 Parmetros elctricos de un sistema de cuatro mdulos-convertidor conectados en serie, en el
que se produce un desacoplamiento en corrientes del 40% en uno de ellos.
Es importante sealar que los modelos de comportamiento desarrollados y expuestos
en esta seccin solo son vlidos en los rangos impuestos por los lmites M(D)
MIN
y M(D)
MAX
,
es decir, en los que no se supera el mximo desacoplamiento. Por otro lado, los efectos
producidos por el sombreamiento y suciedad originan desacoplamientos entre corrientes que
dependen de la caracterstica P-V del generador y de la zona de la superficie donde se
produce.
En el captulo 3 se estudi el comportamiento de la caracterstica P-V de mdulos
bajo sombreamiento, all se explic que para un mismo desacoplamiento, el voltaje de
mxima potencia puede variar segn donde se encuentra el MPP. En el caso que se estudia,
si se produce un sombreamiento mayor al 60% sobre una clula, se generan dos MPP, el
MPP absoluto tendr un voltaje de aproximadamente 7 V sin que se produzca

113
desacoplamiento, mientras que el MPP relativo estar a 15,1 V y un desacoplamiento mayor
al 40%. En este caso, el convertidor operar en el MPP absoluto, con un voltaje igual a la
mitad y sin desacoplamiento, es decir, II
m
. Como se haba visto antes, la relacin de
conversin M(D) es proporcional al cambio en V
m
de acuerdo a (4.59) y (4.62), por tanto, en
la prctica puede suceder que aunque no se produzcan desacoplamientos en corrientes, los
cambios de voltaje de un mdulo pueden provocar cambios en M(D). Incluso, suponiendo el
caso de un sombreamiento total sobre un mdulo, no se puede asegurar que el mdulo
tenga un desacoplamiento mximo manteniendo un voltaje de entrada fijo, lo ms probable
es que el convertidor disminuya el voltaje muy rpidamente (ver figura 3.21 del captulo 3),
provocando que se precipite al lmite M(D)
min
del mdulo afectado y M(D)
max
al de los
convertidores incluidos en la misma serie.
En la Tabla 4-3, se muestra otro ejemplo igual al de la Tabla 4-2 pero en el que se
produce un sombreamiento sobre el mdulo asociado al convertidor 1 con al menos el 75%
de rea cubierta sobre una clula. Tomando como base el estudio de sombreamiento visto en
el captulo 3, el punto de mxima potencia absoluto estar ubicado en el lado ms bajo en el
voltaje de la curva, con un valor de aproximadamente igual a la mitad del valor de V
m
y con
una intensidad igual al valor de I
m
. El resultado es que no existe desacoplamiento de
corrientes pero si hay una diferencia en el voltaje que hace que se incremente la relacin de
conversin de todos los convertidores de acuerdo a la expresin (4.58).
MPPT

G
(W/m
2
)
Tc
(C)
1-DES
%
Im
(A)
Vm
(V)
Pi
(W)
D

M(D)

Io
(A)
Vo
(V)
Po
(W)
Zi
()
Z
()
1 858 52 0% 3.58 7.1 25.4 0.42 1.72 2.08 12.2 25.4 1.98 5.9
2 858 52 0% 3.58 15.1 54.0 0.42 1.72 2.08 25.9 54.0 4.20 12.5
3 858 52 0% 3.58 15.1 54.0 0.42 1.72 2.08 25.9 54.0 4.20 12.5
4 858 52 0% 3.58 15.1 54.0 0.42 1.72 2.08 25.9 54.0 4.20 12.5

Sistema completo 52.3 187.4 2.08 90.0 187.4 43.2
Tabla 4-3 Parmetros elctricos de un sistema de cuatro mdulos-convertidor conectados en serie, en el
que se produce un sombreamiento sobre un mdulo con al menos un 75% de rea cubierta sobre una
clula.
4.5 Anlisis comparativo de la mejora en potencia de convertidores MPPT
respecto a un sistema convencional desde el punto de vista de la
caracterstica P-V del generador
Como se ha estudiado en el apartado anterior, el comportamiento de los
convertidores interconectados depende no solo del desacoplamiento entre las corrientes de
sus mdulos asociados, sino tambin su caracterstica I-V.
En este apartado se hace un anlisis ms detallado mediante simulacin por
ordenador del comportamiento de los convertidores MPPT considerando el rea y zona
afectada por sombras en la superficie de los mdulos. Para llevar a cabo este propsito, se
ha desarrollado un software desarrollado en C++, el MPPT Tracer, el cual reproduce la
curva I-V y P-V de cada mdulo y de todo el generador fotovoltaico. En este software se
utilizan los modelos desarrollados en el apartado 4.4 para convertidores MPPT Boost
conectados en serie.
Tesis Doctoral

114
El objetivo principal de esta simulacin es realizar un anlisis comparativo, bajo
determinadas condiciones de sombreamiento, de las mejoras de potencia de entrada en el
uso de convertidores MPPT respecto a un sistema fotovoltaico conectado a red convencional.
4.5.1 Caractersticas del software de simulacin MPPT Tracer
El software ha sido desarrollado en lenguaje C++ bajo un entorno grfico Win32
(S.O. Windows) que incorpora las siguientes caractersticas y funciones:
Simulacin de las curvas I-V y P-V de generadores fotovoltaicos de hasta 12
mdulos conectados en serie. Con las siguientes opciones:
o Los parmetros de entrada de las caractersticas elctricas de los mdulos
en CEM, el nmero de mdulos conectados en serie, las condiciones de
irradiancia difusa y global y de la temperatura de clula.
o Sombreamiento parcial sobre clulas bajo un mismo diodo de paso. Se
selecciona el porcentaje de rea cubierta entre 0 y 100% y el nmero de
clulas afectadas. El programa solo admite mdulos con diodos de paso en
configuracin serie (utilizados en la mayora de mdulos comerciales) con
dos diodos por mdulo.
Localizacin de los MPP absoluto y relativo que vera un inversor convencional y
los que vera en el caso de mdulos MPPT. Se muestra el factor de mejora
(expresado grficamente como ganancia) en potencia generada (como el que
se expuso en la Figura 4-33).
El programa evala el comportamiento de los convertidores de sus parmetros
elctricos de salida y relacin de conversin. Muestra adems su estado de
operacin y diagnstico con el objeto de verificar si se encuentran dentro de los
rangos de funcionamiento adecuados. Tiene como parmetros de entrada el
voltaje V
O
del inversor, la mxima relacin de conversin de los convertidores y
la eficiencia.
En la Figura 4-36 se muestra el aspecto de la ventana de visualizacin del programa
MPPT Tracer cuando se simula un sistema de cuatro mdulos en serie I-70R/12, en el que se
realiza un sombreamiento producido por un obstculo hipottico que proyecta una sombra
entre el primero y segundo mdulo. La sombra se produce de tal forma que; en el primer
mdulo cubre el lado izquierdo en un 45% sobre 4 clulas y la totalidad del lado derecho
sobre otras 4 clulas; sobre el segundo mdulo cubre totalmente 4 clulas del lado izquierdo
y un 35% sobre 4 clulas del otro lado. La situacin se ve con ms detalle en la Figura 4-35.
Todos stos parmetros de sombreamiento y los asociados al mdulo convertidor e
inversor son introducidos en la ventana de configuracin del programa, como puede verse en
la Figura 4-37 para el ejemplo que se trata.


115

Figura 4-35. Sombreamiento sobre dos mdulos en la simulacin con MPPT Tracer
En la Figura 4-36 se muestra la curva I-V y P-V del generador en el que se identifican
cuatro MPP, que se producen debido al funcionamiento normal de los diodos de paso en los
mdulos sombreados. Existe entonces un MPP absoluto a 107 W y tres relativos de 104 W,
106 W y 13 W. Como se estudi en el captulo 2 Estado del Arte, en un sistema
convencional conectado a red, el algoritmo MPPT del inversor realiza pequeos incrementos y
decrementos iterativos del voltaje de tal forma que la potencia sea la mxima alcanzada,
decisin que depende del estado o medida anterior. En este caso, sera difcil para el inversor
pueda identificar cual de los codos de la curva P-V, donde su ubican los puntos de mxima
potencia (MPPs), ser el mximo absoluto; que en cualquier caso el inversor estara saltando
de un punto a otro, lo cual generara prdidas. Este fenmeno puede provocar prdidas del
MPPT en el inversor, que en este ejemplo podra llegar hasta el 82 % respecto al MPP
absoluto.

Figura 4-36. Aspecto del programa MPPT Tracer con un ejemplo de sombreamiento sobre 4 mdulos

+

_

+

_

+

_

+

_

45% 100%
35%
Tesis Doctoral

116
En la parte inferior de la ventana se muestran los valores mximo y mnimo de
potencia posibles que encontrar un supuesto inversor convencional. A continuacin, se
exponen los valores correspondientes a la potencia alcanzada utilizando convertidores MPPT
elevadores, como tambin los parmetros elctricos de salida y la relacin de conversin
mxima (en los convertidores no afectados) y mnima (en los convertidores afectados)
alcanzada. A modo de diagnstico, se puede observar el estado actual de los convertidores
tomando como referencia M(D)
max
y M(D)
min
, en tres estados: ok MPPT como operacin
normal, Prdida Parcial cuando M(D)<M(D)
min
y Prdida Total cuando M(D)>M(D)
max
.
Finalmente, se expone la prdida de potencia de un hipottico inversor ideal respecto a la
potencia extrada por el conjunto de convertidores MPPT, que en el ejemplo expuesto
corresponde al 26 %.
De este mismo modo se han realizado diversas simulaciones considerando
situaciones de sombreamiento parcial, con resultados parecidos. Se ha encontrado un factor
de mejora siempre por encima del 10%. Estos resultados han permitido conocer a priori el
comportamiento de los convertidores en determinadas situaciones concretas, las cuales ha
contribuido significativamente en la programacin del protocolo de ensayos del captulo 5.

Figura 4-37 Ventana de configuracin del programa de simulacin MPPT Tracer para el ejemplo
concreto de cuatro mdulos-convertidor en el que se sombrean dos mdulos
4.5.2 Comportamiento de los convertidores MPPT respecto al nivel de
sombreamiento sobre una clula
Para realizar este anlisis, es necesario volver a la seccin 3.6.1 del captulo 3
Caracterizacin de generadores fotovoltaicos que corresponde a los ensayos de
sombreamiento sobre un mdulo con diodos de paso en configuracin serie. Tomando como
suposicin que las sombras producidas sobre una sola clula afectan al 50 % de la curva I-V
de un mdulo con dos diodos de paso en configuracin serie, en la seccin 3.6.1 se
estudiaron los niveles de sombreamiento sobre una clula, y se observ (figura 3.19) que al
aumentar el rea sombreada, el punto de mxima potencia se trasladaba desde el lado
afectado por la sombra hasta el lado no sombreado. En un sistema compuesto por mdulos
puestos en serie, la parte del mdulo correspondiente al lado no sombreado (donde se ubica
el MPP absoluto) formar parte de la curva I-V de todo el sistema. Esta transicin hace que
la potencia mxima de la curva P-V de todo el sistema sea igual a la suma de las potencias

117
mximas de los mdulos individuales. En definitiva, el desacoplamiento desaparece en un
hipottico mdulo MPPT sombreado, y por tanto, no es posible aprovechar la potencia del
mdulo afectado para mejorar la potencia del sistema.
Con el fin de reproducir los ensayos de sombreamiento realizados en el captulo 3, en
la Figura 4-38 se muestra el resultado de simulacin MPPT Tracer de la transicin del MPP del
lado sombreado al no sombreado segn el nivel de sombreamiento sobre una clula. Aqu, el
convertidor solo aprovecha la potencia extrada del mdulo por debajo del 60 % de
sombreamiento. Tambin puede comprobarse que el mximo factor de mejora se consigue al
30 % del nivel de sombreamiento sobre una clula, consiguiendo un 9% en potencia para el
ejemplo concreto de sombrear una sola clula de un mdulo. Esto tambin puede verse en la
curva P-V del generador mostrado en la Figura 4-39, donde el valor de potencia del MPP
relativo de curva P-V de la zona sombreada alcanza al MPP absoluto de la curva P-V no
sombreada, consiguiendo as el factor de mejora mximo. De igual forma, para obtener la
mxima ganancia con sombreamientos sobre otras clulas ubicadas en zonas distintas de
influencia de los diodos de paso, es necesario que sus MPP relativos estn al nivel ms
cercano del MPP absoluto de la curva del generador. Este caso es el que se muestra en el
ejemplo expuesto en la seccin anterior, Figura 4-36, donde los sombreamientos de 45 % y
35 % sobre los mdulos 1 y 2 logran aprovechar la mayor rea P-V del sistema; puede
notarse adems que sus lados sombreados al 100% no forman parte de la curva I-V del
generador donde est ubicado el MPP absoluto. Sin embargo, este es un caso muy concreto,
pero que puede producirse en la prctica.
En el caso de mdulos con un solo diodo de paso, el efecto de transicin desaparece
y el anlisis se simplificara asumiendo que un perfil de sombra con un rea igual o menor a
la de una clula afectara a toda la potencia del mdulo. En caso de usarse mdulos MPPT,
solo podra aprovecharse el paso de una sombra durante un tiempo muy breve, tan solo el
20% del tiempo en el mejor de los casos
g
, durante el tiempo restante el mdulo MPPT no
podra aprovechar su potencia, y en contra, el desacoplamiento de corriente sera mximo.
Los mdulos con ms de un diodo permiten: por un lado, ampliar las posibilidades de
sombreamiento (en cuanto a la forma y tamao) aislando la zona de generacin de potencia
del mdulo; y por otro, aprovecha la potencia del mdulo afectado por ms tiempo, esto
significa mayor energa.
El anlisis, en el que un mdulo MPPT puede aprovechar su potencia, en funcin del
mximo sombreamiento, S, sobre una clula, y el nmero de diodos N
d
de paso del mdulo,
puede expresarse de forma muy aproximada como:

1
(%)
d
S
(4.64)
En el caso estudiado de dos diodos, con un sombreamiento mayor al 50% el mdulo
ya no es aprovechable, para tres diodos solo hasta el 33% y as sucesivamente.

g
Que corresponde a la longitud de una clula respecto a la del lado corto de un mdulo tpico de 36
clulas (En este caso el I-70 R).
Tesis Doctoral

118
Generalizando para sombreamientos sobre todas las zonas de influencia de los diodos y con
el fin de ubicar, de forma muy aproximada, los puntos mximos de la curva P-V del mdulo,
pueden considerarse las siguientes expresiones para su estudio,
(1 )
i i m i
P V I S = ;
( 1)
( )
d
i m
d
i
V V

= ; iN
d
(4.65)
V
m
e I
m
son el voltaje y corriente del mdulo a CEM, P
i
y V
i
corresponden a los puntos
P-V de la curva, empezando (i=1) en el extremo derecho de la curva, donde S
i
es mayor, y
terminando en el extremo izquierdo (i=N
d
), donde S
i
es menor. Puede extenderse esta
expresin a nivel de generadores fotovoltaicos.

Figura 4-38 Simulacin que muestra la transicin del MPPT en un mdulo fotovoltaico sombreado
Simulacin de la ganancia en potencia de convertidores MPPT respecto
a un inversor convencional desde el punto de vista de su caracterstica P-V
V (V)
20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0
I

(
A
)
4
3
2
1
0
P

(
W
)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V (V)
20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0
I

(
A
)
4
3
2
1
0
P

(
W
)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V (V)
20 18 16 14 12 10 8 6 4 2 0
I

(
A
)
4
3
2
1
0
P

(
W
)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Sombreamiento 50% sobre una clula
Pm convertidor > Pm extrada del inversor
Transicin: Pm convertidor Pm extrada del inversor
Pm convertidor = Pm extrada del inversor

119

Figura 4-39 Resultado de simulacin de la curva caracterstica de un sistema de cuatro mdulos en serie
con un mdulo sombreado el 30% sobre una clula.
4.6 Simulacin energtica de convertidores MPPT e inversores
convencionales en un sistema fotovoltaico real: La Prgola Fotovoltaica
del Palacio de la Moncloa
4.6.1 Objetivo
Hasta el momento se han realizado diferentes simulaciones de potencia de
convertidores MPPT en diferentes situaciones de sombreamiento. En este ltimo apartado se
pretende realizar una simulacin energtica anual de convertidores MPPT en una instalacin
real en la que los mdulos presentan diferentes orientaciones e inclinaciones.
La prgola fotovoltaica del Palacio de la Moncloa en Madrid [1] exterioriza un diseo
innovador de integracin arquitectnica, en el que se presentan seis situaciones de mdulos
con diferente inclinacin y orientacin en un mismo string. Es un ejemplo muy prctico para
poder evaluar los convertidores MPPT en una situacin concreta.
Para este propsito ha sido necesario ampliar los modelos matemticos de
comportamiento de mdulos MPPT para el caso de varios mdulos en un mismo string con
orientacin e inclinacin diferentes. De igual forma se ha tomado como base los modelos
convencionales de radiacin solar para estimar la energa captada por cada superficie de las
seis situaciones de inclinacin y orientacin presentes en la prgola.
4.6.2 Sistema Fotovoltaico de la Prgola de la Moncloa
La prgola fotovoltaica de la Moncloa fue inaugurada en el ao 2000 para conformar
el llamado "Parque Temtico Solar de La Moncloa" e inaugurar la entrada en vigor del Real
Decreto 1663/2000 de 29 de septiembre, sobre conexin de instalaciones fotovoltaicas a la
red de baja tensin.

V (V)
80 70 60 50 40 30 20 10 0
I

(
A
)
4
3
2
1
0
P

(
W
)
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Tesis Doctoral

120
4.6.2.1 Estructura de la prgola
En la Figura 4-40 se muestran dos fotografas de la prgola y una infografa [1]. En la
vista de perfil mostrada en la Figura 4-41, se puede apreciar la forma de media luna
conseguida mediante la imposicin a los mdulos de tres inclinaciones 12.6, 7.6 y 2.6 y
con azimut de 56 y -124.

Figura 4-40. Ilustracin y Fotografa de la prgola fotovoltaica de la Moncloa.

Figura 4-41 Perspectiva lateral de la Prgola de la Moncloa donde se muestra las inclinaciones de los
mdulos y orientacin de la estructura
4.6.2.2 El generador fotovoltaico
El generador fotovoltaico tiene una potencia total de 41.4 kWp y est compuesto por
dos instalaciones; la primera denominada Campo A de 144 mdulos Tipo A de 135 Wp y
clulas fabricadas por Isofotn; la segunda denominada Campo B de 144 mdulos Tipo B
de 136 Wp y clulas de fabricadas por BP Solar. Los mdulos fueron fabricados por Atersa y
diseados especialmente para la integracin arquitectnica en la prgola, hechos de tedlar
transparente y sin marco de aluminio, con dimensiones de 1.2 x 1.2 m y caja de conexin
con un solo diodo by-pass. En la Tabla 4-4 se muestran las caractersticas elctricas de
ambos mdulos.

12,6

7,6
2,6
+56

-124
-124 +56

SUR (0) ESTE (-90)

121

Mdulo A - Clulas Isofotn Mdulo B - Clulas BP Solar
Dimensiones: 1200 x 1200 1 mm Dimensiones: 1200 x 1200 1 mm
Vidrio frontal: 8 mm, con 4 taladros Vidrio frontal: 8 mm, con 4 taladros
Reverso: Tedlar transparente Reverso: Tedlar transparente
Potencia: 144 Wp 5 % (datos
fabricante)
Potencia: 144 Wp 5 % (datos
fabricante)
Im: 15 A Vm: 9,6 V Im: 18,5 A Vm: 7,8 V
TNOC: 43,3 C TNOC: 39 C
Clulas: 5 x 20 clulas de 4 (103 mm) Clulas: 4 x 16 clulas de 5 (125 mm)
Caja de conexin: 1 (IP 6.5), diodo by-pass Caja de conexin: 1 (IP 6.5), diodo by-pass
Tabla 4-4 Caractersticas elctricas (proporcionados por el fabricante) de los mdulos fotovoltaicos Tipo
A y Tipo B de la prgola de la Moncloa.

Cada campo fotovoltaico A y B est formado por 4 ramas en paralelo de 36
mdulos en serie por rama. En la Figura 4-42, se muestran las interconexiones de los
mdulos en la prgola y en la Figura 4-43 el esquema elctrico del sistema.
Figura 4-42. Interconexin de strings del campo A (izquierda) y B (derecha) en la prgola de la Moncloa

+
A1
+
A3
_
+
A4
_
+
A2
_ + _
B1 + _
B3
+
_
B4
B2
+A4
+A3
A1+
A2+
Tesis Doctoral

122

Figura 4-43. Esquema elctrico de cada instalacin del sistema fotovoltaico de la prgola de la Moncloa
4.6.2.3 Inversores
Cada campo Tipo A y Tipo B tiene un inversor trifsico de 18 kW modelo ACEF
SOLAR del fabricante Enertron
h
. Debido a que los mdulos tienen voltajes diferentes (V
M,A

V
M,B
20%), se ha cambiado el rango de voltaje del MPPT del inversor para cada campo,
siendo 290 a 400 V para el inversor del campo A y 235 a 325 V del correspondiente al campo
B. Ambos inversores tienen salida trifsica 380 V con una eficiencia de conversin del 95%.
4.6.3 Modelo de comportamiento de convertidores MPPT elevadores en
mdulos fotovoltaicos conectados en serie con diferente orientacin e
inclinacin
4.6.3.1 Relacin de conversin y voltaje del inversor
En la seccin 4.4 se estudi el comportamiento de convertidores MPPT en la condicin
particular del desacoplamiento de la corriente de un solo mdulo en un string. En este
apartado se pretende generalizar el comportamiento de los convertidores MPPT a un
conjunto de mdulos con diferentes desacoplamientos de corrientes en un mismo string. Este
caso corresponde en la prctica a la situacin de diferentes inclinaciones y orientaciones, que
en definitiva, corresponde a diferente irradiancia, y en consecuencia a desigualdades en las
corrientes.

h
Comprada por la empresa Gamesa.
36 mdulos
en serie
=

Red
-
+
-
+
Mdulo FV
Diodo de anti-
paralelo
Fusible
seccionable
Descargador de
sobreel voltaje

=

Inversor

123
La expresin (4.58) se puede entonces reescribir como:

m.i O
m.MAX i m CONV
1
( )
i
I V
M D
I DESg V
=
(4.66)
en el que se ha sustituido, en el denominador, el trmino de la sumatoria de
corrientes de los mdulos por:

m. m.MAX
i i
I I DESg =

donde,

MAX
i
i
G
DESg
G
= (4.67)
Es decir, se sustituye la corriente del mdulo i I
m.i
por la relacin entre la corriente
mxima del conjunto I
m.MAX
y la relacin entre la irradiancia de ste mdulo, G
i
, y la mxima
G
MAX
del grupo de mdulo conectados en serie.
Por tanto, se obtiene la mxima relacin de conversin M(D)
MAX
del sistema cuando
I
m.i
es mxima, sustituyendo el trmino por I
m.MAX
, y V
m
es mnima cambiado a V
m.MIN
. La
expresin (4.66) resulta,

m.MAX O
MAX
m.MAX m.MIN CONV
1
( )
i
I V
M D
I DESg V
=

Que en definitiva queda,

O
MAX
m.MIN
1 1
( )
i COV
V
M D
DESg V
=

(4.68)
De aqu puede extraerse el voltaje de entrada al que debera configurarse el inversor
quedando,

O MAX m.MIN
( )
i
V M D DESg V =
(4.69)
Como puede observarse, en esta ltima expresin se omite la eficiencia del
convertidor por considerarse dentro del parmetro M(D).
4.6.3.2 Generalizacin para mdulos que comparten la misma inclinacin y
orientacin
En un string varios mdulos comparten la misma inclinacin y orientacin, con lo que
el trmino DESg
i
ser igual para los mdulos con una inclinacin y orientacin i. En la
expresin (4.69) se aade el trmino N
i
que representa el nmero de mdulos con la misma
inclinacin y orientacin i, quedando entonces,

O MAX m.MIN
( )
i i
V M D DES V =
(4.70)
Tesis Doctoral

124
Y para el clculo de la corriente de salida del conjunto de convertidores MPPT
conectados en serie ser:

O. O CONV
O
i i
i
P
I I
V
= =

(4.71)
Para cada convertidor, su voltaje de salida ser:

O CON
O
i
.i V
P
V =
I
(4.72)
Y la relacin de conversin del voltaje,

O.
( )
i
i
i
V
M D
V
= (4.73)
Puede entonces comprobarse finalmente que relacionando M(D)
i
con la relacin de
conversin de las corrientes M(D)
I.i
, se llega a,

I.
( )
(%) 100%
( )
i
COV
i
M D
M D
= (4.74)
4.6.4 Procedimiento de clculo para la simulacin
Se realizan dos simulaciones independientes del sistema fotovoltaico de la prgola de
la Moncloa. El primero, se lleva a cabo considerando el mismo sistema fotovoltaico sin
modificaciones, mientras que en el segundo se consideran convertidores MPPT por mdulo y
el inversor ACEF Solar funcionando a voltaje de entrada constante V
O
.
4.6.4.1 Radiacin solar sobre las superficies
Los datos de entrada para el modelo han sido los valores promedio diario mensual de
la radiacin global G
dm
(0), obtenidos del Ao Meteorolgico Tpico para Madrid proporcionado
por el Instituto de Energa Solar.
Cada valor de G
dm
(0) se utiliza para determinar, primero, sus componentes de directa
B
dm
(0) y difusa D
dm
(0) y segundo, la distribucin horaria de esos componentes a lo largo del
da tpico del mes correspondiente utilizando las expresiones de Liu y Jordan [5] y Willer.
A partir de estos dos valores, se calculan y suman los valores de los tres
componentes de la irradiancia incidente sobre la superficie receptora: directa, difusa y
reflejada, como se expresa a continuacin,
( , ) ( , ) ( , ) ( , ) G B D R = + + (4.75)
Donde,
es el ngulo de inclinacin
, el ngulo de azimut

125
G(,) es la irradiancia global
B(,) es la irradiancia directa
D(,) es la irradiancia difusa
R(,) es la irradiancia reflejada, considerando la reflectividad del suelo de =0.2.
Segn la experiencia [6], se obtienen mejores resultados en el clculo de la radiacin
difusa considerando el modelo anisotrpico. Hay y Devies (1980) [6][7] propusieron
considerar la radiacin difusa compuesta por dos componentes, la componente circunsolar
proveniente directamente desde la direccin del sol, y la componente isotrpica proveniente
del resto del cielo.
4.6.4.2 Clculo de la temperatura ambiente
El comportamiento de la temperatura de los mdulos fotovoltaicos depende de
temperatura ambiente. A partir de los registros de temperatura mxima, T
aM
, y mnima, T
am
,
diaria, el modelo de clculo utilizado [6] se basa en los siguientes criterios:
La temperatura mnima, T
am
, ocurre al amanecer
La temperatura mxima, T
aM
, ocurre dos horas despus del medio da solar
Entre estos dos tiempos, la temperatura ambiente se desarrolla de acuerdo a
dos semiciclos de una funcin coseno: una antes del medio da solar y otra
despus y hasta el amanecer del siguiente da.
4.6.4.3 Procedimiento de clculo para la simulacin del sistema fotovoltaico
de la prgola de la Moncloa con mdulos MPPT
El procedimiento de clculo consiste en los siguientes pasos:
1. Se realiza el clculo por string y para cada Campo A y Campo B.
2. Para cada hora del da tpico del mes y cada una de las seis superficies con
diferente inclinacin y orientacin presentes en la prgola:
a. Se realiza la extrapolacin del voltaje V
m
(mxima potencia) y la
corriente I
m
del mdulo de las condiciones estndar a la condiciones
de temperatura de clula e irradiancia sobre su superficie.
b. Clculo del desacoplamiento entre corrientes utilizando la expresin
(4.67) y hallando el valor mnimo del voltaje V
m
. Con estos dos
valores se calcula el voltaje de entrada ptimo del inversor utilizando
la expresin (4.70).
c. El voltaje V
O
que debe programarse en el inversor ser el mnimo
valor de los calculados para los 12 meses del ao.
Tesis Doctoral

