JFET (Junction Field Effect Transistor)

Dispositivo unipolar
Controlado por voltaje (Voltaje de Gate
controla corriente Drain)

Alta impedancia de entrada (≈109-1012 Ω)

Source y drain son intercambiables en la mayoría

de aplicaciones de baja frecuancia.
 Simbolos

Drain Drain

Gate Gate

Source
Source

n-channel JFET p-channel JFET

Transistores de efecto de campo
de unión (JFET)
Contactos óhmicos
Drenador D

Región de agotamiento

p n p Puerta G

Fuente S
Transistor de efecto campo de unión
(JFET)
Puerta

G G
a) b)

S p D S n D
n p
Fuente Drenador
p n

-VDD
+VDD

IG IG
D D

G G
VG
VG
S S

Canal n Canal p
Transistores de efecto de
n p
D
S ID ID
campo de unión

p
VDD

ID IDSS
Al aumentar la tensión entre
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
p-n y la ampliación de la región de
agotamiento.
El pasillo se cierra para VDS = VP;
tensión para la que ID deja de
aumentar.
VP Voltaje de estrechamiento
VDS
Transistores de efecto de campo
de unión (JFET)

D D
p ID p
S n ID S n ID ID

p VDD p VDD
VGS=0
G G

Manteniendo nula la tensión entre la fuente y G, VGS, al aumentar la

tensión entre Drenador y Fuente VDS, la intensidad ID aumenta, al
tiempo que se estrecha el pasillo debido al incremento de la de las
uniones p-n y la ampliación de la región de agotamiento .
 Estrechamiento del canal
Para
VGS=0
Corriente de saturación, IDSat
ID IDSS
Estrechamiento del canal,
aumento de la resistencia
Región de comportamiento óhmico
Voltaje de estrechamiento, VP
VP
D
S n ID p ID
p VDD
G
Al aumentar la tensión entre
Drenador y Fuente VDS, la
intensidad ID aumenta, al tiempo
que se estrecha el pasillo debido
al incremento de la de las uniones
VDS p-n y la ampliación de la región de
agotamiento
El pasillo se cierra para VDS = VP
 Estrechamiento del canal D
Con valores negativos de VGS el S n ID p ID
pasillo se cierra antes, siendo la
corriente de saturación menor p VDD

IDSS G
ID VGS= 0 V
VGS< 0

IDSat3
VGS= -1 V
2
 VGS 
IDsat = IDSS 1 − 
 VP 
IDSat2 VGS= -3 V
IDSat1 VGS= -VP
VPP (para VGS=0) VDS
V
 Intensidad de saturación IDS=f(VGS) G
D

ID (mA) IDSS
VGS= 0 V

2
 V 
IDsat = 7,81 − GS 
 5  5
VGS= -1 V

VGS= -2 V
VP
1
VGS= -3 V
VGS (V) -5 -4 -3 -2 -1 0 5 10 15 VDS (V)
VP = 5 V
VGS= -VP
 El transistor JFET en la zona óhmica

•En esta región el canal conductor

•La zona óhmica o lineal se sitúa cerca entre drenador y fuente se comporta
del origen, para VDS<<VDS sat como una resistencia RDS

•La RDS va aumentando a medida que se

estrecha el canal, a consecuencia de la
polarización inversa producida por VGS
 El transistor JFET en la zona óhmica

•Llegará un momento en que

la zona de transición invada
toda la región N, impidiéndose
totalmente la conducción.
(Corte del canal)

•La tensión VGS que corta el el

canal se llama tensión de corte
VP=Vt

1
•La ley que rige la resistencia del canal en la RDS = RDS ( ON )
zona óhmica es la que sigue: VGS
1−
VP
 El transistor JFET en la zona de saturación

•La tensión VDS provoca una tensión NO uniforme a lo largo del canal

•La zona de transición NO es uniforme; en el lado del drenador es más ancha y en el

de fuente es muy estrecha.

•Cuando la tensión inversa de la unión en el lado de drenador (VDG) alcance a la

tensión de corte (Vp), el canal se estrangulará (ID≠ 0)

•Esta es la frontera entre la zona óhmica y la de saturación

 El transistor JFET en la zona de saturación

•La tensión VDS se concentra , sobre todo, en la zona estrangulada del canal
•A medida que que VDS va creciendo la zona estrangulada aumenta de longitud,
manteniéndose constante una anchura mínima δ
•También, en esta zona, el campo eléctrico ε(x), dentro del canal estrangulado, va
aumentando
•En esta situación el flujo de portadores se estabiliza y la corriente ID se mantiene constante
•En esta región el FET se comporta como una Fuente de Corriente Constante