Universidad de Área de Tecnología

Oviedo Electrónica

Introducción a la Electrónica de
Dispositivos

• Materiales semiconductores (Sem01.ppt)

• La unión PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
• Transistores (Trans01.ppt)

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas
ATE-UO Trans 00
 Tipos de transistores
PNP
BJT
NPN
Canal P
JFET
Canal N
FET MESFET Canal N Canal P
Acumulación
MOSFET Canal N
Canal P
Deplexión
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
ATE-UO Trans 01
 Características comunes a todos los
transistores (I)

• Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales

• Dos de los tres terminales actúan como terminales
de entrada (control)
• Dos de los tres terminales actúan como terminales
de salida. Un terminal es común a entrada y salida

ie is

+ +
Ve Vs
- -
Entrada Salida
Cuadripolo
ATE-UO Trans 02
 Características comunes a todos los
transistores (II)
ie is
• La potencia consumida en
+ +
la entrada es menor que la Ve Vs
controlada en la salida - -
Entrada Salida
Cuadripolo

• La tensión entre los terminales de entrada determina

el comportamiento eléctrico de la salida

• La salida se comporta como:

• Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa)
• Corto circuito (saturación)
• Circuito abierto (corte)
ATE-UO Trans 03
 Características comunes a todos los
transistores (III)
is +
Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -

is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0

is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
-
ATE-UO Trans 04
 Transistores bipolares de unión (I)

Transistor PNP: zona P, zona N y zona P

Transistor NPN: zona N, zona P y zona N
Colector (P) Colector (N)
Base Base
(N) (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
• El emisor debe estar mucho más
dopado que la base Muy, muy
• La base debe ser mucho más importante
pequeña que la longitud de difusión
de los mayoritarios del emisor
ATE-UO Trans 05
 Transistores bipolares de unión (II)
Ejemplo: PNP de silicio

P+ N- P
Emisor Base Colector
1m
• El emisor debe estar mucho más dopado que la base

NAE=1015 atm/cm3 NDB=1013 atm/cm3

• La base debe ser mucho más pequeña que la

longitud de difusión de los mayoritarios del
emisor W = 1 mm << L = 10 mm
B p

ATE-UO Trans 06
 Transistores bipolares de unión (III)

PNP Emisor y Colector Base

(Si) N =1015 atm/cm3  =100 ns NDB=1013 atm/cm3
AE n

NAC=1014 atm/cm3 Ln=0,02 mm p=100 ns Lp=0,01 mm

E B C
P+ N- P
1016

pE =10 15 nB =1013
Portad./cm3

10 12 pC =1014
escala
logarítmica
108 pB =107
nC=106
nE =105
104
1m ATE-UO Trans 07
 Cálculo de las corrientes por un transistor (I)
Notación de tensiones y corrientes

iE B
iB iC
P+ N- P
E C
+ v - - vCB +
EB
• Corrientes positivas entrantes en el transistor
• Tensiones positivas si polarizan directamente las uniones

E (P) C (P)

iE + + iC
vEB B (N) vCB
- -
iB
ATE-UO Trans 08
 Cálculo de las corrientes por un transistor (II)
Como ejemplo, polarizamos las Emisor (P) Colector (P)
uniones en zona activa: + +
vEB vCB
- B (N) -
• Emisor-Base directamente

• Base-Colector inversamente
V1 V2

iE V1 B iB V2 iC
E P+ N- P C
+ vEB - - vCB +
• El proceso de cálculo lo hacemos en zona activa, pero es general
y vale para las otras zonas
• Hay que deducir cómo son las corrientes por las uniones. Para
ello, es preciso conocer las concentraciones de los portadores
(como en cualquier unión PN)
ATE-UO Trans 09
 Cálculo de las corrientes por un transistor (III)
Como en el caso de una unión PN
1-
1-Se
Secalcula
calcula el
elsalto
saltode
deconcentración
concentracióndedecada
cadatipo
tipode
deportador
portadorde
de
un
unextremo
extremoalalotro
otrode
delas
laszonas
zonasde
detransición.
transición.
2-
2-Se
Secalcula
calculael
elexceso
exceso de
deminoritarios
minoritariosen
enlos
losbordes
bordesexternos
externosde
delas
las
zonas
zonasdedetransición.
transición.
3-
3-Se
Secalcula
calculala
ladistribución
distribuciónexponencial
exponencial(emisor
(emisoryycolector)
colector)yy lineal
lineal
(base)
(base)de
delos
losminoritarios
minoritariosalallo
lolargo
largode
delas
laszonas
zonasneutras.
neutras.
4-
4-Se
Secalculan
calculanlos
losgradientes
gradientesde
dedichas
dichasconcentraciones
concentracionesjusto
justoen
enlos
los
bordes
bordesdedelas
laszonas
zonasde
detransición.
transición.
5-
5-Se
Secalculan
calculanlas
lasdensidades
densidadesdedecorriente
corrientede
deminoritarios
minoritariosen
enlos
los
bordes
bordesdedelas
laszonas
zonasde
detransición
transición(densidad
(densidaddedecorriente
corrientede
dehuecos
huecos
en
en los
losbordes
bordesdedezonas
zonasNNyyde
deelectrones
electronesen
enlos
losbordes
bordesdedezonas
zonasP).
P).
6-
6-La
Lasuma
sumade delas
lasdos
dosdensidades
densidadesde decorriente
corrienteanteriores
anteriorespor
porcada
cada
unión
uniónesesla
ladensidad
densidaddedecorriente
corrientetotal
totalpor
poresa
esaunión.
unión.
7-
7-La
Lacorriente
corrientetotal
totalpor
porcada
cadaunión
uniónesesla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientepor
por
esa
esaunión
uniónmultiplicada
multiplicadapor
porla
lasección.
sección.

ATE-UO Trans 10
Saltos de concentración (I) Escala logarítmica
Unión
Emisor emisor-base
1016
pE

Portad./cm3
Portadores en el emisor y
en la unión emisor-base 10 12

sin polarizar
108
nE pB(0)s.p.
104 nE(0)s.p.
-0,3 -0,2 -0,1 0
Unión Longitud [mm]
Emisor emisor-base
Portadores en el emisor y
1016
en la unión emisor-base al
pE pB(0)
Portad./cm3

1012 nE(0) polarizar directamente

nE(0) pB(0)
10 8
nE pB(0)s.p. Se produce un exceso de
104 huecos en la base pB(0) y
-0,3 -0,2 -0,1 0 nE(0)s.p.
Longitud [mm] un exceso de electrones
ATE-UO Trans 11 en el emisor nE(0)
Saltos de concentración (II)
Colector 1016
Portadores en el colector y Unión base-
en la unión colector-base colector pC

Portad./cm3
sin polarizar 1012

pB(WB)s.p. nC(WB)s.p. 108

Colector 1016 nC
Unión base- 104
colector pC

Portad./cm3
1012 100
WB
pB(WB)s.p. nC(WB )s.p. 108 0,3 mm

-pB(WB) nC 104 Portadores en el

-nC(WB) colector y en la unión
pB(WB)
100 colector-base al
WB
nC(WB) 0,3 mm
polarizar inversamente

Se produce un exceso negativo de huecos en la

base -pB(WB) y un exceso negativo de electrones
en el colector -nC(WB)
ATE-UO Trans 12
 Relación entre excesos de concentración y tensiones
Emisor • Partimos de: pE = pB(0)s.p.·eV0/VT

pE pE = pB(0)·e(V -v 0 EB)/VT
Portad./cm3

pB(0)
pB(0) pB(0) = pB(0)-pB(0)s.p
pB(0)s.p.
pB(0)s.p.= ni2/NDB
Longitud • Llegamos a: pB(0)=(evEB/VT-1)·ni2/NDB
• Procedemos igual con los otros minoritarios

Resumen de las relaciones entre excesos

de concentración y tensiones
Unión emisor-base Unión base-colector

nE(0-)=(ev -1)·ni2/NAE
EB/VT pB(WB-) = (ev CB/VT
-1)·ni2/NDB
pB(0+)=(ev EB/VT
-1)·ni2/NDB nC(WB+) = (ev CB/VT
-1)·ni2/NAC
ATE-UO Trans 13
 Cálculo de la distribución de minoritarios (I)
Nos fijamos en los portadores minoritarios a lo largo del transistor
V1 V2
E B C
N- + - P
-+
+
P
Polarizamos en WB
zona activa -pB(WB-)
pB(0+) -nC(WB+)
nEs.p.= ni /NAE
2 nCs.p.= ni2/NAC

Escala lineal 0- 0+ WB- WB+ x

(no exacta)
nE(0-) pBs.p.= ni2/NDB
¿Cómo es la concentración de los huecos en la base?
ATE-UO Trans 14
 Cálculo de la distribución de minoritarios (II)
¡¡La base es una zona corta!!
La solución de la ecuación de continuidad para una unión
“no larga” es (ATE-UO PN105) :
senh((WB-x)/LP)
pB(x) = pB(WB ) + (pB(0 ) - pB(WB ))·
- + -
senh(WB/LP)

V1 V2 Como WB<<Lp (base “corta”) se

B cumple que senh (a) » a y, por tanto:
-+
N - +- pB(x)=pB(WB-)+(DpB(0+)-DpB(WB-))·(WB-x)/WB

pB(0+) WB Por tanto, el gradiente de la

concentración de huecos en la base es:

pB(0+) d(pB(x))/dx = -(DpB(0+)-DpB(WB-))/WB

La concentración de huecos disminuye

pBs.p. linealmente a lo largo de la base (el
pB(WB-) -pB(WB-) gradiente de la concentración de
0+
WB- x huecos en la base es constante)
ATE-UO Trans 15
 Cálculo de la distribución de minoritarios (III)
Ya conocemos la concentración de minoritarios en todo el transistor

V1 V2
E B C
N- + - P
-+
+
P
WB
-pB(WB-)

pB(0+) -nC(WB+)
nCs.p.= ni2/NAC
nEs.p.= ni /NAE
2

Escala lineal 0- 0+ WB- WB+ x

(no exacta) nE(0-)

Ahora se pueden calcular los gradientes en los bordes de

ATE-UO Trans 16
las dos zonas de transición y, por tanto, las corrientes
 Cálculo de los gradientes de los minoritarios en
los bordes externos de las zonas de transición
WB

pB(0+)-pB(WB-)

nEs.p.= ni /NAE
2 nCs.p.= ni2/NAC
nE(0-)
-nC(WB+)

0- 0+ WB - WB+ x

Emisor “largo”: Colector “largo”:

(dnE/dx)0- = nE(0-)/LNE (dnC/dx)WB+ = -nC(WB+)/LNC

Base “corta”:
(dpB/dx)0+ = -(pB(0+)-pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 17
 Densidad de corriente en la unión emisor-base
V1 V2
E B C
N- + - P
-+
+
P
juEB WB

juEB = q·DNE·nE(0-)/LNE + q·DPB·(pB(0+)-pB(WB-))/WB

densidad de corriente densidad de corriente
de electrones de huecos

• Relacionando excesos de concentración y tensiones, se obtiene:

juEB = q·DNE·(evEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE)+q·DPB·[(evEB/VT-1)-(evCB/VT-1)]·ni2/(NDB·WB)=
= (evEB/VT-1)·q·ni2·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]-(evCB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB)

juEB = (ev EB/VT

-1)·constante1 - (ev CB/VT
-1)·constante2
ATE-UO Trans 18
 iE Corriente por el emisor

V1 V2
vEB vCB
+ - B - +
N- + - P
-+
+
P
E C
Sección A juEB WB
iE = A·juEB
Por tanto queda:
iE = q·ni2·A·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]·(ev -1) -
EB/VT

Corriente por una unión

función de la tensión en ella
iF = ISE·(ev EB/VT
-1)

- q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev CB/VT
-1)

Corriente por una unión función

de la tensión en la otra unión
ATE-UO Trans 19
 Densidad de corriente en la unión base-colector
V1 V2
E B C
N- + - P
-+
+
P
WB juBC
juBC = q·DPB·(pB(0+)-pB(WB-))/WB - q·DNC·nC(W+)/LNC

densidad de corriente densidad de corriente

de huecos de electrones
• Relacionando excesos de concentración y tensiones, se obtiene:

juBC = q·DPB·[(evEB/VT-1)-(evCB/VT-1)]·ni2/(NDB·WB) - q·DNC·(evCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC)=