126
d. Clculo de los parmetros elctricos de salida I
O
, V
O
y M(D) de cada
convertidor MPPT, tomando como punto de partida el voltaje
programado por el inversor.
e. Se suman las contribuciones de potencia de entrada de los
convertidores para las seis superficies. Finalmente, se calcula la
energa diaria generada por cada string.
3. En el caso del inversor correspondiente al Campo A, el valor final V
O

corresponde al valor promedio de los strings individuales. Esto se debe a que
en el campo A el nmero de mdulos N
i
con la misma inclinacin y
orientacin varia en cada string, consecuentemente el valor V
O
vara
ligeramente.
4. Se suma la energa generada por todos los strings para cada campo A y
B.
Consideraciones en los clculos de simulacin:
1. Todos los mdulos del generador tienen idnticas caractersticas elctricas,
esto quiere decir que no se consideran efectos de mismatch.
2. Se desprecian las prdidas del convertidor MPPT cuando M(D)
i
<M(D)
MIN

presente durante la primera y ltima hora de cada da tpico. Esta
consideracin representa una desviacin del 0,8 % respecto al clculo de
energa total durante un da tpico del mes.
3. Se considera cero la potencia generada de todo el string cuando la irradiancia
sobre una de las seis superficies es menor a 25 W/m
2
.
4. Pese a la aproximacin de V
O
del procedimiento 3, las diferencias del valor
ptimo de V
O
para los strings del Campo A, no afectan significativamente a la
relacin de conversin entre convertidores.
4.6.4.4 Procedimiento de clculo para la simulacin del sistema fotovoltaico
actual de la prgola de la Moncloa
El procedimiento de clculo consiste en los siguientes pasos:
1. Se realiza el clculo por string y para cada Campo A y Campo B.
2. Para cada hora del da tpico del mes y cada una de las seis superficies con
diferente inclinacin y orientacin presentes en la prgola:
a. Se realiza la extrapolacin del voltaje V
m
(mxima potencia) y la
corriente I
m
del mdulo de las condiciones estndar a la condiciones
de temperatura de clula e irradiancia sobre su superficie.
3. Las seis superficies generan 6 corrientes distintas en cada string. Por tanto,
para generar los puntos de la curva I-V del string ((I
S.i
, V
S.i
), string s
superficie i) se ordenan las seis corrientes I
m.i
de mayor a menor y se suma

127
el voltaje (multiplicados por el nmero de mdulos N
i
) al correspondiente al
punto I-V anterior V
S.i-1
. De esta forma se generan seis codos con seis puntos
mximos, donde cada i corresponde a los valores relacionados con cada una
de las seis superficies. Queda entonces resumido lo anterior con la siguiente
expresin para el string:

s.i s.i m.i m.i+1 m.n i m.i s.i-1
1
( , )=( ... , )
n
i
I V I I I V V
=
> > +
, con V
s.0
=0 (4.76)
Donde n representa la cantidad de superficies con uno o ms mdulos N
i

por superficie.
4. El siguiente paso es unir en paralelo las curvas I-V de los cuatro strings. Para
esto se generaran 4 puntos (I
s.i
,V
s.i
) para cada superficie (una misma
corriente); es decir, en total de 24 puntos. Se hallan entonces los puntos de
la curva I-V (I
g.i
, V
g.i
) de todo el generador para cada campo A y B,
sumando las corrientes que se corresponden con cada valor de voltaje de la
curva. Finalmente, se calculan los puntos de la curva P-V (P
g.i
,V
g.i
) del
generador y se elige el punto de mayor potencia de todos como el valor
ltimo que el inversor impone al generador.
Consideraciones en los clculos de simulacin:
1. Todos los mdulos del generador tienen idnticas caractersticas elctricas,
esto quiere decir que no se consideran efectos de mismatch.
2. Se desprecian las prdidas debidas a errores (dinmicos y estticos) en el
MPPT del inversor; es decir, 1
MPPT
= . Adems, se considera que en
presencia de varios puntos mximos relativos, el inversor trabaja siembre en
el mximo absoluto.
4.6.5 Resultados de la simulacin
La simulacin ha sido realizada utilizando programacin en Excel, con la ayuda de
macros (Visual Basic) que realizan el ordenamiento de variables y el clculo y suma de las
curvas I-V y P-V del generador.
En la Tabla 4-5 se resumen los datos de partida para realizar la simulacin y las
caractersticas del sistema fotovoltaico considerado. En primera fila se muestra el nmero de
mdulos N
i
para cada una de las 6 superficies de cada campo fotovoltaico A y B. Como se
puede observar, el campo A tiene 2 arrays que difieren en el nmero de mdulos (N
i
) con la
misma inclinacin y orientacin; mientras que el campo B tiene la misma cantidad de
mdulos, como puede comprobarse en la interconexin de stos en la Figura 4-42. A
continuacin, se muestran las caractersticas elctricas de los mdulos y del inversor para
cada campo.
Tesis Doctoral

128
Array A1 y A3 Array A2 Array A4
1 (+56;12.6) 5 9 5
2 (+56;7.6) 6 7 5
3 (+56;2.6) 7 5 5
4 (-124;2.6) 7 5 5
5 (-124;7.6) 6 5 7
6 (-124;12.6) 5 5 9
TIPO
Modelo
Ns
Np
NOCT (C)
Pmax (W)
Imax (A)
Vmax (V)
Modelo
Potencia nominal (kW)
Voltaje Mnimo MPPT (V)
Voltaje Mximo MPPT (V)
Voltaje mximo en vaco (V)
I
n
c
l
i
n
a
c
i
n

y

o
r
i
e
n
t
a
c
i
n
CAMPO A
TIPO B
BP Solar / BPS-03
C
a
r
a
c
t
e
r
s
t
i
c
a
s

d
e

l
o
s

m
d
u
l
o
s
16.0
4.0
39.0
135.3
17.3
5
43.3
134.6
14.20
TIPO A
Isofotn / ISO-02
20
6
6
6
6
CAMPO B
Array B1 a B4
6
6
500 400
7.82
Enertrn / ACEF Solar
9.47
Enertrn / ACEF Solar
18 18
290 235
C
a
r
a
c
t
e
r
s
t
i
c
a
s

d
e

l
o
s

i
n
v
e
r
s
o
r
e
s
CARACTERSTICAS DEL SISTEMA CONSIDERADO
400 325

Tabla 4-5 Datos de partida para la simulacin del sistema fotovoltaico de la prgola de la Moncloa
En la Figura 4-44 se muestran los resultados de las dos simulaciones de la energa
anual descritas previamente. Los resultados arrojan un factor de mejora a favor del uso de
los convertidores MPPT del 16% para el campo A, y del 18% para el campo B. Estos
resultados dan a entender claramente el precio que hay que pagar por la integracin
arquitectnica de la prgola, y que en principio, con el uso de mdulos MPPT ayudaran
significativamente al rendimiento del sistema considerando nicamente la energa entregada
por el generador. En un artculo publicado por el Instituto de Energa Solar [1], en el que se
describen las experiencias del IES-UPM como organismo supervisor y evaluador de la calidad
de la instalacin de la prgola de la Moncloa, se explica que la energa producida por ste
sistema fotovoltaico respecto a uno convencional, con orientacin ptima de todos los
mdulos, es de aproximadamente el 79,5%.
Sin embargo, es importante indicar que los resultados aqu expuestos se refieren a la
energa entregada por el generador, considerando el 100% de eficiencia de los convertidores
y del inversor. Tambin hay que considerar que no se ha tenido en cuenta las prdidas de
potencia del generador. Segn datos procedentes del flash report de los fabricantes y un
anlisis muy detallado proporcionado por el IES-UPM de los controles de calidad de los
mdulos suministrados, las prdidas podra llegar al 3,2% (4,8% sin clasificar) para el
campo A y 2,1% (7,8%) para el campo B. Teniendo en cuenta que los aspectos de diseo
electrnico de los convertidores se salen del objetivo de la presente tesis doctoral, se
considera entonces que cualquier estudio debe hacerse siempre suponiendo que el prototipo
ser susceptible de mejorar en el diseo y rendimiento de sus componentes, y que por lo
tanto resulta ms prctico considerar su funcionamiento referente a la potencia de entrada.
Considerando la eficiencia real de un prototipo de convertidor MPPT, ste podra mejorarse
sustancialmente por encima del 95% de rendimiento, es el caso de los convertidores Boost

129
MPPT que son utilizados actualmente en inversores convencionales (sin transformador) cuya
eficiencia estn por encima del 98 %.

Figura 4-44 Resultados comparativos de simulacin de la energa anual entregada por el generador
fotovoltaico de la Prgola de la Moncloa en el caso de utilizar convertidores MPPT por mdulo
4.7 Conclusiones
La casustica o conjunto de casos posibles de sombreamiento sobre clulas en un
generador es infinita; sin embargo, es posible particularizar sobre casos crticos y relevantes
en los que se puede extraer de la curva P-V la mxima potencia por mdulo (con dos diodos
de paso). Por tanto, del conjunto de estudios y simulaciones realizadas se puede deducir
que:
No se consigue una mejora en potencia generada por mdulo en un generador
fotovoltaico con mdulos conectados en serie cuando:
o El rea cubierta sobre cualquier clula o conjunto de clulas en serie bajo el
mismo diodo de paso supera el 60%. En general, para cualquier obstculo
sobre un mdulo con un rea superior al tamao de una de sus clulas.
Se consigue un factor de mejora de potencia por mdulo en un generador
fotovoltaico con mdulos conectados en serie cuando:
o El rea cubierta sobre cualquier clula o conjunto de clulas en serie bajo el
mismo diodo es de aproximadamente el 30%.
o Se producen la mayor cantidad de sombreamientos parciales sobre clulas
bajo distintos diodos de paso y con distintas reas sombreadas.
Los dos casos anteriores dependen de la relacin de conversin M(D), que
depende del voltaje del inversor y del desacoplamiento entre corrientes de los
mdulos.
CAMPO A CAMPO B CAMPO A CAMPO B
Ene 1188 1201 986 1025
Feb 1442 1460 1234 1244
Mar 2417 2463 2114 2180
Abr 2956 3019 2636 2630
May 3393 3471 2997 3065
Jun 3721 3825 3222 3273
Jul 3906 4023 3358 3406
Ago 3448 3546 2929 2993
Sep 2733 2800 2300 2248
Oct 1971 2006 1637 1602
Nov 1172 1186 990 995
Dic 986 996 818 845
TOTAL 29334 29996 25221 25506
Fm 16% 18%
MPPT
Energa Anual generador FV (kWh)
Inversor
Comparativa de la energa anual producida por el
generador fotovoltaico en la prgola de la Moncloa
usando convertidores MPPT y un Inversor convencional
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
4.00
4.50
Ene Feb Mar Abr May Jun Jul Ago Sep Oct Nov Dic
E
n
e
r
g
a

[

M
W
h

]
Convertidores MPPT - PLANTA A Convertidores MPPT - PLANTA B
GENERADOR FV - PLANT A GENERADOR FV - PLANT B
Tesis Doctoral

130
o Los convertidores generan prdidas globales al string cuando superan la
mxima relacin de conversin de los mdulos no afectados por la sombra.
Sin embargo, es posible disminuir el voltaje del inversor de tal forma que no
supere el M(D)
max
.
o Se produce una perdida parcial en alguno o varios mdulos sombreados
cuando el convertidor MPPT asociado supera la mnima relacin de
conversin. No obstante, existe la alternativa de aumentar el voltaje del
inversor con el objeto de aumentar el margen M(D), pero dando prioridad al
caso anterior de no superar el lmite mximo.
En sistemas con mdulos con diferente inclinacin y orientacin, se incrementa la
generacin usando mdulos MPPT, el valor de este incremento depende de cada caso
concreto. En la prgola FV de la moncloa se alcanza el 18% en la simulacin energtica
comparada que se ha realizado.
4.8 Referencias

[1] G. Sala, E. Caamao and others, PV Pergola for the Moncloa Palace, 17th
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Munich, Germany,
2001.
[2] Erickson W. Robert. Fundamentals of Power Electronics, Chapman & Hall. New
York, 1997.
[3] Hannes Knoff. Analysis, simulation, and evaluation of maximum power point
tracking (MPPT) methods for a solar power vehicle. Portland State University, 1999.
[4] Gabriel Garcer Sanfeln y otros. Convertidores Conmutados: Circuitos de
Potencia y Control. Publicaciones, Universidad Politcnica de Valencia, 1998.
[5] Liu B, Jordan R. The interrelationship and characteristics distribution of direct,
diffuse and total solar radiation. Solar Energy, 4, 1-19, 1960.
[6] A. Luque and S. Hegedus. Handbook of Photovoltaics Science and Engineering,
John Wiley & Sons, Ltd, 2003.
[7] Hay, J. E., and J. A. Davies, "Calculation of the Solar Radiation Incident on an
Inclined Surface," in Proceedings, First Canadian Solar Radiation Data Workshop, J.
E. Hay and T. K. Won, eds., Toronto, Ontario, Canada, 1978.

131
Captulo 5

5 Prototipo de un convertidor MPPT elevador:
caracterizacin y resultado de ensayos

5.1 Introduccin
En colaboracin con un consorcio formado por el Instituto de Energa Solar, la
Universidad del Pas Vasco y las empresas Robotiker e Isofotn S.A. a travs del proyecto
GENIUS [1], se realiz un extenso trabajo en el diseo e implementacin de mdulos MPPT.
Este trabajo se basa en criterios fundamentados para el desarrollo del prototipo en cuatro
aspectos principales: optimizacin de la potencia de entrada, fiabilidad, coste y eficiencia del
dispositivo. Aparte de operar correctamente como MPPT en cada mdulo fotovoltaico, el
convertidor es capaz de realizar otras funciones como: proteccin del mdulo y del
convertidor, monitorizacin y diagnstico de fallos.
En la primera parte de este captulo se describen las caractersticas tcnicas
generales de un prototipo convertidor MPPT denominado GIE (Gestor Integrado de Energa)
con topologa elevadora fabricado por Robotiker a travs del proyecto GENIUS. Se explica el
diagrama de bloques del dispositivo as como de la unidad de control y supervisin.
Finalmente, se describe el desarrollo de un mtodo de identificacin de estados de operacin
y deteccin de fallos del convertidor.
Posteriormente, se realiza una campaa de ensayos, cuyo objetivo es estudiar y
poner a prueba cuatro prototipos de convertidores MPPT integrados en mdulos fotovoltaicos
individuales e interconectados, se describe el mtodo utilizado y se exponen y analizan los
resultados. Estos ensayos se efectan en dos fases, la primera consiste en la caracterizacin
y medida individual del mdulo MPPT conectado a una carga resistiva fija, y en la segunda
fase se lleva a cabo sobre un sistema fotovoltaico conectado a red compuesto por mdulos
MPPT en serie y stos a un inversor comercial configurado previamente a un voltaje de
entrada constante. Durante los ensayos se tiene en cuenta diferentes condiciones de
funcionamiento, como la respuesta del convertidor ante cargas resistivas variables y a
voltaje constante, diferentes condiciones de irradiancia y temperatura, as como
sombreamientos puntuales y progresivos mediante el movimiento de un perfil de sombra.
Finamente, se realiza una combinacin de proyecciones de sombras localizadas sobre los
mdulos con el fin de identificar las situaciones en donde es posible extraer la mxima
potencia del generador comparndolo con un sistema convencional.
Tesis Doctoral
132
5.2 Caractersticas generales del prototipo
La solucin que se plantea pretende avanzar en el desarrollo de los denominados
mdulos inteligentes. Esta solucin involucra el estudio y desarrollo [2] de dos elementos:
El Gestor Integrado de Energa GIE y la Unidad de Control y Supervisin UCS.
El GIE esta constituido por un convertidor MPPT encargado de realizar el
acondicionamiento de potencia de cada mdulo disminuyendo las prdidas por
desacoplamiento entre corrientes; debidas principalmente a los efectos de mismatch,
sombras parciales o localizadas, suciedad del mdulo o diferente inclinacin y/o orientacin
en un mismo string.
Un microcontrolador es quien controla el GIE y el MPPT mediante un algoritmo de
bsqueda incluido internamente en la memoria de programa, que adems permite
monitorizar las medidas de voltaje y corriente y de aquellas otras magnitudes que pudieran
ayudar en el seguimiento, como es la monitorizacin y deteccin de fallos del sistema.
Aadido al microcontrolador, un circuito de comunicaciones permite transferir, a travs del
bus de DC, la informacin desde cada mdulo hasta una unidad central de control y
supervisin UCS de todo el sistema fotovoltaico.
La UCS se encarga de garantizar las comunicaciones con cada GIE, de almacenar la
informacin del sistema fotovoltaico y de su anlisis. De aqu se pueden extraer
conclusiones sobre el funcionamiento particular de cada mdulo y del generador fotovoltaico
en su conjunto y evaluar las necesidades de mantenimiento.
El coste objetivo comercial de este proyecto es de 30 por GIE, cifras que haran
rentable su uso en mdulos fotovoltaicos con potencias en el rango de los 150 y 200Wp,
situndose por debajo de 0,2 / Wp, muy por debajo de los inversores modulares de AC.
5.2.1 Convertidor MPPT elevador GIE
Como se puede ver en el diagrama de bloques de Figura 5-1[2], el GIE esta
compuesto por cuatro subsistemas: fuente de alimentacin, etapa de potencia, circuito de
control, circuito de comunicaciones PLC (Power Line Comunication) y sensores. La fuente de
alimentacin toma energa del mdulo fotovoltaico y la acondiciona al voltaje de 5V
necesaria para suministrar a los dems componentes del sistema.
La etapa de potencia corresponde al circuito tpico de un convertidor DC-DC elevador,
los componentes han sido seleccionados con el objeto de minimizar al mximo las prdidas
del convertidor. El circuito de potencia se muestra en Figura 5-2. Un transistor Mosfet
STP50NE10L (V
DS
=100V, I
DS
=50A, R
DS
=20m) se encarga de realizar la conmutacin y el
diodo tipo Schottky MBR1060 (60V, 10A) ha sido elegido para minimizar las prdidas de
conduccin y conmutacin [2].

Captulo 5. Prototipo de un convertidor MPPT elevador: caracterizacin y resultado de ensayos
133

Figura 5-1. Diagrama de bloques del prototipo de convertidor MPPT GIE

Figura 5-2. Circuito de potencia convertidor DC-DC elevador integrado en el GIE
El circuito de control esta gobernado por un microcontrolador PIC 16F876 de bajo
consumo (<3mW); incorpora en su salida dos puertos PWM (modulacin por ancho de pulso)
y se usa solo uno para controlar directamente la conmutacin del MOSFET, que se realiza
cambiando el ancho de pulso de acuerdo a las decisiones del algoritmo MPPT incorporado en
la memoria de programa del micro. Se utilizan tambin los puertos de entrada A/D para
capturar las seales de los sensores de temperatura (interior y exterior opcional) y/o
irradiancia, las seales de corriente (a travs de un shunt) y voltaje del mdulo (mediante
divisor resistivo) y las que corresponden a la salida del convertidor. Aunque todos los
convertidores tienen estas posibilidades, los sensores de medida exterior (irradiancia y
temperatura) se conectan solo a un convertidor. As mismo, el micro utiliza los puertos de
comunicaciones (UART) para controlar y enviar las seales medidas al circuito de
comunicaciones PLC (Power Line Comunications) y ste a la UCS.

Figura 5-3. Aspecto fsico exterior e interior del prototipo de convertidor GIE
FUENTE DE ALIMENTACIN
CONTROL
SENSORES
COMUNICACIONES
PLC
Entrada Salida
POTENCIA
Entrada
Salida
Tesis Doctoral
134
El circuito de comunicaciones utiliza el mtodo de transmisin PLC (Power Line
Communications, comunicacin a travs de la lnea de alimentacin), que permite transmitir
la informacin del mdulo y del estado del sistema a travs del mismo bus de DC hasta la
UCS. El sistema PLC ofrece mayor facilidad de integracin y elimina la necesidad de cableado
o canales de RF adicionales.
En la Figura 5-3 [2] se muestra el aspecto exterior e interior del prototipo final de
convertidor GIE, donde se puede apreciar en la fotografa de la placa del circuito, la etapa de
potencia a la izquierda y la de control y comunicaciones a la derecha.
Caractersticas elctricas generales del prototipo [2]:
Convertidor MPPT elevador con una mxima relacin de conversin M(D)

1:3 y un
voltaje mximo de salida de 50V (limitado principalmente por los
condensadores).
Voltaje de entrada mximo de 40V y en corriente hasta 10A. Con una potencia
nominal de 100 W y admite una potencia mxima (pico) de 200 W.
Posibilidad de conectar dos entradas analgicas, por ejemplo para medir
temperatura e irradiancia. Solo se pondrn estos sensores en un convertidor,
como representante de la inclinacin y orientacin del conjunto de mdulos.
Salvo que los mdulos estn en diferentes planos de captacin.
Caractersticas de control:
o Frecuencia de conmutacin: 62,5kHz, resolucin PWM de 8,32 bits que
equivale a 319 niveles, o sea a pasos de 0,313%.
o Tiempo de toma de decisiones del algoritmo MPPT cada 10 ms equivale a
una frecuencia de 100 Hz.
o El algoritmo MPPT que ha sido incorporado es P&O (Perturb and
Observation), que ha demostrado ser el de mejor comportamiento y el de
ms fcil implementacin en los ensayos preliminares. El segundo mejor
algoritmo fue el de IC (Increment Conductance), la diferencia con el primero
son las oscilaciones alrededor del MPP de 0,3V y en la velocidad en alcanzar
este punto.
5.2.2 Unidad de control y supervisin UCS
Cada GIE transfiere sus parmetros de trabajo (voltajes y corrientes de entrada y
salida y sensores) a la UCS, en donde son almacenados en dos bases de datos, la primera
con valores instantneos y la segunda con valores histricos.
En cuando a las caractersticas de comunicacin, se realiza fsicamente a travs de
PLC utilizando modulacin FSK
a
, con un flujo de datos de 4800 bps. Se utiliza el protocolo de
comunicacin MODBUS-RTU, el cual sigue la arquitectura de maestro-esclavo y del tipo half-

a Frequency Shift Keying, modulacin por desplazamiento de frecuencia.
135
duplex. El maestro est representado por la UCS, mientras que los esclavos sern cada GIE
en el sistema. Con esto es posible conectar hasta 247 esclavos a una red MODBUS [2].
Para visualizar los datos, la UCS se conecta va RS-232 a un ordenador en el que se
incorpora un software diseado para este propsito.
En la Figura 5-4 [2] se muestra el aspecto interno del circuito de una UCS y las
ventanas de software de supervisin utilizado para visualizar los valores instantneos o
histricos de cada GIE y de todo el sistema.

Figura 5-4. Aspecto interno de la UCS y el software de supervisin y control
5.2.3 Mtodo de monitorizacin y deteccin de fallos
El objetivo principal del mtodo es identificar los estados de operacin de los
convertidores y detectar los posibles fallos de funcionamiento.
La informacin proporcionada por la UCS es utilizada para realizar un anlisis
posterior, que permite emitir diagnsticos sobre el funcionamiento de cada convertidor y del
mdulo fotovoltaico asociado. Este sistema tiene la capacidad de acceder a la informacin
directamente o actuar sobre un determinado GIE (desconexin).
El anlisis se realiza mediante un algoritmo de decisiones, que compara
constantemente determinados parmetros elctricos respecto a un valor de referencia u
otros parmetros. Permite comprobar una determinada situacin del sistema, que puede
concluir con una accin especfica en la UCS (por ejemplo, almacenar este estado en el
historial o activar una seal de alarma) o en un GIE (por ejemplo, deshabilitar su
funcionamiento) o continuar evaluando otra situacin.
5.2.3.1 Parmetros de inters
Los parmetros necesarios para llevar a cabo el algoritmo son:
Tesis Doctoral
136
Corriente y voltaje de entrada de cada GIE, que son los correspondientes al
mdulo asociado: I
ij
y V
ij
(i se refiere al nmero de referencia del GIE de la fila
en serie y j los correspondientes al nmero de GIE en paralelo (para una sola
rama j=1)).
Corriente y voltaje de salida del GIE: I
oij
y V
oij

Relacin mxima de conversin M(D)
MAX
. Este parmetro esta almacenado
internamente en la memoria del convertidor.
Irradiancia y temperatura de clula mediante sensores externos conectados a un
determinado GIE del sistema: G y T
c
. En caso de haber mdulos con diferente
inclinacin y/o orientacin se aadiran ms sensores y el subndice i.
De los parmetros anteriores se pueden extraer los siguientes:
Voltaje de entrada del generador fotovoltaico V
Gj
, siendo j cada string en el
generador:

Gj ij
i
V V =
(5.1)
Corriente de salida de cada rama de GIEs en serie I
OSj
que corresponde a
cualquier valor I
Oij
con el mismo subndice j (cada string de convertidores en
serie).
Voltaje V
*
y corriente I
*
del mdulo en CEM. Cada GIE se calibra
automticamente antes de la puesta en marcha del sistema y cada cierto tiempo
durante su funcionamiento. Sirve para almacenar en su memoria los parmetros
elctricos de su mdulo asociado en CEM. Las condiciones de medida sern las
mismas que las expuestas en el captulo 3, seccin 3.3.1.4. Por tanto, las
expresiones utilizadas por cada GIE para calcular los parmetros de voltaje V
*
y
de corriente I
*
son:
( )
*
ST C C
25 [ C] V V T = + (5.2)

2
*
2
1000[W/m ]
[W/m ]
I I
G
= (5.3)
Donde N
ST
, corresponde al nmero de clulas en serie terico, que es
calculado a partir de la relacin entre el voltaje de mxima potencia del
mdulo y el voltaje de mxima potencia de la clula V
mc
, cuyo valor puede
ser conocido para clulas de silicio cristalino corregido a la temperatura de
clula T
C
. Se describe entonces N
ST
de la siguiente forma:

( )
MED
ST
C C
0, 47 25
V
T
=
+
(5.4)
137
El voltaje de 0,47 V corresponde al valor promedio tpico de V
mc
, y que corresponden
a los valores de catlogo de 107 mdulos comerciales de varios fabricantes [3],
considerando una desviacin tpica del 2,4%. La aproximacin de N
ST
implica una desviacin
del 0,8% en el clculo de V* a T
C
=60 C (caso peor, reducindose al disminuir la
temperatura).
c
corresponde al coeficiente de variacin del voltaje con la temperatura de la
clula, cuyo valor ha sido tomado como -2,3 mV/C para silicio cristalino.
5.2.3.2 Algoritmo de diagnstico y deteccin de fallos
El algoritmo desarrollado consiste en que cada GIE transmite sus parmetros
elctricos y un determinado estado de funcionamiento a la UCS. El estado puede ser
relacionado con la operacin normal del dispositivo o un fallo debido al propio convertidor, al
inversor o al generador fotovoltaico.
A continuacin se definen los estados de operacin normal del convertidor:
MPPT: El convertidor trabaja en las ptimas condiciones de funcionamiento; es
decir, sin que se produzcan desacoplamientos de corrientes.
MPPT DEC I: El convertidor trabaja ptimamente con un desacoplamiento DEC
en corriente I dentro de los rangos de operacin permitidos.
MPPT DEC V: El convertidor trabaja ptimamente con un desacoplamiento DEC
en voltaje V dentro de los rangos de operacin permitidos.
G LOW: Estado de baja irradiancia por debajo de 100 W/m
2
. Indica que hay una
situacin de inestabilidad del sistema. El inversor est verificando si hay
disponible a su entrada una corriente mnima para conectarse a la red. Todos los
convertidores estn encendidos y esperan un voltaje estable para inyectar
corriente al bus de DC.
Estado de operacin crtico:
M(D)
MIN
: El convertidor ha superado la mnima relacin de conversin. Esto
quiere decir que el convertidor que ha emitido este parmetro ha dejado de
inyectar corriente al sistema por un desacoplamiento localizado.
M(D)
MAX
: El convertidor ha superado la mxima relacin de conversin. Se
considera, en la mayora de los casos, una situacin crtica para todo el sistema,
donde varios convertidores conectados al mismo string pueden estar trabajando
en stas condiciones.
Sistema no operativo o fallos que requieren intervencin del operador o incluso
reparacin:
Inverter V: El inversor no pone voltaje al sistema cuando la irradiancia est por
encima de 100 W/m
2
.
Tesis Doctoral
138
DEC Total: Existe un desacoplamiento crtico en todo el sistema. Debido
normalmente a una sombra que abarca ms de la mitad de los mdulos del
string.
DEC Local: Desacoplamiento local. El mdulo no puede entregar suficiente
corriente al convertidor para que ste pueda entregar corriente al sistema. Puede
deberse tambin a un fallo interno del dispositivo.
Failure MPPT: Fallo interno del convertidor o convertidores del mismo string. El
convertidor o los convertidores no entrega(n) corriente debido a condiciones
anmalas de funcionamiento interno.
Failure read: El convertidor no puede leer datos externos, ya sea por un
problema de comunicaciones o recepcin de la trama de datos incorrecta.
5.2.3.2.1 Algoritmo de calibracin
Previo a la puesta en marcha de la instalacin, durante un da completamente
despejado y para unas condiciones de irradiancia G >700 W/m
2
, se procede a realizar la
calibracin de los convertidores con los parmetros elctricos de sus mdulos asociados y el
voltaje impuesto por el inversor. Para realizar esto, todos los convertidores se conectan al
sistema, as como el sensor de temperatura de clula e irradiancia a uno de ellos. Los
mdulos deben estar completamente limpios y sin sombras. El operador, desde la UCS,
comprueba entonces que el sistema est trabajando correctamente y verifica los voltajes y
corrientes de entrada y salida de cada convertidor y de todo el sistema.

