 Dispositivo electrónico basado en circuitos

que posibilitan el almacenamiento limitado

de información y su posterior recuperación.

 Las memoria almacenan datos binarios.

 Almacenan de 1 a 8 bits.
 Bit
0,1

 Nibble: conjunto de 4 bits

1001, 1111, 0110.

 Byte: Conjunto de 8 bits

10101111

 Palabra: Unidad completa de información

formada 1 o mas bytes.
64 bit
8 bytes

64 bit 64 bit
16 nibble
 Se identifica mediante el número de palabras
que pueda almacenar multiplicado por el
tamaño de la palabra.

16k x 8
 Siempre se representa en una potencia de 2,
en este caso 128²= 16384. es decir que la
memoria es de 16384 palabras de 8 bits
 Operación de escritura: coloca datos en una
dirección.
 Operación de lectura: extrae datos de una
dirección.
 Bus de datos:
Es bidireccional
Las líneas dependerá de la longitud de la
palabra
 Bus de direcciones.
 Bus de control.
1 1 0 0 000 1
 RAM: memoria de acceso aleatorio (Random
Access Memory)

 se lo utiliza para almacenamiento primario

(están conectados directo al procesador) y
son de rápido acceso
 Son memorias que se puede escribir o leer
datos en cualquier dirección seleccionada en
cualquier orden.

 Se la utiliza habitualmente para el

almacenamiento de datos a corto plazo, es
volátil.
RAM estatica - SRAM RAM dinámica DRAM
Utiliza flip – flops para Utiliza condensadores para
almacenamiento almacenamiento
Los datos se leen mas rápidamente en las SRAM que en una DRAM
Las DRAM almacena mucho mas datos que las SRAM
Ambas son volátiles
 ROM (Ready Only Memory), memoria de solo
lectura.

 Los datos almacenados solo pueden ser

leídos.

 No es una memoria volátil y se mantiene la

información aun cuando se desconecte la
alimentación eléctrica.
 ROM: Mascara
 PROM: Programable
 EPROM: Borrable
 EEPROM: Borrable Eléctricamente
 UVPROM: Ultravioleta
 Se la conoce como simplemente ROM, se
programa de manera constante durante el
proceso de fabricación.
 Pero una vez programada en su totalidad ya
no podrá cambiarse
Las filas son la líneas de entrada y las columnas son líneas de
salida
 Las PROM son iguales que la ROM mascara,
La diferencia es que salen de fábrica sin ser
programadas, y se programan a medida para
satisfacer el usuario.

 Se programa por medio de un dispositivo que
se llama programador de PROM, se selecciona
mediante configuración de interruptores.
 Es una PROM borrables, una eprom puede ser
reprogramada, si antes se borra el programa
existente de la matriz de memoria.


 UVPROM, borrables por rayos ultravioletas.

 EEPROM, borrable eléctricamente.

 Las memorias flash son de lectura y escritura
de alta capacidad de almacenamiento, no
volátil.
 Estas memorias se utilizan en lugar del
disquete y el disco duro de baja capacidad en
las portátiles.
 Entre mas densa sean las celdas, mas datos
se puede almacenar.
 Tiene una célula de almacenamiento
compuesta por un único transistor MOS de
puerta flotante
 Consta de una puerta de control y una puerta
flotante, además del drenador y la fuente.
 Se almacena 0 con una gran capacidad de
carga y 1 cuando es menor o inexistente.
 Existen tres operaciones básicas:
programación, lectura y escritura.

 La programación: inicialmente todas las

células se encuentran en 1, añade electrones
a la puerta flotante de aquellas células que
deben almacenar un 0 y no añade carga a los
que almacena un 1.
 Una vez programado, una célula puede
retener la carga hasta 100 años, sin
necesidad de aplicar alimentación externa.
 Lectura: Durante el proceso de lectura se
aplica una tensión positiva a la puerta de
control.

 La cantidad de carga presente determinara si

activara o no el transistor
 Si hay almacenado un 1, la tensión de la
puerta de control es suficiente para activar el
transistor.
 Si hay almacenado un 0, no se activa el
transistor.
 Borrado: Durante la operación de borrado se
elimina la carga de todas las células de
memoria
 Se aplica tensión suficiente positiva con
respecto a la fuente de control.
 La polaridad es opuesta a la de
programación.

 Las memorias se pueden ampliar para
aumentar su longitud de palabra.
 La expansión adecuada se consigue con el
numero apropiado de CHIPS.
 Las memorias suelen suministrar en forma de
módulos de memoria de terminal simple
(SIMM).
 (DIMM) forma de módulos de terminal dual.
 FIFO (First in- First out), Primero en entrara,
primero en salir. Este tipo de memorias esta
formado por registros de desplazamiento.
 LIFO: (last in- first out), este tipo de
memorias es común encontrar en los
microprocesadores.
 Permite ingresar datos y salir en orden
inverso.
 Almacenamiento magnético, las computadora
utilizan disco duro como dispositivo de
almacenamiento masivo.
 Son placas de aleación de aluminio o de
vidrio y cerámica.
 Normalmente se apilan 2 o mas discos en un
pivote
 Dispositivo de acceso aleatorio.
 Cuando un cabezal pasa por una superficie
magnetizada e impulsa una tensión.
 La dirección del punto magnetizado le indica
si es un 0 o un 1.
 Esta organizado en pistas y sectores
 El rendimiento del disco duro viene dado por
la operación de búsqueda.

 Periodo de latencia es el tiempo que tarda el

sector en colocarse en el cabezal
 CD-ROM, es un disco de 120 mm con 3
capas.
 La placa inferior es de policarbonato, la del
medio de aluminio y la tercera es de
protección.
 Se lee mediante un has de luz
 Permite múltiples sesiones de grabado hasta
llenarse el disco.
 Esta compuesta por muescas que permiten
almacenar 0 o 1.


 Es un disco que se utiliza para escribir y leer
datos.
 Para escribir datos el haz de luz calienta
hasta llevarlo al estado amorfo
 En estado amorfo se refleja menos luz que en
estado cristalino dando lugar a la lectura de 0
o 1.
 Para el borrado se calienta en una
temperatura mayor a la del amorfo.
 El tamaño de las muescas es menor por lo
cual permite almacenar mayor información.