CINVESTAV-IPN CINVESTAV-IPN

DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELCTRICA DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELCTRICA

SECCIN DE ELECTRNICA DEL ESTADO SLIDO

Centro de Investigacin y de Estudios Avanzados del Instituto Politcnico Nacional

El Departamento de Ingeniera Elctrica del CINVESTAV-IPN se fund en 1962 Actualmente, imparte maestra y doctorado en Ingeniera Elctrica en cuatro especialidades: Electrnica del Estado Slido Comunicaciones Bioelectrnica Mecatrnica Adems, cuenta con la seccin de Proyectos de Ingeniera, la cual acta como enlace con el exterior

CINVESTAV-IPN

Posgrado en Ingeniera Elctrica

Es el nico programa de posgrado en Ingeniera en Mxico que ha graduado a ms de 1,000 alumnos. Est registrado en el Padrn Nacional de Posgrado (PNP) de Conacyt. La mayor parte de los grupos de investigacin de las reas que cultivamos, cuentan con un egresado del Departamento en su planta acadmica. Muchos de sus egresados ocupan puestos destacados en el sector pblico y la iniciativa privada.

Maestra en Ingeniera Elctrica

El programa de Maestra tiene como objetivo profundizar y extender los conocimientos en el rea de inters, as como desarrollar habilidades que permitan al estudiante ejercer actividades cientficas, tecnolgicas, profesionales y docentes. La parte fundamental es el trabajo de investigacin que es seleccionado por el estudiante y su asesor.

Doctorado en Ingeniera Elctrica

El objetivo del programa de Doctorado es la formacin de recursos humanos de alto nivel capaces de generar conocimiento, concebir, dirigir y realizar proyectos de investigacin cientfica y/o de desarrollo tecnolgico, as como de ejercer la docencia a nivel superior y de posgrado.

Admisin

A la maestra:
Se ofrecen cursos propedeticos de: Matemticas y Electrnica analgica No son obligatorios, pero s recomendables para aprobar el examen de conocimientos. El aspirante priorizar la especialidad de su preferencia. En caso de haber aprobado el examen y no haber cupo en la misma, podr optar por una segunda especialidad. Posteriormente, se presentar a una entrevista con una comisin de profesores de la seccin seleccionada. Finalmente, le ser comunicada la decisin de dicha comisin.

Admisin

Al doctorado:
Admisin tradicional. Grado de maestro en ciencias. Conocimientos de ingls Aval de un investigador del departamento. Doctorado directo. Dirigido a alumnos de maestra de alto desempeo Se podr solicitar el cambio de programa de maestra a doctorado al finalizar el primer ao.

Actividades acadmicas e investigacin

Cursos de 48 horas, asistencia a laboratorios y asesora con profesor director de tesis Plan de estudios cuatrimestral de 2 aos en la maestra y 3 aos en el doctorado MAESTRIA : al menos 12 cursos, proyecto de investigacin y tesis DOCTORADO : cursos opcionales, proyecto de investigacin y tesis

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido SEMBLANZA SEMBLANZA
La SEES existe como tal desde 1983, cuando se reestructur el Departamento de Ingeniera Elctrica. Sin embargo, el rea de Electrnica del Estado Slido se cultiva desde los inicios del CINVESTAV (1962).
Su objetivo es la formacin de recursos humanos de alto nivel as como la generacin de investigacin cientfica y tecnolgica en el rea de electrnica del estado slido. a Un logro particular es la creacin de la Planta Piloto de Celdas Solares. a Actualmente, se siguen lneas de investigacin y aplicacin de materiales y dispositivos semiconductores y diseo de circuitos de muy alta escala de integracin (VLSI). a Adems, se inician otras sobre polmeros y materiales nano-estructurados .
a

Seccin de Electrnica del Estado Slido SEMBLANZA

La Seccin de Electrnica del Estado Slido cuenta con una planta de 21 profesores-investigadores, con experiencia y conocimiento tcnico-cientfico para el desarrollo de investigacin en materiales, dispositivos y diseo VLSI

Seccin de Electrnica del Estado Slido SEMBLANZA

La SEES cuenta actualmente con la infraestructura necesaria para la realizacin de trabajos de investigacin y desarrollo de temas de tesis dentro del rea de los semiconductores.

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido LNEAS DE INVESTIGACIN LNEAS DE INVESTIGACIN

1. FABRICACIN DE MATERIALES A TRAVS DE DISTINTAS TCNICAS Y EL ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, ELCTRICAS Y PTICAS 2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. DISEO, FABRICACIN, CARACTERIZACIN Y MODELACIN 3. DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE MUY ALTA ESCALA DE INTEGRACIN (VLSI)

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido LNEAS DE INVESTIGACIN LNEAS DE INVESTIGACIN

1. MATERIALES PARA DISPOSITIVOS ELECTRNICOS. DISEO, SNTESIS Y CARACTERIZACIN DE PELCULAS SEM ICONDUCTORAS Y DIELCTRICAS: q Depsito de pelculas desde la fase de vapor, asistido por plasma (PECVD); con compuestos metal-orgnicos (MOCVD) y a corta distancia (CSVT). q Depsito de Pelculas delgadas de semiconductores policristalinos y aislantes por Roco Qumico, Sol-gel y bao qumico. q Obtencin de capas epitaxiales y estructuras nanomtricas de compuestos semiconductores de : GaAs, GaSb, GaAlAs, InP, GaAs/Si. q Obtencin y estudio de capas de silicio micro, nano -cristalino, amorfo hidrogenado y de silicio poroso. q Estudio de puntos cunticos auto-ensamblados y fabricacin de materiales nano-estructurados. q Depsito de pelculas de polmeros y su caracterizacin.