Figura 5-5. Diagrama de flujo correspondiente al algoritmo de calibracin del convertidor

MODO CALIBRACIN
G>700 W/m
2

Lee G,Tc,VOi F FA AI IL LU UR RE E READ
3
G G L LO OW W
Lee Vi, Ii y extrapola CEM -> Im*, Vm*.
Lee VO, IO y Calcula Eficiencia ->
CONV
= P
O
/P
i

Lee VOi y calcula voltaje de inversor -> VINV=Voi.
Almacena datos en memoria con
fecha y hora. Enva datos a la UCS
FIN MODO CALIBRACIN
139
El operador, desde la UCS, enva una seal de modo de calibracin a todos los
convertidores. En este instante la UCS recibe la seal de confirmacin de este estado de
cada uno de los convertidores y a continuacin la UCS lee G y Tc de los respectivos sensores
para que quede a disposicin de los convertidores.
Durante esta calibracin cada convertidor realiza las siguientes tareas:
Lee G, T
c
, V
i
, I
i
, V
o
e I
o
y extrapola a condiciones estndar (indicado como *)
los parmetros elctricos I
m
*
y V
m
*
del mdulo al cual fue conectado y almacena
los datos en una posicin de la memoria flash interna con fecha y hora. Este
procedimiento fue expuesto en la seccin 5.2.3.1.
Lee el voltaje impuesto por el inversor V
inv
como
Oi
V
y lo almacena en
memoria.
Calcula la eficiencia del convertidor
CONV
= P
O
/P
i
y lo almacena en memoria.
El diagrama de flujo del modo de calibracin se muestra en la Figura 5-5.
5.2.3.2.2 Algoritmo de estados de operacin
La Figura 5-6 muestra el diagrama de flujo del algoritmo de estados de operacin del
convertidor. Se detallan las operaciones de decisin, las cuales terminan con el envo a la
UCS del estado de operacin especfico del convertidor o el vnculo a la rutina de atencin de
fallos expuesto en la Figura 5-7.

Figura 5-6 Diagrama de flujo de los estados de operacin del convertidor
STATUS MODE
Lee G,Tc,VOi F FA AI IL LU UR RE E R RE EA AD D
VO/V<M(D)MAX
3
G > 100 W/m
2

G G L LO OW W
M M( (D D) )
M MA AX X
Failure 2
0
VO V
Failure 3
M M( (D D) )
M MI IN N
0
IO>0 Failure 1
Lee Vi, Ii y extrapola Im* y Vm* a Im y Vm
Ii > 0,9Im
M MP PP PT T D DE EC C I I 0
Vi > 0,9Vm

M MP PP PT T D DE EC C V V 0
M MP PP PT T O OP PT T 0
IO>0
0
IO>0
Condicin normal de funcionamiento
Tesis Doctoral
140

Figura 5-7 Diagrama de flujo de la rutina de deteccin de fallos del convertidor

El proceso de estado de operacin consiste en los pasos que se explican a
continuacin, basado en el algoritmo que se muestra en la Figura 5-6 y Figura 5-7. Es
importante recordar que el algoritmo se aplica a cada convertidor y se compara en algunos
casos con la totalidad del sistema.
Por convencin, en los rombos de toma de decisin, contina el proceso a la derecha
si no cumple la condicin, y hacia abajo si cumple. La primera verificacin se realiza en la
lectura de G, T
C
y de los voltajes y corrientes de entrada y salida del convertidor,
considerando que los de entrada corresponden a los mismos de salida del mdulo asociado.
En caso de que el convertidor no pueda leer los datos, ste emite un mensaje de error de
lectura y se inicia un conteo acompaado de un retardo. Si se presenta ms de tres veces, el
algoritmo termina, con la forma de un circulo y un cero 0.
En caso de poder leer los datos, se verifica la mxima relacin de conversin del
convertidor, debido a que es el parmetro ms crtico del sistema. Si los convertidores
sobrepasan la mxima relacin de conversin, en el caso de decisin con un NO, se
presentan varias situaciones crticas a evaluar. Al empezar y finalizar el da, con G<100
W/m
2
, los convertidores MPPT se encendern primero y el inversor no pondr voltaje a su
entrada hasta verificar (realizando varios intentos) que hay suficiente corriente para
arrancar; en esta circunstancia los convertidores tendrn un voltaje de salida mximo, y se
cumplir que M(D)>M(D)
MAX
. Si se presenta esta situacin en el transcurso del da, podr
identificarse si hay un desacoplamiento que est afectando a todo el sistema, si hay un fallo
proveniente del generador o si procede del convertidor. Para esto se comprueba primero la
existencia de una corriente de salida, en caso positivo el convertidor trabaja a la mxima
relacin de conversin, en caso contrario se evala en el algoritmo de fallos (Figura 5-7) si
esta situacin est presente en los dems convertidores considerndose como crtica de
FAILURE ROUTINE
Failure 1
Failure 2
Failure
MPPT
IO>0
DEC TOTAL INVERTER V
Failure 3
DEC Local
Failure
MPPT
END STATUS MODE
0
VO>VINV
IO>0
141
desacoplamiento DEC TOTAL. En caso negativo, se evala el voltaje de salida para verificar
si el problema proviene de falta de voltaje del inversor. Si el voltaje es positivo se presenta
una situacin incoherente y se considera un fallo del convertidor.
Como se observa en el algoritmo, si M(D)<M(D)
MAX
y el voltaje de salida del
convertidor es mayor que el del mdulo asociado, entonces el convertidor est en una
condicin normal de funcionamiento. En caso contrario se verifica si la corriente del
convertidor es positiva, lo que indica que el convertidor est trabajando en el lmite M(D)
MIN
.
Si ste no entrega corriente y se confirma que no hay corriente en los dems convertidores,
se considera que hay un fallo en el convertidor.
El convertidor est en condiciones normales de funcionamiento, cuando se cumple
que: V
O
/V
i
<M(D)
max
, V
O
>V
i
y I
O
>0. Sin embargo, puede presentarse dos posibilidades a
evaluar: la primera ocurre cuando el convertidor posee un desacoplamiento en corriente
MPPT DEC I; en el que se comprueba
b
que, una vez extrapolada la corriente I
m
*
(almacenado en memoria) del mdulo de las CEM a las condiciones de operacin I
m
, es
menor que la corriente medida I; la segunda posibilidad ocurre cuando hay un
desacoplamiento en voltaje MPPT DEC V; y esto sucede cuando, una vez extrapolado el
voltaje V
m
* (almacenado en memoria) del mdulo de las CEM a las condiciones de operacin
V
m
, es menor al voltaje medido V
i
. Las expresiones utilizadas para extrapolar de las CEM a
las de operacin, tanto para la corriente como el voltaje, son las siguientes:

2
*
m m
1kW/m
I I
G
= (5.5)

m m C ST
* ( 25)
C
V V T = + (5.6)
donde, N
ST
se calcula de la expresin (5.4) y
c
se considera como 2,3 mV/C.
5.2.4 Viabilidad econmica e implementacin prctica
El objetivo inicial de este proyecto GENIUS, en el marco del cual se desarrolla la
tesis, es disear e implementar un prototipo que sea viable comercialmente por debajo del
euro por Wp. El anlisis de viabilidad econmica, limitado al GIE, se muestra en la Tabla 5-1
[2]. Como se puede apreciar, solo en la fase del prototipo (para una unidad), el precio para
un GIE de 100W ronda los 90, lo cual representa menos del euro por Wp. Si se considera
una produccin en serie, por ejemplo para mil unidades, el precio se reduce hasta los 0,53
/Wp. Por tanto, la viabilidad econmica parece estar asegurada, sin tener en cuenta las
ventajas que trae el nivel de mejora en la potencia de entrada, como se ver en la etapa de
ensayos.

b
Se toma una variacin del 10% en la medida con el objeto de garantizar la incertidumbre del valor
medido, calibracin, efectos de mismatch, suciedad, entre otros.
Tesis Doctoral
142

Tabla 5-1 Anlisis de viabilidad econmica para cada GIE
5.3 Ensayos individuales modulo-convertidor
En este apartado se exponen los resultados obtenidos de la primera etapa de ensayos
correspondiente a la medida y la caracterizacin del sistema mdulo-convertidor. Cuyo
objetivo es estudiar el comportamiento e integracin del prototipo GIE de convertidor MPPT
elevador en mdulos fotovoltaicos individuales.
Para estos ensayos se utiliz la siguiente instrumentacin:
Cuatro convertidores GIE MPPT elevadores denominados GIE-01, ..., GIE-04.
Los mdulos utilizados y que son acoplados al los GIE son el I-94/12
(denominados MA.Gen.1 ... MA.Gen.4) y el I-75R/12 (denominados MAS.Gen.1
... MAS.Gen.4).
Mdulos calibrados para la medida de irradiancia I-106/4 (Ref. IES: MA4.5) y de
temperatura de clula (Ref. IES: MA4.2).
Carga Capacitiva para la caracterizacin I-V y P-V de convertidores MPPT. Este
instrumento fue expuesto en el captulo 3 Caracterizacin de generadores
fotovoltaicos, y tiene la capacidad de adaptarse a las caractersticas del ensayo.
DataLogger Agilent 34970A, para la adquisicin de las tensiones y corrientes de
entrada y salida del GIE y las condiciones de irradiancia y temperatura.
Multmetros Fluke. Comprobacin de tensiones y operacin correcta de la carga
capacitiva.
5.3.1 Caracterizacin I-V y P-V del GIE
En esta etapa de medidas se realiza la caracterizacin del prototipo convertidor MPPT.
En el anexo I, se describe el mtodo de medida utilizado para caracterizar convertidores
MPPT.

143

Figura 5-8. Diagrama de bloques del sistema mdulo-GIE-Carga para la caracterizacin del convertidor
MPPT
En la Figura 5-8, se muestra el diagrama de bloques del sistema Mdulo-GIE-Carga
utilizado en las medidas, en el que se indican los parmetros correspondientes medidos de
corriente y voltaje de entrada y salida del convertidor, a los que se aaden los sensores de
irradiancia y temperatura de clula. Estos seis parmetros fueron medidos utilizando un
Datalogger Agilent. Tambin se pueden observar las fotografas de la instalacin del sistema
mdulo/convertidor GIE en la Figura 5-9.

Figura 5-9. Fotografas de la instalacin del sistema mdulo convertidor GIE utilizado para las medidas.
Se aade externamente una batera de condensadores con una capacitancia total de
0,3 faradios a 100 V. La razn de usar grandes capacitancias est en obtener el mayor
tiempo posible de carga; con el objeto de proporcionar al convertidor el tiempo necesario
para que pueda buscar el punto de mxima potencia. El clculo de la capacitancia se puede
obtener de la expresin (7.6) del anexo I, donde se expresa la capacitancia en funcin del
voltaje V
m
y corriente del mdulo I
m
, la mxima relacin de conversin M(D)
max
, la
resistencia del condensador R
c
y el tiempo de barrido T
b
. Las caractersticas elctricas
medidas del mdulo MA.Gen (I-94/12) se toman a unas condiciones de medida cercana a los
500 W/m
2
y 60 C de temperatura de clula. De acuerdo a la simulacin realizada en el
apartado 4.3.3 del captulo 4, el tiempo mximo que necesita el MPPT es de 250 ms; para
unos 10 segundos de duracin del barrido sera suficiente para dar tiempo al MPPT a seguir
el MPP y obtener la mayor cantidad de puntos posible con el mnimo de capacitancia. De
estos datos resulta,
I
M
=V
sh
/R
sh

V
sh

V
M

V
sh

I
o
=V
sh
/R
sh

V
o

+ +
Adquisicin de datos mediante datalogger
Agilent 34970A y PC
6 canales
de entrada
Cabe
interfase
Ordenador
y software
Tesis Doctoral
144
2 1 2 m
max
m
3
( ) c (2, 5) 10 0, 32
15
b
I A
C M D R T s F
V V

= + = =

Los resultados de la medida se exponen en la Figura 5-10, donde se puede apreciar
tres curvas, las curvas I-V y P-V del convertidor GIE-03 y la curva P-V del mdulo MA.Gen.3.
La medida fue realizada a 500 W/m
2
y 58 C de temperatura de clula. Se puede apreciar en
la grfica que a pesar de que el muestreo es constante, se obtiene menor resolucin de
puntos al inicio de la carga del condensador que al final, esto se debe al comportamiento
exponencial de carga del condensador. Esto implica que la respuesta del convertidor ante el
cambio de voltaje ser mayor al final que al principio del barrido, lo que explica la
inestabilidad al inicio del barrido.
La zona mas importante de la grfica es la correspondiente a la curva P-V del
convertidor en la zona donde se mantiene constante la potencia mxima, es decir, donde el
MPPT mantiene esta potencia a medida que aumenta el voltaje de salida impuesto por la
carga del condensador. Se observa adems que durante este proceso, en la curva P-V del
mdulo, su voltaje y potencia se mantienen constantes a 14,4 V y 40 W respectivamente,
demostrando as la correcta operacin del GIE como convertidor MPPT. Finalmente, la curva
P-V del convertidor comienza a caer cuando supera la mxima relacin de conversin
M(D)
MAX
= 2,5 a un voltaje de 33,5 V, de esta forma se comprueba el lmite impuesto de
operacin del convertidor. Se observa tambin en la grfica que, para la curva I-V del
convertidor, la zona MPPT corresponde a la forma tpica de una hiprbola que describe el
comportamiento del convertidor elevador, acorde con lo tratado en la seccin 4.2.1.3. del
captulo 4. A priori, es posible tambin conocer la eficiencia del convertidor, que para estas
condiciones particulares de medida fue del 88%, como se presenta en la tabla aadida a la
derecha de la figura.

Figura 5-10 Caracterstica I-V y P-V del convertidor MPPT elevador GIE
Caracterstica I-V y P-V del Convertidor + Mdulo
(GIE-03 + MA.Gen.3)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
V (V)
I

(
A
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
P

(
W
)
I-V Convertidor
P-V del convertidor
P-V Mdulo
MPPT a Po cte
M(D)max = 33.5V/13.4V = 2.5
Hiprbola tpica de
un MPPT elevador
Mdulo a Pm cte
Fecha 29/06/2006
Hora 17:52
G (W/m
2
) 500
Tc(C) 58
Pm (W) 39,7
Vm (V) 13,4
Im (A) 2,98
Pm (W) 35,0
Vm (V) 32,5
Im (A) 1,08
Efic(%) 88,1%
Condiciones de medida
Mdulo
Caractersticas medida
Convertidor
En estabilidad
(MPPT a Pm cte)
145
5.3.2 Curva de eficiencia vs radiacin durante un da tpico de verano
La curva de rendimiento frente a la potencia de salida de un convertidor es el mejor
modo de ver como se comportar en una gran variedad de situaciones. El objetivo de este
ensayo es observar su comportamiento durante un da despejado de verano en condiciones
reales de operacin.
El ensayo consiste en conectar al mdulos MPPT una carga resistiva fija, cuyo valor
ha sido calculado de tal forma que M(D)=2,5. De acuerdo al anlisis terico realizado en la
seccin 4.2.1.3 del captulo 4, M(D) es proporcional al incremento de la potencia del mdulo,
por lo cual debe calcularse la impedancia Z para la mxima potencia alcanzada. Para esto se
utiliza la siguiente expresin:

2 m
m
( )
V
Z M D
I
= (5.7)
De las medidas de caracterizacin realizadas en el captulo 3 para el mdulo I-94
I
m
=6A y V
m
=15V que para T
c
=50C ser V
m
=13.1V, por tanto Z=14 .
En la Figura 5-11 se muestra el resultado grfico de la eficiencia del convertidor en
funcin de la irradiancia medida en cada punto. A baja irradiancia el convertidor consigue
mejor rendimiento, esto se debe principalmente a las prdidas por conduccin en los
dispositivos electrnicos de potencia que aumenta de manera proporcional con la corriente.
Es lgico pensar que para calcular la eficiencia europea de este convertidor sera
necesario medir la potencia del convertidor hasta alcanzar su potencia nominal terica de
100 W. Sin embargo, por ser un prototipo, ste valor de potencia nominal es de carcter
orientativo y ha sido calculado tomando como referencia las especificaciones de los
componentes electrnicos en cuanto a la mxima potencia constante que pueden soportar.
Por lo tanto, el clculo de la eficiencia que se expone a continuacin es tambin de carcter
orientativo, tomando como referencia la mxima potencia entregada por el mdulo I-94/12
de 84 W a unas condiciones de 935 W/m
2
y 53.5 C de temperatura del mdulo.
La definicin de la eficiencia europea, est expuesta originalmente [4] como:

EUR 5 10 20 30 50 100
0.03 0.06 0.13 0.1 0.48 0.2 = + + + + + (5.8)
donde
5
representa la eficiencia correspondiente al 5% de la potencia de entrada del
convertidor, as de igual forma para los dems factores. Teniendo en cuenta la
interdependencia entre los valores de eficiencia a las diferentes potencias, la expresin se
puede simplificar [5], llegando a:

EUR 10 50 100
0.2 0.6 0.2 = + + (5.9)
Utilizando esta ltima expresin y tomando los datos de medida de la curva de
eficiencia vs irradiancia, se llega al clculo de la eficiencia del convertidor GIE de la siguiente
forma:
Tesis Doctoral
146
EUR GIE
0.20.74 0.60.91 0.20.87 87%
= + + =
Este dato de eficiencia ha sido contrastado con los resultados realizados en los
laboratorios de ensayo de la empresa Robotiker [2], llegando a resultados cercanos al 88%.
Tambin puede comprobarse ste valor con los resultados expuestos en la Figura 5-10.

Figura 5-11 Eficiencia vs irradiancia del convertidor GIE
En la Tabla 5-2 se expone tambin una comparativa entre los parmetros del mdulo
y del convertidor GIE. En el primer caso se eligen las potencias mximas y mnimas
entregadas por el mdulo y se comparan los parmetros del convertidor, se observa que la
relacin de conversin aumenta a potencias mayores (con esto se comprueban los resultados
de simulacin tratados en el captulo 4), como tambin que la eficiencia mxima no se
alcanza a la potencia mxima entregada. En el segundo caso, se eligen las eficiencias mayor
y menor del convertidor y se comparan sus parmetros, llegando a que la mayor eficiencia
alcanzada por el convertidor se consigue puntualmente a aproximadamente el 17% de la
potencia mxima entregada por el mdulo.

Tabla 5-2 Comparativa entre parmetros del mdulo FV y el GIE.
.
GIE-E 04 Z= 14 14 14 14
W/m
2
P (W) V (V) I (A) P (W) V (V) I (A) M(D)
Pmax 79.31 13.66 5.81 67.26 29.66 2.27 84.8% 2.2 954
P V I P V I
Pmin 2.50 5.21 0.48 1.75 4.79 0.37 70.3% 0.9 944
P V I P V I
W/m
2
P (W) V (V) I (A) M(D) P (W) V (V) I (A)
max
94.51% 13.18 13.17 1.00 1.1 13.94 12.18 1.14 213
P V I P V I
min
65.43% 1.20 3.96 0.30 0.9 1.83 4.42 0.41 60

media
:
88.0%
Respecto a la eficiencia del convertidor
Mdulo
Convertidor
Eficiencia vs Irradiancia
Respecto a la potencia del mdulo
Modulo Convertidor
Eficiencia vs Irradiancia
GIE-04 (Z = 14 )
R
2
= 0.9154
0%
10%
20%
30%
40%
50%
60%
70%
80%
90%
100%
0.0 100.0 200.0 300.0 400.0 500.0 600.0 700.0 800.0 900.0 1000.0
W/m
2
E
f
i
c
i
e
n
c
i
a
Medida
Aproximacin polinmica
147
5.4 Ensayo de convertidores interconectados a un sistema convencional
Acorde a lo tratado en el captulo 4, los convertidores MPPT elevadores tiene la
topologa ideal para ser conectados en serie a un sistema fotovoltaico conectado a red
convencional, pues con pocos mdulos fotovoltaicos pueden llegar fcilmente a las tensiones
adecuadas de entrada de un inversor de conexin a red.
Para los ensayos se dispone nicamente de cuatro convertidores GIE, con lo cual es
necesario un inversor comercial de conexin a red que soporte tensiones de entrada a partir
de 80V, y que adems pueda tener la posibilidad de anular su MPPT y configurar su entrada
a un voltaje constante. En el mercado es difcil encontrar un inversor con estas
caractersticas, siendo el Sunny Boy SB 700 de la empresa SMA el nico modelo comercial
conocido que se ajusta perfectamente a las condiciones necesarias para esta etapa de
ensayos.
5.4.1 Sistema de medida e instrumentacin utilizada
El sistema utilizado en esta etapa de ensayos es el que se muestra en la Figura 5-12.
Est compuesto por cuatro mdulos fotovoltaicos con sus respectivos convertidores GIE
conectados en serie y stos a su vez a la entrada del inversor SB 700 conectado a la red
elctrica.
El modelo de mdulo utilizado es el I-70R/12 de Isofotn, cuyas caractersticas
elctricas fueron medidas y expuestas en el captulo 3. Los mdulos MPPT se instalaron sobre
una estructura metlica inclinada 45 respecto a la horizontal y orientada al sur.
Son 16 los parmetros que se miden; 8 corresponden a los voltajes y corrientes de
los mdulos fotovoltaicos; 4 a los voltajes de salida de los convertidores; 2 al voltaje y
corriente del sistema; y por ltimo, la medida de la irradiancia y temperatura de clula a
travs de dos mdulos calibrados en corto circuito y en circuito abierto respectivamente
como se muestra en la Figura 5-13. Para medir estos parmetros se utiliza un datalogger
Agilent 34970A que tiene capacidad de conectar hasta 22 canales analgicos. Tanto las
corrientes del sistema como la correspondiente a la medida de la irradiancia han sido
medidas mediante shunts de 25 m.

Tesis Doctoral
148
Figura 5-12 Esquema de conexin y parmetros elctricos de medida del sistema compuesto por 4
convertidores GIE en serie conectados a un inversor configurado a un voltaje constante de entrada
En la Figura 5-14 se muestran las fotografas del sistema en las vistas frontal y
posterior. Se puede apreciar en la imagen de la derecha los 4 convertidores GIE puestos en
la parte posterior de cada mdulo con los respectivos cables de conexin y medida, que para
16 canales medidos llegaron a ser 32 cables de seal de 1,5 mm
2
y para la interconexin
elctrica 20 cables de 4 mm
2
.

Figura 5-13 Instrumentacin utilizada para la medida de convertidores GIE conectados a un sistema
fotovoltaico conectado a la red

Adquisicin de datos mediante
datalogger Agilent 34970A y PC
16 canales
de entrada
Cable
interfase
Ordenador
Y software
Sensor FV G
G=f(ISC)
Sensor FV - Tc
Tc=f(VOC)

Medida de irradiancia y
temperatura de clula

V
O1

SB 700
VINV = Cte
V
O
=V
INV

Red
V
1

MPPT M 1
GIE 1
I
o
=f(V
shunt
)
MPPT M 2
I
2
=f(V
shunt
)
GIE 2
MPPT M 3
GIE 3
MPPT M 4
GIE 4
V
2

V
3

V
4

V
O4

V
O3

V
O2

N
O INV Oi
1 i
V V V
=
= =
I
1
=f(V
shunt
)
I
3
=f(V
shunt
)
I
4
=f(V
shunt
)
+
+
+
+
+
+
+
+
+
149

Figura 5-14. Fotografas del sistema de cuatro convertidores GIE conectados en serie instalados en la
estructura de medida de mdulos de la terraza del IES-UPM
5.4.2 Clculo del voltaje de entrada constante del inversor
El inversor Sunny Boy SB 700 tiene la posibilidad de anular el modo de bsqueda
MPPT y fijar el voltaje de entrada entre 75 y 150 V a travs del Sunny Boy Control, como se
muestra en la Figura 5-15.

Figura 5-15 Esquema de conexin con el inversor Sunny Boy control y el inversor SB 700, para
configurar el modo de voltaje constante y los niveles de voltaje de entrada
En el captulo 4 se estudi la relacin entre el desacoplamiento entre corrientes de los
mdulos y el voltaje ptimo que se debe configurar el inversor; as pues, para este propsito
se utiliza las expresiones 4.60 y 4.61. Los parmetros que deben conocerse en esta
expresin son: las corrientes y tensiones en el MPP en condiciones estndar de los mdulos
I-70R/12, el mximo desacoplamiento DES que puede producirse sobre un mdulo
cualquiera, la mxima relacin de conversin M(D)
MAX
permitida a los mdulos no afectados
por sombras y la eficiencia del convertidor. Entonces, estos parmetros son:
Corrientes y voltajes en el MPP a CEM de los mdulos I-70R/12: Se realiza el
clculo del valor promedio de los parmetros para los cuatro mdulos medidos en
el captulo 3, esto es:
o I
m
*
= 4,23 A
o V
m
*
= 17.06 V
Es importante recordar que el parmetro ms influyente en M(D) es el voltaje V
m

del mdulo y que las condiciones de medida reales se dan a temperaturas de
clula por encima de 25C; por lo tanto, es necesario extrapolar este parmetro
Sunny Boy
Control
Inversor
SB 700

Tesis Doctoral
150
a una temperatura de clula de 60 C (temperatura de operacin nominal de la
clula), luego V
m
(60C)

= 14,16 V.
Mximo desacoplamiento DES: Como el objetivo de estos ensayos es producir el
mximo desacoplamiento entre mdulos, se asume el 99% (para efectos de
clculo matemtico debe ser un nmero ligeramente inferior al 100%).
Mxima relacin de conversin M(D)
max
: La mxima relacin de conversin
medida fue de 2,5.
Eficiencia del convertidor GIE: Las medidas se realizarn siempre por encima de
300 W/m2, y tomando como partida los datos medidos de eficiencia tratados en
el apartado 5.3.1, se asume
EUR-GIE
= 88 %.
Con estos datos y las expresiones 4.60 y 4.61 se trazan las curvas para localizar el
V
O
ptimo. La Figura 5-16 muestra el grfico que relaciona el voltaje V
O
ptimo del inversor
y los mximos desacoplamientos posibles en el mdulo afectado y en el resto de mdulos
para mantener el margen de relacin de conversin M(D) entre 1 y 2,5. Por tanto, el voltaje
ptimo que se ha puesto en el inversor para el caso expuesto es de 105 V, pues con este
valor se asegura que; por un lado, cualquier mdulo puede estar completamente cubierto
por sombras sin que ste pueda afectar al rendimiento de los dems convertidores; y por
otro lado, el mdulo afectado puede tener un desacoplamiento en corriente de hasta el 50%
sin que empiecen a producirse prdidas de rendimiento en su propio convertidor.

