CURSO: CIRCUITOS

ELECTRÓNICOS I (2836)

Unidad 1
Tema 1: Materiales
semiconductores: Ge, Si y GaAs

2019
 Objetivos

• El estudiante identifica y conoce las características del diodo

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 MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y
TIPO p
• Un material semiconductor que ha
sido sometido al proceso de dopado
se conoce como material extrínseco.
• Material tipo n Tanto los materiales
tipo n como los tipo p se forman
agregando un número
predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio. Un
material tipo nse crea introduciendo
elementos de impureza que
contienen cinco electrones de
valencia (pentavelantes), como el
antimonio, el arsénico y el fósforo.
• Las impurezas difundidas con cinco
electrones de valencia se conocen
como átomos donadores.

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Efecto de las impurezas de un donador en la estructura de la
banda de energía.

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 MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y
TIPO p
• Material tipo p
• El material tipo p se forma
dopando un cristal de germanio o
silicio puro con átomos de
impureza que tienen tres
electrones de valencia. Los
elementos más utilizados para
este propósito son boro, galio e
indio.
• Las impurezas difundidas con
tres electrones de valencia se
llaman átomos aceptores.

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 Flujo de electrones contra flujo de huecos
• El efecto del hueco en la conducción se muestra en la figura 1.10. Si un electrón de valencia adquiere
suficiente energía cinética para romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un hueco,entonces
se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el electrón. Existe, por consiguiente, una
transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la figura
1.10. La dirección que se utilizará en este texto es la del flujo convencional, la cual está indicada por la
dirección del flujo de huecos.

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 Portadores mayoritarios y minoritarios
• En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los
electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o
luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas.
Los vacíos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy
limitada de huecos. En un material tipo n, el número de huecos no cambia significativamente
con respecto a este nivel intrínseco.
• En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.

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 Conclusiones
• Un material semiconductor tiene la característica de conducir en un sentido mas no en el
otro.
• Un material semiconductor esta compuesto de dos materiales: uno N y el otro P.
• Es muy importante saber como se mueven los electrones dentro de estos materiales.

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 Referencias bibliográficas
• Boylestad R. y Nashelsky L.(2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos. Mexico : Pearson Educación.

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