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido LNEAS DE INVESTIGACIN LNEAS DE INVESTIGACIN
ESPECTROFOTMETRO DE INFRARROJO POR TRANSFORMADA DE FOURIER

ESTUDIO DE LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, ELCTRICAS Y PTICAS DE MATERIALES q Caracterizacin ptica y Electroptica: Fotoluminiscencia, Electroluminiscencia; Fotorespuesta, Espectroscopa en el ultravioleta-visible (UV-vis), Espectroscopa Raman, Espectroscopa en el infrarrojo (FTIR), Elipsometra. q Caracterizacin Elctrica: Conductividad Elctrica, concentracin y movilidad de portadores, defectos electrnicos. Las mediciones disponibles son: q Efecto Hall, Mediciones de Corriente-Voltaje y Capacitancia-Voltaje q Impedancia-frecuencia-temperatura, Espectroscopa de Transitorios de Niveles Profundos (DLTS). q Caracterizacin Qumica: Espectroscopa de masas de iones secundarios (SIMS), Espectroscopa de rayos X dispersos en energa (EDS). qCaracterizacin Estructural: Difraccin de rayos X (XRD), Microscopa electrnica de barrido (SEM), Microscopa de fuerza atmica (AFM).

SISTEMA DE PUNTAS PARA MEDICIN ELCTRICA

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido LNEAS DE INVESTIGACIN LNEAS DE INVESTIGACIN
IMPRESORA PARA POLMEROS

2. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DISEO, FABRICACIN, ESTUDIO DE SUS PROPIEDADES, CARACTERIZACIN Y MODELACIN Y SIMULACIN POR COMPUTADORA q Celdas solares de Silicio Cristalino, Policristalino y Amorfo. Celdas Solares de heterounin. q Dispositivos luminiscentes: diodos emisores de luz y estudio de Laseres. q Modelacin de transistores MOS multicompuertas y circuitos bsicos. q Sensores de gases resistomtricos y de barrera Schottky. q Dispositivos a base de polmeros: transistores (OTFT), OLEDs y celdas solares. q Caracterizacin de Dispositivos Modernos con Pozos Cunticos. q Simulacin por computadora de dispositivos de potencia en 2D y 3D, de nano-transistores y dispositivos fotnicos.

Seccin de Electrnica del Estado Slido Seccin de Electrnica del Estado Slido LNEAS DE INVESTIGACIN LNEAS DE INVESTIGACIN

3. DISEO DE CIRCUITOS INTEGRADOS DE ALTA ESCALA DE INTEGRACION (VLSI) Concepcin, diseo, caracterizacin y evaluacin de circuitos integrados, con tcnicas de alto nivel de integracin para: q Diseo de sistemas digitales, empleando PLDS y FPGAs (VLSI). q Aplicaciones de lgica difusa. q Diseo de redes neuronales artificiales. q Reconocimiento de patrones, sistemas autnomos y codificacin. q Diseo de circuitos neurodifusos. q Dispositivos MEMS y Sistemas con sensores MEMS (Dispositivos, Sistemas, Caracterizacin, Simulacin por computadora, Diseo Topolgico, Procesos Tecnolgicos).

Seccin de Electrnica del Estado Slido INFORMACIN ADICIONAL SOBRE ADMISIN

Pasante o Titulado Licenciatura en Ingeniera, Fsica o Disciplinas Afines Aprobar examen EXANI-III (Examen de Ingreso al Posgrado) del CENEVAL. Ver http://www.ceneval.edu.mx Contar con promedio general mnimo de 8.0 en la licenciatura Fechas Importantes (2009) Curso Propedutico Examen de Admisin Inscripciones Inicio de Cursos Mayo-Junio Junio Agosto ltima semana de Agosto

Seccin de Electrnica del Estado Slido ESTUDIANTES ADMITIDOS

El Cinvestav apoyar a todos los alumnos en el trmite de una beca. Dado que el posgrado en Ingeniera Elctrica est registrado en el PNP, los alumnos admitidos que cumplen los requisitos determinados por Conacyt, obtienen una beca.