Figura 5-16 Grfica que relaciona el voltaje VO ptimo y el desacoplamiento de un mdulo en un sistema
compuesto por cuatro mdulos-convertidor GIE en serie
5.4.3 Error y Eficiencia MPPT bajo condiciones estticas
Acorde con lo estudiado en el captulo 2 Estado del Arte, en condiciones normales
de funcionamiento (factor esttico), los dispositivos que usan algoritmos de bsqueda para
Vo ptimo respecto al desacoplamiento sobre un
mdulo en un sistema de 4 mdulos I-70R/12 serie
para M(D) [1;2,5]
0%
20%
40%
60%
80%
100%
120%
75 80 85 90 95 100 105 110 115 120 125 130 135 140 145 150
Vo (V)
D
E
S

n
o
r
m
a
l
i
z
a
d
o

=

1
-
D
E
S
Vo vs (1- DES) para el
mdulo afectado
Vo vs (1-DES) para el
resto de mdulos
151
encontrar el punto de mxima potencia, tienden a moverse constantemente alrededor de ese
punto ptimo haciendo operar al generador en el MPP solo por algunos segundos. Este
ensayo tiene como objetivo, en primer lugar, verificar el error MPPT en voltaje y corriente
producido por las oscilaciones de bsqueda de los convertidores en condiciones estticas, es
decir, con el generador libre de sombras y sin cambios en las condiciones de irradiancia y
temperatura; en segundo lugar, calcular la eficiencia MPPT del convertidor con el objeto de
verificar la desviacin de potencia respecto a la mxima extrada por el generador.
El sistema de medida utilizado para el ensayo es el mismo de la seccin 5.4.1, como
puede verse en la Figura 5-17, pero en el que se aade la medida independiente y casi-
simultnea de la curva I-V del generador. Tiene como objetivo comparar la potencia total de
entrada P
i
del sistema de convertidores y la mxima disponible en el generador P
mg
, que se
define aqu como factor de mejora, F
M
,

i
m
mg
P
F
P
=

(5.10)

Figura 5-17 Sistema de seleccin de conexiones mediante interruptores para independizar las medidas
de la potencia del sistema con convertidores y la disponible en el generador.
En la Tabla 5-3 se muestran los resultados de las medidas realizadas. En la primera
tabla de resultados se exponen los parmetros elctricos de la curva I-V del generador en el
punto de mxima potencia, y en la siguiente los resultados de la medida casi-simultnea de
MPPT MPPT MPPT MPPT
S1 S1 S1 S1
S2 S2 S2

SB 700
VINV = Cte
S1=0 y S2=1
Medida curva I-V del
generador mediante
carga capacitiva
S1=1 y S2=0
Medida de los
convertidores
conectados al
inversor
Red
Tesis Doctoral
152
los parmetros de entrada y salida del sistema de cuatro mdulos MPPT en serie. Como
resultado se muestra el clculo de la eficiencia y error MPPT esttico. El tiempo entre ambas
medidas fue menor a 4 minutos, que corresponde al necesario para realizar el cambio de
conexiones y llevar a cabo el barrido de la curva del generador.
Como se estudi en el captulo 4, los resultados de simulacin con el programa
Simulink mostraron que el tiempo mximo de respuesta del convertidor para buscar el punto
de mxima potencia es de aproximadamente 250 ms; por tanto, se estima que el tiempo de
muestreo para este ensayo de 1 segundo, es suficiente para asegurar que cada convertidor
est trabajando en su MPP ptimo.
Los resultados recogidos en la Tabla 5-3 muestran, en primer lugar, un claro factor
de mejora del 3%, valor que indica la correccin del efecto de mismatch de los mdulos. En
segundo lugar, el clculo del error MPPT indica la diferencia relativa entre el valor de voltaje
y corriente del sistema y el del generador, arroja como resultado el 1,3%, tanto para la
corriente como para el voltaje; esta igualdad se debe a la compensacin entre corrientes y
voltajes de los convertidores cuando stos oscilan individualmente alrededor del MPP,
obteniendo en su conjunto una potencia total que se desva ligeramente en entre 0,4%; es
decir, el rango total indica un 0,8% en prdidas debido a las oscilaciones del MPP del
sistema.

Tabla 5-3 Resultados de medida de cuatro convertidores GIE interconectados en serie, donde se
compara su eficiencia y error MPP respecto a la curva caracterstica I-V del generador fotovoltaico
formado por los mdulos asociados a los convertidores

Como conclusin, este ensayo muestra que el factor de mejora usando los
convertidores en cada mdulo ha demostrado ser un 3% ms que el obtenido usando un
inversor comercial (considerando una eficiencia MPPT igual a la unidad) conectado al mismo
generador. Y que los errores MPPT esttico o prdidas producidas por las oscilaciones
alrededor del MPPT son muy parecidas a las obtenidas por un inversor comercial, que segn
la bibliografa [6][7] son del orden del 1% (para potencias de DC mayores al 40%).
Tc (C) W/m
2
15/05/2007 13:28:10 54 935 58.8 3.80 225
Tc (C) W/m
2
V (V) I (A) P (W) Fm
MPPT,V

MPPT,I
V (V) I (A) P (W)
GIE
15/05/2007 13:24:01 52 930 60.2 3.86 232 3% 2.3% 1.5% 105 1.93 203 87%
15/05/2007 13:24:02 52 931 60.2 3.85 232 3% 2.4% 1.4% 105 1.94 204 88%
15/05/2007 13:24:03 52 930 60.3 3.86 233 4% 2.6% 1.6% 105 1.93 203 87%
15/05/2007 13:24:04 52 931 60.5 3.84 232 3% 2.9% 0.9% 105 1.93 203 87%
15/05/2007 13:24:05 52 931 59.4 3.91 232 3% 1.0% 2.9% 105 1.93 203 88%
15/05/2007 13:24:06 52 930 60.6 3.85 233 4% 3.0% 1.4% 105 1.93 203 87%
15/05/2007 13:24:07 52 930 58.7 3.94 231 3% -0.2% 3.6% 105 1.91 201 87%
15/05/2007 13:24:08 52 931 59.7 3.90 233 3% 1.5% 2.5% 105 1.93 203 87%
15/05/2007 13:24:09 52 931 61.0 3.80 232 3% 3.7% 0.1% 105 1.93 202 87%
15/05/2007 13:24:10 52 930 60.6 3.85 233 4% 3.0% 1.4% 105 1.92 202 86%
15/05/2007 13:24:11 52 930 61.3 3.78 232 3% 4.3% -0.5% 105 1.92 202 87%
15/05/2007 13:24:12 52 931 61.3 3.77 231 3% 4.2% -0.9% 105 1.92 202 87%
Desviaciones (%) 0.4% 1.3% 1.3%
Condiciones de
medida V (V) I (A) P (W)
Convertidores GIE
SALIDA SISTEMA
CURVA DEL GENERADOR DE 4 MDULOS EN SERIE
FECHA y HORA
FECHA y HORA
SISTEMA DE CUATRO CONVERTIDORES GIE EN SERIE: COMPARATIVA CON LA CURVA I-V Y EFICIENCIA MPPT
MEJORA (Fm) y ERROR ( )
MPPT ESTTICO
Condiciones de
medida
ENTRADA SISTEMA
Convertidores GIE
153
Es tambin importante aadir que los errores de medida o incertidumbre del mtodo
de medida de este ensayo estn relacionados nicamente con la precisin y calibracin de la
instrumentacin, puesto que no se utiliza ningn mtodo matemtico de extrapolacin. Por
tanto, se considera nicamente la incertidumbre de mayor peso relacionada con la precisin
del shunts y la calibracin del instrumento de medida, considerando entonces el 0,5 % de
desviacin en los resultados de medida de corriente.
5.4.4 Sombreamiento progresivo sobre un mdulo mediante un perfil de
sombra
En este ensayo se pretende; por un lado, conocer el comportamiento del convertidor
como seguidor del punto de mxima potencia cuando el mdulo es sombreado; y por otro
lado, conocer los lmites de mxima y mnima relacin de conversin.
La metodologa de este ensayo se basa en estudios previos realizados en captulos
anteriores. El estudio desarrollado en el captulo 3 Caracterizacin Elctrica de Generadores
Fotovoltaicos arroja una valiosa informacin terica sobre el comportamiento de la curva
potencia-voltaje de un mdulo bajo sombreamiento, en donde se observ como cambia la
caracterstica P-V a medida que aumentaba el sombreamiento sobre una clula. Por otro
lado, las simulaciones realizadas en el captulo 4 Estudio de comportamiento de
convertidores MPPT en mdulos y generadores fotovoltaicos proporcionan un conocimiento
previo acerca del comportamiento terico del convertidor en circunstancias de
sombreamiento sobre el mdulo asociado.
5.4.4.1 Mtodo de ensayo utilizado
Teniendo como base los resultados de estudios realizados en los captulos anteriores,
ha sido posible planificar un procedimiento de ensayo que, mediante sombreamientos
localizados sobre el mdulo MPPT, permite identificar los lmites de operacin del
convertidor.
El ensayo se realiza utilizando un perfil de sombra de 30 cm de ancho, que se hace
pasar horizontalmente sobre las tres primeras filas de uno de los mdulos. De esta forma, se
puede identificar el cambio del punto de mxima potencia de la clula sombreada a la de las
clulas no sombreadas, de tal forma que pueda observarse el comportamiento de los
parmetros elctricos de entrada y salida del convertidor asociado al mdulo sombreado y de
los correspondientes a los dems no sombreados. En la Figura 5-18 se muestra una
fotografa del perfil de sombra pasando a travs de la primera fila de un mdulo durante los
ensayos, donde se observa el instante en el que cubre el 50% de 3 clulas.
A continuacin, se realizan algunas consideraciones previas respecto al clculo del
tiempo de muestreo para la toma de datos y el error en lo resultados debido al mtodo de
medida realizado. Se utilizan los resultados de simulacin Simulink realizados en el captulo
4, donde se puede extraer de la figura 4-30 que el tiempo mximo de respuesta del MPPT es
de aproximadamente 10 ms por cada 100 mA de cambio en la corriente; as que, el tiempo
mnimo en recorrer un perfil de sombra sobre una clula de 4 A de corriente ser 4 A / 100
Tesis Doctoral
154
mA x 10 ms = 400 ms. Por otro lado, el tiempo mnimo de muestreo del Datalogger Agilent
para leer 16 canales simultneamente es de 0,72 s, por tanto se estima que 1 segundo es el
tiempo suficiente para asegurar que cada convertidor trabaje en el MPP, sin que; por un
lado, el perfil de sombra induzca a errores en el MPPT debido a cambios bruscos entre
muestras; y por el otro, que el datalogger pueda leer todos los canales considerando una
medida casi simultnea. Se considera entonces que el perfil de sombra pase sobre las clulas
a una velocidad de aproximadamente 5 mm por segundo, que para sombrear completamente
una clula de 116 mm de anchura es de 23 segundos, esto arroja un error en el mtodo de
medida de 173 mA por muestra que equivale al 4,3% en los resultados finales, adems debe
considerarse la precisin de los shunts de medida de corriente de 0,5 %; por tanto, se
estima entonces una incertidumbre del 4,3%.

Figura 5-18 Fotografa que muestra el paso de un perfil de sombra sobre un mdulo cubriendo el 50%
de 3 clulas
5.4.4.2 Anlisis de resultados
En la Tabla 5-4-A y Tabla 5-4-B se muestran los resultados del ensayo. Se detalla en
las primeras columnas la huella dejada por el perfil de sombra, se indica en porcentaje de
sombreamiento sobre cada zona de influencia de los diodos de paso del mdulo M1 asociado
al convertidor GIE 1 y se indica el diodo D1 y D2 correspondiente a la zona donde entran
en funcionamiento. En la columna siguiente se muestran las condiciones de medida de la
irradiancia y la temperatura de clula, a continuacin se exponen los parmetros elctricos
de salida del sistema total y finalmente los parmetros respectivos de entrada y salida de
cada uno de los convertidores, stos se muestran separados en la Tabla 5-4-A para los
convertidores GIE 1 y GIE 2 y en la Tabla 5-4-B para los convertidores GIE 3 y GIE 4.
Como el sombreamiento se realiza sobre el mdulo del convertidor GIE 1, bastar
con observar nicamente la Tabla 5-4-A, puesto que all aparecen reflejados los efectos en el
convertidor GIE 1, y el GIE 2 servir como representante del efecto del resto de
convertidores (los cambios son muy parecidos para los convertidores GIE 3 y GIE 4).
El primer anlisis se realiza estudiando el sombreamiento progresivo sobre la primera
fila, que como se haba estudiado en el captulo 3, fuerza a actuar al diodo de paso D1
crendose dos puntos de mxima potencia (MPP). Al observar los parmetros de voltaje y
155
corriente del mdulo M1, se puede identificar como a partir del 50% de sombreamiento, el
MPP absoluto comienza a desplazarse hacia el MPP del lado no sombreado, y a partir del
70% pasa completamente. Este efecto hace que el voltaje disminuya hasta la mitad y la
corriente vuelva a recuperar el valor previo antes de que se produjera el sombreamiento. Se
puede identificar tambin este efecto desde otro punto de vista a travs de la relacin I/Ir
normalizada, que corresponde al porcentaje de desacoplamiento de corriente del mdulo, y
que representa la diferencia entre la corriente actual medida I y la corriente de referencia
Ir sin sombreamiento cuyo valor es 3,46 A. Bien, pues a medida que aumenta el
porcentaje de sombreamiento, lo hace tambin la relacin I/Ir (debido a la relacin directa
entre la irradiancia y la corriente), entonces sta relacin deja de ser coincidente con el
sombreamiento justo cuando el MPP empieza a moverse hacia la zona del mdulo no
sombreado, y se hace igual a cero cuando las dos corrientes coinciden.
A modo de resumen, al 75% de sombreamiento sobre alguna clula o varias clulas
de la primera fila del mdulo M1, el diodo de paso D1 se encuentra polarizado en directa, la
potencia generada del mdulo se ha reducido a la mitad y el MPPT del convertidor GIE 1 se
encuentra trabajando a la corriente mxima del mdulo y a la mitad su voltaje.
En este primer estudio se puede tambin observar que al 50% de desacoplamiento el
convertidor GIE 1 llega a la relacin de conversin mnima M(D)=1 tal y como se haba
previsto con el mtodo de clculo del voltaje del inversor expuesta en la seccin 5.4.2,
considerando tambin que los convertidores no afectados no alcanzan la mxima relacin de
conversin situndose justo por debajo del 2,5.
Tambin se observa, como era de esperar, que el sombreado progresivo de una
clula o conjunto de clulas de la segunda fila sobre el mismo diodo de paso D1 no afecta a
la potencia generada por el mdulo ni al funcionamiento MPPT del convertidor. El efecto de
disminucin de la corriente del mdulo en un 3,7%, se debe principalmente a la fraccin de
difusa que ha dejado de percibir el mdulo al paso del obstculo hasta alcanzar el 100% de
las dos primeras filas.
El tercer anlisis consiste en identificar el efecto de sombreado sobre la tercera fila
del mdulo M1, donde entran en funcionamiento ambos diodos de paso D1 y D2. Se
puede observar como el porcentaje del perfil de sombra va aumentando proporcionalmente
al desacoplamiento I/Ir hasta el 50%, y a partir de all la relacin de conversin M(D) se
encuentra por debajo de la unidad y el convertidor se apaga, debido a que la potencia del
mdulo no es suficiente para abastecer su consumo. En esta situacin los convertidores no
afectados deben aumentar su voltaje de salida para mantener el voltaje de entrada del
inversor; por tanto, la relacin de conversin aumenta hasta alcanzar 2,3, dos dcimas por
debajo del valor inicialmente tomado para calcular el voltaje del inversor en la seccin 5.4.2,
esto se debe a la corriente remante que sigue presente en el mdulo a causa de la
componente difusa de la irradiancia.
Tesis Doctoral

156

Tabla 5-4-A Resultados de medida en el que se realiza un sombreamiento progresivo mediante un perfil superpuesto al mdulo asociado al convertidor GIE 1, en un sistema
de cuatro convertidores en serie acoplados a un inversor con voltaje de entrada constante e igual a 105V.

Tc W/m
2
V (V) I (A) P (W)
GIE V (V) I (A) P (W) I/Ir V (V) I (A) P (W)
GIE M(D)v V (V) I (A) P (W) V (V) I (A) P (W)
GIE M(D)v
48 843 104.9 1.81 190.1 87% 15.3 3.46 53.0 0% 25.1 1.81 45.5 86% 1.6 15.4 3.61 55.7 26.6 1.81 48.3 87% 1.7
10 48 843 104.8 1.79 187.6 87% 15.8 3.11 49.1 10% 23.9 1.79 42.9 87% 1.5 15.5 3.55 55.0 27.0 1.79 48.4 88% 1.7
20 48 844 105.0 1.75 183.6 88% 16.3 2.77 45.1 20% 22.4 1.75 39.2 87% 1.4 15.7 3.58 56.1 27.7 1.75 48.4 86% 1.8
25 48 844 104.9 1.74 182.4 88% 16.5 2.54 41.9 27% 21.4 1.74 37.2 89% 1.3 15.8 3.51 55.3 27.9 1.74 48.5 88% 1.8
30 48 844 105.1 1.71 179.5 88% 16.8 2.35 39.5 32% 20.4 1.71 34.9 88% 1.2 15.5 3.52 54.7 28.2 1.71 48.1 88% 1.8
40 48 843 105.1 1.67 175.3 88% 16.9 2.06 34.7 41% 18.4 1.67 30.8 89% 1.1 15.6 3.54 55.2 28.9 1.67 48.3 87% 1.9
50 48 844 105.1 1.59 167.3 87% 16.1 1.72 27.7 50% 15.4 1.59 24.5 89% 1.0 15.6 3.55 55.5 30.0 1.59 47.7 86% 1.9
60 48 845 105.0 1.54 161.5 87% 12.3 1.65 20.3 52% 11.6 1.54 17.8 88% 0.9 15.5 3.53 54.8 31.1 1.54 47.8 87% 2.0
70 48 846 104.8 1.56 163.2 87% 7.3 3.03 22.1 12% 11.7 1.56 18.3 83% 1.6 15.4 3.58 55.2 31.1 1.56 48.4 88% 2.0
75 48 846 105.0 1.56 163.7 87% 6.8 3.49 23.9 -1% 11.9 1.56 18.5 77% 1.7 15.3 3.61 55.3 31.1 1.56 48.4 88% 2.0
80 48 847 104.8 1.57 164.2 87% 6.8 3.52 24.1 -2% 11.8 1.57 18.5 77% 1.7 15.5 3.60 55.7 31.0 1.57 48.6 87% 2.0
90 48 848 104.9 1.57 164.2 87% 6.8 3.52 24.0 -2% 11.9 1.57 18.6 78% 1.7 15.6 3.53 55.1 31.0 1.57 48.5 88% 2.0
100 48 848 105.2 1.57 164.9 87% 6.8 3.51 24.0 -1% 11.9 1.57 18.7 78% 1.7 15.4 3.58 55.1 30.9 1.57 48.5 88% 2.0
100 48 848 105.0 1.56 164.2 87% 6.8 3.52 24.0 -2% 11.9 1.56 18.6 77% 1.7 15.5 3.62 55.9 30.9 1.56 48.4 86% 2.0
100 48 848 105.2 1.57 164.7 87% 6.9 3.48 24.1 -1% 11.9 1.57 18.6 77% 1.7 14.8 3.71 55.1 31.0 1.57 48.5 88% 2.1
100 25 48 847 104.7 1.57 164.5 87% 6.9 3.46 23.9 0% 11.9 1.57 18.6 78% 1.7 15.2 3.66 55.4 30.9 1.57 48.5 88% 2.0
100 50 48 847 104.9 1.57 164.7 87% 6.9 3.44 23.8 1% 11.9 1.57 18.7 79% 1.7 15.4 3.58 55.2 30.9 1.57 48.6 88% 2.0
100 75 48 846 104.8 1.56 164.0 86% 6.9 3.47 24.0 0% 11.8 1.56 18.5 77% 1.7 15.1 3.69 55.7 30.9 1.56 48.4 87% 2.0
100 100 48 845 105.0 1.55 163.0 87% 6.9 3.39 23.4 2% 11.7 1.55 18.2 78% 1.7 15.6 3.61 56.3 31.2 1.55 48.4 86% 2.0
100 100 15 48 845 105.1 1.55 162.7 87% 7.4 2.88 21.2 17% 10.8 1.55 16.7 79% 1.5 15.5 3.59 55.6 31.3 1.55 48.5 87% 2.0
100 100 30 48 845 104.9 1.52 158.9 87% 7.2 2.33 16.9 33% 9.1 1.52 13.8 81% 1.3 15.4 3.61 55.6 32.0 1.52 48.5 87% 2.1
90 100 40 48 844 105.0 1.51 158.1 88% 7.7 2.05 15.8 41% 8.7 1.51 13.1 83% 1.1 15.4 3.55 54.7 32.1 1.51 48.3 88% 2.1
80 100 50 48 843 104.7 1.43 149.7 86% 6.7 1.63 10.9 53% 5.6 1.43 8.0 74% 0.8 15.4 3.54 54.4 33.1 1.43 47.3 87% 2.2
60 100 70 48 844 105.0 1.37 144.1 87% 0.0 0.69 0.0 80% -0.5 1.37 -0.7 15.6 3.56 55.5 35.1 1.37 48.2 87% 2.3
50 100 80 48 844 105.0 1.37 143.5 87% 0.1 0.74 0.0 79% -0.5 1.37 -0.7 15.2 3.62 55.0 35.0 1.37 47.8 87% 2.3
30 100 100 48 844 105.0 1.37 143.8 87% 0.1 0.97 0.1 72% -0.5 1.37 -0.7 15.5 3.58 55.5 35.1 1.37 48.1 87% 2.3
D1 D2
Sombremiento
sobre cada columna
del mdulo M1
GIE 2
SALIDA Convertidor
ENTRADA
Mdulo M2 Convertidor
Condiciones
de medida
SISTEMA TOTAL
ENTRADA Mdulo
M1 Salida Convertidores GIE
GIE 1

157

Tabla 5-4-B Resultados de medida en el que se realiza un sombreamiento progresivo mediante un perfil superpuesto al mdulo asociado al convertidor GIE 1,
en un sistema de cuatro convertidores en serie acoplados a un inversor con voltaje de entrada constante e igual a 105V.

Tc W/m
2
V (V) I (A) P (W) V (V) I (A) P (W)
GIE M(D)v V (V) I (A) P (W) V (V) I (A) P (W)
GIE M(D)v
48 843 15.7 3.53 55.4 27.4 1.81 49.7 90% 1.7 15.2 3.54 53.9 26.1 1.81 47.3 88% 1.7
10 48 843 15.4 3.62 55.9 27.8 1.79 49.7 89% 1.8 15.3 3.57 54.5 26.5 1.79 47.3 87% 1.7
20 48 844 15.3 3.56 54.6 28.5 1.75 49.9 91% 1.9 15.1 3.57 53.9 27.1 1.75 47.4 88% 1.8
25 48 844 15.6 3.55 55.5 28.6 1.74 49.8 90% 1.8 15.2 3.55 53.9 27.2 1.74 47.3 88% 1.8
30 48 844 15.6 3.50 54.6 29.1 1.71 49.7 91% 1.9 15.4 3.58 55.0 27.7 1.71 47.3 86% 1.8
40 48 843 15.6 3.49 54.4 29.7 1.67 49.6 91% 1.9 15.3 3.56 54.6 28.4 1.67 47.4 87% 1.9
50 48 844 15.8 3.46 54.7 30.9 1.59 49.1 90% 2.0 15.4 3.54 54.3 29.5 1.59 47.0 87% 1.9
60 48 845 15.9 3.50 55.7 32.0 1.54 49.3 88% 2.0 15.4 3.53 54.2 30.6 1.54 47.0 87% 2.0
70 48 846 15.8 3.47 54.7 31.8 1.56 49.5 91% 2.0 15.4 3.56 54.9 30.4 1.56 47.3 86% 2.0
75 48 846 15.8 3.47 54.8 31.8 1.56 49.6 91% 2.0 15.4 3.52 54.3 30.4 1.56 47.4 87% 2.0
80 48 847 15.6 3.53 55.0 32.0 1.57 50.0 91% 2.1 15.3 3.56 54.6 30.3 1.57 47.5 87% 2.0
90 48 848 15.9 3.46 54.8 31.8 1.57 49.9 91% 2.0 15.4 3.54 54.4 30.3 1.57 47.4 87% 2.0
100 48 848 15.9 3.47 55.3 31.9 1.57 49.9 90% 2.0 15.4 3.55 54.7 30.4 1.57 47.6 87% 2.0
100 48 848 15.8 3.46 54.7 31.8 1.56 49.8 91% 2.0 15.3 3.53 54.2 30.3 1.56 47.5 88% 2.0
100 48 848 15.8 3.45 54.5 31.8 1.57 49.9 91% 2.0 15.3 3.56 54.6 30.4 1.57 47.5 87% 2.0
100 25 48 847 15.5 3.54 55.0 31.9 1.57 50.1 91% 2.1 15.5 3.53 54.5 30.3 1.57 47.6 87% 2.0
100 50 48 847 15.6 3.54 55.2 31.9 1.57 50.2 91% 2.0 15.3 3.54 54.2 30.4 1.57 47.8 88% 2.0
100 75 48 846 15.7 3.47 54.5 31.9 1.56 49.9 92% 2.0 15.6 3.55 55.4 30.4 1.56 47.6 86% 1.9
100 100 48 845 15.7 3.46 54.2 32.0 1.55 49.6 92% 2.0 15.3 3.54 54.1 30.4 1.55 47.3 87% 2.0
100 100 15 48 845 15.8 3.53 55.6 32.2 1.55 49.9 90% 2.0 15.4 3.54 54.5 30.9 1.55 47.9 88% 2.0
100 100 30 48 845 15.7 3.49 54.7 33.0 1.52 50.0 91% 2.1 15.3 3.61 55.3 31.3 1.52 47.5 86% 2.0
90 100 40 48 844 15.6 3.50 54.7 33.0 1.51 49.6 91% 2.1 15.5 3.55 54.9 31.4 1.51 47.3 86% 2.0
80 100 50 48 843 15.6 3.52 54.9 34.2 1.43 48.9 89% 2.2 15.5 3.51 54.3 32.9 1.43 47.1 87% 2.1
60 100 70 48 844 15.8 3.43 54.3 36.1 1.37 49.5 91% 2.3 15.5 3.57 55.2 34.4 1.37 47.2 85% 2.2
50 100 80 48 844 15.8 3.49 55.1 36.2 1.37 49.5 90% 2.3 15.6 3.52 55.0 34.3 1.37 46.9 85% 2.2
30 100 100 48 844 15.8 3.50 55.4 36.2 1.37 49.6 89% 2.3 15.2 3.57 54.1 34.4 1.37 47.1 87% 2.3
Sombremiento
sobre cada columna
del mdulo M1
Condiciones
de medida
GIE 4 GIE 3
ENTRADA
Mdulo M4 SALIDA Convertidor
D1 D2
ENTRADA
Mdulo M3 SALIDA Convertidor
Tesis Doctoral

158
Desde el punto de vista de comparacin de los resultados con el modelo terico
desarrollado, se puede comprobar que los valores mximos de desacoplamiento concuerdan
con el clculo del voltaje del inversor expuesto en la seccin 5.4.2, cuyo objetivo era
proteger a los convertidores en caso de que alguno de los mdulos tuviera el mximo
desacoplamiento.
Como punto final de este anlisis, podra indicarse que la ventaja que tienen los
diodos de paso, aparte de proteger al mdulo contra puntos calientes, es de protege al
convertidor de no superar el rango de relacin de conversin permitido cuando se sombrea
sobre una clula o conjunto de clulas en la zona de influencia de uno de los diodos.
5.4.5 Mxima potencia extrada por los convertidores con mdulos
sombreados
Este ensayo representa una de las pruebas ms importantes para identificar la
potencia que puede extraerse del generador mediante el uso de mdulos MPPT en
condiciones de sombreamiento. Hay que considerar que el conjunto de combinaciones
posibles de proyecciones de sombras sobre mdulos es extenso, por lo tanto solo se
considera un conjunto seleccionado de posibilidades, pero que pueden presentarse en
situaciones reales en edificios fotovoltaicos. Tambin es importante sealar que este ensayo
ha sido preparado considerando los estudios tericos y ensayos previos, que aportan una
valiosa informacin sobre las situaciones concretas en donde es posible extraer la mxima
potencia de los mdulos fotovoltaicos.
5.4.5.1 Consideraciones iniciales
Se considerarn los siguientes casos de sombreamiento:
I. Un mdulo parcialmente sombreado entre el 25 y 75 % sobre una clula o
conjunto de clulas en la misma zona de influencia de uno de los diodos de paso.
II. Dos mdulos parcialmente sombreados sobre una clula o conjunto de clulas en
una zona de influencia de uno de los diodos de paso.
III. Sombreamiento parcial y total en un mismo mdulo, en las zonas de influencia
de los dos diodos de paso.
IV. En dos mdulos, se combinan sombreamiento parcial y total en las zonas
respectivas de influencia de los dos diodos de paso.
V. Sombreamiento parcial en todos los mdulos del generador.
Se utiliza el mismo mtodo de medida de la seccin 5.4.3 y expuesto en la Figura
5-17. Recordando adems que el factor de mejora, F
M
, se define como la relacin entre la
sumatoria de las potencias de entrada de los convertidores y la mxima potencia disponible
del generador obtenida de la medida de su curva caracterstica.