= (evEB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB) - (evCB/VT-1)·q·ni2·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))

juBC = (ev EB/VT

-1)·constante2 - (ev CB/VT
-1)·constante3
ATE-UO Trans 20
 Corriente por el colector
iC
V1 V2
vEB vCB
+ - B - +
N- + - P
-+
+
P
E C
iC = -A·juBC WB juBC Sección A

Por tanto queda:

iC = -q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev EB/VT
-1) +
Corriente por una unión función
de la tensión en la otra unión

+ q·ni2·A·[DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)]·(ev -1)
CB/VT

Corriente por una unión

función de la tensión en ella
iR = ISC·(ev -1)
CB/VT

ATE-UO Trans 21
Resumen de lo obtenido para ambas corrientes (I)

iE V1 V2 iC
vEB vCB
+ - B - +
E C
N- + - P
-+
+
P

iE = ISE·(ev -1) - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev

EB/VT
-1)
CB/VT

iF Nos interesa poner

esto en función de iR

iC = - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev EB/VT
-1) + ISC·(ev CB/VT
-1)

Nos interesa poner iR

esto en función de iF
Siendo:
ISE = q·ni2·A·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]
ISC = q·ni2·A·[DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)] ATE-UO Trans 22
Resumen de lo obtenido para ambas corrientes (II)
iE = ISE·(ev -1) - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev
EB/VT CB/VT
-1)
iF aR·iR

iC = - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(ev -1) + ISC·(ev

EB/VT CB/VT
-1)
aF·iF iR

Siendo:
DPB/(NDB·WB)
aR = (aR < 1)
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)
DPB/(NDB·WB)
aF = (aF < 1)
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)

ISE = q·ni2·A·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]
ISC = q·ni2·A·[DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)]
ATE-UO Trans 23
Resumen de lo obtenido para ambas corrientes (III)

E (P) C (P) iE = iF - aR·iR

B (N)
Resumen final:
vEB vCB iC = iR - aF·iF
iE + - - + iC

Siendo:
DPB/(NDB·WB)
iF = ISE·(evEB/VT
-1) aF =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)

DPB/(NDB·WB)
iR = ISC·(ev -1)
CB/VT aR =
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)

ISE = q·ni2·A·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]
ISC = q·ni2·A·[DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)]
ATE-UO Trans 24
 Modelo de Ebers-Moll de un transistor (I)
Es una forma “compacta” de expresar las
ecuaciones de las corrientes por un transistor
Ecuaciones:
E (P) C (P)
B (N)
iE = iF - iR·aR

iE vEB vCB
+ - - + iC
iC = iR - iF·aF
iF = ISE·(evEB/VT
-1)
iE + vEB - - vCB + iC
iR = ISC·(ev CB/VT
-1)
E iF iR C
Muy, muy importante

aR·iR B aF·iF
ATE-UO Trans 25
 Modelo de Ebers-Moll de un transistor (II)
iE iC
iE = iF - iR·aR iC = iR - iF·aF
vEB
+ - - vCB + iF = ISE·(ev EB/VT
-1) iR = ISC·(ev -1)
CB/VT

Aparentemente, hacen falta cuatro parámetros para definir el

modelo de Ebers-Moll de un transistor: ISE, ISC, aF y aR.
Sin embargo:
ISE = q·ni2·A·[DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)]
ISC = q·ni2·A·[DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)]
DPB/(NDB·WB) DPB/(NDB·WB)
aF = aR =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)

Y por tanto se cumple: ISC·aR = ISE·aF = IS

Consecuencia: sólo hacen falta tres parámetros para definir
el modelo de Ebers-Moll de un transistor: IS, aF y aR
ATE-UO Trans 26
 Modelo de Ebers-Moll de un transistor (III)
Resumen final: iE iC
Ecuaciones:
vEB
+ - - vCB + iE = iF - iR·aR
iC = iR - iF·aF
vEB
iE + - - vCB + iC
iF = (IS/aF)·(ev -1)
EB/VT

E iF iR C iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)

aR·iR B aF·iF
IS = q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)
DPB/(NDB·WB)
Parámetros para definir el aF =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)
modelo de Ebers-Moll (estático)
DPB/(NDB·WB)
Muy, importante aR =
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)
ATE-UO Trans 27
 Polarización en zona activa (I)
iE iC
Por tanto, polarizamos:
• Emisor-Base directamente + +
vEB vCB
• Base-Colector inversamente - -

• Elegimos tensiones de polarización que V1 V2

cumplan: V1 >> VT y V2 >> VT
Ecuaciones:
• Por tanto: vEB >> VT y vCB << -VT
iE = iF - iR·aR
• Y también: evEB/VT-1 » evEB/VT y evCB/VT-1 » -1
iC = iR - iF·aF
• Por tanto, las corrientes cumplen:
iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
iR » -IS/aR » 0
iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
iE » iF » (IS/aF)·ev EB/VT

iE » (IS/aF)·ev EB /VT
iC » - iF·aF » - iE·aF
iC » - iE·aF
ATE-UO Trans 28
 Polarización en zona activa (II)
iE iC

iE » (IS/aF)·ev EB /VT + +
vEB vCB
- -
iC » - iE·aF
V1 V2
• La corriente de emisor se relaciona con la tensión emisor-base
como en cualquier unión PN polarizada directamente
• La corriente de colector es proporcional (por aF) a la corriente
de emisor y es independiente de la tensión colector base. Su
sentido real de circulación es el contrario al de medición en la
figura
• Recuérdese: estamos en zona activa (en otras zonas el
comportamiento es diferente)
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 29
 Significado del parámetro aF
iE -iC
-iC » iE·aF
+ +
vEB -
vCB Pero, ¿cuánto vale aF?
-
DPB/(NDB·WB)
V1 V2 aF =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)

Ejemplo:
DPB/(NDB·WB)= 1,25 10-8
DPB = 12,5 cm2/s DNE = 35 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3
DNE/(NAE·LNE)= 1,75·10-11
WB = 1 mm LNE = 20 mm

aF = 0,9986
Siempre el parámetro aF es un valor cercano a la unidad

• Frecuentemente es designado simplemente como

ATE-UO Trans 30
 Definición formal del parámetro aF
Cortocircuitamos la unión base-colector
iE -iC
Ecuaciones:
+ + iE = iF - iR·aR
vEB vCB
- -
iC = iR - iF·aF
V1 vCB = 0 iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
Por tanto:
iR = (IS/aR)·(e0-1) = 0 Þ iE = iF y iC = - iF·aF

Por consiguiente : aF es la ganancia directa de corriente

(corriente de colector dividida por
aF = -iC/iE
corriente de emisor, ambas medidas
VCB=0
como circulan en realidad), con la salida
en cortocircuito
ATE-UO Trans 31
 Resumen de lo que ocurre en zona activa

iE -iC » iE·aF
+ +
vEB vCB
- -
Muy importante
V1 V2
• La corriente de emisor iE se relaciona con la tensión emisor-
base vEB como en cualquier unión PN polarizada
directamente: iE » ISE·ev EB/VT

• La corriente que sale por el colector es casi igual a la que

entra por el emisor (aF es muy cercano a la unidad, aunque
siempre menor que la unidad)
• La corriente que sale por el colector no depende de la
tensión colector-base vCB. Por tanto, el colector se
comporta como una fuente (sumidero) de corriente
ATE-UO Trans 32
 Interpretación de la operación en zona activa (I)

V1=0,3 V2

E B C
P+ N- P
Portad./cm3 1m
1012
VEBO=0,48V Escala La posición vertical de
lineal
pB este punto varía mucho
con vEB
5·1011

Para cualquier V2 > 0 (es

nE nC decir, vCB < 0), la posición
0
vertical de este punto no
Gradiente muy pequeño varía casi
Þ no hay casi corriente
de minoritarios del Gradiente constante
emisor (electrones)
ATE-UO Trans 33
 Interpretación de la operación en zona activa (II)

Portad./cm3 Gradiente muy pequeño en

el emisor Þ no hay casi
1012
Escala corriente de electrones.
pB lineal
Gradiente muy grande en la
5·1011 base Þ hay mucha corriente
de huecos.

nE nC Calculamos la corriente total

0 de emisor.
Corriente mA Contacto de base
Calculamos la corriente de
3 huecos en el emisor.
iE -iC
Calculamos la corriente de
ipE ipB -ipC electrones en la base.
1,5
Gradiente casi nulo en el
colector Þ no hay casi
inE inB -inC corriente de electrones.
0
ATE-UO Trans 34
 Interpretación de la operación en zona activa (III)
Corrientes por el transistor
Concentración

pB3 Escala iE -iC

lineal E C
pB2
B V2
nE pB1 nC
0
Corriente Contacto de base
VEB1 < VEB2 < VEB3
iE3 -iC3

iE2 -iC2

iE1 -iC1
0
ATE-UO Trans 35
 Utilidad del transistor en zona activa y
configuración “base común” (I)
Base común significa que el “terminal base” es común
al circuito de entrada (el de V1) y al de salida (el de V2)

iE -iC
+ + - Ejemplo de parámetros
vEB vCB de un transistor:
- -
IS = 10-11 A
aF = 0,995
V1 V2 aR = 0,95
- Por tanto:
ISE = IS/aF = 1,005·10-11
ISC = IS/aR = 1,053·10-11
iE » 1,005·10-11 ·ev EB/0,026
-“Tensión térmica”:
VT = 0,026 V
- iC » 0,995·iE
ATE-UO Trans 36
 Utilidad del transistor en zona activa y configuración
“base común” (II)
iE -iC
+ +
vEB vCB
- -

V1 = 0,5 - 0,55 V V2 = 12 V

vEB [V] iE [mA] PV1 [mW] vCB [V] -iC [mA] PV2 [mW]

0,5000 2,259 1,13 -12 2,248 26,98

0,5125 3,654 1,873 -12 3,636 43,63
0,5250 5,91 3,103 -12 5,88 70,56
0,5375 9,558 5,138 -12 9,51 141,1
0,5500 15,46 8,502 -12 15,38 184,6

• Grandes variaciones de iE para pequeñas variaciones de vEB

• Pequeñas potencias aportadas por V1 regulan grandes
potencias aportadas por V2
ATE-UO Trans 37
 Utilidad del transistor en zona activa y configuración
vLEDs “base común” (III)
+ -
iE + +
vCB Ejemplo:
vEB
- - -iC vLEDs = -iC·300 + 4,5
V1 = 0,5 - 0,55 V V2 = 12 V
vEB [V] iE [mA] PV1 [mW] vCB [V] -iC [mA] PLEDs [mW]

0,5000 2,259 1,13 -6,826 2,248 11,633

0,5125 3,654 1,873 -6,409 3,636 20,328
0,5250 5,91 3,103 -5,736 5,88 36,836
0,5375 9,558 5,138 -4,647 9,51 69,932
0,5500 15,46 8,502 -2,886 15,38 140,194

• Mientras vCB < 0, el transistor sigue en zona activa

• Pequeñas potencias aportadas por V1 regulan
grandes potencias aportadas por V2 a los LEDs ATE-UO Trans 38
 Corriente de base en zona activa

• En todas las zonas de trabajo, iE + + iC

cumple: vEB vCB
- -
iE + i C + i B = 0
iB
• Obviamente no todas las corrientes pueden ser positivas

• Por tanto: iB = - iE - iC

• En zona activa iE > 0 y iC < 0. Por tanto: -iB = iE - (-iC)

• Es decir, el sentido real de circulación de las corrientes en

un transistor PNP en zona activa es:
iE
-iC
-iB

V1 V2
ATE-UO Trans 39
 El parámetro “bF” (o simplemente “b”)

iE
Muy, muy importante
-iC
-iB

V1 V2
• En zona activa se cumple: -iC » aF·iE y iE = -iB -iC

• Eliminando iE queda: iC » iB·aF/(1-aF)

• Definimos bF: bF = aF/(1-aF)

• Luego: iC » bF·iB Valor de bF en función de la

física del transistor:
bF = DPB·NAE·LNE /(DNE·NDB·WB)
Normalmente es expresa como:
Típicamente: bF = 50-200
iC » b·iB
ATE-UO Trans 40
 Variabilidad del parámetro “bF”
• AunqueFes muy poco variable, F (definida
como F = F/(1-F)) es bastante sensible a
pequeñas variaciones de F
• Ejemplo:
aF = 0,99 bF = 0,99/(1-0,99) = 99
aF = 0,999 bF = 0,999/(1-0,999) = 999
• Los fabricantes usan el
término “hFE” (en vez de “b” o
“bF”)
hFE hFEmax
Variabilidad de
hFE mostrada por
hFEtip
hFEmin los fabricantes

iC
ATE-UO Trans 41
 La configuración “emisor común”
V2’ = V2 + V1
iE
-iC
-iC
-iB
iE
V1 V2 -iB Configuración
“emisor común”
Configuraciones “base común”
V1

