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1 - FETs Microelectronica v2
1 - FETs Microelectronica v2
TIPO T TIPO π
Layout: PMOS
Layout: NMOS
Elementos pasivos: Resistor
Elementos pasivos: Resistor
Elementos pasivos: Capacitor
Tecnologías de fabricación
350 nm – 1995 32 nm – 2010
250 nm – 1997 22 nm – 2012
180 nm – 1999 14 nm – 2014
130 nm – 2002 10 nm – 2016
90 nm – 2004 7 nm – 2018
65 nm – 2006 5 nm – 2020
45 nm – 2008
Tecnologías de
fabricación: 0.35um
Al interior de un OpAmp
Al interior de un OpAmp
Espejo de corriente
Espejo de corriente
Espejo de corriente
Espejo de corriente
Impedancia de entrada
−1
𝑍𝑖 =𝑟
𝑑𝑠 1 ∥ 𝑔𝑚 1
Impedancia de salida
𝑍𝑜=𝑟 𝑑𝑠2
Espejo de corriente en cascada
Espejo de corriente en cascada
Al interior de un OpAmp
Considerar Espejos de
corriente en cascada
Al interior de un OpAmp
Par diferencial
Par Diferencial
Al interior de un OpAmp
Amplificador de voltaje
Amplificador de voltaje
Compensación de OpAmp
Al interior de un OpAmp
Capacitor de
compensación
Par diferencial
Inversor
Espejos de
corriente