159
5.4.5.2 Anlisis de resultados
En la Tabla 5-5 se presentan los resultados de las medidas, donde se detalla por
columnas: las condiciones de medida, el porcentaje de sombreamiento sobre cada rea de
influencia de los diodos de los mdulos, los parmetros elctricos de entrada del sistema
correspondiente a la curva P-V del generador y a la sumatoria de potencias de entrada de los
convertidores; y finalmente, se muestran los parmetros elctricos de salida de cada uno de
los convertidores y del sistema total de convertidores interconectados.
Los resultados describen, siguiendo por orden, los casos de sombreamiento
expuestos en el apartado anterior. Es preciso indicar que en la tabla se sombrean las casillas
de resultado que muestran dos aspectos importantes; el factor de mejora de los
convertidores por encima del 10% y la relacin de conversin mxima y mnima alcanzada
en cada caso.
El primer caso se empieza observando las primeras 5 filas de la Tabla 5-5, donde se
incrementa el sombreamiento en el mdulo M1 desde 25% al 75% sobre la zona de
influencia del diodo D1. Se puede apreciar que el mximo F
M
fue del 11% obtenido al 40%
de sombreamiento, y la mnima relacin de conversin M(D)=1 de el mdulo afectado fue
entre el 50 y 60% de sombreamiento (como era de esperarse segn la Figura 5-16).
A continuacin, las siguientes cinco filas de la tabla muestran el segundo caso, en el
que se combinan sombreamientos entre los mdulos M1 y M2, representando, ya sea el paso
de un pequeo perfil de sombra entre los dos laterales del mdulo o sombreamientos
localizados. Se aprecia entonces mejoras combinando sombreamientos entre el 40 y 50%
sobre ambos mdulos, con esto se logra alcanzar una mejora

del 24%. En las ltimas dos
medidas, se puede observar como al aumentar el sombreamiento ms all del 50%
disminuye el F
M
, llegando a conseguir que los dos convertidores no afectados por las
sombras estn en el lmite de su mxima relacin de conversin.
Consecutivamente se muestra el tercer caso de sombreamiento en las siguientes
cuatro lneas, donde se observa que nuevamente se encuentran las mximas mejoras del 21
y 16%, obtenido al 40% y 50% de sombreamiento respectivamente, en el que se considera
un sombreamiento total sobre la otra parte de influencia del diodo de paso. Se observa
adems que el mdulo est alcanza la mnima relacin de conversin al 75% de
sombreamiento, anlogo al primer caso.
El cuarto caso consiste en hacer un sombreamiento total en dos zonas de los mdulos
M1 y M2 y combinando sombreamientos parciales en las otras dos zonas. En este caso se
logr alcanzar el 18, 28 y 30% de mejora, consiguiendo adems que los convertidores estn
en el lmite de su mxima relacin de conversin.
Las ltimas medidas corresponden al ltimo caso de sombreamiento. Se presentan
dos medidas, en la primera se combinan pequeos sombreamientos parciales en los cuatro
mdulos logrando el 10% de mejora y en la segunda se realizan combinaciones de
sombreamientos en torno al 40 y 50% alcanzando mejoras del 20% en la potencia extrada.
Tesis Doctoral

160

Tabla 5-5. Resultados de sombreamiento localizado en un sistema de cuatro convertidores en serie para conocer la eficiencia MPPT mediante comparativa con la mxima
potencia extrada del generador

Tc (C) W/m
2
D1 D2 D1 D2 D1 D2 D1 D2 V (V) I (A) P (W) V (V) I (A) P (W) Fm V (V) M(D)v V (V) M(D)v V (V) M(D)v V (V) M(D)v V (V) I (A) P (W)
GIE
43 808 25% 64.9 2.90 191 63.4 3.28 208 9% 23.3 1.4 27.2 1.8 28.1 1.8 26.7 1.7 105 1.75 183 88%
40 729 40% 54.1 3.10 167 65.2 2.84 185 11% 20.3 1.2 28.3 1.8 28.8 1.8 27.7 1.7 105 1.56 163 88%
42 780 50% 54.4 3.30 175 63.7 2.99 190 9% 18.5 1.1 28.8 1.9 30.1 1.9 28.2 1.9 105 1.60 167 88%
40 830 60% 54.0 3.50 190 64.0 3.12 200 5% 15.7 1.0 30.1 1.9 30.6 1.9 29.0 1.8 105 1.67 175 88%
45 856 75% 52.4 3.60 187 53.9 3.58 193 3% 11.9 1.8 31.1 2.0 31.9 2.0 30.1 1.9 105 1.60 168 87%
52 941 25% 45% 55.7 3.20 180 62.4 3.41 212 18% 26.2 1.6 21.1 1.3 29.4 2.0 28.1 1.9 105 1.79 188 88%
61 873 35% 45% 64.6 2.30 150 60.8 3.03 184 23% 24.3 1.5 21.2 1.3 30.3 2.1 29.0 2.0 105 1.54 161 88%
56 834 40% 50% 42.1 3.40 143 63.4 2.80 177 24% 23.3 1.4 20.4 1.2 31.6 2.1 29.7 2.0 106 1.48 156 88%
47 903 50% 70% 43.0 3.80 163 55.2 3.24 179 10% 22.6 1.3 13.8 1.9 35.3 2.3 33.4 2.2 105 1.49 156 87%
49 945 70% 70% 42.8 3.80 165 44.8 3.85 172 5% 14.9 2.1 15.3 2.2 38.6 2.5 36.4 2.4 105 1.39 146 85%
42 905 25% 100% 58.1 3.10 182 55.7 3.67 204 12% 10.9 1.4 31.6 2.0 32.3 2.0 30.3 1.9 105 1.69 177 87%
59 816 40% 100% 40.8 3.40 137 50.9 3.24 165 21% 9.3 1.3 31.9 2.2 32.9 2.2 31.3 2.1 105 1.35 142 86%
49 891 50% 100% 43.3 3.80 162 54.1 3.49 189 16% 7.9 1.1 32.6 2.1 31.8 2.0 31.3 2.0 105 1.53 161 85%
44 828 75% 100% 44.4 3.50 153 49.6 3.45 171 12% 1.4 0.6 34.5 2.2 35.7 2.2 33.6 2.1 105 1.41 148 87%
48 899 35% 100% 100% 35% 48.3 2.70 132 46.5 3.34 156 18% 12.7 1.8 13.6 1.8 40.2 2.5 38.6 2.5 105 1.26 133 86%
41 943 40% 100% 100% 30% 50.3 2.60 131 47.7 3.51 167 28% 11.9 1.5 14.2 1.9 40.6 2.4 38.2 2.4 105 1.37 144 86%
61 889 100% 50% 60% 100% 25.2 3.50 89 46.9 2.46 115 30% 12.2 1.7 10.2 1.4 41.4 2.5 41.4 2.6 105 0.95 99 86%
48 961 30% 35% 20% 25% 67.0 2.90 193 66.7 3.18 212 10% 24.8 1.5 25.0 1.5 29.4 1.8 26.2 1.6 105 1.79 188 89%
52 897 40% 25% 40% 50% 68.4 2.10 142 66.4 2.56 170 20% 25.4 1.6 31.0 1.9 26.9 1.6 22.1 1.3 105 1.44 151 89%
M 2 - GIE 2 Curva I-V Generador
ENTRADA DEL SISTEMA SALIDAS CONVERTIDORES GIE
GIE 1 GIE 2 GIE 3
SOMBREAMIENTO LOCALIZADO EN UN SISTEMA DE CUATRO CONVERTIDORES GIE EN SERIE: COMPARATIVA ENTRE LA CURVA P-V DEL GENERADOR Y LA EFICIENCIA MPPT
Convertidores GIE
Condiciones de
medida
M 1 - GIE 1 M 3 - GIE 3 M 4 - GIE 4
SOMBREAMIENTO PUNTUAL
GIE 4 SALIDA SISTEMA

161
Como conclusin general de estas medidas, se puede decir que, se consiguen
mejoras por encima del 10% cuando, en alguna o varias zonas de influencia de los diodos de
paso de los mdulos asociados a los convertidores, se realizan sombreamientos sobre una o
varias clulas que cubran un rea entre el 25 y 60%.
Es importante considerar tambin que, si se consideran stas situaciones de
sombreamiento en el funcionamiento de una instalacin convencional (sin mdulos MPPT), la
limitacin del rango de voltaje del MPPT del inversor as como la operacin del algoritmo de
bsqueda puede provocar prdidas de potencia, en donde el voltaje del generador puede
estar situado en un punto de mxima potencia diferente al mximo absoluto (extrada de la
curva P-V del generador); en este caso, los mdulos MPPT podran conseguir un factor de
mejora adicional a los valores expuestos en los ensayos realizados.
5.4.6 Experiencias de los ensayos
Este apartado recoge los hitos ms significativos de la experiencia detrs de los
ensayos, y que pretende mostrar las dificultades y logros en la evaluacin y puesta en
marcha del prototipo.
Durante la primera verificacin del funcionamiento de la Unidad de Control y
Supervisin UCS, se comprob que el valor de medida de corriente del mdulo y del
convertidor estaba siempre por encima del valor real, y se incrementaba la diferencia a
medida que aumentada la intensidad. Al abrir el cuadro que alberga el convertidor se
comprob que el sensor de corriente shunt estaba siendo afectado por la temperatura del
radiada por el transistor, entonces, al aumentar la temperatura del shunt disminua su
resistencia y por tanto la corriente medida era mayor. Por este motivo no pudo verificarse el
funcionamiento del sistema de monitorizacin de cada GIE as como de la UCS y comparar
los datos almacenados por el software de control.
Los ensayos ms importantes se realizaron durante el verano. El efecto de
temperatura se increment durante los das ms calurosos afectando al propio
funcionamiento del convertidor, llegando a temperaturas de ms de 100 C como puede
verse en la Figura 5-19. Finalmente, hubo que suspender las medidas, reemplazar los
transistores y dejar la tapa del cuadro de los prototipos abiertos para permitir mayor
ventilacin. La potencia de los mdulos fotovoltaicos utilizados era inferior a la mxima del
diseo del convertidor, por lo que se ha sido un problema de disipacin trmica.
En futuros desarrollos se ha considerado la separacin de la medida de corriente de la
etapa de potencia, as como el uso de una carcasa metlica que sirva como disipador de los
componentes de potencia.
De igual forma se ha pensado en disminuir el tamao de los componentes de
potencia aumentando la frecuencia de conmutacin de los transistores, llegando incluso en
un futuro cercano a integrarse en la misma caja de conexiones del mdulo fotovoltaico.
Adems de las funciones que actualmente tiene el prototipo desarrollado, como MPPT
y monitorizacin de cada mdulo fotovoltaico, se podr ejercer un control sobre l. Esta
Tesis Doctoral

162
posibilidad permite la autoproteccin en caso de mal funcionamiento, bloqueo de su
funcionamiento por robo, entre otros.

Figura 5-19. Termofotografa del efecto de sobre temperatura del convertidor
5.5 Referencias

[1] Proyecto GENIUS Gestin de Energa Integrada para Uso Solar Fotovoltaico
(TIC 2002-04245-C02)
[2] Eduardo Romn Medina. Viabilidad de Sistemas Fotovoltaicos con Mltiples
Seguidores del Punto de Mxima Potencia. Tesis Doctoral, Universidad del Pas
Vasco. Octubre de 2006
[3] Market survey on solar modules. Photon International, February 2002
[4] J. Nickel. On the trail of Euro-Eta. Photon International, junio 2004, pags. 50-53
[5] E. Lorenzo. Relatos de la conexin fotovoltaica a la red V, de AIE a los
inversores. Era Solar, Edicin N 126, Julio/Agosto 2005
[6] H. Haeberlin and others. Evolution of Inverters for Gris Connected PV-System
from 1989 to 2000. 17
th
European photovoltaic Solar Energy Conference and
exhibition. Munich, Germany, oct 22 Oct 26, 2001.
[7] B. Cletterie, R. Bruendlinger, S. Spielauer. Quantify dynamic MPPT performance
under realistic conditions first test results the way forward. 21
st
European
Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. International Convention
Centre (CCIB), Barcelona, Spain. Aug. 11, 2004.
Shunt
Transistor
163
Captulo 6

6 Conclusiones generales y futuras lneas de investigacin

Espaa en 2008 fue el lder mundial en potencia fotovoltaica instalada, tras el hito
histrico de crecimiento del sector fotovoltaico, que en un solo ao, hizo la tercera parte de
la potencia acumulada mundial de 2007, duplic el instalado por Alemania y super en siete
veces el objetivo para 2010 del Plan de Fomento de las Energas Renovables del 2006. A la
espera del nuevo plan de Energas Revocables 2011-2020, el ltimo real decreto 1578/2008
nos ofrece unas reglas que permitirn el crecimiento enfocado a la edificacin, es decir, a los
edificios fotovoltaicos. Es un mbito relativamente nuevo en Espaa, que requiere de
investigacin y desarrollo de dispositivos que permitan una mayor flexibilidad para que la
fotovoltaica pueda adecuarse a determinadas circunstancias problemticas en la integracin
arquitectnica, como son: mdulos con diferentes tamao, inclinacin y orientacin,
suciedad localizada, dispersin de parmetros, entre otras.
Enriquecida con diversos estudios, simulaciones, desarrollo de instrumentacin y
software, as como de importantes resultados de ensayos; esta tesis doctoral ha contribuido
a analizar la problemtica del control de potencia de mdulos y generadores fotovoltaicos en
edificios.
6.1 Principales contribuciones
Cabe destacar en primera instancia el desarrollo de instrumentacin y software para
la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT, con potencias de operacin
inferiores a 500 W y voltajes de hasta 100 V. Se realiz una amplia campaa de ensayos
donde se utilizaron distintos modelos y fabricantes de mdulos fotovoltaicos y se efectuaron
diversos estudios sobre los efectos producidos por el sombreamiento. Tambin cabe destacar
la presentacin de un nuevo mtodo de ensayo para validar convertidores MPPT, donde se
elimina el uso de fuentes de alimentacin y aade la posibilidad de la medida en campo de
mdulos MPPT.
En segunda instancia se realiz un extenso estudio terico sobre el funcionamiento y
comportamiento de mdulos MPPT, en el que se desarrollan diversas expresiones
matemticas para estimar la configuracin ptima del inversor en un sistema fotovoltaico
conectado a red, as como de los parmetros elctricos y la mxima relacin de conversin
en diferentes condiciones de funcionamiento. Por ltimo, y tomando como ejemplo la prgola
fotovoltaica de la Moncloa, se realiza una simulacin energtica considerando mdulos MPPT.
Como tercer aspecto, se presenta un prototipo de convertidor MPPT desarrollado en
el marco del proyecto GENIUS por Robotiker Tecnalia. Se realiza una campaa de ensayos
utilizando cuatro prototipos conectados en serie a un inversor como un sistema fotovoltaico
Tesis Doctoral

164
conectado a red. Se realiza la caracterizacin individual de stos convertidores mediante la
instrumentacin desarrollada y se estudia su comportamiento en diversas condiciones de
sombreamiento. Finalmente, se estudiaron las situaciones de funcionamiento de mdulos
MPPT para las que se puede extraer la mxima potencia del generador fotovoltaico
comparado con la que podra extraer un inversor convencional.
6.2 Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT
La instrumentacin desarrollada ha sido diseada inicialmente con fin de que pueda
ser fcilmente reproducida, a un coste relativamente bajo, en pases en va de desarrollo
donde se realizan programas de electrificacin solar fotovoltaica a travs del proyecto
Europeo TaQSolRE
1
. Los alcances de ste desarrollo llegaron ms lejos de lo previsto, al ser
un instrumento que adems de su uso para la caracterizacin de mdulos en polarizacin
directa e inversa, se ha podido adecuar para la medida de convertidores MPPT a travs del
proyecto GENIUS.
El mtodo de caracterizacin utilizado ha sido desarrollado con anterioridad en el
laboratorio del IES-UPM. Las mejoras, aqu desarrolladas, han proporcionado ms funciones
y versatilidad como son: diseo robusto y de fcil adaptacin a la carga, instrumentacin
ms precisa con bajas prdidas de conduccin, posibilidad de medida en cortocircuito,
medida en polarizacin inversa y adaptada para la caracterizacin de convertidores MPPT.
6.2.1 Alcances
El equipo desarrollado ha sido utilizado en el laboratorio de sistemas fotovoltaicos del
Instituto de Energa Solar para diversas actividades relacionadas con ensayos y controles de
calidad de mdulos y clulas fotovoltaicas.
Cabe citar los siguientes alcances ms importantes:
Realizacin de manuales tcnicos y guas de implementacin del equipo
desarrollado y as como la descripcin del procedimiento de medida, con el fin de
que sirvan de utilidad para su implementacin en otros laboratorios,
principalmente en pases donde los programas PVRE vayan a implementarse.
Realizado a travs del proyecto TaQSolRE.
Medida de mdulos fotovoltaicos suministrados para la realizacin de lmparas
solares en India. Asociado con el proyecto TaQSolRE.
Control de calidad de suministro de mdulos fotovoltaicos de Isofotn en
proyectos de electrificacin rural en Marruecos.
Control de calidad de instalaciones fotovoltaicas conectadas a red de Isofotn
(Coslada y Mstoles), en medidas de generadores fotovoltaicos.

1
Proyecto TaQSolRE, siglas de Tackling the Quality in Solar Rural Electrification, cofinanciado por la
Comisin Europea, Ref. NNE5-2002-00098
Captulo 6. Conclusiones generales y futuras lneas de investigacin

165
Control de suministro de los mdulos fotovoltaicos en el proyecto UPM-Solar
Decathlon 2005.
Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT a travs del
proyecto GENIUS Gestin de Energa Integrada para Uso Solar Fotovoltaico (TIC
2002-04245-C02).
Medida de mdulos y generadores en varios programas de electrificacin rural.
As mismo se realiz una transferencia de tecnologa a la Facultad de Ciencias Fsicas
de la Universidad Complutense para el Grupo de Energas Renovables a travs de un
proyecto de fin de carrera titulado Diseo e implementacin de instrumentacin electrnica
y software para la caracterizacin elctrica de mdulos fotovoltaicos de silicio cristalino.
Actualmente, esta instrumentacin se utiliza en prcticas de laboratorio en asignaturas de
Master.
6.2.2 Validacin y resultados de ensayos
Se ha realizado una amplia campaa de medidas usando siete mdulos fotovoltaicos
comerciales con diferente tecnologa de clula (mono y policristalino). Para validar los
resultados, se han comparado con los obtenidos por el CIEMAT mediante la calibracin previa
de los mdulos medidos. Las condiciones de medida han sido muy diversas, tomando valores
de irradiancia comprendidos entre 600 y 1000 W/m
2
. La mxima desviacin encontrada
entre medidas de potencia mxima de mdulos individuales y el valor calibrado por el
CIEMAT ha sido del 2,1 %; mientras que las desviaciones mximas utilizando mdulos de
referencia fueron de 0,5 %. Esta diferencia recuerda que, la medida utilizando un mdulo de
referencia mejora la incertidumbre asociada a los errores sistemticos del propio mtodo de
medida. Sin embargo, la medida de mdulos individuales, mediante ste mtodo, ha
demostrado estar por debajo del 5 % especificado en la norma EUR 16340 para el mtodo
de medida exterior.
Los ensayos en polarizacin directa bajo efectos de sombreamiento expuestos en el
captulo 3, han contribuido a comprender los efectos del diodo de paso en el comportamiento
del punto de mxima potencia de la curva potencia-voltaje del mdulo, y en consecuencia
del generador fotovoltaico. Entender estos efectos, ha sido crucial para identificar los niveles
de sombreamiento en los que es posible extraer la mxima potencia del generador, y en
definitiva, el control distribuido mediante mdulos MPPT. Estos resultados han servido
adems de base para la programacin de los ensayos de convertidores MPPT del captulo 5.
6.3 Mdulos MPPT en edificios fotovoltaicos
En el captulo 2, Estado del Arte, se realiz una revisin a los sistemas de control de
potencia, en aspectos como: topologas y tendencias desde el control centralizado al
distribuido en inversores DC/AC, factores dinmicos y estticos del MPPT, y la tendencia al
control distribuido, en especial con el uso de mdulos MPPT.
Tesis Doctoral

166
Esta tesis se ha centrado en una contribucin a sta propuesta, mediante un estudio
detallado sobre su comportamiento; desde el punto de vista terico, por medio de modelos
matemticos y simulaciones; y prctico, mediante ensayos de un nuevo prototipo.
Ampliar las posibilidades a la integracin arquitectnica en edificios, implica
minimizar las prdidas del generador ante la eleccin de: diferentes mdulos, inclinacin y
orientacin, sombras o suciedad, como puede observarse en la Figura 6-1.
Figura 6-1. Posibilidades de integracin arquitectnica utilizando convertidores MPPT

En el captulo 4 se realizan diversos estudios sobre como optimizar el funcionamiento
de los convertidores bajo determinadas condiciones de desacoplamiento entre corrientes en
un mismo string. Mediante modelos matemticos se explica como identificar los lmites en
los que los convertidores pueden trabajar, simular una situacin crtica determinada y de
esta forma fijar el voltaje de entrada del inversor. En el estudio mediante simulacin
energtica de la prgola fotovoltaica de la Moncloa, se demuestra que en circunstancias de
integracin con diferente orientacin e inclinacin, es posible conseguir hasta un 18% ms
de energa anual utilizando mdulos MPPT. Este aspecto es perfectamente anlogo a utilizar
mdulos con diferentes caractersticas elctricas, que desde el punto de vista prctico como
concepto arquitectnico, corresponde a mdulos con diferente tamao.
Mientras que en el captulo 5, se presentan los ensayos que han permitido validar
cuatro prototipos en una instalacin tpica conectada a red configurando el voltaje de entrada
del inversor a un valor constante. En estos ensayos, se llega a conclusiones relevantes
respecto a circunstancias de sombreamiento donde es posible conseguir mayor potencia que
la disponible en el generador en un sistema fotovoltaico convencional conectado a red. Se
concluye que en situaciones concretas de sombreamientos, los convertidores pueden aislar
los efectos de desacoplamiento de corrientes, de tal forma que se consigue un factor de
mejora
2
entre el 10 y 30 %. Este factor se explica como el porcentaje de potencia por
encima de la disponible en el generador fotovoltaico, es decir, de la curva P-V de todos los
mdulos interconectados.

