PROPIEDADES ELÉCTRICAS

JHOAN PÉREZ
RODOLFO TALAVERA
CONDUCCIÓN
ELÉCTRICA

Estamos interesados en observar como se

comporta el material ante la aplicación de
un campo eléctrico
• Ley de Ohm
𝑉 =𝐼∗𝑅
• Resistividad eléctrica
𝑅∗𝐴 𝑉∗𝐴
𝜌= =
𝑙 𝐼∗𝑙
• Conductividad eléctrica
1
𝜎=
𝜌
CONDUCCIÓN
ELÉCTRICA
• Ley de Ohm
𝐽=𝜎∗𝐸
• Campo eléctrico
𝑉
𝐸=
𝑙
BREVE IDEA

• Según su conductividad existe una

clasificación.

• Conductores : ≈ 107 𝑚Ω

• Aislantes: ≈ 10−20 𝑚Ω <x<10−20 𝑚Ω

• Semiconductores: ≈ 10−6 𝑚Ω <x<104 𝑚Ω

CONDUCCIÓN
ELECTRÓNICA E
IONICA
• Ante la aplicación de un
campo las cagas se mueven
según su naturaleza.
BANDAS
• No todos los electrones
participan
• Dependencia de la estructura
electrónica (niveles de energía)

• Propiedades eléctricas son

consecuencia da la estructura
de su banda electrónica mas
externa.
• Energía de Fermi0. K
CONDUCCIÓN
MODELO DE BANDAS
• Electrones libres > Ef
• Huecos < Ef
Para que un electrón se torne libre se
debe suministrar energia
• Metales: poca energía
• Aislantes y semiconductores : Ee
OTRA VISIÓN DE
CONDUCTIVIDAD
• Modelo de ligación atómica
• Metales: Formación de gas electrónico
 excitación para tornarlos libres
• Aislantes: Ligación iónica o covalente
fuerte : electrones localizados  No
libres
• Semiconductores: ligación covalente
 Ligación débil  fácil de ser
excitados y removidos
RESISTIVIDAD
ELECTRICA
SEMICONDUCTIVIDAD

• INTRÍNSECA
• EXTRÍNSECA
HUECO
SEMICONDUCCIÓN INTRÍNSECA

• Sin dopaje
• Estructura covalente
• Sin portadores de carga
SEMICONDUCCIÓN
INTRÍNSECA
• Conducción electrónica de silicio
intrínseco antes y después de la
excitación.
SEMICONDUCCIÓN
EXTRÍNSECA
• Con dopaje
• Enlaces ionicos

• Con portadores de carga

TIPO N
ESTRUCTURA DE
BANDAS
• La energía del enlace del electrón
corresponde a la energía para
excitar el electrón

• Impureza de tipo donador

TIPO P
ESTRUCTURA DE
BANDAS
• Excitación del electron cerca del
máximo de la banda de Valencia

• Impureza de tipo donador

DEPENDENCIA
DE LA
TEMPERATURA
DEPENDENCIA DE LA
TEMPERATURA
DEPENDENCIA
DE LA
TEMPERATURA
• Mobilidad electrónica
EFECTO HALL

• Conductividad
• Campo magnético
• Fuerza
• Diferencia de
potencial
EFECTO HALL

• Voltaje de Hall
• Coeficiente de Hall
• Mobilidad electrónica
APARATOS
SEMICONDUCTORES

• DIODO
APARATOS
SEMICONDUCTORES

• TRANSISTOR
APARATOS
SEMICONDUCTORES

• TRANSISTOR
• De unión
APARATOS
SEMICONDUCTORES

• TRANSISTOR
• Transistor de efecto de campo
(MOSFET)
EXPERIMENTO
CONCLUSIONES