• Colocamos la fuente V1 como en el caso anterior

• También como en el caso anterior, colocamos una tensión V1 +
V2 entre emisor y colector, pero ahora con una fuente V2’
explícitamente colocada entre estos terminales
• Así obtenemos la configuración “emisor común”
• La gran ventaja es que la fuente de entrada (V1) ahora suministra
la corriente de base (“bF veces menor” que la de colector)
ATE-UO Trans 42
 Comparación de las configuraciones
“base común” y “emisor común”
V2’ = V2 + V1
iE
-iC -iC
-iB
iE
V1 -iB Configuración
V2
“emisor común”
Configuraciones “base común” V1

Para controlar iC, la fuente

Para controlar iC, la fuente
de tensión de entrada V1
de tensión de entrada V1
tiene que aportar la
tiene que aportar la
corriente -iB » -iC/bF (el valor
corriente iE » -iC/aF » -iC
absoluto de iB es mucho menor
que el de iC)
ATE-UO Trans 43
 Ejemplo de comparación de las configuraciones “base
común” y “emisor común”
V2 = 13V -iC
+
iE vCB +
V1
- -iC
vCB
-
V2 = 12 V V1
-iB bF = 199

v1 [V] iE [mA] PV1 [mW] PLEDs [mW] v1 [V] -iB [mA] PV1 [mW]

0,5000 2,259 1,13 11,633 0,5000 11,3 5,65

0,5125 3,654 1,873 20,328 0,5125 18,3 9,365
0,5250 5,91 3,103 36,836 0,5250 29,6 15,515
0,5375 9,558 5,138 69,932 0,5375 47,8 25,69
0,5500 15,46 8,502 140,194 0,5500 77,3 42,51

En emisor común, potencias muy pequeñas aportadas por

V1 regulan grandes potencias aportadas por V2 a los LEDs ATE-UO Trans 44
 Transistor “mal hecho” (con base ancha) (I)
V1 = 0,3 V V2
i E iB B
iC
E C

P+ N- P

Portad./cm3 WB>>LP
1012

Gradiente muy
pB pequeño Þ no hay
5·1011
casi corriente de
electrones.
nE nC
0

Gradiente grande Þ fuerte Gradiente muy pequeño Þ no

corriente de huecos. hay casi corriente de huecos.

ATE-UO Trans 45
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (II)
Portad./cm3
1012

pB
5·10 11

nE nC
0

Corriente [mA]
3
iE
ipE inB
1,5

ipB -iC -ipC -inC

inE
0

ATE-UO Trans 46
 Transistor “mal hecho” (con base ancha) (III)

iE» -iB  VBC

-iC » 0 
V1 = 0,3 V

E -iB B C
+ - P Circuito equivalente
P N con Base ancha
WB>>LP
iE » -iB VEB VBC -iC » 0

Corriente [mA]
3 -iB
iE E B C

1.5 in
ip -iC
0
ATE-UO Trans 47
 Polarización en zona de corte
iE iC
Por tanto, polarizamos: P P
• Emisor-Base inversamente + +
vEB N vCB
• Base-Colector inversamente - -
iB
• Elegimos tensiones de polarización que V1
cumplan: V1 >> VT y V2 >> VT
V2
• Por tanto: vEB << -VT y vCB << -VT Ecuaciones:
iE = iF - iR·aR
• Y también: e vEB/VT
-1 » -1 y e vCB/VT
-1 » -1
• Por tanto, las corrientes cumplen: iC = iR - iF·aF

iF » -IS/aF » 0 iF = (IS/aF)·(ev EB/VT

-1)
Muy importante
iR » -IS/aR » 0 iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
Las tres corrientes son
iE » -IS/aF + IS » -IS·(1-aF)/aF » 0 muy pequeñas
iC » -IS/aR + IS » -IS·(1-aR)/aR » 0 iE » 0, iC » 0 y iB » 0
ATE-UO Trans 48
 Comparación entre las concentraciones
de minoritarios en zona activa y corte
Concentración

Escala
pB (activa) lineal iE -iC
V1 V2
nE (activa)
nE (corte) pB (corte) nC Zona activa
0
Corriente

iE -iC
IE (activa) -IC (activa)
V1 V2

Zona de corte
IE (corte) -IC (corte)
0
ATE-UO Trans 49
 Resumen
Zona Activa Zona de Corte
-iC » aF·iE y -iB » (1-aF)·iE IC » 0, IE » 0 y IB » 0
-iC » -bF·iB y iE » -(1+bF)·iB iE -iC
iE -iC

-iB V2
V1
-iB V2
V1 Base
Base común
común
V2’ (> V1)
V2’ (> V1) iE
iE -iC
-iC
-iB Emisor
Emisor
V1 común
-iB
V1 común

ATE-UO Trans 50
 Otras condiciones cercanas a las de corte (I)
iE iC
Cortocircuito entre emisor y base
• Suponemos que elegimos: V2 >> VT + +
vEB vCB
• Por tanto: vEB = 0 y vCB << -VT - -
iB
• Y también: e0/VT-1 = 0 y evCB/VT-1 » -1
V2
• Por tanto, las corrientes cumplen:
Ecuaciones:
iF = 0
iE = iF - iR·aR
iR » -IS/aR
iC = iR - iF·aF
iE » IS iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
iC » -IS/aR iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
• En corte “real”,
teníamos:
Corrientes menores
iE » -IS·(1-aF)/aF en el corte “real”
ATE-UO Trans 51
 Otras condiciones cercanas a las de corte (II)
Emisor en circuito abierto iE = 0 iC
• Suponemos que elegimos: V2 >> VT + +
vEB vCB
• Por tanto: vCB << -VT
- -
• Y también: evCB/VT-1 » -1 y iE = 0
V2
• Por tanto, las corrientes cumplen:
Ecuaciones:
iR » -IS/aR iE = iF - iR·aR
iF = iR·aR = -IS iC = iR - iF·aF
iC » -IS/aR + IS·aF = -IS(1-aR·aF)/aR iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
• Esta corriente se designa como IC0 iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
-IC0 • El valor de iC es casi el mismo
que en corte “real”:
V2
iC » -IS·(1-aR)/aR
ATE-UO Trans 52
 Otras condiciones cercanas a las de corte (III)
Base en circuito abierto iE iC = -iE
• Suponemos que elegimos: V2 >> VT + +
vEB vCB
• Por tanto: vCB << -VT (ya que vCB » - V2)
- -
• Y también: evCB/VT-1 » -1 y iC = -iE
V2
• Por tanto, las corrientes cumplen:
Ecuaciones:
iR » -IS/aR iE = iF - iR·aR
iE » iF + I S iC = iR - iF·aF
iC » -IS/aR - iF·aF iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
• De estas ecuaciones se obtiene: iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
iC » -IS·(1- aR·aF)/[aR·(1- aF)] • El valor de iC en corte “real”
Este valor es muy superior es:
al del corte “real” iC » -IS·(1-aR)/aR
ATE-UO Trans 53
 Otras condiciones cercanas a las de corte (IV)
Emisor en circuito abierto
-IC0
E C
La corriente de colector que circula es muy
pequeña. Es denominada “corriente inversa de
saturación de la unión base-colector con el B V2
emisor en circuito abierto”, IC0. Es muy semejante
a la corriente de colector en corte

Base en circuito abierto

La corriente de colector que circula es pequeña,
V2
IEC0
pero bastante mayor que la de casos anteriores. Es
denominada “corriente inversa de saturación E C
emisor-colector con la base en circuito abierto”, I EC0
B
Cuando se pretende que el transistor esté trabajando en
condiciones cercanas al corte, es aconsejable no dejar la
base “al aire”, siendo mejor cortocircuitarla al emisor o
conectarla a dicho terminal a través de una resistencia
ATE-UO Trans 54
 Comparación entre IC0, iC (corte), iC (V EB=0)
e IEC0
-iC (corte) -IC0 -iC (V EB=0)
IEC0
E E C E E C
C C

V1 B V2 V2 B V2 B V2
B

Resumen de lo obtenido: aF = 0,995 aR = 0,95

iC (corte) » -IS·(1-aR)/aR » IC0·(1-aR)/(1-aR·aF) = 0,913·IC0
IC0 » -IS(1-aR·aF)/aR
iC (V » -IS/aR » IC0/(1-aR·aF) = 18,26·IC0
EB=0)

IEC0 » IS·(1-aR·aF)/[(1-aF)·aR] » - IC0/(1-aF) = 200·IC0

ôiC (corte)ô » ôIC0ô< ô iC (V EB =0) ô<< ôIEC0ô

ATE-UO Trans 55
 Una aproximación mejor que “iC » - iE·aF” para la
polarización en zona activa y de corte
• Elegimos tensiones de polarización que cumplan: -IC0
V1 >> VT y V2 >> VT
• Por tanto: evEB/VT-1 » evEB/VT y evCB/VT-1 » -1 iE -iC
-iB
• Y las corrientes cumplen:

iR » -IS/aR Muy importante V1 V2

i E » iF + IS Por tanto: iF » i E - I S Ecuaciones:

iE = iF - iR·aR
iC » -IS/aR - iF·aF » - iE·aF - IS·(1- aR·aF)/aR
iC = iR - iF·aF
• Teniendo en cuenta el valor de IC0, queda:
iF = (IS/aF)·(ev -1)
EB/VT

iC » - iE·aF + IC0
iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
• Y como iB + iC + iE = 0, se obtiene:

iC » IC0·(1+bF) + iB·bF iC » - iE·aF + IC0 mejor que iC » - iE·aF

ATE-UO Trans 56 iC » IC0·(1+bF) + iB·bF mejor que iC » iB·bF
 Polarización en zona de saturación
iE iC
Por tanto, polarizamos: P P
• Emisor-Base directamente + +
vEB N vCB
• Base-Colector directamente - -
iB
• Elegimos tensiones de polarización que V1 V2
cumplan: V1 >> VT y V2 >> VT
• Por tanto: vEB >> VT y vCB >> VT Ecuaciones:
iE = iF - iR·aR
• Y también: e vEB/VT
-1 » e vEB/VT
y e vCB/VT
-1 » e
vCB/VT

• Por tanto, las corrientes cumplen: iC = iR - iF·aF

iE » IS(e vEB/VT
/aF - e vCB/VT
) iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)

iC » IS(-e vEB/VT
+e vCB/VT
/aR) iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
Ambas corrientes dependen de ambas tensiones
Sin embargo, la saturación en este circuito no tiene interés
ATE-UO Trans 57
Transición de zona activa a saturación (I)
Circuito realmente interesante Emisor
común
Unión Emisor-Base polarizada directamente
R -iC
• Como V1 = vEB >> VT entonces evEB/VT-1 » evEB/VT +
vCB
• Por tanto, las corrientes cumplen:
- N P
iF » IS·ev EB/VT
/aF V1 - V2
P
vEB -iE
iC » -IS[ev EB/VT
- (ev CB/VT
- 1)/aR] +
(ecuación válida para zona activa y saturación)
Ecuaciones:
• También se cumple:
iE = iF - iR·aR
vCB = vEB - V2 + (-iC)·R
iC = iR - iF·aF
• Sustituyendo, se obtiene:
iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
iC » -IS[e vEB/VT
- (e (vEB - V2 - iC·R)/VT
- 1)/aR]
iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
• Cuando se empieza a entrar en saturación:
(vEB - V2 - iC·R)/VT ATE-UO Trans 58
Transición de zona activa a saturación (II)

Por tanto: iC » -IS[evEB/VT - (e(vEB - V2 - iC·R)/VT)/aR]

Y también: -iC » IS·evEB/VT·[1- (e(- V2 - iC·R)/VT)/aR]

Cuando evEB/VT crece indefinidamente (evEB/VT ® ¥), entonces:

1- (e(- V 2 - iC·R)/VT
)/aR ® 0 para que iC esté acotada. Por tanto:
(-V2 - iC·R)/VT ® lnaR y, por tanto también:
Emisor
común
-iC ® (V2 + VT·lnaR)/R
R -iC
(si aR = 0,95, entonces VT·lnaR = -1,33 mV) +
vCB
Es decir:
Muy importante - N P
-iC » V2/R V1 - V2
P
vEB
El transistor en saturación se +
comporta como un cortocircuito
ATE-UO Trans 59
 Comparación entre las concentraciones de
minoritarios en zona activa y saturación
Concentración

Escala
pB (lim.) pB (sat.) lineal

nE pB (activa) nC Misma pendiente, ya

0
que la corriente de
colector es más o
Corriente menos constante

iE (saturación) -iC (saturación)

V2/R
iE (límite) -iC (límite)
iE (activa) -iC (activa)
0
ATE-UO Trans 60
 Resumen
Zona activa Zona de corte Zona de saturación
-iC -iC -iC

R R R
vCB + vCB + vCB +

-iB - -iB - -iB -

V1 V1 V1
iE V2 iE V2 iE V2

vCB < 0
iC » 0, iE » 0 vCB > 0 (vCE » 0)
-iC » aF·iE y -iB » (1-aF)·iE
y iB » 0 -iC » V2/R
-iC » -bF·iB y iE » -(1+bF)·iB

Muy, muy importante

ATE-UO Trans 61
 Polarización en zona de transistor inverso (I)
iE iC
Por tanto, polarizamos:
• Emisor-Base inversamente + +
vEB vCB
• Base-Colector directamente
- -

• Elegimos tensiones de polarización que V1 V2

cumplan: V1 >> VT y V2 >> VT
Ecuaciones:
• Por tanto: vEB << -VT y vCB >> VT
iE = iF - iR·aR
• Y también: e vEB/VT
-1 » -1 y e vCB/VT
-1 » e vCB/VT

• Por tanto, las corrientes cumplen: iC = iR - iF·aF

iF » -IS/aF » 0 iF = (IS/aF)·(ev EB/VT

-1)
iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
iR » (IS/aR)·e vCB/VT

iC » iR » (IS/aR)·e vCB/VT iC » (IS/aR)·ev CB /VT

iE » - iR·aR » - iC·aR iE » - iC·aR

ATE-UO Trans 62
 Polarización en zona de transistor inverso (II)
-iE iC
DPB/(NDB·WB)
aF = + +
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) vEB vCB
- -
DPB/(NDB·WB)
aR = V1 V2
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)
-iE » iC·aR
Conclusiones:
• Existe cierta reversibilidad en el comportamiento del emisor y del
colector
• La diferencia es que la relación entre las corrientes de colector y de
emisor se establece ahora a través de aR, que es menor que aF
• Los valores de aR y de aF son distintos porque las características
físicas del emisor, DNE/(NAE·LNE), y del colector, DNC/(NAC·LNC), son
habitualmente distintas
Muy importante
ATE-UO Trans 63
 Definición formal del parámetro aR
Cortocircuitamos la unión base-colector
-iE iC
Ecuaciones:
+ + iE = iF - iR·aR
vEB vCB
- -
iC = iR - iF·aF
vEB = 0 V1 iF = (IS/aF)·(ev EB/VT
-1)
Por tanto: iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1)
iF = (IS/aF)·(e0-1) = 0 Þ iC = iR y iE = - iR·aR

Por consiguiente : aR es la ganancia inversa de corriente

(corriente de emisor dividida por
aR = -IE/IC
corriente de colector, ambas medidas
VEB=0
como circulan en realidad), con la
entrada en cortocircuito
ATE-UO Trans 64
 Efecto “Early”
Portad./cm3
1012
pB (VBC1) Escala
lineal
5·1011

nE pB (VBC2) nC V1 VCB
0
W’B VBC1 < VBC2
WB
Al aumentar la tensión base-colector VBC, el ancho de la zona de
transición también aumenta, por lo que el “ancho efectivo de la
base” WB disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base
aumenta la corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de
minoritarios de la base), y también disminuye la corriente de base (ya
que disminuyen las recombinaciones de minoritarios en ella,
recombinaciones que han sido despreciadas en todo el desarrollo,)
ATE-UO Trans 65
Curvas características de entrada en base común
Referencias normalizadas
iE [mA] vCB=-5V
iE iC 20
vCB=
Curvas de
+ + -10V vCB=0
entrada
vEB vCB
- - vEB [V]
iB
0 0,6

• Para una determinada tensión vEB, la corriente de

emisor crece con la tensión inversa aplicada entre
colector y base (efecto “Early”). Este efecto no es
muy significativo
• Cuando vEB = 0 y vCB << -VT, la corriente de emisor es
ligeramente positiva (aplicando el modelo de Ebers-
Moll). Es un detalle no muy importante ATE-UO Trans 66
Curvas características de salida en base común
Referencias normalizadas
Curvas de salida
iE iC iC [mA]
iE=50mA
+ + iE=40mA
vEB vCB -40
- - iE=30mA
iB iE=20mA
-20
iE=10mA
iE=0mA vCB [V]
0 -2 -4 -6
En polarización en zona IC0
activa, se comporta como
una fuente de corriente Muy importante

ATE-UO Trans 67
 Zonas de trabajo en base común
Referencias normalizadas
iE iC Curvas de salida
iC [mA]
+ + iE=50mA
vEB vCB iE=40mA
- - -40
iB iE=30mA
iE=20mA
-20
Saturación iE=10mA
iE=0mA vCB [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
IC0
Muy importante
Corte
ATE-UO Trans 68
Curvas características de entrada en emisor común
Referencias normalizadas iB[A] vCE=-5V
iC vCE=0
+ -100
iB Curvas de vCE=-10V
vCE
+
entrada
vBE - vBE[V]
-
0 -0,6
• Para una determinada tensión vBE, la corriente de
base decrece con la tensión inversa aplicada entre
colector y emisor (efecto “Early”). Este efecto no es
muy significativo
• Cuando vBE=0 y vCB<<-VT, la corriente de base es
ligeramente positiva (aplicando el modelo de Ebers-
Moll). Es un detalle no muy importante
ATE-UO Trans 69
Curvas características de salida en emisor común

Referencias normalizadas Curvas de salida

iC iC [mA]
+ iB=-400A
iB -40
+
vCE iB=-300A
vBE - iB=-200A
- -20
iB=-100A
iB=0A vCE [V]
0 -2 -4 -6
En zona activa, se comporta
como una fuente de corriente, -IEC0 =IC0·(1+bF)
como ocurría en base común,
pero con un comportamiento
algo menos ideal Muy importante

ATE-UO Trans 70
 Zonas de trabajo en emisor común

Referencias normalizadas
iC Curvas de salida
+ iC [mA]
iB iB=-400A
vCE
+
-40
vBE iB=-300A
- -
iB=-200A
-20
iB=-100A
Saturación
iB=0A vCE [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 71
 Análisis gráfico en emisor común
-iC -iC [mA]
-iB=400A
R=200W 40
-iB=300A
-
-iB -iB=200A
-vCE 20
-iB=100A
V1 +
iB=0A -vCE [V]
V2=6V
0 2 4 6
-iB = 0 Þ -iC » 0 Þ -vCE » 6V Þ Corte Recta de carga
-iB = 100mA Þ -iC » 10mA Þ -vCE » 4V Þ Zona activa

-iB = 200mA Þ -iC » 20mA Þ -vCE » 2V Þ Zona activa

-iB = 300mA Þ -iC » 30mA Þ -vCE » 0,4V Þ Saturación
-iB = 400mA Þ -iC » 30mA Þ -vCE » 0,4V Þ Saturación
ATE-UO Trans 72
 La corriente de colector como función de la
corriente de base
iC Saturación

a
tiv
Esta representación
Ac

justifica en término
Z.

“saturación”
Corte iB

Determinación del estado en zona activa o en saturación en circuitos

• Zona Activa: iC » iB·F

Muy, muy importante
• Saturación: iC < iB·F

ATE-UO Trans 73
 El transistor bipolar ideal
Curvas de salida
Curvas de entrada iC
• Unión PN ideal = Cte.
iC4 iB4
iC3 iB3
iC2 iB2
iC1 iB1
iB0
Muy importante vCE
Circuito equivalente
C
E iE
-iB a·iE -iC
Diodos
ideales B -b·iB
ATE-UO Trans 74
 Análisis gráfico en emisor común
con un transistor ideal
-iC [mA]
-iC 400mA
40
R=200W 300mA
30
-
-iB 20
200mA
-vCE -IB= 100mA
10
V1 + -IB=0
V2=6V 2 4 6
-vCE [V]
-iB = 0 Þ -iC = 0 Þ -vCE = 6V Þ Corte
-iB = 200mA Þ -iC = 20mA Þ -vCE = 2V Þ Z. activa
-iB = 300mA Þ -iC = 30mA Þ -vCE = 0V Þ Saturación
-iB = 400mA Þ -iC = 30mA Þ -vCE = 0V Þ Saturación
ATE-UO Trans 75
 Análisis del funcionamiento de un transistor
ideal en emisor común en zona activa

Zona activa • Como la unión emisor-

-iC base está directamente
polarizada, se comporta
como un corto
R2
C • Como vCB < 0, el diodo
+ (P) CB no puede conducir
vCB b·(-iB)
- • Por tanto:
-iB R1 (N)
B V2 -iC = b·(-iB)

V1 E (P)
Muy importante

ATE-UO Trans 76
 Análisis del funcionamiento de un transistor
ideal en emisor común en corte

• Como vEB < 0, el diodo

Corte
-iC EB no puede conducir
• Como iB = 0, la fuente
R2 de corriente no conduce
C corriente
+ (P)
vCB b·(-iB) • Como vCB < 0, el diodo
- CB no puede conducir
iB R1 (N)
B V2 • Por tanto:
iC = 0
V1 E (P)

Muy importante

ATE-UO Trans 77
 Análisis del funcionamiento de un transistor
ideal en emisor común en saturación

• Como la unión emisor-

Saturación
-iC base está directamente
polarizada, se comporta
como un corto
R2
C • Como b·(-iB) > V2/R2, el
+ (P)
diodo CB conduce (se
vCB b·(-iB) puede comprobar por Thévenin)
-iB R1 - (N)
B V2 • Por tanto:
vCB = 0, -iC = V2/R2
V1 (P) E
Muy importante

ATE-UO Trans 78
 Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin más que:
• Mantener todos los tipos de polarización (directa o inversa)
• Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensión que hemos
dibujado. Por convenio mantendremos los sentidos en los que
medimos las tensiones
• Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
corrientes
-iC
PNP, z. NPN, z. iC
activa activa
R R
vCB < 0 vCB > 0
vCB + vCB +
P -iC » aF·iE N iC » aF·(-iE)
-iB - iB -
N -iC » bF·(-iB) P iC » bF·iB
P N
V1
V1 -iE
iE V2 V2
ATE-UO Trans 79
 Resumen de las zonas de trabajo útiles con
transistores NPN

Zona iC Zona de iC Zona de iC

activa corte saturación
R R R
vCB + vCB + vCB +
N N N
iB - -i - iB -
B
P P P
N N N
V1 -iE V1 -iE V1 -iE
V2 V2 V2

vCB > 0
iC » 0, iE » 0 vCB < 0 (vCE » 0)
iC » aF·(-iE)
y iB » 0 iC » V2/R
iC » bF·iB
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 80
 Curvas características en emisor común en un
transistor NPN
Referencias
iC
normalizadas + iB[A] vCE=5V
iB
100 vCE=0
vCE
+
vBE - vCE=10V
-
vBE[V]
iC [mA] 0 0,6
iB= 400A
40 Curvas de entrada
iB= 300A
iB= 200A
20
iB= 100A
iB=0A vCE [V] Todas las magnitudes
0 4 6 importantes son positivas
2
Curvas de salida
ATE-UO Trans 81
Modelo de Ebers-Moll para un transistor NPN
• Corrientes positivas entrantes en el transistor
• Tensiones positivas si polarizan directamente las uniones
vBE vBC
Ecuaciones de un NPN: iE - + NPN + - iC
iE = -iF + iR·aR
E iF iR C
iC = -iR + iF·aF
iF = (IS/aF)·(ev -1)
BE/VT

aR·iR iB B aF·iF
iR = (IS/aR)·(ev BC/VT
-1)

iE vEB v iC
Ecuaciones de un PNP: + - PNP - CB +
iE = iF - iR·aR E C
iF iR
iC = iR - iF·aF
iF = (IS/aF)·(ev -1) aR·iR iB B aF·iF
EB/VT

iR = (IS/aR)·(ev CB/VT
-1) ATE-UO Trans 82
Circuitos equivalentes idealizados
para un transistor NPN
-iE NPN iC
E C
Diodos iB a·(-iE)
ideales