2
Se puede conseguir un factor de mejora adicional de los mdulos MPPT respecto a una instalacin
convencional, si se consideran los errores del MPPT del inversor (debido a la limitacin del rango de
operacin y del propio algoritmo de bsqueda), que pueden hacer trabajar al generador en un punto de
mxima potencia diferente al mximo absoluto (extrado de la curva P-V del generador).
MPPT
MPPT
MPPT

MPPT
MPPT
MPPT

Sur
Este
MPPT
MPPT
MPPT

Oeste
Diferente tamao (potencia) Inclinacin y orientacin Sombras o suciedad

167
6.4 Resultados de ensayo de un nuevo prototipo de convertidor MPPT
La caracterizacin de convertidores MPPT consistente en verificar el funcionamiento
del seguimiento del punto de mxima potencia del mdulo hasta conseguir su mxima
relacin de conversin. El uso de un nuevo mtodo mediante una carga capacitiva como
generador de barrido de voltaje, permite la caracterizacin de forma automtica y sin
consumo elctrico para la medida en campo de mdulos MPPT. Se comprueba en los
ensayos que la mxima relacin de conversin es de 2,5 y que el convertidor mantiene
constante la mxima potencia del mdulo fotovoltaico desde su voltaje mximo hasta 2,5
veces ste valor.
La medida de convertidores MPPT mediante un sombreamiento progresivo sobre un
mdulo usando un perfil de sombra ha permitido conocer el comportamiento del MPPT en la
curva P-V e identificar los lmites de mxima y mnima relacin de conversin. En el estudio
con cuatro mdulos MPPT con dos diodos de paso se concluye que, al 50% de
desacoplamiento, el convertidor llega a la relacin de conversin mnima M(D)=1, tal y como
se haba previsto con el mtodo de clculo del voltaje del inversor expuesto en la seccin
5.4.2, considerando tambin que los convertidores no afectados por la sombra no alcanzan la
mxima relacin de conversin situndose justo por debajo del 2,5. Sin embargo, cuando la
sombra sobrepasa del 75%, la potencia generada del mdulo se reduce a la mitad y el MPPT
del convertidor se encuentra trabajando a la corriente mxima del mdulo y a la mitad su
voltaje. Esto ltimo explica el paso del punto de mxima potencia absoluto en la curva P-V
del mdulo. En el conjunto de ensayos, este fenmeno ha permitido concluir que nicamente
se justifica la funcionalidad del convertidor MPPT cuando el nivel de sombreamiento no
supera el 60% sobre cualquier clula sombreada.
Los resultados de ensayo de sombreamiento localizado ha sido un gran aporte para
conocer el factor de mejora respecto a un sistema convencional. Como conclusin general, se
consiguen mejoras por encima del 10% cuando en alguna o varias zonas de influencia de los
diodos de paso de uno o varios mdulos se realizan sombreamientos sobre una o varias
clulas que cubran un rea entre el 25 y 60 %. Los mejores resultados se consiguen
sombreando simultneamente varios mdulos a stos niveles alcanzando hasta el 30 %. En
todas las combinaciones posibles, la relacin de conversin de los convertidores se mantuvo
dentro de los rangos correctos de funcionamiento, hecho que valida los modelos
matemticos de comportamiento desarrollados y descritos en el captulo 4, as como los
clculos del voltaje ptimo del inversor para la campaa de ensayos descrito en el captulo 5.
6.5 Lneas de investigacin en marcha
Como continuacin de sta tesis doctoral y del proyecto GENIUS del cual se ha
nutrido sta tesis, en el ao 2008 se aprob un proyecto bajo el ttulo INTegracin en
Edificios de GeneRacin Electrica mediante nuevas Arquitecturas de conexionado de
Sistemas FotoVoltaicos - INTEGRA FV, en donde se apuesta por una arquitectura distribuida
basada en la aplicacin de un convertidor DC-DC con algoritmo de Seguimiento del Punto de
Mxima Potencia (MPPT) a cada mdulo fotovoltaico. Los trabajos previos realizados por los
Tesis Doctoral

168
grupos de investigacin que presentan el proyecto han establecido la necesidad de
implementar un nuevo sistema de control y gestin de sistemas FV distribuidos, basado en
nuevos algoritmos de deteccin de fallos, tomando como punto de partida el desarrollado en
apartado 5.2.3 de sta tesis, que sean capaces de aprovechar los datos que se obtienen de
cada panel FV por medio de un sistemas de comunicaciones Power Line (PLC). Asimismo, se
investigar en la implementacin de un nuevo inversor fotovoltaico, especfico para la
arquitectura distribuida, cuya principal caracterstica es la de carecer del algoritmo MPPT y la
adaptacin a la nueva curva del generador fotovoltaico distribuido mediante el cambio del
voltaje de entrada del inversor.
Para la ejecucin del proyecto se cuenta con un consorcio formado por el Instituto de
Energa Solar; un Centro Tecnolgico, la Fundacin ROBOTIKER; y dos empresas del sector
fotovoltaico en calidad de Ente Promotor Observador: ISOFOTON S.A, un spin-off de la UPM,
dedicado principalmente a la fabricacin de mdulos, con ms de 20 aos de experiencia en
el sector y un fabricante espaol de inversores fotovoltaicos INGETEAM S.A., lder del sector
a nivel nacional.
6.6 Propuestas de ampliacin de estudios especficos y/o nuevas lneas de
investigacin
Del amplio trabajo de sta tesis pueden derivarse nuevas lneas de investigacin
aplicada, que bien pueden formar parte como tarea especfica de un macro proyecto o como
principal en nuevos proyectos ampliando el campo de accin.
6.6.1 Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos
En el captulo 3 se estudi la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos, donde se
realizaron diversos ensayos y se comprobaron diferentes fenmenos que pueden ser
estudiados con ms detalle. Se sugiere entonces, las siguientes lneas o reas especificas de
investigacin:
Mtodo de ensayo en campo que permita estudiar e identificar la
formacin de puntos calientes debido a la influencia de la caracterstica
I-V en inversa de las clulas y el funcionamiento de los diodos de paso.
En la seccin 3.6.1 sobre Ensayos de sombreamiento sobre un mdulo con
diodos de paso en configuracin serie, se estudi y comprob el afecto de la
pendiente negativa de la caracterstica I-V de la clula en inversa, siendo ms
acusada en clulas con resistencia paralelo muy bajas o clulas que tienen
elevadas corrientes al polarizarse inversamente. Esta variacin de la pendiente es
proporcional al nmero de clulas sombreadas, al aumentar las clulas
sombreadas disminuye la pendiente. Luego, se entiende que stas necesitan una
fraccin de sombreado mayor para alcanzar el voltaje a partir del cual el diodo
empieza a funcionar. Por otra parte, para el mismo porcentaje de sombreado, las
clulas con elevadas corrientes en polarizacin inversa pueden disipar ms
potencia en la propia clula y producir corrientes ms bajas a travs del diodo de

169
paso, haciendo que ste se active a irradiancias ms altas que en clulas con
bajas corrientes en polarizacin inversa.
Influencia de la resistencia serie en la extrapolacin del voltaje a baja
irradiancia. En la seccin 3.4.3.1 se estudi el fenmeno de la lnea de
tendencia de cada muestra, donde puede verse una cada de la potencia mxima
proporcional al nivel de irradiancia. Se conoce este fenmeno hasta en la
normativa; por ejemplo, en la norma EN 61829 se sugiere el uso de un
coeficiente k (totalmente emprico) para el clculo de T
C
a partir de V
OC
y que
tiene en cuenta la desviacin de la irradiancia entre las condiciones de medida y
1000 W/m
2
.
6.6.2 Caracterizacin de convertidores MPPT
En el captulo 3 y 5 se describe un nuevo mtodo de caracterizacin de convertidores
MPPT; sin embargo, cabe destacar las siguientes mejoras en el mtodo y en la
instrumentacin desarrollada:
Implementacin software del actual PVGen para la medida de mdulos MPPT, el
procesamiento de los parmetros elctricos medidos as como de las curvas I-V y
P-V del convertidor MPPT. Finalmente, se sugiere implementar en una misma
medida la caracterizacin del mdulo y del convertidor, de esta forma pueden
medirse al mismo tiempo como si fuese un solo elemento mdulo MPPT.
Desarrollo de una instrumentacin compacta (hardware) que permita la medida
de mdulos y generadores con convertidores MPPT, sin necesidad de acoplar
condensadores externos. Con mayor capacidad para la medida a voltajes y
corrientes de entrada ms elevados, tpico para sistemas FV convencionales.
6.6.3 Comportamiento de convertidores MPPT
En difcil abarcar en una tesis todas las posibilidades de operacin de los
convertidores MPPT en sistemas fotovoltaicos. Por tanto, es necesario seguir estudiando su
comportamiento y mejorar los modelos existentes. Se sugiere entonces estudiar los
siguientes aspectos:
Influencia del factor de mejora de convertidores MPPT en mdulos con
sombreamiento y con ms de dos diodos de paso. Con un diodo por mdulo, solo
bastara con una suciedad del tamao de una clula para que el factor de mejora
sea nulo; y si fuera debido al paso de una sombra sobre el mdulo, con cubrir la
primera clula el factor de mejora sera nulo durante todo el tiempo de paso de
la sombra sobre las dems clulas.
Ensayo de convertidores con un sistema serie-paralelo. Para esto ser necesario
tener desarrollado un inversor (proyecto INTEGRA-PV) configurable a una amplio
rango de voltaje de entrada desde 150 V (6 mdulos de 36 clulas, o 3 de 72
clulas) hasta 600 V (24 mdulos de 36 clulas o 12 de 72 clulas).
Tesis Doctoral

170
Desarrollo de un algoritmo de control del voltaje del inversor (proyecto INTEGRA-
PV), que operando como un MPPT (cambios de voltaje puntuales y lentos) para el
voltaje de salida del conjunto de convertidores, tenga la funcin principal de
aprovechar el mximo factor de mejora de los convertidores en todas las
condiciones de operacin posibles. Es decir, mientras los convertidores no afectos
por el desacoplamiento de corriente no alcancen la mxima relacin de
conversin, tenga la prioridad de aprovechar la mxima potencia del mdulo o
mdulos afectado(s).
6.6.4 Aplicacin de convertidores MPPT en otras reas cientfico-
tecnolgicas
El uso de convertidores MPPT en mdulos fotovoltaicos puede extenderse a otras
reas cientfico-tecnolgicas. Se propone entonces las siguientes:
Mtodo de ensayo de Reguladores/Convertidores MPPT. En el apartado
2.4.3.2 del captulo 2 sobre Convertidores DC/DC acoplados a inversores y
reguladores de carga, se ha tratado sobre la implementacin de convertidores
MPPT en reguladores de carga de bateras, que permiten independizar el punto de
trabajo del generador respecto al voltaje nominal del banco de bateras, haciendo
que el mdulo o generador trabaje siempre en su punto de mxima potencia.
Adems, tienen la ventaja de poder modular los voltajes del generador respecto a
la del banco de bateras, usando convertidores DC/DC reductores o tipo buck
cuando los voltajes del generador son ms altos que los de las bateras y
elevadores o tipo Boost en el caso contrario. Este desarrollo es relativamente
nuevo en el rea de instalaciones fotovoltaicas aisladas y no existe actualmente
un mtodo o norma aplicable para el ensayo de este tipo de reguladores, por
tanto se abre una nueva lnea de trabajo en este campo.
Convertidores MPPT en sistemas fotovoltaicos de concentracin. El avance
en el desarrollo de sistemas fotovoltaicos de concentracin requiere de nuevas
alternativas que permitan aislar las prdidas de mismatch asociadas a las
diferencias de corriente provocadas a su vez por la diferencia de la apertura
angular o foco y/o a la precisin del seguimiento solar. El desarrollo de nuevos
convertidores MPPT podra minimizar estas prdidas del concentrador, adems de
la formacin de puntos calientes en caso de fallo del sistema de disipacin
trmica.
Convertidores MPPT como interfase en otros sistemas de
almacenamiento. Cada sistema de almacenamiento en el que se acoplan
mdulos o generadores fotovoltaicos requiere un nuevo estudio y diseo de los
convertidores MPPT acoplados. Cabe destacar nuevas lneas de investigacin
como son: pilas de combustible, bateras de iones de litio en sistemas porttiles,
as como en medios de transporte (motos y coches elctricos) mediante centrales
de carga elctrica con generadores fotovoltaicos, entre otros.

171
6.7 Artculos
Aceptados
R. Orduz, M. A. Egido and E. Romn. Distributed power conditioning for PV arrays
using cascade MPPT Converters. Progress in Photovoltaics: Research and
Application.
R. Orduz, M. A. Egido and E. Romn. Behavior study of MPPT converters as
distributed power conditioning system in PV arrays. 24
th
European Photovoltaic
Solar Energy Conference and Exhibition.
R. Orduz and M. A. Egido. Flexibility to integrate PV modules in buildings: MPPT
converters in PV modules as power conditioning device. 24
th
European
Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition.
Publicados
R. Orduz and M. A. Egido. Evaluation test results of a new distribuited MPPT
converter. 22
nd
European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. 3-
7 September 2007. Miln, Italy.
E. Romn, M.A. Egido, R. Orduz and Others. Energy integrated management
system for PV applications. 20
th
European photovoltaic Solar Energy conference
and Exhibition. 6-10 june 2005, Barcelona, Spain.
R. Orduz, E. Caamao-Martn and S. Novo. Spanish participation in the Solar
Decathlon: Monitoring and supervision of the photovoltaic system. 20
th
European
photovoltaic Solar Energy conference and Exhibition. 6-10 june 2005, Barcelona,
Spain.
R. Orduz and E. Caamao-Martn. Quality assurance in PV Rural Electrification
programmes: Characterization method for crystalline silicon PV modules. 19
th

European Photovoltaic Energy Conference and Exhibition. 7-11 june 2004, Paris,
French.

Tesis Doctoral

172

173

Anexos

Anexo I:
Carga capacitiva: Descripcin del procedimiento de medida
de mdulos fotovoltaicos y convertidores MPPT

Tesis Doctoral

174

Anexos
175

ISTITUTO DE EERGA SOLAR
E.T.S.I. TELECOMUICACI
UIVERSIDAD POLITCICA DE MADRID

CARGA CAPACITIVA PARA LA CARACTERIZACIN I-V
DE MDULOS FOTOVOLTAICOS Y CONVERTIDORES
MPPT
DESCRIPCIN DEL PROCEDIMIENTO DE MEDIDA

1. Descripcin general

Este documento presenta un procedimiento de caracterizacin elctrica de mdulos y
generadores fotovoltaicos en condiciones reales de operacin (mtodo exterior), aplicable a
tecnologas de silicio cristalino. Tambin se describe mtodo para la caracterizacin de
convertidores MPPT.
El mtodo est compuesto por una instrumentacin y un software que permiten
realizar las funciones de: medir la curva I-V (Corriente-Voltaje) a travs de una carga
variable capacitiva, as como las condiciones de operacin presentes en las medidas, adquirir
las muestras con un osciloscopio y procesar los resultados para obtener la curva I-V y los
parmetros elctricos referidos a las Condiciones Estndar de Medida (CEM). El mtodo y la
instrumentacin, constituyen un sistema completo cuyos objetivos prcticos son:
Determinacin de la potencia nominal de mdulos y generadores fotovoltaicos en
campo (in situ).
Control de calidad de suministros de mdulos fotovoltaicos, conforme a criterios de
aceptacin establecidos con el fabricante en el proceso de compra.
Diagnstico, seguimiento y deteccin de fallos del mdulo o generador fotovoltaico:
conexionado, sombreado y degradacin o ruptura de clulas.
Caracterizacin de convertidores MPPT: Medida de la mxima relacin de conversin,
comprobacin del seguimiento MPP, rendimiento a media carga.

Este documento complementa los siguientes: Manual de Software y Manual de
hardware.
2. Condiciones Estndar de Medida (CEM)

Para la certificacin (por un laboratorio competente) y comercializacin de mdulos
fotovoltaicos es necesario especificar sus caractersticas elctricas, referidas a unas
condiciones experimentales de medida que sirvan de referencia comn. stas son
reconocidas internacionalmente como Condiciones Estndar de Medida CEM (En ingls,
Standard Test Conditions o STC) y se definen del modo siguiente:
Irradiancia Global (G) de 1000W/m
2
incidente perpendicularmente sobre el mdulo.
Distribucin espectral AM1.5 global: Corresponde en la prctica a un da despejado
de primavera.
Temperatura de operacin de clula (Tc) de 25C.

El mtodo propuesto permite medir valores I-V (corriente-voltaje) de mdulos y
generadores fotovoltaicos en condiciones reales de operacin (por lo general distintas a las
CEM). Para ello, como se explicar ms adelante, el mtodo propone el uso de sensores
fotovoltaicos para la medida de G y Tc. Posteriormente, un programa informtico permite
extrapolar punto a punto las medidas I-V a las CEM, obteniendo as todos los parmetros
elctricos del mdulo o generador referido a stas condiciones.

Tesis Doctoral

176

3. Instrumentacin requerida
En la Figura 0-1, se muestra un esquema explicativo de la instrumentacin necesaria
para que el mtodo sea efectivo. En el esquema se reconocen cuatro bloques que merecen
su atencin:
La Instrumentacin para la Medida de las condiciones ambientales,
Los Mdulos objeto de Medida,
La carga capacitiva, el sistema de adquisicin de datos (HandyScope2 o Fluke
97/105B), una sonda opto-acoplada, conexiones entre instrumentos.
Un ordenador con el software correspondiente en el que se introducirn los
parmetros (de los mdulos objeto de medida y la medida de las condiciones
ambientales) y se procesarn los resultados.

4. Descripcin del procedimiento de medida para mdulos fotovoltaicos

ELECCIN DEL DA Y HORA DE MEDIDA: Debe elegirse un da en el que el cielo
este despejado o con pocas nubes. Para efectos prcticos, las medidas debern
realizarse en un intervalo centrado en el medio da solar (mxima elevacin solar),
de tal manera que se cumplan las siguientes condiciones de medida:
o Irradiancia global G>600 W/m
2

o Velocidad de viento Vv<8 m/s
o Fraccin de difusa respecto a la global D<20%

UBICACIN DE LOS MDULOS: Como se indica en la Figura 0-2, los sensores
fotovoltaicos (clulas o mdulos) deben estar coplanares con respecto a los mdulos
objeto de medida. Todos debern orientarse hacia el Ecuador (orientacin sur para
medidas en lugares situados en el hemisferio norte, y hacia el norte para el
hemisferio sur) e inclinarse de forma que la irradiancia incida con un ngulo inferior a
40, medido respecto a la normal a la superficie de los mdulos. Por ejemplo:
Figura 0-1 Esquema general del mtodo y conexiones de la instrumentacin
Anexos
177
= Latitud, para medidas en otoo e invierno.
= Latitud -20, para medidas en primavera y verano.
Latitud =40 para Madrid.

PREPARACIN DE LOS MDULOS Y SENSORES: Puede limpiarse normalmente
solo con agua y un pao suave, en caso de ser necesario puede usarse detergente
especial para vidrio. As mismo, debern exponerse al sol durante 30 minutos,
previamente a las medidas, con el objeto de asegurar que se encuentren en
equilibrio trmico.

ESTABILIZACIN DE LA IRRADIANCIA: Debe comprobar que no hay variaciones
bruscas en el valor de la irradiancia, asegurando de esta forma que no hay un paso
de nubes en el momento de realizar las medidas.

INSTRUMENTACIN Y MEDIDA DE LAS CONDICIONES ATMOSFRICAS: G, Tc,
D y Vv.
o Medida de G y Tc con sensores fotovoltaicos: Se propone el uso de
sensores fotovoltaicos (previamente calibrados por laboratorios reconocidos),
preferiblemente del mismo modelo y tecnologa (clula y encapsulado) que
los mdulos objetos de medida. Se utilizar un mdulo cortocircuitado como
medidor de G (cortocircuitado mediante una resistencia de precisin o
shunt) y otro en circuito abierto como medidor de temperatura de clula.
Las ecuaciones para el clculo de Tc y G son las siguientes:

*
OC,TS OC,TS
C,TS
S,TS TS
( )
25
V V
T

= + (7.1)

SH
SH
GS *
SC,GS GS P,GS C,TS
1000
(25 )
V
R
G
I T
=

(7.2)

Donde, los subndices TS y GS corresponde a los valores de los sensores
para la medida de T
C
y G respectivamente, el superndice * corresponde a
los valores a condiciones Estndar (valores de calibracin), Ns y Np al
nmero de clulas en serie y paralelo respectivamente, (A/C) variacin de
la corriente de cortocircuito con la temperatura y (V/C) variacin del
voltaje de circuito abierto con la temperatura. R
SH
es la resistencia del shunt
en ohmios.
Los parmetros constantes deben ser obtenidos del correspondiente
certificado de calibracin.
Las variables de las ecuaciones son: V
SH
(en Voltios) valor medido con un
voltmetro entre terminales del Shunt del mdulo sensor de G; y V
OC,TS
es el
valor medido por un voltmetro entre bornes del mdulo sensor de T
C
.

AZIMUT
= = =

= Latitud-20 (Primavera-Verano)
= Latitud (Otoo-Invierno)
Figura 0-2 Azimut e inclinacin de los mdulos sensores y objeto de medida.
Tesis Doctoral

178

o Medida alternativa de Tc (indirecta) con otros instrumentos: Si no se
dispone de mdulos sensores fotovoltaicos para la medida de Tc, es posible
estimar dicha variable a partir de medidas de irradiancia G y temperatura
ambiente Ta (por ejemplo por medio de un Termopar o Termmetro) y el
valor del parmetro TONC Temperatura de Operacin Nominal de la Clula
(NOCT, siglas en ingls de Normal Operation Cell temperatura). El clculo
de Tc es automtico a travs de software (PVGen), que es calculado con las
siguientes expresiones:

[ ]
[ ]
-2
C,Ta a GS 2
20C
C Wm
800
OCT C
T T G
W m
| |
( = +
|

\
(7.3)

SH
SH
GS *
SC,GS GS P,GS C,Ta
1000
(25 )
V
R
G
I T
=

(7.4)

o Medida complementaria de D y Vv: La medida de estas variables no son
imprescindibles, solo tiene por objeto comprobar que se cumplen las
condiciones de baja fraccin de difusa (D<20% respecto de G) y velocidad de
viento moderada (Vv<8m/s). La primera condicin se cumple por general en
das despejados, pudiendo verificarse la segunda de forma cualitativa
(sensacin de viento moderado).

MDULOS OBJETO DE MEDIDA (MDULO DE PRUEBA con o sin MDULO
PATRN): El mtodo proporciona dos alternativas a medir: modulo de medida
individual o con un mdulo patrn (del mismo modelo) previamente calibrado por un
laboratorio certificado. La medida de mdulos individuales garantiza una
incertidumbre menor al 5% en potencia mxima y una desviacin menor al 2.5 %
respecto a las medidas realizadas utilizando procedimientos habituales de
laboratorios de certificacin (simuladores solares). En caso de que se quieran reducir
stas diferencias (por debajo del 2%), debidas a los procedimientos empleados para
la medida de las condiciones de operacin (calibracin de sensores) y la
extrapolacin a las CEM (efectos espectrales y de temperatura), se aconseja realizar
medidas cuasi-simultneas en un mdulo patrn y corregir los resultados obtenidos
segn se indica ms adelante.

o MDULOS DE PRUEBA:
Realizar las conexiones segn Fig. 1.
Conocer los parmetros constitutivos y coeficientes de
variacin con la temperatura del mdulo:
Ns y Np: nmero de clulas en serie y paralelo
respectivamente.
Alfa, Variacin de la corriente de cortocircuito de clula con la
temperatura, tpicamente
C
(A/C)= 10
-3
(I
SC
*
/N
P
) por clula
(3mA para una clula de 3A). Si no se conoce
C
, puede
omitirse si se mide G y Tc con sensores PV de la misma
tecnologa al mdulo de prueba (debe ponerse =0 en los
parmetros del mdulo sensor G).
Beta, Variacin del Voltaje de circuito abierto con la
Temperatura, tpicamente
C
(V/C)=-0.0023.
NOCT (Temperatura Nominal de Operacin de la Clula):
Solo es necesario si va a medirse T
C
a partir de Ta.

o MDULOS DE PRUEBA CON MODULO PATRN CALIBRADO:
Realizar las conexiones segn Fig 1.
El mdulo patrn deber ser del mismo modelo que los mdulos de
prueba.
Debe estar calibrado por un laboratorio certificado. Deben conocerse
los Parmetros Calibrados del Mdulo Patrn: Pm, Im, Vm, Isc,
Voc y FF, que sern necesarios para el procesamiento de datos.
Anexos
179
Deben conocerse los parmetros constitutivos y coeficientes
de variacin con la temperatura del mdulo: Ns, Np,
C
(A/C),
C
(V/C) y NOCT (Solo es necesario si va a medirse T
C
a partir de
Ta).
El mdulo patrn y el de prueba han de estar coplanares (o en planos
paralelos) y prximos.
El tiempo transcurrido entre la medida del patrn y el mdulo de
prueba no ha de ser superior a 3 minutos, con el objeto de asegurar
que son similares las condiciones de medida en ambos mdulos
(diferencias inferiores al 10% en irradiancia mxima).

El procedimiento consiste en medir sucesivamente un patrn y uno o varios
mdulos de prueba, que se corregirn con la medida de este patrn, siempre
que se cumplan las condiciones anteriores.
El parmetro de mayor inters a corregir es el de Potencia Mxima (P
M
) a
condiciones estndar de un mdulo medido con un mdulo patrn. Es
calculado (automtico a travs de software PVGen) con la siguiente
expresin:

MRT
MTA MTT
MRC
P
P P x
P
= (7.5)

Donde, el primer subndice M representa la potencia mxima; en segunda
posicin: R corresponde al mdulo Referencia o Patrn y T representa al
mdulo de medida o prueba (Tested Module); y en la tercera posicin: T
simboliza los resultados medidos (Test results) y C que corresponde a un
valor Calibrado y proporcionado por el correspondiente certificado.
De igual forma se pueden corregir los dems parmetros elctricos del
mdulo (elegidos previamente por software) como son: la corriente y voltaje
en el punto de mxima potencia (I
M
y V
M
), la corriente de corto circuito (I
SC
),
el voltaje de circuito abierto (V
OC
) y el factor de forma (FF). El mtodo
permite elegir los parmetros de mayor inters a ser calculados con el
mdulo patrn.

5. Mtodo para caracterizar convertidores MPPT

Debe elegirse un da en el que el cielo este despejado. Para efectos prcticos, las
medidas debern realizarse durante la maana o la tarde, de tal manera que se cumplan las
siguientes condiciones de medida:
o G entre 500 y 600 W/m
2
.
o Vv<8 m/s.
o D<20% respecto de G.
Las caractersticas y preparacin de los sensores para la medida de irradiacia y
temperatura se realizan de igual forma que en el apartado 4.
A diferencia de la medida con mdulos individuales, debe aadirse a la
intrumentacin una batera de condensadores considerando la siguiente expresin para
calcular la capacitancia de acuerdo a la corriente y voltaje del mdulo asociado al
convertidor, la relacin de conversin terica del convertidor y el tiempo de barrido T
b
.

2 1 m
m
( ) c
MAX b
I
C M D R xT
V

| |
= +
|
\
(7.6)
El voltaje mximo del condensador en funcin del voltaje en circuito abierto V
OC
ser,

OC
( )
C MAX
V V M D = (7.7)
Tesis Doctoral

180

Como ejemplo, para un tiempo de barrido de 10 segundos, un convertidor con
M(D)=2,5 y un mdulo con Im=6,5 A y Vm=15V con unas condiciones de irradiancia de 500
W/m
2
, ser necesario poner una capacitancia total de 0,3 faradios a un voltaje de los
condensadores de V
C
= V
oc
M(D) 20 x 2,5 50 V. Para conseguir la capacitancia ms
pequea posible para el tiempo de barrido considerado, puede medirse a irradiancias bajas,
entre 500 y 600 W/m
2
. La razn de usar grandes capacitancias est en obtener el mayor
tiempo posible de carga con el objeto de proporcionar al convertidor el tiempo necesario
para que pueda buscar el punto de mxima potencia. A continuacin se muestra una grfica
a modo de interpretar las curvas caractersticas de un convertidor MPPT. La zona mas
importante de la grfica es la correspondiente a la curva P-V del convertidor en la zona
donde se mantiene constante la potencia mxima, es decir, donde el MPPT mantiene esta
potencia a medida que aumenta el voltaje de salida impuesto por la carga del condensador.
Se observa adems que durante este proceso, en la curva P-V del mdulo, el voltaje y la
potencia se mantienen constante a 14,4 V y 40 W respectivamente, demostrando as la
correcta operacin del GIE como convertidor MPPT. Finalmente, la curva P-V del convertidor
comienza a caer cuando supera la mxima relacin de conversin M(D)
MAX
= 2,5 a un voltaje
de 33,5 V, de esta forma se comprueba el lmite impuesto de operacin del convertidor. Se
observa tambin en la grfica que para la curva I-V del convertidor, en la zona MPPT
corresponde a la forma tpica de una hiprbola que describe el comportamiento del
convertidor elevador y acorde con lo tratado en la seccin 4.2.1.3. del captulo 4. A priori es
posible tambin conocer la eficiencia aproximada del convertidor a media potencia, que para
estas condiciones particulares de medida fue del 88%.

Caracterstica I-V y P-V del Convertidor + Mdulo
(GIE-03 + MA.Gen.3)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
V (V)
I

(
A
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
P

(
W
)
I-V Convertidor
P-V del convertidor
P-V Mdulo
MPPT a Po cte
M(D)max = 33.5V/13.4V = 2.5
Hiprbola tpica de un
MPPT elevador
Mdulo a Pm cte
Figura 0-3. Ejemplo de una curva caracterstica de un mdulo convertidor MPPT
Anexos
181

Anexo II:
Carga capacitiva: Manual de operacin y mantenimiento

Tesis Doctoral

182

Anexos
183
E.T.S.I. TELECOMUNICACIN

DE MDULOS FOTOVOLTAICOS Y CONVERTIDORES
MPPT
MANUAL DE HARDWARE

Funcin y capacidades generales de la carga
Especificaciones tcnicas
Instrucciones de operacin
Mantenimiento y recambio de componentes

ESTE DOCUMENTO ES COMPLEMENTARIO CON: DESCRIPCIN DEL MTODO Y
PROCEDIMIENTO DE MEDIDA Y MANUAL DE HARDWARE.

Autor: Ricardo Orduz Marzal
Tutores: Miguel ngel Egido Aguilera y Estefana Caamao Martn.
Madrid, 16 de febrero de 2004.

