Transistor FET

El transistor de efecto campo es un transistor que usa el

campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de
portador de carga, por lo que también suele ser conocido
como transistor unipolar
Antes de que se introdujeron los primeros FET en el mercado
de componentes electrónicos, el concepto se conocía desde
hacía varios años. Hubo muchas dificultades para realizar
este tipo de dispositivo y hacerlo funcionar. Algunos de los
primeros conceptos del transistor de efecto de campo se
describieron en un artículo de Lilienfield en 1926 y en otro
artículo de Heil en 1935
Los transistores de efecto de campo son muy utilizados en
electrónica, su uso se ha extendido mucho en los circuitos integrados
y en circuitos de alta frecuencia, y presentan algunas ventajas con
respecto al transistor bjt, especialmente cuando es considerable el
ruido.
 El transistor de efecto de campo es un dispositivo de tres
terminales controlado por voltaje, es decir que se basa en el
campo eléctrico para controlar la conductividad de un canal
La impedancia de entrada del FET es alta en comparación
con la del transistor, lo cual lo hace adecuado para el diseño
de etapas en cascada.
Al FET lo constituye una estructura tipo N llamada “canal”,
junto con dos capas de material tipo P interconectadas entre
sí. En la parte superior del canal N está conectado el drenaje
(D); en la parte inferior del canal N está conectado el
terminal llamado “fuente” (S). Los dos materiales tipo P
están interconectados formando el tercer terminal llamado
“compuerta” (G), como se muestra en la figura 5.3:
Se aplica un voltaje ligeramente positivo entre los terminales
D y S, y llevamos la compuerta a un nivel de cero voltios.
Con estos voltajes, la fuente VDS atrae electrones del canal N
haciendo que circule una pequeña corriente de drenaje
ID = IS.
Las especificaciones de FET incluyen todo, desde los voltajes
y corrientes máximos permitidos hasta los niveles de
capacitancia y transconductancia. Todos ellos juegan un
papel en la determinación de si un FET en particular es
adecuado para un circuito o aplicación determinados.
Un JFET es básicamente una barra semiconductora (tipo N o
P), con contactos óhmicos en sus extremos identificados
como drenaje (D) y fuente (S), que forma un canal en el
medio de la difusión (P o N) de puerta (G). La tensión
aplicada a la puerta controla la conducción entre el drenaje y
la fuente al modular el ancho del canal. En principio es un
dispositivo simétrico, o sea bidireccional, no hay distinción
entre drenaje y fuente salvo por el sentido de circulación de
corriente
Un transistor mosfet es un aparato unipolar que funciona por
medio de tensión. Su aplicación en la industria es muy común
debido a su capacidad de amplificación o conmutación de
señales electrónicas. Forma parte de la familia de
trasformadores de potencia