B b·iB

iE PNP -iC
C
E
-iB a·iE
Diodos
ideales
B -b·iB
ATE-UO Trans 83
 Encapsulado de transistores
Encapsulado Encapsulado
Encapsulado
TO-126 (SOT-32) TO-220
TO-92

BC548 (NPN)
BC558 (PNP)

Encapsulado BD135 (NPN)

TO-3 BD136 (PNP) MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)

2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 84
 Forma real de los transistores

Antiguo transistor Transistor NPN plano

PNP de aleación de doble difusión
N- B
SiO2 E
E C
P +
N+ P-
P N

N+
B

ATE-UO Trans 85
 Resistencia de base

B Parte que realmente

E actúa como transistor

Existe una resistencia alta

P+ N-
(relativamente) al estar la base
P poco dopada. Le llamamos RB

iE vEB v iC
P + + - PNP - CB +
E iF iR C
C
aR·iR iB B aF·iF
Modelo de Ebers-Moll modificado
RB
B
ATE-UO Trans 86
 Efectos dinámicos en los transistores (I)

Como en el caso de las uniones PN en general, se

caracterizan como:
• Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
• Tiempos de conmutación (en conmutación)

El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de

portadores minoritarios en la base, tS

Concentración Transistor saturado

P+ N-
pB (sat.) P Para cortar el
transistor hay que
eliminar todo este
exceso de portadores
nE pB corte nC Transistor cortado
0
ATE-UO Trans 87
 Efectos dinámicos en los transistores (II)
¿Cómo disminuir el de retraso por el almacenamiento
de portadores minoritarios en la base, tS?
a) No dejando que el transistor se sature muy
intensamente (que quede en el límite zona activa-
saturación)
b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando
inversamente la unión base emisor

Situación menos
pB (sat.) deseable (muy saturado)
pB (lim.)
Situación más deseable
(en el límite)

(desde en punto de vista de la rapidez)

ATE-UO Trans 88
 Efectos dinámicos en los transistores (III)

Circuitos de “antisaturación”:
R2
El transistor se queda en el
límite entre saturación y zona
vCB + V2 activa
R1 N
-
P R2
N
V1
vCB +
Con diodo Schottky R1 N
- V2
P
Estos diodos impiden la N
polarización directa de la V1
unión CB

Con 3 diodos
ATE-UO Trans 89
 Efectos dinámicos en los transistores (IV)

Circuito con extracción lenta

R2 de los minoritarios de la base

V2 Circuito para la extracción

Saturación R1 N
P rápida de los minoritarios de la
V1 base
+ N
»Corte
vBE
- R2
C1
+ - V2
Saturación R1/2 N
P
Esta corriente es la
V1 +
de eliminación de N
Corte R1/2
los minoritarios de vBE
-
la base
ATE-UO Trans 90
 Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la
incidencia de luz sobre la zona de la base
influye mucho en la corriente de colector. La
luz juega un papel semejante al de la
Símbolo corriente de base.
R2 iC
R2 iC
Optoacoplador

+ iLED F.T.
V2
N
V2 LED
P
N
iC/iLED » 1-0,2

Muy importante
Fotodetector
ATE-UO Trans 91
 Estructura de los transistores de efecto de
campo de unión, JFET (canal N)

P+

N- Canal
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
D
D G
G Otros símbolos

G D G D JFET (canal P) S
JFET (canal N) S Símbolo
Símbolo canal N S canal P S
ATE-UO Trans 92
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFETs (I)

P+

N-
Fuente Drenador
(S) (D)
P+
Puerta (G)

Zona de transición en zona muy dopada Þ estrecha

Zona de transición en zona poco dopada Þ ancha
ATE-UO Trans 93
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFETs (II)

P+
S D
N -

V1
P+
V2 > V1
G

Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta

la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transición, que es una zona de pocos portadores
ATE-UO Trans 94
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFETs (III)

iD Evolución si la resistencia
D no cambiara con la tensión
+
G
vDS
- iD
S

vDS
Evolución real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensión aplicada)
ATE-UO Trans 95
 Principio de funcionamiento de los JFETs (IV)

P+

- N- VPO + D
S + V2
P+ V3 > V 2

G - vDS

Si se aumenta más la tensión drenador-fuente, la zona de transición

llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formaría el perfil de
zona de transición que provoca esta situación). La tensión vDS a la
que se produce la contracción total del canal recibe el nombre de
tensión de contracción (“pinch-off”), VPO v =V =V
ATE-UO Trans 96 DS 3 PO
 Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
N -
LZTC D
LC
S + V3
P+ V4 > V3
(V3 = VPO)
G - vDS

Si se aumenta la tensión drenador-fuente por encima de VPO, va

aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transición en el canal). Sin
embargo, el aumento de LZTC al aumentar vDS es pequeño comparado
con la longitud del canal, LC (hipótesis de “canal largo”)
ATE-UO Trans 97
 Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
VPO’ VV54-V
-VPO ’
S PO D
-
N- ++ -- + +
LLZTC
ZTC
’ V4
P+ V5 > V4

G - vDS

• Si el canal es “largo”, el perfil de la zona de transición en la parte no

contraída del canal no cambia casi, luego VPO’ » VPO (ya que la tensión
en esta zona es quien determina su forma) y además no cambia casi
su resistencia (por la misma razón)
• Luego la corriente (tensión/resistencia) es constante cuando vDS > VPO
• El aumento de tensión se localiza en la zona LZTC’ ATE-UO Trans 98
Resumen del principio de funcionamiento de
los JFET cuando vGS = 0

vDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
iD
fuente de corriente
vDS=V1

vDS=V2

vDS= V3 vDS
(V3=VPO)
V1 V2 V3=VPO V4 V5
vDS=V4

vDS=V5

ATE-UO Trans 99
 ¿Qué pasa si vGS ¹ 0?
P +

»VPO »VPO - D
• Con vGS=0, la contracción
S
+++ ocurre cuando vDS = V3 = VPO
- »VPO +
-
P+ V3=VPO
G
vDS
- • El canal es siempre más
estrecho, al estar
polarizado más
P+
- inversamente Þ mayor
S »vDS »VPO + D resistencia y menores
- + V ’ corrientes
»VPO+ +
- 3

P+ • Con vGS¹0, la contracción se

G + produce cuando:
vDS
VG1 vGS vDS = V3’ = VPO + vGS = VPO - VG1
- -
• Es decir: vDS < V3
Cuando vGS < 0, la corriente que circula es menor
y la contracción se produce a una vDS menor
ATE-UO Trans 100
 Curvas características de un JFET (canal N)
Referencias iD • Curvas de salida
normalizadas
D iD [mA]
+ vGS = 0V
G 4
+ vDS
- vGS = -0,5V
vGS S
- 2 vGS = -1V
vGS = -1,5V
• Curvas de entrada:
vGS = -2V vDS [V]
No tienen interés
(unión polarizada 0 2 4 6
inversamente)
Contracción del canal
• Llamamos vDSPO a la tensión de drenador a
Muy importante la que se produce la contracción del canal
• Siempre se cumple : vDSPO = VPO + vGS
ATE-UO Trans 101
 Determinación formal de la tensión VPO

P+
• Cortocircuitamos el drenador
S D
y la fuente y aplicamos
tensión entre puerta y fuente
P+
G +
VG1 vGS
-
• Cuando vGS alcanza un valor
P+ negativo suficientemente
D grande, la zona de transición
S invade totalmente el canal.
Este valor es el de
P+ contracción del canal, VPO
G +
VG1 < VG2 vGS = -VPO
-
ATE-UO Trans 102
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común
iD [mA]
iD vGS = 0V
2,5KW 4
vGS = -0,5V
D
+ 2 vGS = -1V
G
+ vDS 10V vGS = -1,5V
-
vGS S
vGS = -2V
- 0 4 8 12 vDS [V]
vGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 103
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente
de corriente (canal contraído)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando vGS = 0 y el canal está contraído, IDPO_0
iD [mA]
IDPO_0 vGS = 0V
4
iDPO vGS = -0,5V
También se conoce la
tensión de contracción 2 vGS = -1V
del canal, VPO vGS = -1,5V
vGS = -2V
• Ecuación ya conocida:
0 4 8 12 vDS [V]
vDSPO = VPO + vGS
vGS = -VPO
• Ecuación no demostrada:
Muy importante
iDPO » IDPO_0·(1 + vGS/VPO)2
ATE-UO Trans 104
 Comparación entre BJTs y JFETs (I)
iC iD
R Muy importante R
iB C (N) D
B (P) iG » 0
G (P)
N V2
+ V2 +
V1
vBE E (N) vGS S
V1 - -

• En ambos casos, las tensiones de entrada (vBE y vGS) determinan

las corrientes de salida (iC e iD)
• En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensión de entrada (JFET)
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho
más pequeña en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al
estar polarizada inversamente la unión puerta-canal)
ATE-UO Trans 105
 Comparación entre BJTs y JFETs (II)

Corriente de electrones
en todo el dispositivo
P+ (transistor unipolar)

S D
+
P+
V2
vDS
G + Muy
V1 vGS importante
- -

• El JFET es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción

no determinada por la concentración de minoritarios)
• El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya
que tiene una zona de trabajo con característica resistiva
• Para conseguir un comportamiento tipo “cortocircuito” hay que
colocar muchas celdas en paralelo
ATE-UO Trans 106
 Estructura real de un JFET de canal N
SiO2
S G D

N+ P+ N+ Contactos metálicos
N-
P+ Canal N

G
Uso de un JFET de canal P
R -iD
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar i » 0 D
G G (N) V2
en los mismas zonas de trabajo
P
V1 +
vGS S
-
ATE-UO Trans 107
 Los transistores de efecto de campo de unión
metal-semiconductor, MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
óhmicos
GaAs aislante VGS<0

VDS
G G G G

Pequeña Tensión GS Polarización Polarización

polarización nula inversa GS, inversa GS, zona
directa GS zona resistiva f. de corriente
ATE-UO Trans 108
 Los transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo D
G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N
ATE-UO Trans 109
 Principios de operación de los MOSFET (I)

G Zona de transición
S D
++ ++
(con carga espacial)
- - - - N+
+ + + +
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una
S G D capa de electrones
+++
++ +++
++ (minoritarios del substrato)

N+ -- -- -- -- N+ V2 > V1
P-
- -

+
Substrato ATE-UO Trans 110
 Principios de operación de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es

S D llamada “capa de inversión”
++++ ++++

N+ -- -- - - - - N+
P- V3 = VTH > V2
+
Substrato Esta capa es una zona de
transición (no tiene casi
portadores de carga)

• Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es

igual a la concentración de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos formalmente que empieza la inversión
• Por tanto, se ha creado artificialmente una zona N tan dopada como
la zona P del substrato
• La tensión a la que esto ocurre es llamada “tensión umbral”
(“threshold voltage”), VTH
ATE-UO Trans 111
 Principios de operación de los MOSFET (III)

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S D
+++++ +++++

N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
vDS iD P
Substrato

• Conectamos la fuente al
G
S D substrato
+++++ +++++
vGS • Conectamos una fuente de
N+ -- - -- -- - -- N+ tensión entre los terminales
P- fuente y drenador

¿Cómo es la corriente de
Substrato
drenador iD?
ATE-UO Trans 112
 vDS » 0 iD » 0 Principios de operación de
los MOSFET (IV)
• Existe un canal entre
S G
+++++ +++++ D drenador y fuente constituido
vGS por la capa de inversión que
N+ -- - -- -- - -- N+ se ha formado
P- • Con tensiones vDS pequeñas
(<<vGS), el canal es uniforme
Substrato vDS = vDS1 > 0
iD

G
• El canal se empieza a S +++++ +++++ D
contraer según aumenta la vGS
N+ - - - - -
tensión vDS - - - - - N+
• La situación es semejante a la P-
que se da en un JFET
Substrato
ATE-UO Trans 113
 vDS2 = vDSPO > vDS1 Principios de operación
iD de los MOSFET (V)