Seccin de Electrnica del Estado Slido REFERENCIAS

Pgina en internet: http://www.sees.cinvestav.mx. Contacto con: Sria. Yesenia Cervantes Aguirre Telfono: 5747 3774 Fax: 5747 3978 Direccin del CINVESTAV: Av. IPN No. 2508, esquina con Ticomn Col. San Pedro Zacatenco Mxico 07360, D.F. Ap.Postal 47-740

FIN DE LA PRESENTACIN

GALERA DE FOTOS SISTEMA CAPACITIVO DE DEPSITO POR PECVD

Regresar

GALERA DE FOTOS DEPSITO QUMICO DE NANOPARTCULAS

Preparacin de nano-cristales de CdTe en solucin acuosa, usando reflujo en atmsfera de N2.

GALERA DE FOTOS DEPSITO QUMICO DE NANOPARTCULAS

Regresar

Respuesta de Nano-cristales de CdTe en solucin a iluminacin UV (366 nm), la cual depende de su tamao (~ 2 - 4 nm)

GALERA DE FOTOS SISTEMA DE DEPSITO DE FILAMENTO CALIENTE

Regresar

GALERA DE FOTOS MATERIALES NANOESTRUCTURADOS

Esquema de la operacin de una Pantalla Plana por Emisin por Campo (FED) a base de nano-emisores de electrones con electrodo de control.

GALERA DE FOTOS MATERIALES NANOESTRUCTURADOS

Regresar

Micrografa por fuerza atmica (AFM) de una pelcula con nano-emisores de PdO. La pelcula se creci sobre un sustrato de silicio (111).

GALERA DE FOTOS MATERIALES NANOESTRUCTURADOS

(a)

Aleacin sin nanoclusters = 0

(b) (c) (d)

Aleacin parcialmente cluster-ordenada con = 0.25 Aleacin parcialmente cluster-ordenada con = 0.5 Aleacin parcialmente cluster-ordenada con = 0.75 Aleacin completamente cluster-ordenada con = 0.25 - A, -C

Regreso

(e)

- BD,

= N1C4A/(N1C + N1C4A)

La teora de autoensamble de 1C4A nanoclusters tetradricos en aleaciones cuaternarias AxB1-xCyD1-y ricas en el compuesto BD, Semiconductores III-V y II-VI

GALERA DE FOTOS CARACTERIZACIN DE PELCULAS DE POLMEROS

Espectros FTIR de capas de polmeros obtenidos de distintas fuentes

GALERA DE FOTOS CARACTERIZACIN DE PELCULAS DE POLMEROS

Regresar

Imagen de fuerza atmica de una superficie de polmero

GALERA DE FOTOS ESPECTRMETRO RAMAN

Regresar

GALERA DE FOTOS ELIPSMETRO

Regresar

GALERA DE FOTOS CORRIENTE-VOLTAJE Y CAPACITANCIA-VOLTAJE

Regresar

GALERA DE FOTOS SISTEMA DE ESPECTROSCOPA DE NIVELES PROFUNDOS

Regresar

GALERA DE FOTOS DIFRACCIN DE RAYOS X

Regresar

GALERA DE FOTOS MICROSCOPIO ELECTRNICO DE BARRIDO Y EDX

Regresar

GALERA DE FOTOS MICROSCOPIO DE FUERZA ATMICA

Partculas de Pt sobre Si
Regresar

GALERA DE FOTOS MDULOS DE CELDAS SOLARES DE SILICIO

GALERA DE FOTOS CELDA SOLAR DE SILICIO CRISTALINO

Esquema de celda solar Regresar

Celda solar de Si cristalino

GALERA DE FOTOS SENSORES DE GAS

Sistema de caracterizacin elctrica en corriente directa de sensores en atmsfera controlada

GALERA DE FOTOS SENSORES DE GAS

Sensor resistomtrico en cmara de atmsfera controlada

GALERA DE FOTOS SENSORES DE GAS

Sistema de medicin de impedancia en atmsfera controlada

GALERA DE FOTOS SENSORES DE GAS

4.0x10 3.5x10 3.0x10

Z' -Z'' |Z| 500 ppm Propane 189 ppm

786 ppm
800

600

Z', -Z'', |Z| ()

2.5x10 2.0x10 1.5x10 1.0x10

400

200
7

Regresar

5.0x10

0 0 10 20 30 40 50 60 70

0.0

Time (minutes)

Respuesta dinmica de la resistencia (Z), la reactancia (Z) y la magnitud de la impedancia (Z) de una pelcula de xido de fierro-zinc, a una atmsfera de propano-humedad.

Propane (ppm)

GALERA DE FOTOS SIMULACIN EN 3D

Distribucin espacial de potencia en un protector contra transitorios (TOVP). Obtenido con el simulador rpido de 3 dimensiones Quasi3D desarrollado en el CINVESTAV.

GALERA DE FOTOS SIMULACIN EN 3D

Regresar

Simulacin electrotrmica en 3 dimensiones de transitorio en dispositivo de 4 capas.

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Regresar

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Regresar

Diseo grfico y circuito integrado fabricado por una compaa

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Circuito fabricado conforme a diseo

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Regresar

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Estructura MEM fabricada

Diseo grfico de estructuras MEM

GALERA DE FOTOS DISEO DE VLSI

Regresar

Diseo topolgico, modelizacin y caracterizacin de dispositivos MEMS y circuitos de procesamiento de seal