Dispositivos semiconductores

en microondas
Casi todos los circuitos de microondas y radiofrecuencia
utilizan alguno de estos tres dispositivos: diodos de
barrera Schottky, transistores de unión p-n o transistores
de efecto de campo (FETs). Dentro de esta amplia gama
hay varios tipos de dispositivos: gran variedad de diodos
de barrera Schottky, transistores de unión bipolar (BJTs),
de heterounión bipolar (HBTs), FETs con epitaxia metal
semiconductor (MESFET), transistores de alta movilidad
de electrones (HEMTs), transistores metal-óxido-
semiconductor (MOSFET) y transistores de unión FET
(JFET).
Cuando el varactor se conecta en paralelo con un
inductor se obtiene un circuito resonante cuya
frecuencia de resonancia es : CT [pF] que es sintonia
de frecuencias.
• fo : Frecuencia de resonancia.
• L : Inductor en henrios.
• CT: Capacidades microfaradios.
Uso del diodo varactor.
Los diodos varactores fueron utilizados por primera
vez en los inicios de la decada de los 50, como
condensador de capacidad variable con el voltaje y
posteriormente para moulacion de frecuencia de
osciladores. Posteriormente con las mejoras de los
materiales y tecnicas de construccion se han alcanzado
frecuencias altas de operación, utilizandose en la
actualidad como multiplicadores de frecuencias de
microondas y amplificadores parametricos de
microondas con muy bajos ruidos.
Aplicaciones
En la etapa receptora de un radar.

Consola radar decca arpa.

En receptores de audio y video.

Tambien realizan corrimiento de fase y conmutaciones

en frecuencias muy altas y microondas.
Se usan tambien como multiplicadores de frecuencia
de perdida de muy baja en transmisores de estrado
solido.
Ademas se utilizan para limitacion conformacion de
pulsos y amplificadores parametricos.
Diodos PIN.
El diodo PIN es un diodo que presenta una region P
fuertemente dopada y otra region N tambien
fuertemente dopada, separadas por una region de
material que es casi intrinseco. Este tipo de diodos se
utilizan en frecuencias de microondas, es decir,
frecuencias que exceden de 1 GH, puesto que incluso
en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia
muy alta cuando esta inversamente polarizado y muy
baja cuando esta polarizado en sentido directo.
Ademas, las tensiones de ruptura estan comprendidas
en el margen de 100 a 1000v.
Circuito equivalente de un diodo PIN a
frecuencias de microondas.
Diodo Tunel.
Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy
versátiles que pueden operar como detectores,
amplificadores y osciladores. Poseen una región de
juntura extremadamente delgada que permite a los
portadores cruzar con muy bajos voltajes de
polarización directa y tienen una resistencia negativa,
esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta
el voltaje aplicado.
Transistores de efecto de campo
Los JFETs son el punto de partida para el estudio de todos los dispositivos FET
aunque las prestaciones que tienen en microondas, los hacen inservibles.
• Tipos de FET:
– JFET: control en puerta por medio de una unión p-n
– MOSFET: contacto metal-óxido-semiconductor en puerta
– MESFET: control en puerta por medio de una barrera Schottky
– HEMT: barrera Schottky en puerta actuando sobre un gas de electrones
con una alta movilidad. Son de heteroestructura.
• Estructura:
– Sustrato de baja conductividad de tipo p
– Se difunde un canal tipo n sobre dicho sustrato con regiones n+ en los
extremos para realizar los contactos óhmicos.
– Finalmente, se difunde una región p+ en el canal n que constituirá la puerta.