Probabilidad de ocupacin de

un nivel
El nmero de electrones libres en la banda de
conduccin de un semiconductor depende de
tres factores:

El nmero total de electrones disponibles.

El nmero de niveles de energa vacantes en
la banda de conduccin.
La probabilidad de que un electrn adquiera
suficiente energa a una temperatura
particular.
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Los primeros dos factores dependen
exclusivamente de la estructura cristalina del
semiconductor.

El tercer factor depende de la distribucin

estadstica de la energa trmica sobre los
electrones.
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Qu determina la probabilidad de que un
estado energtico sea ocupado por un electrn?

Funcin de distribucin de Fermi Dirac

determina la distribucin de energa de los
electrones en un slido
1
p E E E f
1 e kT
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Ef: es la energa o nivel de Fermi y es la energa
a la cual la probabilidad de ocupacin de un
estado de energa por un electrn es
exactamente un medio.

El nivel de Fermi es slo un parmetro

matemtico y no un nivel energtico.
Probabilidad de ocupacin de
un nivel
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Para un material intrnseco, la probabilidad de
ocupacin de un estado de la banda de
conduccin es pequea.

En contraste, la probabilidad de que los estados

en la banda de valencia estn llenos por
electrones es casi 1.
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Hay una escasa probabilidad de que un estado
no est ocupado por un electrn. Es decir, que
exista un hueco.

De cualquier forma, cada electrn en la banda

de conduccin deja un hueco en la banda de
valencia.
Probabilidad de ocupacin de
un nivel

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac para

semiconductores intrnsecos.
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
En un semiconductor tipo n la concentracin de
los electrones en la banda de conduccin es
ms grande que en el caso intrnseco.

Sin embargo, la densidad de los estados de

energa en la banda de conduccin es la misma
que en el caso intrnseco, por consiguiente en
un semiconductor tipo n el nivel de Fermi y con
l la funcin de distribucin Fermi-Dirac
completa, se movern hacia arriba en la figura
de banda-energa.
Probabilidad de ocupacin de
un nivel

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac para

semiconductores tipo n
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
En contraste, en un semiconductor tipo p el nivel
de Fermi y la funcin de distribucin Fermi-Dirac
sern hacia abajo.
Probabilidad de ocupacin de
un nivel

Funcin de distribucin de Fermi-Dirac para

semiconductores tipo p
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel

Comparativa de la funcin de distribucin de Fermi-Dirac

para semiconductores intrnseco, tipo n y tipo p
 Probabilidad de ocupacin de
un nivel
Para energas que son al menos una cantidad
de unidades kT considerables por sobre o
debajo del nivel de Fermi, la funcin de
distribucin de Fermi-Dirac puede ser
aproximada por las siguientes frmulas:
E E f
f E e kT
E Ef
E f E
f E 1 e kT
Ef E

Es til observar el segundo trmino de la ltima

expresin como la probabilidad de ocupacin de
un estado de energa E por un hueco.