DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

DIODO

SCR

TRIAC

UJT

LASCR

GTO

PUT

DIAC

TRANSISTOR
 DIODO
El DIODO es uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario
al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. Los diodo de potencia
e caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequeña
tensión. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una
pequeña Intensidad de fuga.

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

TIPO Especificación de Alta Frecuencia Tiempos de Resistencia en Símbolo características

Voltaje/corriente (Hz) conmutación estado activo
(µS) (Ω)
Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m
Alta 3000 V / 1000 A 10K 2-5 1m
velocidad
Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m

Ir a menú
 SCR
El SCR es un dispositivo electrónico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o ánodo, C o
cátodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada
adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO.

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

TIPO Especificación de Alta Frecuencia Tiempos de Resistencia en Símbolo características

Voltaje/corriente (Hz) conmutación estado activo
(µS) (Ω)
Tiristores de 1200 V / 5500 A 5K 40 2.1 m
control de
fase
Tiristores de 1000 V / 1000 A 10K 20 0.47 m
conmutación
rápida

Ir a menú
 TRIAC
El TRIAC es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que este
dispositivo puede controlar corriente en cualquier dirección. Normalmente tiene una tensión de ruptura y el
procedimiento normal de hacer entrar en conducción a un TRIAC es a través de un pulso de disparo de puerta
(positivo o negativo).

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

TIPO Especificación de Alta Frecuencia Tiempos de Resistencia en Símbolo características

Voltaje/corriente (Hz) conmutación estado activo
(µS) (Ω)
TRIAC 1200 V / 300 A 400 200 - 400 3.57 m
Q1
TRIAC

Ir a menú
 UJT

El UJT es un dispositivo que también se le llama transistor de uní – unión esta constituido por dos
regiones contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente
dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dos
bases, RBB o resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). El
funcionamiento del UJT es muy similar al del SCR.

Ir a menú
 LASCR
El LASCR también se le conoce como foto – SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCR
cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece
en conducción aunque desaparezca esa luz.

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

TIPO Especificación de Alta Frecuencia Tiempos de Resistencia en

Voltaje/corriente (Hz) conmutación estado activo
(µS) (Ω)
LASCR 6000 V / 1500 A 400 200 - 400 0.53 m

Ir a menú
 GTO
El GTO es un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso
negativo a esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas
potencias cuyo control se realiza fácilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su
control facilitan la aplicación de técnicas de modulación de anchura de pulso.

Tabla de especificaciones, circuito y patillaje

TIPO Especificación Alta Frecuencia Tiempos de Resistencia en Símbolo características

de (Hz) conmutación estado activo
Voltaje/corrient (µS) (Ω)
e
Transistores 4500 V / 3000 A 10K 15 2.5 m
desactivados
automaticamente
GTO

Ir a menú
 PUT

El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo ánodo puerta (anode gate)
puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el ánodo, es
decir, la conduccion del PUT se realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivo
perteneciente a la familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares al
SCR

Ir a menú
 DIAC

El DIAC es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando cierto
umbral de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de un
transistor y la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativas
son P1N2P2N3 y cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1.

Ir a menú
 TRANSISTOR

El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al de las transistores normales,

teniendo como características especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportar
y por tanto, las altas potencias en disparar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
- Bipolar
- unipolar o FET ( transistor de efecto de campo)
- IGBT

Ir a menú