UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FAC. DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

NOTAS DEL CURSO DE

CIRCUITOS DIGITALES II

MEMORIAS SEMICONDUCTORAS

Profesor: Guillermo Tejada Muñoz. Fecha: setiembre 2014

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 __________ DEFINICIONES ____________

Memoria semiconductora: Dispositivo LSI y VLSI que almacena gran cantidad de información en números
binarios.

Celda de memoria: Dispositivo semiconductor o circuito eléctrico utilizados para almacenar un sólo bit
de información ( 0 ó 1). Ejemplo: un FF, un capacitor.

Palabra de memoria: Son agrupaciones de 4 bits, 8 bits, 16 bits, etc.

Byte: es una palabra de 8 bits.

Capacidad de memoria: Número total de bits que es capaz de almacenar una memoria.

Ejemplos:.

Memoria de 1Kx32 (1024 palabras de 32 bits cada una), equivale a tener una capacidad de 1024 x 32
bits=32768 bits o celdas de memoria.

Memoria de 1Mbyte (1048526 palabras de 8 bits cada una), equivale a

tener una capacidad de = 8388208 bits o celdas de memoria.

Densidad: Número de bits almacenados por unidad de espacio.

Dirección: Número binario que identifica la ubicación de

una palabra en la memoria.

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CÓMO CARGAR Y RETIRAR CARGA DE LA PUERTA FLOTANTE

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SRAM - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY

CELDA SRAM

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CARACTERÍSTICAS MEMORIA SRAM

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 SRAM 6116

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CICLO DE LECTURA SRAM

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CICLO DE ESCRITURA SRAM

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DRAM - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY

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 CELDA DRAM

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ORGANIZACIÓN INTERNA
DEL CHIP

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CICLO DE LECTURA DRAM

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CICLO DE ESCRITURA DRAM

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Memoria 64KB con pines de datos en paralelo

Memoria 64KB con pin de dato en serie

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EJEMPLO DE CONEXIÓN CON MEMORIA SERIE

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 DDR - SDRAM (Double Data Rate SDRAM)

Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al
doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se
presenta en módulos DIMM de 184 contactos.
DDR- 400 (PC3200 ): funciona a 2.5V, trabaja a 400 MHz, es decir, 200 MHz de bus de
memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3,2 GiB/s (de ahí el nombre PC3200).

DDR2- 800 (PC2-6400): funciona a 1.8V, trabaja a 800 MHz, es decir, 400 MHz de bus de
memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 6,4 GiB/s (de ahí el nombre PC2-6400).

DDR3-1600 (PC3-12800): funciona a 1.5V, trabaja a 1.600 MHz, es decir, 800 MHz de bus de
memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 12,8 GiB/s (de ahí el nombre PC3-12800).

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 EJERCICIOS

1. Describa, con esquemas del sustrato semiconductor, el proceso de almacenamiento y borrado de

datos en una celda de memoria: FAMOS, FLOTOX y FLASH.

2. De acuerdo a la figura 1: (a) Determine el rango de direcciones que el CPU necesita enviar para leer
toda la información del módulo 2 de memoria. ( b ) ¿Qué modificaciones haría en el circuito si se
adicionan dos módulos? ( c ) ¿Cuántas líneas de dirección se necesitarán si las memorias fueran de
1Gigax 8?

Fig. 1 – Ejercicio 2

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3. Muestre cómo se puede organizar con módulos de memorias de 16Kx4 una capacidad de 64Kx8.

4. Utilizando memorias y otros circuitos que considere necesarios, diseñe un circuito lógico que controle tres display
de 7 segmentos para que progresivamente aparezca letra por letra la palabra FIE y desaparezca del mismo modo.
La secuencia se muestra en la Fig. 2. Cuando se llega a la secuencia mostrada en (a6) se debe repetir nuevamente
las secuencias desde ( a1 ). Especificar el tamaño y contenido de la(s) memoria(s).

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5. Cierta memoria tiene una capacidad de 1 Gigax32bits, responder: a) ¿Cuántas palabras puede
almacenar?, b) ¿Cuál es el número de Bytes de cada Palabra?, b) ¿Cuál es el número de líneas
de dirección?, c) ¿Cuál es el número de líneas de datos?, d) ¿Cuántas celdas posee?.

6. Encontrar las palabras que se tienen que grabar en la PROM que se muestra en la figura 3, si
se desea obtener por D2 y D5 la formas de ondas mostradas. También encontrar el valor de T de
la señal del clock. (5 pts.)

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7. Diseñar un circuito combinacional con una memoria EEPROM. El circuito acepta un número
de 3 bits y genera un número binario igual al cuadrado del número introducido. Se pide realizar la
tabla lógica, enumerar los requerimientos de la memoria y dibujar el circuito.

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