G D • El canal formado se contrae

S +++++ +++++
totalmente cuando vDS = vDSPO
- - - vGS
N+ ------- N+
P- vDS3 > vDSPO
Substrato iD

G D
S +++++ +++++
• Cuando vDS > vDSPO, el MOSFET
- - - vGS
se comporta como una fuente N+ N+
-------
de corriente (como en el caso
P-
de los JFET)
Substrato
ATE-UO Trans 114
 Principios de operación de los MOSFET (VI)

vDS1 vDS2 > vDS1

iD» 0 iD » 0

S G D S G D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

• Si vGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente nula (iD » 0)

• En general, si vGS < VTH, no hay casi canal formado y, por tanto, no
hay casi corriente de drenador
ATE-UO Trans 115
 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas iD • Curvas de salida
D iD [mA]
+
G vDS vGS = 4,5V
S -
4
+
vGS vGS = 4V
- 2 vGS = 3,5V
vGS = 3V
• Curvas de entrada: vGS = 2,5V vDS [V]
No tienen interés 0
(puerta aislada del canal) 2 4 6
vGS < VTH = 2V

Muy importante
ATE-UO Trans 116
 Análisis gráfico de un MOSFET en fuente común
iD [mA]
iD vGS = 4,5V
2,5KW 4
vGS = 4V
D
+
2 vGS = 3,5V
G vDS
+ S - 10V vGS = 3V
vGS = 2,5V
vGS
- 0 12 vDS [V]
4 8
vGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 117
 Los MOSFET de deplexión (I)

S G D • Existe canal sin necesidad de aplicar

tensión a la puerta. Se podrá
N+ N
-
N+ establecer circulación de corriente
P- entre drenador y fuente sin necesidad
de colocar tensión positiva en la
Substrato + puerta

+ • Modo ACUMULACIÓN:
G
S +++ +++ D Al colocar tensión positiva
vGS V1 en la puerta con relación al
- - - - - - canal, se refuerza el canal
N+ N-
N+
P- con más electrones
procedentes del substrato.
Substrato + - El canal podrá conducir más
vGS = V1
ATE-UO Trans 118
 Los MOSFET de deplexión (II)

+
G
S --- --- D

+ + + + + + VGS V1
N+ N- N+
P-
Substrato + -
VGS = -V1
• Operación en modo DEPLEXIÓN:
Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la
puerta con relación al substrato. El canal podrá
conducir menos corriente

ATE-UO Trans 119

 Los MOSFET de deplexión (III)
• Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se empieza a
contraer el canal, como ocurre en los otros tipos de FET ya
estudiados
• Esto ocurre en ambos modos de operación

vDS vDS
iD iD

G G
S +++ +++ D S --- --- D
-N - - - + + + + + +
N+ -
N + N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +

VGS = V1 VGS = -V1

Modo acumulación Modo deplexión
ATE-UO Trans 120
 Comparación entre las curvas características de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
MOSFETs de enriquecimiento
iD [mA] vGS = 4,5V
Muy importante 4
vGS = 4V
2 vGS = 3,5V
vGS = 3V
MOSFETs de deplexión vGS = 2,5V

iD [mA] 0 2 4 6 vDS [V]

vGS = 1V vGS < VTH = 2V
4
vGS = 0,5V Modo acumulación
2 vGS = 0V
vGS = -0,5V
Modo deplexión
vGS = -1V

0 2 4 6 vDS [V]
vGS < -1,5V ATE-UO Trans 121
Comparación entre los símbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexión con ambos
tipos de canal
D D
Canal N
G G
S S
Tipo Tipo
enriquecimiento deplexión

D D Canal P
G G
S S
Tipo Tipo
enriquecimiento deplexión
ATE-UO Trans 122
Comparación de los circuitos de polarización para
trabajar en zona resistiva o en zona de fuente de
corriente con MOSFET de ambos tipos de canal

iD -iD
R R
D
D
+ +
G vDS G vDS
V2 + S - V2
+ S -
vGS V1 vGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo
ATE-UO Trans 123
 Comparación entre transistores JFET y MOSFET
iD iD
R R
D
iG » 0 D
iG = 0
G V2 G
+ + S V2
V1 vGS vGS
S V1 -
-
JFET, canal N MOSFET, canal N
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente iG es más pequeña
aún que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unión puerta-canal)
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en
el caso del MOSFET. Esto facilita el control
Muy importante
ATE-UO Trans 124
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+

Substrato
• El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos
• El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad
estática de los dedos. A veces se integran diodos
zener de protección
• Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en
los MOSFET de enriquecimiento
ATE-UO Trans 125
 Objetivos generales de la polarización de
transistores
• Conseguir que las tensiones entre los terminales y las
corrientes por dichos terminales tengan unos valores concretos
• Estos valores son función de la aplicación
• Normalmente se trata de que los transistores estén en zona
activa
• Los circuitos de polarización deben minimizar el número de
fuentes de tensión a usar
• Los circuitos de polarización cambian con el tipo de transistor a
usar (BJT, JFET, MOSFET, etc.)
• Los circuitos de polarización de transistores complementarios
(PNP frente a NPN, canal P frente a canal N) se obtienen
invirtiendo la conexión de la fuente de tensión (si existen varias,
de todas ellas)

ATE-UO Trans 126

 Circuito básico de polarización de transistores
bipolares (BJTs)
iC_pt
RC • Conseguimos tensiones y
iB_pt corrientes vBE_pt, vCE_pt, iB_pt y iC_pt,
+
RB1 pero necesitamos dos fuentes de
+ vCE_pt alimentación por cada transistor
V2
vBE_pt -
V1 -
iC_pt
• Conseguimos las mismas iB_pt RC
tensiones y corrientes pero
+
necesitamos una única fuentes de
RB
alimentación por cada transistor
+ vCE_pt
• Si hay varios transistores, esta V2
fuente vale para todos vBE_pt -
• Es el circuito de polarización fija -
ATE-UO Trans 127
 Circuito de polarización fija con BJTs (I)
• Ecuaciones
iC iB = (VCC - vBE)/RB » (VCC - 0,6)/RB
iB RC
+ iB » (VCC - 0,6)/RB (si es de Si)
RB
iB » VCC/RB (si VCC >> 0,6V)
+ vCE
iC » b·iB b es la bF
vBE -
VCC vCE = VCC - iC·Rc > 0
-
(nótese que vCE > 0 para zona activa)
• Problema: si la corriente de colector cambia con la temperatura, entonces
cambia la tensión vCE
• Pero, ¿por qué puede cambiar la corriente de colector con la
temperatura?
• Recuérdese: iC » IC0·(1+b) + iB·b (mejor aproximación) y IC0 es una
corriente inversa (se duplica cada 10ºC de aumento de la temperatura de
la unión)
ATE-UO Trans 128
 Circuito de polarización fija con BJTs (II)

• Resultado: vCE » VCC - Rc·[IC0·(1+b) +

iC
iB·b] iB RC
• Aumenta la temperatura Þ aumenta IC0
+
• Aumenta IC0 Þ disminuye la vCE RB
+ vCE
• Disminuye la vCE Þ se puede
modificar sustancialmente el punto de vBE -
trabajo VCC
-
• Incluso podría llegar a las iC
proximidades de saturación
• Para poder compensar los aumentos iB1 @ T3
del término IC0·(1+b) hay que actuar iB1 @ T2
sobre el término iB·b iB1 @ T1

• Esto da origen a otros tipos más vCE

elaborados de polarización
Curvas de salida en EC
ATE-UO Trans 129
 Embalamiento térmico en circuitos de polarización
fija con BJTs • Aumenta la temperatura por
disipación de potencia en el propio
iC Hipérbola equilátera de transistor Þ aumenta IC0 Þ aumenta iC
potencia constante
• En el nuevo punto de trabajo implica
mayor potencia disipada (hipérbola
más alejada del origen) Þ Aumenta la
temperatura
• Círculo “vicioso”:
iB1 @ T3
Vuelve a aumentar IC0
iB1 @ T2
Þ Vuelve a aumentar iC
iB1 @ T1
Þ Vuelve a aumentar la
v potencia disipada
CE
Curvas de salida en EC Þ Vuelve a aumentar la
temperatura
¡El proceso puede acabar en
Þ Vuelve a aumentar IC0
la destrucción del transistor!
ATE-UO Trans 130
 Valoración de la estabilidad térmica
• Vamos a definir un parámetro para la valoración de la estabilidad
del punto de funcionamiento en transistores bipolares:
s = (diC)/(dIC0)
• El parámetro “s” recibe el nombre “factor de estabilidad”. Cuanto
menor es, mayor es la estabilidad del circuito frente a variaciones
térmicas
• Cálculo del factor de estabilidad en un
iC
circuito de polarización fija: iB RC
iC = IC0·(1+b) + iB·b +
RB
s = (diC)/(dIC0) = 1+b + vCE
vBE -
Es un valor alto de “s”, por lo que el VCC
-
circuito es poco estable térmicamente

ATE-UO Trans 131

 Circuito de polarización colector-base de BJTs (I)
• Ecuaciones
iC+iB
• iB = (vCE - vBE)/RB » (vCE - 0,6)/RB
RC
(si es de Si)
iC
iB +
• vCE = VCC - (iC + iB)·Rc
+ vCE • iC = IC0·(1+b) + iB·b
RB
vBE - • Despejando iC se obtiene:
VCC
- (VCC - 0,6)·b + (RC + RB)·(1+b)·IC0
iC =
RB + RC·(1+b)
• Cálculo del factor de
estabilidad : (RC + RB)·(1+b)
El valor de “s” es menor que
en el caso de polarización fija, s = (diC)/(dIC0) =
RB + RC·(1+b)
por lo que el circuito es más
estable térmicamente
ATE-UO Trans 132
Circuito de polarización colector-base de BJTs (II)
(RC + RB)·(1+b)
s=
RB + RC·(1+b)

iC+iB • Si RC·(1+b) << RB, entonces s  1+b,

que es un diseño incorrecto
RC
• Si RC >> RB, entonces s  1, que es un
iC diseño deseable desde el punto de
iB +
vista de la estabilidad térmica, pero
+ vCE incorrecto desde el punto de vista de la
RB aplicación
vBE -
VCC • Los diseños normales se hacen con
- valores de “s” de unas pocas unidades
(entre 3 y 6). En estas circunstancias y
con valores grandes de b, resulta:
RB » RC·(s-1)

ATE-UO Trans 133

Circuito de polarización colector-base de BJTs (III)
• Mecanismo físico de la tendencia a
estabilizar el punto de funcionamiento:
+
• Aumenta la temperatura Þ aumenta IC0
iC+iB
vRC Þ aumenta iC
- RC
• Al aumentar iC Þ aumenta vRC Þ
iC disminuye vCE
iB +
• Al disminuir vCE Þ disminuye iB
vCE
RB
• Al disminuir iB Þ disminuye iC
-
VCC • Se establecen mecanismos semejantes
para estabilizar el punto de
funcionamiento frente a cambios en la b o
en VCC
Luego un aumento de iC acaba provocando una disminución de
iC que tiende a contrarrestar el aumento inicial. El mecanismo de
compensación se establece a través de la corriente de base
ATE-UO Trans 134
Proceso de diseño de un circuito de polarización
colector-base de BJTs
• Datos de partida:
VCC, b y el punto de trabajo (vCE y iC)
iC+iB
• Ecuaciones aproximadas (BJT de
RC
Si):
iC • iB = (vCE - 0,6)/RB
iB +
• vCE = VCC - (iC + iB)·RC
+ vCE
RB • iC = iB·b
vBE -
VCC • Datos obtenidos:
-
iB, RB y RC
• El (RC +de
valor RB“s”
)·(1+b)
vendrá ya dado:
s=
El diseño no
RB + RC·(1+b)
es muy flexible s » (RC + RB)/RC
ATE-UO Trans 135
 Circuito de polarización automática de BJTs (I)
• Es un circuito de comportamiento semejante al de polarización
colector-base, pero que da más flexibilidad de adaptación a las
aplicaciones reales debido a que ningún terminal del transistor
está unido a un extremo de la fuente de alimentación

