numero atmico, el cual nos orbitas, llamadas capas de indica la cantidad de valencias. electronos y protones que Su ncleo, el cual contiene los conforman el tomo del protones de cargas positivas. material. Y electrones que giran sobre las lneas de valencia, las cuales son de carga negativa. Por lo tanto un electrn en la ultima El numero mximo de electrones que lnea de valencia, resultara sencillo puede a ver en cada capa de valencia sacarlo de su orbita con una pequea esta dada por dicha ecuacin. Donde n estimulacin (calor ), debido a la leve representa el numero de capa. fuerza de atraccin que experimenta con el ncleo. A estos electrones que se desprenden de sus orbitas se llaman electrones libres y en su lugar dejan un hueco. El electrn en la ultima capa de valencia En el caso de la plata en su ultima capa resulta fcil que se vuelva un electrn de valencia, contiene 19 electrones que libre y es por ello que el cobre es un experimentan la misma fuerza que el buen conductor de flujo de electrn del cobre y que con la misma electronos(corriente elctrica). cantidad de excitacin(calor) estos 19 electrones se volvern electrones libres y por eso la plata es mejor conductor. El oro en cambio contiene en la cuarta Como en la electrnica solo tenemos capa un total de 32 electrones, pero inters en los electrones que se aun nos quedan 19 electrones que se encuentran en la ultima capa de ubicaran en una quinta capa. valencia, los tomos de los materiales se simbolizan como en la imagen. El germanio y el silicio son considerado materiales semiconductores a pesar de que el germanio cuenta con 4 capas de valencia. Pero como en este planeta hay mas silicio que germanio, es semiconductor preferido por los fabricantes es el silicio. Cuando varios tomos de silicio se aproximan a otros entre s, se forma una estructura llamada cristal, en este caso cristal de silicio. Las capas de valencia se juntan y cada En 1917 Gilbert Newton Lewis anuncio la tomo comparte un electrn con los regla de octeto, que dice que cuando tomos vecinos. A cada electrn los tomos completan su ultima capa de compartido se le llama enlace valencia con 8 electrones, la forma que covalente. adquiere es una estructura muy estable, que no da lugar a que all electrones libres y a este efecto lo llamo saturacin de valencia. Si a esto le unimos mas tomos de silicio Pero a pesar de que en dicha estructura lo que obtenemos es un cristal puro de no ah electrones libres, cuando un silicio, que por regla del octeto cristal de silicio se le excita con energa sabremos que no tendr electrones trmica, muy probablemente empiece libres, as que este cristal se comporta a ver uno que otro electrn libre. como un aislante perfecto. La salida de un electrn de la capa de valencia de unos de los tomos, deja un vaco en dicha capa de valencia que se domina hueco, este hueco se comporta como una carga positiva, porque la perdida de un electrn da lugar a un ion positivo y entonces este hueco atraer a cualquier electrn que se encuentre en la vecindad inmediata. Si el cristal se encuentra expuesto a una corriente elctrica, cada hueco buscara ser apareado con cualquier electrn libre que le sea mas fcil atraer, y entonces el cristal de silicio quedara nuevamente sin ningn hueco y tambin sin ningn electrn libre, el cristal de silicio puro entonces se le da el nombre de SEMICONDUCTOR INTRNSECO.