Actualizacin: 22 de marzo de 2009.
-

R
s
h
+

R
s
h
R4
10k
T1
SW1
Isc
T2
SW1
I-V
0
0
+ C1
4700u
+ C2
33000u
D1
P2 Isc
SW2
C1
SW2
C2
+C Ext.
-C Ext
+ PV
- PV
V1
9Vdc
V2
3 Vdc
0
SW1
Isc
SW1
I-V
R5
100k
C4
0.22u
0
0
R2
10k
P1 I-V
R3
100k
C3
0.22u
SW2
C1
R1
5 - 60W
P1 NC SW3
NORMAL
P3 DISH SW3
PC-
P4 PC- SW3
PC-
CI1A
MAX627
2
3
6
7
CI1B
MAX627
4
3
6
5
R1
Rsh
0.025
1 2
Tesis Doctoral

184

1. Funciones y capacidades generales de la carga

El dispositivo funciona principalmente como Generador de Barrido I-V, necesario
para obtener la caracterizacin elctrica de mdulos fotovoltaicos comerciales y
convertidores MPPT, se adquiere y procesa a travs de un sistema de adquisicin de datos y
un programa informtico. El barrido I-V se produce por medio de un condensador
electroltico, que es usado como carga para el mdulo fotovoltaico en un tiempo
comprendido entre 20 y 100 ms, as como de carga variable para un convertidor MPPT en un
tiempo de barrido entre 10 y 20 segundos. El barrido se realiza cerrando el circuito entre el
mdulo y la carga por medio de un conmutador semiconductor de potencia o Transistor
Mosfet y un circuito de control que protege la puerta del transistor y filtra los efectos de
ruido elctrico.

Funciones y capacidades:

Generador de Barrido I-V por medio de un selector en modo I-V (aislando
elctricamente del circuito de funcin Isc) y un solo pulsador. El pulsador cumple
las funciones de efectuar el barrido I-V y descargar automticamente el
condensador (evitando las cargas residuales entre medidas), preparando de esta
forma la carga para la siguiente medida.
Medida de Isc (Corriente de cortocircuito) Por medio de un selector en modo
Isc (aislando elctricamente del circuito de barrido I-V) y un pulsador que
ejecuta el cortocircuito entre los terminales del mdulo.
Selector de Condensadores y opcin de condensadores externos, -
permite seleccionar entre dos condensadores (C1 y C2) internos y/o un
condensador externo (OFF), til para la medida de clulas, mdulos y pequeos
generadores (Voc100Vcc). Incorpora adems la posibilidad de aadir
condensadores externos en paralelo (a C1 o C2), sumando as las capacitancias,
muy til por ejemplo para la caracterizacin de convertidores MPPT, donde es
necesario un tiempo de barrido ms largo.
Correccin de Cada de Voltaje (3V), Pre-Carga Negativa (PC-) Muy til
para ocasiones en que las que relacin de distancia a los mdulos y la seccin de
los cables provoca cadas de voltaje apreciables. Tambin es til para verificar el
funcionamiento de los diodos de paso.
Operacin segura Aislamiento elctrico entre los modos I-V, Off y I
SC

del selector principal y aislamiento de la carga capacitiva con el selector de
condensador en Off.
Caractersticas de robustez y modularidad en el diseo del hardware:
Todos los componentes puedan ser extrados con facilidad: cables, pulsadores,
selectores, bateras y componentes elctricos y electrnicos. Dando la
posibilidad de reemplazo y ampliacin de componentes.

Anexos
185

2. Especificaciones tcnicas

2.1 Diagrama esquemtico

- S1, Selector principal Posicin I-V: modo de generacin de barrido, conexin
del terminal + de M1, alimentacin del circuito de control. Isc: Modo de medida de
corto circuito, conexin del terminal + de M1 y alimentacin del circuito de control.
Off: aislamiento total del circuito (Externo y alimentacin).
- S2, Selector de condensador Posicin C1: modo de seleccin de condensador
de 33000F. C2: modo de seleccin de condensador de 2200F. Off: modo
condensador externo y aislamiento elctrico de C1 y C2.
Nota: en modo C1 o C2 es posible aadir condensadores externos, de tal manera que
se sumen las capacitancias ((C1 o C2) + C externo).
- S3, Selector Normal o PC- Posicin Normal: Modo de operacin por defecto.
PC-: Modo de operacin de Pre-Carga negativa (PC-), si se desea realizar
correcciones de cada de voltaje (correccin mxima de 3V de acuerdo a la relacin:
U=2LI/S, distancia L, seccin del cable S, corriente I y conductividad ).
- P1, I-V Pulsador para la generacin de barrido I-V.
- P1, NC Pulsador P I-V Normalmente Cerrado, que descarga el condensador a
travs de R1 inmediatamente despus de la generacin de barrido I-V.
- P2, Isc Pulsador de inicio para la medida de corriente de cortocircuito (Isc).
- P3, DISCH Pulsador que descarga del condensador en modo S3-PC-, necesario
para la funcin de Correccin de Cada de Voltaje.
- P4, PC- Pulsador que prepara el condensador en Pre-Carga Negativa en modo S3-
PC-, necesario para la funcin de Correccin de Cada de Voltaje.
- C Ext. Terminales de condensador externo.
- Sh (25m ) Shunt para la medida de corriente, I=mV/25m.
- T1, T2 Transistores de Potencia Mosfet.
- IC1 Circuito de control que incluye filtro pasivo (que elimina el rudo), Driver de
control para la puerta (Gate) de los transistores T1 y T2.

Figura 0-4 Diagrama esquemtico del sistema.
Tesis Doctoral

186

2.2 Diagrama del circuito

En la Figura 0-5 se muestra el diagrama electrnico de la carga.

2.3 Caractersticas elctricas

Capacidades elctricas mximas para medir mdulos individuales (grupos
serie/paralelo) y convertidores MPPT:
o Valores nominales (contnuo):
V
oc
100Vdc, I
sc
25A. (limitado por P
max
)
P
n
515W. (T
a
=25C)
o Valores mximos absolutos (Tc Pulso 100ms) :
V
oc
100Vdc, I
sc
75A. (limitado por P
max
).
P
max
1000W. (T
a
=25C).
Protecciones elctricas y trmicas (Desconexin):
o Polaridad inversa para el circuito de control
. NO PROTEGE LOS
CONDENSADORES.
Temperatura de funcionamiento: 0 a 70C.
Resistencia de conmutacin del Transistor Mosfet de Potencia: R
DS
8m.
Caractersticas elctricas del Shunt: 6A-150mV, R
SH
=O,025
Alimentacin del circuito de control: Batera tipo PP3, 9Vdc, 5.22Wh.
o Stand-by (Selectror Isc o I-V): 7mW+5mW = 12mW
o Consumo mximo (Isc=20A):
ON (Pulsador Isc o I-V): 150mW+1.2W=1.35W
o Autonoma mnima
: 13.920.
Alimentacin del circuito Pre-Carga Negativa (PC-): 2 Bateras tipo AA, 1,5V
dc,
2870mAh.

Respecto a la alimentacin (batera). Una proteccin para polaridad inversa (con diodo) en la etapa de
potencia, implicara una cada de tensin importante que perjudicara el resultado final de las medidas.
Definido como cantidad de pulsos, muestras o barridos I-V.

-

R
s
h
+

R
s
h
R4
10k
T1
SW1
Isc
T2
SW1
I-V
0
0
+ C1
4700u
+ C2
33000u
D1
P2 Isc
SW2
C1
SW2
C2
+C Ext.
-C Ext
+ PV
- PV
V1
9Vdc
V2
3 Vdc
0
SW1
Isc
SW1
I-V
R5
100k
C4
0.22u
0
0
R2
10k
P1 I-V
R3
100k
C3
0.22u
SW2
C1
R1
5 - 60W
P1 NC SW3
NORMAL
P3 DISH SW3
PC-
P4 PC- SW3
PC-
CI1A
MAX627
2
3
6
7
CI1B
MAX627
4
3
6
5
R1
Rsh
0.025
1 2
Figura 0-5. Diagrama electrnico de la carga
Anexos
187
o Consumo mximo: 150mW (C=33000f, V
dc
=3V)
Autonoma
(8610mWh): 206.640.

3. Instrucciones de operacin

3.1 Identificacin de componentes y conexiones.

En las figuras 2 y 3 se muestran la parte frontal y posterior de la carga capacitiva,
compuesta por selectores, pulsadores y conexiones externas.

3.2 Medida I-V (Generacin de barrido).

1. Verificar que todos los selectores e interruptores estn en modo OFF y NORMAL.
2. Realizar las conexiones como se muestra en la figura 3, teniendo especial atencin
en la polaridad (medir previamente con un polmetro) y realizando por ltimo la
conexin con el mdulo (conexin V-PV).

Figura 0-6 Parte frontal de la carga.
Figura 0-7 Parte posterior, conexiones externas
Tesis Doctoral

188

3. Seleccione el condensador C1 o C2, de acuerdo a los valores de Voc e Isc, de tal
manera que el tiempo de barrido (T
barrido
) est entre 20 y 100 ms para la medida
de mdulos y 20 segundos para la medida de convertidores MPPT.

Para la medida de mdulos fotovoltaicos se muestra a continuacin, de forma
aproximada (margen de 20%), los rangos de V
OC
e I
SC
para la seleccin del
condensador:

a. C2=4700 F: (Voltajes altos / corrientes bajas, til para mdulos con
clulas en serie)
i. Voc=21V -> 1 Isc 6 A
ii. Voc=42V -> 2 Isc 10 A
iii. Voc=85V -> 4 Isc 20 A (Limitado por P
max
512 W)
b. C2=33000 F: (Voltajes bajos / corrientes altas, til para mdulos con
clulas en serie y paralelo o clulas individuales)
i. Voc=21V -> 6 Isc 25 A (Limitado por P
max
512 W)
ii. Voc>21V -> NO APLICABLE.
c. Cext.:

1 SC
b
OC
c
I
C R xT
V

| |
= +
|
\
(7.8)

Donde, T
b
tiempo de barrido o de carga del condensador 20T
C
100 ms,
Rc resistencia serie del condensador.

3.3 Medida de convertidores MPPT

Para la medida de convertidores MPPT se debe aadir externamente una batera de
condensadores considerando la siguiente expresin para calcular la capacitancia de acuerdo
a la corriente y voltaje del mdulo asociado al convertidor, la relacin de conversin terica
del convertidor y el tiempo de barrido T
b
.

2 1 m
m
( ) c
b
I
C M D R T
V

| |
= +
|
\
(7.9)

El voltaje mximo del condensador,

OC
( )
C
V V M D = (7.10)

Como ejemplo, para un tiempo de barrido de 10 segundos, un convertidor con
M(D)=2,5 y un mdulo con I
m
=6,5A, V
m
=15V y Voc=20V con unas condiciones de
irradiancia de 500 W/m
2
, ser necesario poner una capacitancia total de 0,3 faradios a un
voltaje de los condensadores de Vc= V
OC
M(D) 50V. Para conseguir una capacitancia ms
pequea posible, podr medirse a irradiancias bajas, entre 500 y 600 W/m
2
. La razn de
usar grandes capacitancias est en obtener el mayor tiempo posible de carga con el objeto
de proporcionar al convertidor el tiempo necesario para que pueda buscar el punto de
mxima potencia.

4. Ajuste los valores del Osciloscopio: V/div, ms/div, Nivel de Pre-Trigger y/o nivel de
disparo del TRIGGER.
5. Disparo de barrido I-V:
a. Poner el selector principal (Fig.2) en modo I-V
b. Presionar una vez el pulsador I-V (verde, Fig.2)
6. Comprobar que aparece la curva en el Osciloscopio.
7. Almacenar los datos obtenidos por el osciloscopio al ordenador y preparar el
osciloscopio para la siguiente medida.
Anexos
189
8. Para realizar medidas consecutivas, realice los pasos del 5. b) al 7, cuantas
medidas se deseen obtener.
9. Si se desea cambiar de mdulo, asegrese de apagar y aislar previamente el
equipo poniendo el selector Principal (S1) y PC- (S3) en las posiciones OFF y
NORMAL respectivamente. Repetir los pasos 1 al 8.
10. Cuando se hallan finalizado las medidas:
a. Repetir el paso 1 (apagado y aislamiento elctrico).
b. Desconectar todas las conexiones empezando por la conexin del mdulo.
c. Poner todos los instrumentos en el lugar que corresponde en el
laboratorio.

3.4 Medida de Isc de mdulos fotovoltaicos

1. Repetir 3.2, 1).
2. Realizar las conexiones del mdulo a los terminales de carga V-PV (segn se
indica en la figura 2), realizando una comprobacin previa de la polaridad (medir
previamente), conectar un voltmetro al terminal I de la carga para visualizar la
medida de corriente.
3. Poner el selector Principal (S1) en modo Isc.
4. Pulsar Isc (P2, rojo), hasta que visualice en el voltmetro el valor de voltaje,
tomar la lectura y soltarlo (no lo deje pulsado por mas de 5 segundos).
5. Conversin de la medida de mV a A, usando la expresin siguiente:
Isc [A]=(Valor medido en mV / 0,025 )
6. Tomar cuantas medidas sean necesarias repitiendo los pasos 4 y 5.
7. Si se desea cambiar de mdulo, asegurar de apagar y aislar previamente el equipo
poniendo el selector Principal (S1) y PC- (S3) en las posiciones OFF y
NORMAL. Repetir los pasos 3 al 6.
8. Cuando se hallan finalizado las medidas:
d. Repetir el paso 1 (apagado y aislamiento elctrico).
e. Desconectar todas las conexiones empezando por V-PV (mdulos).
f. Dejar todos los instrumentos en el lugar que corresponde en el laboratorio.

Para realizar la medida de I
sc
inmediatamente despus de realizar la medida de I-V.
Aadir el voltmetro al montaje de la figura 2. Realizar la medida de I-V realizando los pasos
3.2 5) y 6), e inmediatamente efectuar la medida de Isc realizando los pasos 3.3 3) al 5).
Finalice el proceso realizando el paso 3.2 7).

3.5 Medida de la curva I-V (3.2) de mdulos fotovoltaicos con correccin de cada
de voltaje (PC-).

1. Realizar los pasos 3.2 del 1 al 4.
2. Poner el selector PC-/Normal en modo PC- (ver figura 1)

MUCHA ATENCIN A LA SECUENCIA DE LOS SIGUIENTES PASOS:
3. Presione el pulsador 1-DISCH (Discharge, descarga)
4. Presione el pulsador 2 C- (Charge -, carga negativa)
5. Disparo de barrido I-V. Realice los pasos 3.2 del 5 al 7.
6. Presione el pulsador 1-DISCH (Discharge, descarga)
7. Repita los pasos del 3 al 6 para realizar ms medidas.

ATENCIN!
SEGUIR LA SECUENCIA DE LOS PASOS 3 Y 4: PULSAR SIEMPRE 1 DISCH, 2 C-.
DE LO CONTRARIO PODRA CAUSAR DAOS IRREVERSIBLES AL EQUIPO.

4. Mantenimiento y recambio de componentes
ATENCIN!: Solo puede ser realizado por personal tcnico a cargo de este
equipo.

4.1 Diseo de hardware modular
El equipo ha sido diseado considerando las caractersticas de robustez y capacidad
modular, de tal manera que todos los componentes puedan ser extrados y medidos con
facilidad: cables, pulsadores, selectores, bateras y componentes elctricos y electrnicos.
Tesis Doctoral

190

Esto proporciona al tcnico de mantenimiento, la facilidad para el recambio de algn
componente o el reemplazo por uno de mejores caractersticas tcnicas.

4.2 Recambio de bateras
Aunque la autonoma de equipo es muy larga; sin embargo, es conveniente verificar el
voltaje de la batera de alimentacin del circuito de control de 9V y las 2 bateras
alcalinas (AA) de 1,5 voltios, pueden usarse recargables.

4.3 Cambio o seleccin externa de Condensadores
Los condensadores deben cumplir las siguientes caractersticas:
Deben ser electrolticos
Voltaje mayor o igual a 100Vcc,
Tolerancia capacitiva 20%.
Para cambio de los condensadores internos:
o Terminales tipo rosca, para facilitar la conexin.
o Dimensiones: 51x82mm c/u. (Elegir del tipo alta capacitancia por
unidad de volumen).

4.4 Cambio de transistores y circuito acondicionador de seal
La carga est diseada para que puedan cambiarse con facilidad los transistores
Mosfet y el circuito Driver Mosfet (IC1), ya sea por reemplazo del mismo o cambio por
otro modelo de otro fabricante que proporcione mejores caractersticas elctricas.

Las caractersticas elctricas de la carga dependen principalmente de las
caractersticas elctricas del Transistor Mosfet elegido. Si se desea cambiar el modelo
del transistor, ste debe cumplir unos requisitos mnimos para asegurar su
compatibilidad con la carga, son los siguientes:
Encapsulado TO-247, con la configuracin de pines Gate, Drain y Source como
se muestra en la figura 5.
R
DS
(on)8m.
V
GS
=10V.
V
DSS
100Vcc.
I
D
25A.
Disipacin mxima de potencia 512 P
D
1000 W.
Se recomiendan Transistores con circuitos internos de auto-proteccin, que
son conocidos en el mercado como Full Auto-Protection Power Mosfets o
Intelligent Power Mosfets. Tienen la ventaja de proteccin contra sobre
Figura 0-8 Hardware de la carga.
Anexos
191
temperatura, cortocircuito, sobre voltaje, Proteccin contra ESD (Electrostatic
Discharge Protection).

El transistor incorporado en la carga es el HUF75652G3 de Fairchild
Semiconductor (www.fairchildsemi.com/power/). Aunque el circuito de control est
protegido contra ESD, antes de manipular cualquier dispositivo, es necesario estar
descargado de cargas electrostticas o utilizar guantes de proteccin contra ESD.
Tener mucho cuidado con los terminales de los transistores para su colocacin
identificando correctamente Drenaje (D), Fuente (S) y Puerta (G). El transistor T1
puede ser montado sin disipador, debido a que el tiempo de barrido es muy corto
(100ms), sin embargo si es recomendable usar disipador en el transistor T2.

A continuacin, se muestran otros Transistores Mosfets compatibles que estn
disponibles en el mercado:
IXTK 250N10, de la empresa IXYS Corporation (www.ixys.com).
APT20M16B2LL / APT20M16LLL, de Advanced Power Technology.
(www.advancedpower.com).

El circuito utilizado como acondicionador para el transistor Mosfet, es el Dual Power
Mosfet Driver MAX627 de Maxim Integrated Products (http://www.maxim-ic.com).
Tiene como objetivo manejar y proteger la puerta del Transistor Mosfet, entregando
un adecuado nivel de voltaje y corriente necesario para su correcto funcionamiento. Si
se desea remplazar ste circuito por otro equivalente de otro fabricante, deben
cumplirse las mismas caractersticas elctricas del MAX627:
Encapsulado DIP, con compatibilidad pin a pin (entradas, salidas y
alimentacin), como se muestra en la figura 6.
Rango de alimentacin adecuada para 9Vcc. Tpicamente, 4.5 V
DD
18 V.
Baja R
OUT
, Tipicamente 4.
Niveles compatibles TTL/CMOS y configuracin no-inversor.

La resistencia R1, se trata de 2 resistencias en paralelo MP930, 10 , 30W a 25C, y
tolerancia 1% con encapsulado TO220, fabricado por la empresa CADDOCK
Electronics. La resistencia equivalente corresponde a 5, 60W, es valor razonable en
cuando a tiempo de descarga del condensador y potencia disipada por la misma. Es
posible reemplazar esta resistencia por una equivalente comercial con las mismas
caractersticas, con tolerancias 10%.

En la figura 7 puede versen las conexiones de los componentes en la PCB. Las que
figuran en color verde no se conectan.
Figura 0-9 Disposicin de pines del transistor Mosfet.
Figura 0-10 Disposicin de pines del circuito acondicionador Driver para
Mosfet.
Tesis Doctoral

192

G
N
D

-
>

C
a
r
c
a
s
a

G
N
D

C
I
1

-
>

-
9
V

b
a
t
e
r
a

V
d
d

C
I
1

-
>

+
9
V

b
a
t
e
r
a

P
I
N
2

C
I
1

-
>

R
4

-
>

+
P
2

(
I
s
c
)

P
I
N
4

C
I
1

-
>

R
2

-
>

+
P
1

(
I
-
V
)

S

T
1

-
>

G
N
D

R

S
h
u
n
t

D

T
1

-
>

-
C
a
p
a
c
i
t
o
r
s

D

T
2

-
>

S
W
1

I
s
c

-
>

+
P
V

R1 1 -> SW3 Normal/PC- -> P3 DISCH
R1 2 -> SW3 Normal/PC- -> P1 NC
Figura 0-11 Conexiones de componentes en la PCB.
Anexos
193

Anexo III:
Carga capacitiva: Manual de software

Tesis Doctoral

194

Anexos
195
E.T.S.I. TELECOMUNICACIN

DE MDULOS FOTOVOLTAICOS
MANUAL DE SOFTWARE

Objetivos
Especificaciones tcnicas del sistema de adquisicin de datos y
caractersticas del software PVGen de procesamiento de datos
Configuracin del programa WinSoft HS2
Software PVGen1.2 de procesamiento de datos
Procedimiento de medida con ejemplos

ESTE DOCUMENTO ES COMPLEMENTARIO CON: DESCRIPCIN DEL PROCEDIMIENTO DE
MEDIDA Y MANUAL DE HARDWARE.

Tutores: Miguel ngel Egido Aguilera y Estefana Caamao Martn.
Madrid, 15 de Abril de 2004.
Tesis Doctoral

196

1.1 Objetivos

1.1.1 Generales

Diseo e implementacin de un sistema de adquisicin y procesamiento de datos, que
permita medir la curva caracterstica I-V (corriente-voltaje) de un mdulo o generador
fotovoltaico en condiciones reales de operacin o mtodo outdoor (medida en el exterior) y
obtenida por una carga capacitiva, y extraer sus parmetros caractersticos referidos a
Condiciones Estndar de Medida
1
(CEM, conocido internacionalmente como: STC, Standard
Test Conditions).

Los resultados deben ser comparables a los obtenidos por otros mtodos outdoor
empleados en la actualidad: diferencias de potencia mxima <5%, respecto de los medidos
por laboratorios homologados para la calibracin de mdulos fotovoltaicos.

Este sistema (y el presente manual) es complementario al trabajo realizado de diseo e
implementacin de una carga variable capacitiva, utilizado como generador de barrido de la
curva caracterstica de mdulos fotovoltaicos (ver Manual Hardware Carga Capacitiva para la
generacin de barrido de mdulos fotovoltaicos).

1.1.2 Especficos

Incorporacin de un sistema de adquisicin de datos, que cumpla las siguientes
condiciones:
Porttil, manejable y robusto.
Compatible con las magnitudes de medida I-V.
Buena resolucin de conversin A/D (> 8 bits).
Adaptable al entorno de programacin y adquisicin de datos.
Muestro configurable a 512 muestras.
Mnimo consumo elctrico.
Buena relacin calidad/precio.
Diseo de Software de Procesado de Datos, que cumpla las siguientes requisitos:
Pueda interpretar correctamente los archivos de medida extrados del
sistema de adquisicin de datos, y resulte compatible con otros sistemas
de adquisicin de datos empleados por el Instituto de Energa Solar.
Realice la extrapolacin a las Condiciones Estndar de Medida (CEM, o
STC, Standard Test Conditions) considerando las recomendaciones
tcnicas vigentes.
Incorpore un filtro digital adaptativo para disminuir el ruido
electromagntico presente en las medidas, optimizado para el entorno del
punto de mxima potencia.
Realice la presentacin y almacenamiento de los resultados.

2. Especificaciones tcnicas del sistema de adquisicin de datos y
caractersticas del software PVGen de procesamiento de datos.

2.1 Requerimientos informticos

o Compatible IBM PC/AT con procesador 486/100MHz o superior.
o Microsoft Windows 95/98/Me.
o Memoria de 4Mb RAM.
o Drive 3 alta densidad 1.44Mb.
o Un ratn u otro dispositivo puntero.
o Puertos libres de impresora LPT y serie RS232C.

1
Irrandiancia de 1000W/m2, espectro AM 1.52 y temperatura de clula de 25C.
Anexos
197

2.2 Sistema de adquisicin de datos

Consiste en el sistema multifuncin osciloscopio/PC y adquisicin de datos
HandyScope2 (de ahora en adelante: HS2) de la firma TiePie Engineering (The Netherlands).
Tiene las siguientes ventajas:
Equipo multifuncional, que puede ser usado como osciloscopio, analizador de espectro,
grabador de transitorios y voltmetro.
Es controlado por PC a travs de un software (WinSoft HS2) que visualiza y guarda las
medidas.
No requiere alimentacin externa, se alimenta a travs del puerto paralelo.
Porttil, manejable y robusto. Peso de 350 gramos, y medidas de 40x145x85 mm.
Resolucin de conversin A/D (Analgico-Digital): 12 bits (0.0244%). Precisin de 0.2%
1 LSB.
Muestreo configurable a 512 muestras.
Posee dos canales independientes (CH1, Ch2), con una amplia sensibilidad de magnitud
de entrada a mxima escala: desde 100 mV (25 mV/Div y una resolucin de 48.8 V)
hasta 600V DC (Probe 1:10).
Ancho de banda de 200 kHz.
Funcin de disparo (TRIGGER) en la adquisicin de datos, programable para ambos
canales (CH1 y CH2).

El software del osciloscopio permite guardar un archivo de datos (con extensin .dat)
con 512 nuestras, cada muestra contiene los valores I-V (Ch1 y CH2, voltaje y corriente
respectivamente) y el valor del eje del tiempo, y que son medidos en cada barrido I-V de la
carga capacitiva.
El osciloscopio incorpora la funcin de interpolacin para suavizar los errores de
cuantificacin de la conversin A/D, que, adicionalmente a la resolucin de conversin de 12
bits, permite mejorar la resolucin de las medidas.
La figura 1, muestra un ejemplo de la curva de corriente y voltaje con respecto al
tiempo (pantalla izquierda) y como pares de valores I-V (pantalla derecha), medidas con el
sistema de adquisicin de datos HS2. En la pantalla izquierda de la figura, muestra el
recorrido del la curva generado por la carga capacitiva, y representa el crecimiento del
voltaje (curva verde) del condensador que a su vez polariza el mdulo fotovoltaico,
provocando que su corriente (curva azul) comience a caer. Al representar estos valores
adquiridos como pares de valores (Voltaje,Corriente), la curva adquiere la forma que se
muestra al lado derecho de la figura, en el puede verse la caracterizacin elctrica del
mdulo medido.

Figura 1. Ejemplo de seales corriente y voltaje con respecto al tiempo (izquierda) y como pares de
valores I-V (derecha), medido con el HS2 y visualizado con el software HS WinSoft.
Tesis Doctoral

198

2.3 Software PVGen de procesamiento de datos

El software PVGen desarrollado para procesar los datos I-V (pares de valores
corriente (I), Voltaje (V)), obtenidos por medio del osciloscopio y generados por la carga
capacitiva, tiene las siguientes caractersticas:

El programa ha sido realizado bajo Win32 (MS Windows) y compilado en C++
Builder 6. El programa de aplicacin se encuentra en un solo archivo ejecutable de 1,3
Mb, llamado PVGen1.5 (Versin 1.5). El lenguaje C++ tiene las ventajas de:
portabilidad, flexibilidad, modularidad, sintaxis clara y elegante, concepto de libreras
estndar, un variado repertorio de operaciones y programacin orientada a objetos
(POO).
Instrumentacin soportada para la lectura de medidas I-V: Aunque el software
esta diseado principalmente para leer valores I-V de archivos .dat generado por el HS2,
tambin incorpora la posibilidad (seleccin previa en Configuracin) de comunicarse por
el puerto serie para leer valores I-V de los osciloscopios Fluke Scopemeter existentes en
el Laboratorio de Sistemas Fotovoltaicos del IES (Modelos 97 y 105B).
A travs del Men Principal, el software permite seleccionar el tipo de procesado de
medidas o la recuperacin de archivos (medidas ya procesadas) previamente
almacenados.
Respecto a las Condiciones de Medida, el software permite hasta 4 posibilidades de
introducir y calcular valores de irradiancia (G) y temperatura de clula (Tc), por medio
de medida directa, usando mdulos (o clulas) como sensores G y Tc y calculando la
Temperatura de Clula a partir de la Temperatura Ambiente medida.
Respecto a la Extrapolacin a Condiciones Estndar (STC, 1000W/m
2
, 25C), es
posible seleccionar si se tiene o en cuenta efectos de segundo orden de las condiciones
de medida en la extrapolacin de valores de voltaje.
Rpido y fcil acceso a los resultados de las medidas: Los grficos de las curvas I-
V y los parmetros expuestos al final del procesado pueden ser copiados al portapapeles
y/o impresos. Al final del procesado de las medidas, los datos son almacenados en
archivos con extensin .fil (mdulos filtrados) y .filc (mdulos filtrados y calibrados con
respecto de un mdulo patrn), con posibilidad de hacerlo de forma manual o automtica
(seleccin en Configuracin). Los archivos generados son compatibles con cualquier hoja
de clculo de forma que puede recuperarse parcial o totalmente los datos almacenados.
En casos en los que se desee cambiar parmetros y condiciones de medida de archivos
ya procesados, el software permite abrirlos y procesarlos de nuevo con los nuevos
parmetros y/o condiciones de medida (seleccin previa en Configuracin).