• Para su estudio, hacemos la

iC siguiente transformación
RC
RB1 +
iB iC
+ vCE RC
VCC RB1
- +
vBE - iB
+

vRE vCE
RB2 RE
+
VCC VCC
- -
vBE -
+

RB2 RE vRE
-
ATE-UO Trans 136
 Circuito de polarización automática de BJTs (II)
• Ahora calculamos el equivalente
Thévenin en esta parte del circuito:
iC
RC
RB1 iC +
RC RB iB
+ + vCE
iB - VCC
vBE -
+
+ vCE
VCC VCC
- VB RE vRE
vBE -
+
iC+iB -
RE vRE
RB2 -
RB = (RB1·RB2)/(RB1 + RB2)
VB = VCC·[RB2/(RB1 + RB2)]

ATE-UO Trans 137

 Circuito de polarización automática de BJTs (III)
iC • Ecuaciones
RC • VB = iB·RB + vBE + (iC + iB)·RE »
+
RB iB » VB = iB·RB + 0,6 + (iC + iB)·RE
+ vCE
- VCC (si es de Si)
vBE -
+
• vCE = VCC - iC·RC - (iC + iB)·RE
VB RE vRE
iC+iB - • iC = IC0·(1+b) + iB·b
• Despejando iC se obtiene:
RB = (RB1·RB2)/(RB1 + RB2) (VB - 0,6)·b + (RE + RB)·(1+b)·IC0
iC =
VB = VCC·[RB2/(RB1 + RB2)] RB + RE·(1+b)
• Cálculo del factor de
El valor de “s” coincide con estabilidad :
el de la polarización colector-
(RE + RB)·(1+b)
s = (diC)/(dIC0) =
base, cambiando RC por RE RB + RE·(1+b)
ATE-UO Trans 138
 Circuito de polarización automática de BJTs (IV)
(RE + RB)·(1+b)
s=
iC RB + RE·(1+b)
RC
RB1 + • Si RE·(1+b) << RB, entonces s  1+b,
iB que es un diseño incorrecto
+ vCE
VCC • Si RE >> RB, entonces s  1, que es un
- diseño deseable desde el punto de
vBE -
+
vista de la estabilidad térmica, pero
RB2 RE vRE incorrecto desde el punto de vista de la
- aplicación
• Los diseños normales se hacen con
RB = (RB1·RB2)/(RB1 + RB2) valores de “s” de unas pocas unidades
(entre 3 y 6). En estas circunstancias y
VB = VCC·[RB2/(RB1 + RB2)] con valores grandes de b, resulta:
RB » RE·(s-1)

ATE-UO Trans 139

Circuito de polarización automática de BJTs (V)
Mecanismo de estabilización

iC • Aumenta la temperatura Þ aumenta IC0

RC Þ aumenta iC
+
RB iB • Al aumentar iC Þ aumenta vRE Þ
+ vCE disminuye RB·iB
- VCC
vBE -
+ • Al disminuir RB·iB Þ disminuye iB

RE vRE • Al disminuir iB Þ disminuye iC

VB
iC+iB - • Se establecen mecanismos
semejantes frente a cambios en la b o
en VCC
• Luego un aumento de iC acaba provocando una disminución
de iC que tiende a contrarrestar el aumento inicial. El
mecanismo de compensación se establece a través de la
• corriente de base semejante al de estabilización en el caso de
Es un mecanismo
la polarización colector-base
ATE-UO Trans 140
Proceso de diseño de un circuito de polarización
automática de BJTs
• Datos de partida:
iC
VCC, b, s y el punto de trabajo (vCE y iC)
RC
+ • Ecuaciones aproximadas (JBT de
RB iB Si):
+ vCE
• VB = RB·iB + 0,6 + (iC + iB)·RE
- VCC
vBE -
+
• VCC = RC·iC + vCE + (iC + iB)·RE

VB RE vRE • iC = iB·b
iC+iB -
• RB = RE·(s-1)
• Grado de libertad:
• Las resistencias RB1 y
RB2 se obtiene Fijamos una de las resistencias (por
ejemplo RB). Esta elección tiene que
resolviendo:
dar soluciones aceptables para RE y RC
RB = (RB1·RB2)/(RB1 + RB2)
• Datos obtenidos:
VB = VCC·[RB2/(RB1 + RB2)] ATE-UO Trans 141
 Los mismos circuitos de polarización,
pero con BJTs tipo PNP

RC RC
RC RB1
RB RB
VCC VCC VCC

RB2
Circuito de Circuito de RE
polarización fija polarización
colector-base
Circuito de
polarización
automática
Hay que invertir los sentidos de las fuentes de
tensión. Como consecuencia, todas las
corrientes cambiarán su sentido de circulación
ATE-UO Trans 142
 Circuito básico de
RD polarización de JFETs (I)
iD_pt • Conseguimos tensiones y corrientes
D
iG=0 G
+
vGS_pt, vDS_pt y iD_pt, pero necesitamos
+ vDS_pt V2 dos fuentes de alimentación por cada
- transistor, que además no comparten
vGS_pt S terminal de igual signo
V1 -
• Introducimos RG y realizamos
transformaciones

RD
RD iD_pt
iD_pt V2+V1 D
D iG=0 G
+
iG=0 G
+
+ vDS_pt V2
vDS_pt
+
+ + -
- S
S vG=0 vGS_pt -
vG=0 vGS_pt - V1
V1 RG
RG -
-
ATE-UO Trans 143
 Circuito básico de
Polarización
polarización de JFETs (II) RD iD_pt
fija
D
iG=0 G
+
VCC
+ + vDS_pt
-
S
vG=0 vGS_pt -
RD iD_pt RG V1
V2+V1
-
D
iG=0 G
+
+ + vDS_pt Polarización
- RD
S automática iD_pt
vG=0 vGS_pt - D
V1 iG=0 G
+
VCC
RG
- + + vDS_pt
-
S
vG=0 vGS_pt -
RS
RG
ATE-UO Trans 144
-
 Circuito de polarización fija de JFETs

RD RD
iD iD
D VCC D VCC
iG=0 G + iG=0 G +
+ vDS + + vDS
-
+
-
S vGS S
vGS - vG=0 -
vG=0
V1 V1
RG RG
- -

• La tensión puerta-fuente está fijada por la tensión

del diodo zener (o por el conjunto de diodos) : vGS =
-V1
• No existe mecanismo corrector de posibles
cambios de iD y/o vDS por efecto de la temperatura
(¡ojo, la dependencia con la temperatura es distinta
que
ATE-UO en145
Trans los BJTs!), VCC y los parámetros del JFET
 Circuito de polarización automática de JFETs

RD iD
D
iG=0 G
+
VCC
+ + vDS
-
-S
+
vG=0 vGS
RS -vGS
RG -
-

• La tensión puerta-fuente depende de la corriente de drenador (la corriente

de fuente y de drenador coinciden) : vGS = -iD·RS
• El mecanismo corrector de posibles cambios de punto de trabajo se
establece a través de -vGS: Si aumenta iD Þ aumenta -vGS Þ se contrae el
canal Þ disminuye iD
• Recuérdese, que en zona de fuente de corriente: iD » ID_0·(1 + vGS/VPO)2
ATE-UO Trans 146
 Proceso de diseño de un circuito de
polarización automática de JTETs
• Datos de partida:
VCC, características del transistor
RD iD (ID_0 y VPO) y el punto de trabajo
(vDS y iD).
D
iG=0 G
+
VCC • Ecuaciones aproximadas :
+ + vDS
- • iD » ID_0·(1 + vGS/VPO)2
-S
+
vG=0 vGS • vGS = -iD·RS
RS -vGS
RG - • VCC = RD·iD + vDS + iD·RS
-
• Datos obtenidos:
vGS, RS y RD

ATE-UO Trans 147

 Diseño gráfico de un circuito de polarización
automática de JTETs
• Los datos de partida son VCC, la curva característica del
transistor y el punto de trabajo (vDS_pt y iD_pt)

iD VCC/(RD + RS)
RD vGS = 0V
iD_pt
D + vGS1
G VCC
vDS_pt iD_pt vGS_pt
- vGS2
S
+
RG
RS -vGS_pt
- VCC vDS
• Obtenemos vGS_pt por extrapolación
• Calculamos RS: RS = -vGS_pt/iD_pt
ATE-UO Trans 148
 Los mismos circuitos de polarización,
pero con JFETs de canal P

RD RD
D VCC D
G G VCC

S S

V1 RG RS
RG
Circuito de Circuito de polarización
polarización fija automática

Hay que invertir los sentidos de las fuentes de

tensión. Como consecuencia, todas las
corrientes cambiarán su sentido de circulación
ATE-UO Trans 149
 Circuito básico de polarización de
MOSFETs de acumulación
iD_pt Polarización fija
RD
RD
D
+ V2 iD_pt
RG1 V2
G vDS_pt D
+
+ S - vDS_pt
G
V1 vGS_pt + S -
-
vGS_pt
• vGS_pt = V1 RG2 -
• V1 debe ser mayor que la tensión
umbral del MOSFET: V1 > VTH V1 = V2·[RG2/(RG1 + RG2)]

• No existe mecanismo corrector de posibles cambios del

punto de trabajo por efecto de la temperatura, VCC y los
parámetros del MOSFET
ATE-UO Trans 150
 Circuito de polarización de drenador para
MOSFETs de acumulación

+
RD vRD • Por alguna causa (cambios en la
- temperatura, en las características
iD del transistor o VCC) Þ aumenta iD
RG1 D
+ VCC • Al aumentar iD Þ aumenta vRD Þ
G vDS disminuye vDS
+
S -
• Al disminuir vDS Þ disminuye vGS
RG2 vGS iS=iD
• Al disminuir vGS Þ disminuye iD
-

Luego un aumento de iD acaba provocando una disminución de iD

que tiende a contrarrestar el aumento inicial. El mecanismo de
compensación se establece a través de la tensión drenador-fuente,
que determina la tensión puerta-fuente
ATE-UO Trans 151
 Circuito de polarización automática para
MOSFETs de acumulación

RD • Por alguna causa (cambios en la

temperatura, en las características
iD del transistor o VCC) Þ aumenta iD
RG1 D
+ VCC • Al aumentar iD Þ aumenta vRS Þ
G vDS disminuye vGS (nótese que vRG2 es
+ S - constante)
+ vGS - iS=iD
• Al disminuir vGS Þ disminuye iD
vRG2 +
- RG2 R vRS • Existe mayor grado de libertad en
S - le diseño que en el caso anterior

Luego un aumento de iD acaba provocando una disminución de iD

que tiende a contrarrestar el aumento inicial. El mecanismo de
compensación se establece a través de la tensión en la resistencia
de fuente, que determina la tensión puerta-fuente
ATE-UO Trans 152
 Los mismos circuitos de polarización, pero
con MOSFETs de acumulación de canal P

RD
RD
RG1
RD RG1 D
RG1 D VCC
G
D
G S VCC
S RG2
G VCC
S
RG2
RG2 RS
Polarización fija Polarización de Polarización
drenador automática

Hay que invertir los sentidos de las fuentes de

tensión. Como consecuencia, todas las
corrientes cambiarán su sentido de circulación ATE-UO Trans 153
 Circuitos básicos de polarización de
MOSFETs de deplexión
Recuérdese que existen dos modos posibles de operación

iD_pt iD_pt
RD RD
D V2 D
+ V2
+
G vDS_pt G vDS_pt
+ S - + S -
V1
V1 - vGS_pt - vGS_pt

Modo acumulación Modo deplexión

• Los circuitos de polarización • Los circuitos de polarización
son como los de los MOSFET son como los de los JFET
de acumulación
ATE-UO Trans 154
 Circuitos de polarización de MOSFETs de
deplexión en modo acumulación

RD RD
RG1 iD
D
+ RG1 iD
D
G vDS +
RG2 + S - VCC vDS
G
vGS RD S - VCC
- +
iD vGS - +
Polarización fija
D
+ VCC vRS
RG1 RG2 RS
vDS -
G
+
S - Polarización
automática
vGS
RG2 -
Polarización de drenador
ATE-UO Trans 155
 Circuitos de polarización de MOSFETs de
deplexión en modo deplexión

RD

RD iD
iD D
+
D
+ G vDS
vDS S - VCC
+ G
S VCC
+ +
+ - vGS - +
+
vG=0 vGS - vG=0
- V1 - RG RS vRS
RG -
-
Polarización fija Polarización automática
vGS = - V1 vGS = vRS = - iD·RS

ATE-UO Trans 156

 Circuitos de polarización para MOSFETs de
deplexión de canal P
• Ejemplo con circuitos de polarización automática

