Preamplificadores FET

• En la figura la configuración FET fuente conectada a tierra que

aumenta la impedancia de entrada del dispositivo especialmente si la
resistencia de polarización del amplificador 𝑅𝑏𝑎 es largo.
MESFET arseniuro de galio
(Transistor de metal semiconductor de efecto de campo)
• Superan la principal desventaja de los FET operan tanto con bajo nivel de
ruido y alta ganancia a frecuencias de microondas (GHz).

• En el diseño del receptor de comunicación de fibra óptica que presentan

una alternativa a los transistores bipolares para operación de banda
ancha.

• Estos dispositivos han sido incorporados en diseños de receptor de alto

rendimiento usando tanto diseños de receptor de alto rendimiento
usando tanto detectores PIN.
• En el diseño del receptor de comunicación de fibra óptica que
presentan una alternativa a los transistores bipolares para operación de
banda ancha.

• Estos dispositivos han sido incorporados en diseños de receptor de alto

rendimiento usando tanto diseños de receptor de alto rendimiento
usando tanto detectores PIN.
• La integración híbrido de un fotodetector con un preamplificador
GaAs MESFET:
• Baja capacitancia (menos de 0,5 pF)

• Alta transconductancia (mayor de 30 milisiemens)

• Factor de calidad:
1
• (ℎ𝑓𝑒) /𝑐𝑇
2

• ℎ𝑓𝑒=Ganancia de corriente en el emisor.

Receptores híbridos PIN-FET
• Este receptor utiliza un alto rendimiento PIN fotodiodo seguido de un
preamplificador de bajo ruido a menudo basada en una GaAs MESFET.

• Reduce la capacitancia parásita a niveles insignificantes que dan una

capacidad de entrada total que es muy bajo (por ejemplo 0,4 pF)

• Tienen una transconductancia de aproximadamente 15 milisiemens en

los anchos de banda requeridos (por ejemplo, 40 Gbits)