Diagrama de flujo

El software PVGen inicialmente lee las 512 muestras (pares de valores I-V) del
osciloscopio (HS2 o Fluke, previa seleccin en configuracin), almacena los datos
introducidos por el usuario de las caractersticas elctricas y constructivas de los mdulos, y
las condiciones de medida (G y Tc). Al ejecutar el programa (botn Ejecutar), el programa
realiza un procesado interno, realizando las etapas de procesado explicados a continuacin:
Recorte de puntos no vlidos: Estos puntos son causados por el sincronismo entre el
disparo producido por el interruptor de la carga capacitiva y el comienzo de la
adquisicin de datos. El programa corrige este problema recortando stos puntos en
los extremos de los ejes Y y X, es decir en el punto de corto circuito y de circuito
abierto.
Extrapolacin de los 512 valores corriente y voltaje a CEM de acuerdo a la normativa
vigente.
Filtrado Digital Adaptativo de las muestras, optimizado en la zona mxima potencia.
Tiene como objetivo eliminar el ruido elctrico y rizado.
Clculo de los parmetros elctricos del mdulo y configuracin de la presentacin.
Presentacin grfica de la(s) curva(s) I-V, de las condiciones de medida y los
parmetros elctricos del mdulo y finalmente el almacenamiento de los datos en un
archivo con extensin .fil o .filc.

Anexos
199

En la figura 2, se muestra el diagrama de flujo general del programa.

3. Configuracin del programa WinSoft HS2

Antes de proceder con la configuracin del instrumento, este manual asume que el software
WinSoft v2.42 para HandyScope2 esta perfectamente instalado, si esto no fuera as, debe
seguir las instrucciones de instalacin indicadas en el manual de usuario.

El software WinsSoft HS2 permite guardar y recuperar un archivo (con extensin .set) de
configuracin del instrumento, facilitando que cada vez que se ejecute el software, lo
encontremos preparado para recibir las medidas de las curvas generadas por la carga
capacitiva, casi sin tener que modificar parmetros. El archivo previamente configurado con
nombre PV.set, ser usado para la configuracin automtica del software, debe copiarse este
archivo en el directorio C:\TiePie\PV.SET.

Una vez instalado el WinSoft HS2 realizar los siguientes pasos:
Conectar el osciloscopio al puerto paralelo (LPT1).
Ejecutar el programa.
En caso de que el programa muestre el mensaje Instrumento no encontrado,
verificar la correcta conexin al puerto paralelo y que el puerto de impresora (LPT)
este configurado correctamente. Para mayor informacin acerca de compatibilidades
y configuracin del puerto, leer atentamente las indicaciones mostradas en el archivo
LEAME.txt ubicado en el directorio C:\TiePie\HS2\. Para usuarios de Windows
NT/2000/XP, debe instalarse un driver que puede ser encontrado en el CD de
instalacin.
Seleccionar el men SETUP (Fig. 3), ir a la ficha Instrumentos activos,
posteriormente en Instrumentos activos al encender, seleccionar osciloscopio, a
continuacin en cambiar nombre de archivo, elegir el archivo PV.set y finalmente en
Continuar.

Cerrar el programa.

Figura 2. Diagrama de flujo general del programa.
PROCESO INTERNO DE DATOS
DATOS INTRODUCIODOS
POR TECLADO
RECORTE DE
PUNTOS NO
VALIDOS
EXTRAPOLACION
A STC
FILTRADO
OBTENCIN
DE CURVAS Y
PARMETROS
PRESENTACIN
ARCHIVO DE
DATOS
ARCHIVO CON DATOS DE
MEDIDAS
Figura 3. Ventana de configuracin del programa WinSoft HS2.
Tesis Doctoral

200

Con los pasos anteriores tenemos configurado automticamente el osciloscopio, para
que cada vez que ejecutemos el programa WinsSoft HS2, abra el osciloscopio con la
configuracin preparada para realizar las medidas. Una vez realizado esto, no es necesario
repetir este proceso.
Si por alguna razn desconocida el programa WinSoft HS2 no carga el archivo de
configuracin al ejecutar el programa, ser necesario ir a Archivo, a continuacin Restablecer
configuracin del instrumento y finalmente seleccionar el archivo PV.set.

Ajuste de parmetros del osciloscopio

En la figura 4, puede verse el aspecto inicial del osciloscopio y la identificacin de los
controles principales.

1) Ajuste del nivel de voltaje y/o corriente Deslizar hacia arriba o haca abajo el
ratn manteniendo presionado el botn izquierdo, para un ajuste fino de la ganancia
o nivel de de voltaje (CH1) o corriente (CH2, en el lado derecho de la pantalla).
Pulsar el botn derecho del ratn para obtener el men y seleccionar la sensibilidad.
2) Ajuste del nivel de trigger Deslizar hacia arriba o haca abajo el ratn
manteniendo presionado el botn izquierdo, para ajustar el nivel de disparo (CH1 o
CH2). Pulsar el botn derecho del ratn para obtener el men y cambiar la fuente del
disparo Ch1 (voltaje) o Ch2 (corriente).
3) Ajuste de ganancia de corriente El HS2 lee en el CH2 las medidas de corriente
en mV en bornes de la resistencia Shunt. Para su visualizacin y almacenamiento
(archivo .dat) en amperios, es necesario introducir las unidades de ganancia = 1/Rsh
(Rsh, Resistencia de shunt). Por defecto (archivo de configuracin) tiene una
ganancia de 1/0.025=40, puesto que la carga capacitiva tiene una Rsh=25m. Si
desea cambiar el valor de ganancia, pulsar el botn derecho y a continuacin
Unidades de Ganancia .
1
2
5
3

4
6
Figura 4. Aspecto que presenta la pantalla del WinSoft HS2 e identificacin de los
controles principales.
Anexos
201
4) Ajuste del eje del Tiempo Pulsar con el botn derecho del ratn sobre cualquier
parte de eje del tiempo, a continuacin seleccione Frecuencia de Muestreo y el valor
en ms, para un ajuste ms fino seleccione Usuario .
5) Ajuste del punto de pre-trigger Pulsar el marcador de Pre-Trigger indicado en la
figura 4 y deslizarlo hacia la izquierda o la derecha ajustando el nivel de Pre Trigger
con respecto al tiempo.
6) Guardar forma de onda Una vez obtenida la curva I-V, debe guardarse un
archivo con un nombre corto que identifique claramente la medida. Pulsar el botn
izquierdo sobre Archivo y seleccionar Escribir forma de onda or pulsando sobre el
botn correspondiente ubicado en la barra de herramientas ( ) .

El programa as como est configurado
anteriormente, mostrar un curva por cada
disparo de trigger, es decir, el usuario deber
notar un cambio en la curva para saber que se
trata de una nueva medida y almacenarla
manualmente en un archivo. Si se desea hacer
medidas repetitivas, o bien, que para cada
disparo de Trigger, el programa almacene
automticamente cada curva en un archivo, debe
hacerse lo siguiente: seleccionar Medida y a
continuacin Guardado automtico, introducir la
cabecera principal del nombre de archivo (En
Fig. 5, el caso que se muestra: DATA_),
seleccionar Tiempo de espera asignado: infinito y
finalmente Comenzar.

Para mayor informacin remtase al manual de software WinSoft del osciloscopio HS2.

Figura 5. Guardado Automtico WinSoft HS2.
Tesis Doctoral

202

4. Software PVGen de procesamiento de datos

4.1 Presentacin visual de las capacidades generales del programa

Al ejecutar el programa PVGen1.5, se muestra la ficha Inicio. Los controles en esta
ficha son visualizados dependiendo del tipo de proceso o lectura de medidas seleccionado en
el Men Principal y en Condiciones de Medida, por defecto est seleccionado Procesar mdulo
de Medida y Medida Directa G y Tc. Sin embargo, para mostrar todas las caractersticas de la
ficha Inicio, se ha seleccionado Procesar Mdulo de Medida + Patrn y PVSensor G y Tc,
respectivamente. A continuacin se explica cada uno de los controles, enumerados de
acuerdo al orden en que debe ejecutarse e introducirse los datos del programa, tal y como se
muestra en la figura 6.

1) Fichas de seleccin Para visualizar las 5 pginas disponibles en el programa,
Inicio, Grficas de Modulo de Medida, Medida + Patrn y Configuracin, solo es
pulsar el ratn sobre las pestaas correspondientes.
2) Men principal Lista de Seleccin con 5 opciones: procesado de mdulos de
Medida y Medida + Patrn, lectura de mdulos procesados de Medida y Medida +
Patrn y almacenamiento de parmetros calibrados.
Figura 6. Ficha Inicio del programa PVGen.

10
1 2 3 4
5
9
6
7
8
11
Anexos
203
3) Adquisicin de datos I-V En estos controles, se realizar la apertura de archivos
(o comunicacin serial en caso de elegir el osciloscopio Fluke 97/105B) de acuerdo a
la opcin elegida en el Men Principal.
4) Caractersticas del mdulo de medida Este control permite introducir el
nombre (por defecto, se introduce el nombre del fichero .dat del HS2) y los
parmetros elctricos del mdulo de Medida y Patrn.
Ns y Np: nmero de clulas en serie y paralelo respectivamente.
Alfa, Variacin de la corriente con la temperatura:
C
(A/C)=1mAA por
clula, o ms prctico
C
(A/C)=1mA(I
SC
*
/N
P
). Si no se conoce
C
, puede
omitirse si se mide G y Tc con sensores PV idnticos al mdulo de prueba
(omitir igualmente en la medida con mdulo sensor G).
Beta, Variacin del Voltaje con la Temperatura:
C
(V/C)=-0.0023.
NOCT (Temperatura Nominal de Operacin de la Clula): Solo es necesario si
va a medirse T
C
a partir de Ta.
5) Seleccin de Instrumentos de medida G y Tc Lista de seleccin con 4 opciones
de medida de G y Tc. Solo sern visualizados los controles relacionados con cada
opcin.
Medida directa G y Tc: Permite introducir directamente en los controles los
valores G en W/m
2
y Tc en C.
PVSensor G y Tc: En caso de utilizar sensores fotovoltaicos G y Tc. Al ser
seleccionada esta opcin, se mostrar automticamente los controles
relacionados con cada sensor, en donde se introducirn los parmetros y los
valores medidos de voltaje de Shunt para el sensor G y voltaje de circuito abierto
V
OC
para el sensor Tc. Finalmente debe pulsarse TRANSFERIR, para que el
programa haga los clculos automticos de G y T
C
y se muestren los valores en
los controles respectivos.
Medida directa G y Ta: Permite introducir directamente los valores medidos de
G y Ta. Al finalizar debe pulsarse TRANSFERIR.
PVSensor G / Ta (directa): Esta opcin permite medir con un mdulo sensor
fotovoltaico G y calcular la temperatura de clula a partir de la medida directa de
la temperatura ambiente. Al finalizar debe pulsarse TRANSFERIR.
6) Condiciones de medida - Cuadro de texto en donde son introducidos los valores G,
Tc, D (Radiacin difusa) y Vv (Velocidad del viento) correspondientes a las
condiciones en las que fueron medidos los mdulos. Adicionalmente se visualiza el
cuadro Ta (Temperatura ambiente) cuando es seleccionado la opcin Medida directa
G y Ta o PVSensor G/Ta (directa).
7) Mdulo Sensor G Parmetros elctricos del mdulo sensor y valor medido Vshunt
(en Voltios).
8) Modulo Sensor Tc - Parmetros elctricos del mdulo sensor y valor medido Voc
(en Voltios).
9) Tranferir Posteriormente de introducir los parmetros y valores medidos de los
mdulos Sensores y/o medidas directas de Ta, debe seleccionarse este botn para
calcular y transferir los datos de G y Tc a los cuadros de texto.
10) Identificador Datos de identificacin de la medida realizada, debe seleccionarse
previamente el control Mostrar para que sea visualizado en los resultados.
11) Ejecutar Habiendo realizando la adquisicin de datos de medida I-V e introducido
todos los parmetros necesarios, finalmente se seleccionar el botn Ejecutar, para
que el programa realice el procesado, presente y almacene los datos en un archivo.

Tesis Doctoral

204

La ficha Configuracin, dispone de una serie de opciones tiles, pero que no es un paso
obligatorio para cada proceso de medida, a no ser que el osciloscopio utilizado sea diferente
al HandyScope2 (en ese caso el Fluke 97 o 105B), solo ser necesario hacerlo una sola vez
en todo el proceso de medida. Las dems opciones son utilidades y facilidades que
proporciona al usuario. A continuacin se explica cada una de las opciones disponibles,
enumerados de acuerdo al orden en que debe ejecutarse e introducirse los datos del
programa, como se muestra en la figura 7.

1) Instrumentacin Seleccin del tipo de osciloscopio utilizado, el HS2 ha sido
elegido por defecto. Si es seleccionado el osciloscopio Fluke, se visualiza
automticamente un control COM Port para introducir el nmero puerto serie al cual
est conectado (COM1 es seleccionado por defecto).
2) Resistencia Shunt Valor de la resistencia shunt de precisin en (ohmios) de la
carga capacitiva. Es necesario introducir o cambiar este valor si se va a usar el
osciloscopio Fluke 97/105B. En el caso de utilizar el HS2, este valor es
automticamente introducido (al cargar el archivo de configuracin PV.set) en el
software del osciloscopio en la opcin de Unidades de Ganancia
(=1/R
shunt
=1/0.025=40) en el canal de corriente CH2.
3) Modo de almacenar archivos Si es seleccionado modo automtico, el archivo se
guardar en el directorio C:\TiePie\, donde se encuentran los archivos .dat del
software WinSoft HS2. Por defecto, en modo manual, el programa al finalizar del
procesado, abrir un cuadro de dilogo en donde podr elegirse el directorio en
donde se guardar el archivo; si se elige cancelar el archivo no se guardar.

Figura 7. Ficha Configuracin del programa PVGen.

1
2
3
4
5
Anexos
205

4) Permitir el cambio de parmetros y condiciones de medida - Esta opcin es
muy prctica cuando se desea guardar el archivo procesado sin introducir
parmetros elctricos ni condiciones de medida, posibilitando el procesado posterior
a la medida introduciendo los parmetros y las condiciones de medida. Esta opcin
tambin tiene la ventaja de poder corregir valores de parmetros o condiciones de
medida. Para realizar el proceso correctamente, debe seguirse los siguientes pasos
consecutivos: seleccionar esta opcin en Configuracin, seleccionar la opcin
deseada Leer Modulo Procesado o Leer Modulo Procesado + Patrn (segn sea
el caso) del Men Principal, posteriormente seleccionar el botn Abrir los archivos
procesados, una vez abierto cambiar a la opcin Procesar Mdulo de Medida o
Procesar Mdulo de Medida + Patrn del Men Principal, cambie los parmetros
y condiciones de medida y finalmente presione el botn Ejecutar.
5) Ecuaciones a STC Seleccin para considerar o no efectos de segundo orden en la
extrapolacin a condiciones estndar de las medidas de Voltaje. Por defecto, se ha
elegido no considerar el efecto de segundo orden (de posible utilidad en el caso de
medidas realizadas a bajos valores de irradiancia), sin embargo si se elige la
segundo opcin, se mostrar un cuadro de texto en el se introducir el factor de
idealidad de diodo m, este factor esta fijado a 1.3, tpicamente ste valor puede
variar entre 1 y 1.3 para clulas de silicio cristalino.

5. Procedimiento de medida con ejemplos

A continuacin se explicarn paso a paso, dos ejemplos de procedimiento de medida de
mdulos individuales y con mdulo patrn respectivamente. Se ha elegido medir G y Tc
con sensores fotovoltaicos de la misma tecnologa previamente calibrados por un
laboratorio certificado, un Piranmetro para la medida de D y un anemmetro para la
medida de Vv. El da elegido para la medida, corresponde a un da despejado del mes de
mediados de marzo.

Se asume que el usuario ha ledo y conoce bien los documentos complementarios
Explicacin del procedimiento de medida y Manual de hardware, toda la
instrumentacin esta montada y el software est preparado para las medidas, as como
tambin que el usuario opera perfectamente la carga capacitiva.

5.1.1 Mdulos de Medida individuales

1) Ajuste previo de la curva I-V en el software WinSoft HS2
El software del HS2 WinSoft al ser ejecutado, ajusta automticamente los niveles de
Trigger, eje Y (amplitud) de CH1 y CH2 y del eje del tiempo. Sin embargo, antes de
empezar el procedimiento de medidas, debemos asegurar que los parmetros de los
canales del osciloscopio sean los adecuados, para hacer esto necesitaremos generar
previamente varios barridos I-V con la carga capacitiva y ajustar los parmetros.
Ajustaremos (ver figura 4) el eje del tiempo de tal manera que pueda verse el cruce
del voltaje y corriente en medio del grfico, el nivel de amplitud de voltaje y
corriente (CH1 y CH2) hasta que sean visibles en su totalidad y el valor del nivel de
Pre-Trigger deber estar a un nivel inmediatamente superior a partir del cual
empiece a verse la curva I-V. Ver figura 8.
Tesis Doctoral

206

2) Barrido I-V y condiciones de medida
Ejecutamos el barrido I-V de la carga capacitiva y anotamos las condiciones de
medida: V
SHUNT
del sensor G, V
OC
del sensor Tc, el valor D en W/m
2
y Vv en m/s.

3) Almacenamiento de la curva I-V
Pulsamos en Archivo y Escribir forma de onda, con un nombre que identifique al
mdulo o referencia y el nmero de medida, por ejemplo MA71-1.

4) Seleccin de opcin de procesado y apertura de archivo de datos
Ejecutamos el programa PVGen1.5, seleccionamos en Men Principal la opcin
Procesar Modulo de Medida (mdulo individual). Posteriormente abrimos el
archivo .dat que almacenamos en el paso anterior, seleccionamos el botn Abrir,
inmediatamente se abre un cuadro de dilogo que permite buscar el archivo y
seleccionarlo. Al abrirlo aparecer en el cuadro de texto la ruta completa de la
ubicacin del archivo y la fecha y hora de la medida.

Figura 8. Ajuste de parmetros en WinSoft
HS2.
Pre-Trigger

Anexos
207
5) Caractersticas del Mdulo de Medida
En el cuadro de texto Nombre/Modelo aparecer automticamente el nombre del
archivo de datos previamente recuperado en el paso 4), para facilitar el guardado
automtico de los archivos procesados; si embargo, pude ponerse otro nombre.
Posteriormente pondremos los valores de los parmetros constitutivos y elctricos
del mdulo, sabemos por catlogo que el mdulo tiene 36 clulas en serie y no tiene
clulas en paralelo por lo tanto tenemos que Ns=36 y Np=1.

El parmetro Alfa (
c
, por clula) lo podemos calcular como 1mA x Amperio y por
clula, si sabemos por catlogo que I
SC
=3.25A, tenemos que
c
=0.00325A/C. Sin
embargo, es posible omitir este parmetro (
c
=0) siempre y cuando el mdulo
medido y el mdulo sensor G sean de la misma tecnologa (preferiblemente del
mismo modelo), para este caso ser necesario tambin omitir este parmetro
(Alfa=0) en las caractersticas del modulo sensor G (en paso 6).

Para mdulos de silicio monocristalino y policristalino el valor Beta (
c
, por clula) se
puede considerar constante
c
=-0.0023V/C. Como no vamos a calcular Tc a partir
de Ta el programa no tiene en cuenta el parmetro NOCT.

6) Condiciones de Medida
En Condiciones de Medida (Instrumentos de Medida G y Tc) Seleccionamos la opcin
PVSensor G y Tc. Inmediatamente aparecen los controles en donde pondremos los
parmetros constitutivos y elctricos de los mdulos sensores G y Tc, pondremos los
nombres, en este caso MB2.2 para G y MA4.1 para Tc. Para el sensor G tomaremos
el valor Isc* (STC)=3.04A y Np=1 proporcionado por el laboratorio certificado, por
tanto Alfa=0.003A/C, tenemos un Shunt de precisin con Rsh=15m. Para el
sensor Tc, Np=12 y Voc* (STC)=7.17V. Mientras no salgamos del programa, estos
valores permanecern. Ahora solo tenemos que poner los valores medidos V
shunt

(sensor G) y V (sensor Tc) en el momento en el que ejecutamos el barrido I-V del
paso 2). Para que el programa calcule los valores G y Tc debemos pulsar el botn
TRANSFERIR. Finalmente pondremos los valores D y Vv.

7) Indentificador de medida o proyecto
Si queremos poner un identificador en la pantalla de presentacin de resultados,
debemos seleccionar la casilla Mostrar y poner en los cuadros de texto los nombres
deseados.

8) Ejecutar
Para que el proceso sea efectivo pulsaremos el botn Ejecutar. Nos aparece un
cuadro de dialogo en el que elegiremos guardar el archivo procesado. El programa es
muy flexible en este paso, pues tenemos la posibilidad de ver los resultados sin
guardar ningn archivo, simplemente seleccionando Cancelar. Si nos interesa
cambiar algn parmetro y/o volverlo a procesar para guardar el archivo procesado,
Tesis Doctoral

208

solo tenemos que volver a la ventana Inicio y pulsar Ejecutar, esto lo podemos hacer
cuantas veces queramos. Esta flexibilidad es muy til en casos en los que queramos
procesar varios mdulos o varias medidas del mismo mdulo, simplemente ir a Inicio
abrir otro archivo, poner las condiciones de medida y Ejecutar.

8) Operaciones grficas, visualizacin, copia e impresin de los resultados
El botn Copiar nos permite transferir al portapapeles la ventana de resultados,
facilitando as su transferencia a cualquier otro programa con la funcin pegar. Con el
botn Imprimir, nos permite transferir los resultados a una impresora.

La grfica I-V tiene funciones de Zoom (Acercamiento) y Desplazamiento. Para usar
la funcin zoom, debemos definir el rea de acercamiento, para hacer esto
presionamos el botn izquierdo del ratn (en una esquina del rectngulo a definir) y
movemos el ratn hasta definir el rea deseada soltando el botn. Para desplazarnos
por la curva movemos el ratn manteniendo presionado el botn derecho. Para
deshacer el zoom, creamos un rea de acercamiento de tal forma que se salga de la
parte superior de la grfica.

Si nos acercamos con el zoom, podemos distinguir 3 tipos de curvas I-V: En puntos
verdes vemos la curva medida, en puntos azules los valores extrapolados a STC
(CEM) y la lnea roja los valores filtrados en donde se extraen los parmetros
elctricos.

Anexos
209

Podemos tambin visualizar la curva de potencia (curva morada) y hacer que el
programa nos muestre solo la curva filtrada. Para hacer esto, debemos seleccionar
las cajas de seleccin correspondientes stas dos opciones, que estn ubicadas en la
parte inferior de la pantalla. El resultado es como se muestra a continuacin.

5.1.2 Mdulos de Medida + Patrn.

0) Guardar los Parmetros Calibrados del Patrn. Antes de empezar el proceso de
medida, debemos asegurarnos de guardar el Archivo de Parmetros Calibrados del
Modulo Patrn en el programa PVGen, eso quiere decir que debemos almacenar los
valores calibrados del modulo patrn, proporcionados por el laboratorio certificado, estos
son: Pm*, Im*, Vm*, Isc*, Voc* y FF*. Para hacer esto ejecutamos el programa
PVGen1.5, en Men Principal elegimos la opcin Guardar Archivo de Parmetros
Calibrados de un Patrn y pulsamos Ejecutar, nos aparecer el siguiente mensaje:

Debemos tener a mano los parmetros para posteriormente ser introducidos uno a uno
en secuencia como aparece en el Mensaje. En cualquier parte del proceso puede pulsar
Cancelar, en tal caso el proceso se cancelar y no se guardarn los datos. Aparecern
para cada parmetro un cuadro de dialogo, en donde se introducir el valor y se pulsar
aceptar.

Tesis Doctoral

210

Al finalizar el proceso de introduccin de parmetros, aparecer un cuadro de dialogo en
el que se pide el nombre de archivo y su ubicacin, se recomienda poner un nombre que
identifique claramente el mdulo patrn, para que sea reconocido posteriormente con
facilidad.

1) Ajuste previo de la curva I-V en el software WinSoft HS2.
De igual forma que en el ejemplo 5.1.1.

2) Barrido I-V y condiciones de medida del Mdulo de Medida
Ejecutamos el barrido I-V de la carga capacitiva del Mdulo de Medida y apuntamos las
condiciones de medida V
SHUNT
del sensor G, V
OC
2
y Vv
en m/s.

Almacenamos la curva I-V del Modulo de Medida pulsando en Archivo y Escribir forma de
onda, con un nombre que identifique al mdulo o referencia y el nmero de medida,
por ejemplo MBm24-4.

4) Barrido I-V y condiciones de medida del Mdulo Patrn
Ejecutamos el barrido I-V de la carga capacitiva del Mdulo Patrn y apuntamos las
condiciones de medida V
SHUNT
del sensor G, V
OC
2
y Vv
en m/s.

Almacenamos la curva I-V del Modulo de Patrn pulsando en Archivo y Escribir forma de
onda, con un nombre que identifique al mdulo o referencia y el nmero de medida,
por ejemplo MB25-25.

6) Seleccin de opcin de procesado y apertura de archivo de datos
Ejecutamos el programa PVGen, seleccionamos en Men Principal la opcin Procesar
Modulo de Medida + Patrn. Posteriormente abrimos los archivos .dat que almacenamos
en el paso anterior tanto del modulo de Medida como el Patrn. A continuacin
seleccionamos Abrir en el cuadro de texto Archivo de Parmetros Calibrados, aparecer
un cuadro de dilogo en el que seleccionamos el archivo.

7) Caractersticas del Mdulo de Medida. Igual que en 5.1.1.

8) Caractersticas del Mdulo Patrn. Igual que en 5.1.1

9) Condiciones de Medida
Podemos observar que ha aparecido un nuevo control para el Mdulo Patrn, tanto en los
valores de G, Tc, D y Vv como en los valores medidos de V
SHUNT
y V
OC
. Esto se debe a
que nunca puede medirse ambos mdulos al mismo tiempo y que por lo tanto cada uno
tiene condiciones distintas de medida (recordar que el tiempo de medida entre ambos
mdulos debe ser menor a 3 min). El proceso de clculo de G y Tc es igual que en 5.1.1.

Anexos
211
10) Operaciones grficas, visualizacin, copia e impresin de los resultados.
Igual que 5.1.1. El aspecto final de los resultados es como sigue:

Tesis Doctoral

212

Ricardo Orduz Marzal

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UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID

INSTITUTO DE ENERGA SOLAR

Definido como cantidad de pulsos, muestras o barridos I-V.

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