RD RD

D D
RG1
G G
S VCC S VCC

RG2 RG
RS
RS

Para trabajo en modo Para trabajo en modo

acumulación deplexión

Como en los otros casos, hay que invertir los sentidos

de las fuentes de tensión y se invierten las corrientes ATE-UO Trans 157
 Introducción a los circuitos digitales
• Son circuitos que trabajan, esencialmente, con dos niveles de
tensión, que se asocian a las variables binarias “0 lógico” y “1
lógico”
• Sirven para procesar y almacenar información
• División de los circuitos digitales (complejidad creciente)

• Circuitos
combinacionales •
• Circuitos de (sin memoria) Asíncronos
lógica cableada (sin reloj)
• Circuitos secuenciales
(con memoria) • Síncronos
• Circuitos de lógica programada (con reloj)
(procesadores, mP, mC, DSPs,
etc.)
• Los circuitos combinacionales más sencillos son las puertas
lógicas
ATE-UO Trans 158
 Introducción a las puertas lógicas (I)
Tipos de puertas lógicas:
• Inversor: función lógica inversión
• Puerta Y (“and”): función lógica Y
• Puerta Y negada o no-Y (“nand”): función lógica Y invertida
• Puerta O (“or”): función lógica O
• Puerta O negada o no-O (“nor”): función lógica O invertida
• Puerta O exclusiva: función lógica O exclusiva
• Puerta O exclusiva negada: función lógica equivalencia

- Inversor:
A S
A S 0 1
1 0

Símbolo Tabla de verdad

ATE-UO Trans 159
 Introducción a las puertas lógicas (II)
- Puerta Y (“and”) A B S
0 0 0
A
S 0 1 0
1 0 0
B
1 1 1
Símbolo
Tabla de verdad

- Puerta no-Y (“nand”) A B S

0 0 1
A
S 0 1 1
1 0 1
B
1 1 0
Símbolo
Tabla de verdad
Existen puertas de
más de dos entradas ATE-UO Trans 160
 Introducción a las puertas lógicas (III)
- Puerta O (“or”) A B S
0 0 0
A
S 0 1 1
1 0 1
B
1 1 1
Símbolo
Tabla de verdad

- Puerta no-O (“nor”) A B S

0 0 1
A 0 1 0
S 1 0 0
B 1 1 0

Símbolo Tabla de verdad

Existen puertas de
más de dos entradas ATE-UO Trans 161
 Introducción a las puertas lógicas (IV)
- Puerta O exclusiva A B S
0 0 0
A
S 0 1 1
1 0 1
B
1 1 0
Símbolo
Tabla de verdad

- Puerta O exclusiva negada A B S

(equivalencia) 0 0 1
A S
0 1 0
1 0 0
B 1 1 1

Símbolo Tabla de verdad

Existen puertas de
más de dos entradas ATE-UO Trans 162
Tipos de lógica:
Tecnología de los circuitos digitales
• Lógica positiva:
- El “0 lógico” es una tensión cercana a 0 V
- El “1 lógico” es una tensión positiva (muy frecuentemente 5 V)
• Lógica negativa:
- El “0 lógico” es una tensión positiva
- El “1 lógico” es una tensión cercana a 0 V

Concepto de familia lógica:

• Todos los circuitos lógicos tienen que “entenderse”, para lo
cual su tecnología de construcción tiene que ser similar
• Esto da lugar a las “familias lógicas”:
- Basadas en transistores bipolares (ECL , I2L, TTL, etc.)
- Basadas en MOSFETs (CMOS, PMOS y NMOS)

Realizaremos una introducción a estas familias lógicas ATE-UO Trans 163

 Celda básica de la familia lógica TTL
(“Transistor-Transistor Logic”)
• Se basa en el transistor multiemisor

SiO2 B E1 E2 E3 C

P- N+ N+ N+ N+
N
P
RB RC
Q1 S
C Q2
B A
+
+ + vS
B
vA vB -
E3 E1 - -
VCC = 5V
E2
Puerta “nand” TTL simplificada
ATE-UO Trans 164
Operación de la puerta “nand” TTL simplificada (I)
iB1 A B S
RC
RB 0 0 1
iC2=0 S 0 1 1
Q1 P
-iE1 N 1 0 1
A
+
N N
P 1 1 0
+ N
+
B iC1=-iB2=0 vS
vA vB N -
- Q2 VCC = 5V
-
Si A o B o ambas están conectadas a 0V entonces:
• En Q1 existe corriente de emisor -iE1 y de base iB1

• Como iC1 = -iB2 y -iB2 = 0 (por ser la corriente de base saliente de Q2 con la
unión colector-base polarizada inversamente), entonces iC1 = 0

• Por tanto, iC1 < iB1·F1, lo que implica que Q1 está saturado

• Como -iB2 = 0, Q2 está cortado, por lo que iC2 = 0

• Luego la salida S está a 5V, es decir, a “1 lógico” ATE-UO Trans 165
Operación de la puerta “nand” TTL simplificada (II)
iB1 A B S
RC
iE1 RB 0 0 1
iC2 S 0 1 1
Q1 P
N 1 0 1
A
+
N N
P 1 1 0
+ N
+
B vS
-iC1=iB2
vA vB N -
- Q2 VCC = 5V
-
Si A y B están conectadas a 5V o “al aire” (que es equivalente en TTL):
• En Q1 existe corriente de base iB1 y de colector -iC1 ya que su unión
colector-base está directamente polarizada
• Q1 trabaja como transistor inverso

• La corriente -iC1 = iB2 es suficientemente grande para saturar a Q2 (RB y RC

han sido calculadas para conseguirlo)
• Como Q2 está saturado, la salida S está a 0V, es decir, a “0 lógico”
ATE-UO Trans 166
 La puerta “nand” TTL estándar

RC
RB

A S

B
5V

Simplificada

• Diodos para evitar tensiones Estándar real

negativas en las entradas (SN7400)

• Etapa de salida “Totem-Pole” para aumentar

la capacidad de dar corriente entrante y
saliente en la salida
ATE-UO Trans 167
 La puerta “nand” TTL Schottky
• Se utiliza el circuito de antisaturación basado en diodos Schottky
para conseguir mayor rapidez

vCB +
-

Símbolo

B E1 E2 C

P- N+ N+ N+
N • Diodos
P de SN74S00
Diodo Schottky entrada
Realización física en un • Etapa de
transistor de dos emisores salida “Totem-
ATE-UO Trans 168
La puerta “nand” TTL Schottky de bajo consumo

Resumen:
• SN7400: características
estándar
• SN74S00 (Schottky):
mayor rapidez y mayor
consumo
• SN74LS00: rapidez
estándar y bajo
consumo

SN74LS00
ATE-UO Trans 169
 Ejemplos de otras puertas TTL
RC
RB

A S

5V Puertas
“nor”
Inversor simplificado
SN7402

RC RB
RB
S
A

B
5V
Puerta “nor” simplificada SN74S02
ATE-UO Trans 170
 Celda básica de la familia lógica CMOS
(“Complementary MOS”)
• Se basa en el uso conjunto de MOSFET
de acumulación de canal N y canal P
• La celda básica es el inversor CMOS

Canal P
S
G Q2
A D
S
D
Q1
G
S VCC = 5V - 15V
Canal N

Inversor CMOS
ATE-UO Trans 171
 Canal P Operación del inversor CMOS
S
G Q2 Si A está conectada a 0V (“0 lógico”),
entonces:
A D • En Q1 no se crea canal, por lo que no
S
D puede conducir, quedando cortado
• En Q2 sí se crea canal, por lo que
G Q1 VCC puede conducir, comportándose como
S una resistencia
Canal N
• Por tanto, la salida S está a la tensión
VCC, es decir, a “1 lógico”

Canal P S Si A está conectada a VCC (“1 lógico”)

G Q2 entonces:
• En Q1 sí se crea canal, por lo que
D
S puede conducir, comportándose como
A D una resistencia
• En Q2 no se crea canal, por lo que no
G Q1 VCC puede conducir, quedando cortado
S
• Por tanto, la salida S está a 0V, es
Canal N
decir, a “0 lógico”
ATE-UO Trans 172
 A B S
Puerta “nor” CMOS 0 0 1
0 1 0
1 0 0
S
1 1 0
A G
Q1
D
S
G VCC
B Q2
Q1
D VCC
Q4 D S
D
Q2
Q3 S
G G
S S Q4
Q3

Puerta “nor” CMOS

Circuito equivalente
ATE-UO Trans 173
 Operación de la puerta
S “nor” CMOS (I)
A G
Q1
D
Q1
S
G VCC
B Q2 VCC
D
Q4 Q2 S
D D S
Q3 Q4
G G Q3
S S

Si A o B o ambas están conectadas a VCC (“1 lógico”), entonces:

• En Q3 o en Q4 o en ambos se crea canal, por lo que puede/pueden conducir,
comportándose como una o dos resistencias en paralelo
• En Q1 o en Q2 o en ambos no se crea canal, por lo que el conjunto (en
serie) no puede conducir, comportándose como un circuito abierto
• Por tanto, la salida S está a la tensión 0V, es decir, a “0 lógico” ATE-UO Trans 174
 Operación de la puerta
“nor” CMOS (II)
S
A G
Q1
D
Q1
S
G VCC
B Q2 VCC
D
Q4 Q2 S
D D S
Q3 Q4
G G Q3
S S

Sólo si A y B están conectadas a 0V (“0 lógico”), entonces:

• Ni en Q3 ni en Q4 se crea canal, por lo que no pueden conducir,
comportándose como circuitos abiertos
• En Q1 y en Q2 se crea canal, comportándose como dos resistencias en
serie
ATE-UO Trans 175
 Puerta “nand” CMOS A B S
0 0 1
0 1 1
1 0 1
Q1 Q2
S 1 1 0
S
G G

D D
S
D Q1 Q2
A G Q3 VCC
S
Q3 S
D
Q4
VCC
B G
S Q4

Puerta “nand” CMOS

Circuito equivalente
ATE-UO Trans 176
Aspectos tecnológicos de las puertas lógicas (I)
• Frecuentemente, una salida se
conecta a varias entradas
• Varias salidas no pueden
conectarse entre sí, si la salida
es “Totem pole”
• Varias salidas pueden
conectarse entre sí, si las
salidas son “de colector abierto”
(o de drenador abierto)

+VCC +VCC
RC RC

S1
S1 S2 Con salida
“Totem-Pole”
S2
Con salida de
colector abierto
ATE-UO Trans 177
Aspectos tecnológicos de las puertas lógicas (II)
• Los niveles de tensión reales
del “0 lógico” y del “1 lógico” se
deterioran al conectar varias
entradas a la misma salida
• Hay que definir dónde empiezan
y dónde acaban los niveles de
tensión asociados al “0 lógico”
y del “1 lógico”

• VIL_max: Tensión máxima de entrada que se interpreta como “0 lógico”

(0,8 V en TTL y 0,3·VCC en CMOS)
• VIH_min: Tensión mínima de entrada que se interpreta como “1 lógico”
(2 V en TTL y 0,7·VCC en CMOS)
• VOL_max: Tensión máxima de salida cuando se pretende sacar un “0
lógico” (0,4 V en TTL y 0,01·VCC en CMOS)
• VOH_min: Tensión mínima de salida cuando se pretende sacar un “1
lógico” (2,4 V en TTL y 0,99·VCC en CMOS)
• Inmunidad al ruido en estado bajo: VIL_max - VOL_max
• Inmunidad al ruido en estado alto: VOH_min - VIH_mim ATE-UO Trans 178
 Aspectos tecnológicos de las puertas lógicas (III)
• Las entradas de las puertas consumen corriente (sobre todo en familias
lógicas bipolares, como TTL)
• Estas corrientes dependen del nivel lógico
• Como es finita la capacidad de dar corriente de una salida manteniendo
el nivel de tensión en un valor adecuado, entonces el número de
entradas a conectar a una salida también es finito
• El número máximo de estas entradas es el “fan-out” de la familia lógica

iI • Por ejemplo, en la TTL:

3·iI iI - En estado bajo, con vS = 0,4 V: iI = iIL = -1,6
+
mA

vS - En estado alto, con vS = 2,4 V: iI = iIH = 0,04

mA
- iI
- La corriente máxima de salida en estado
bajo, con vS = 0,4 V es iO = iOL = 16 mA
- La corriente máxima de salida en estado alto,
con vS = 2,4 V es iO = iOH = -0,4 mA
iI - Por tanto, el “fan-out” de la familia lógica TTL
ATE-UO Trans 179