EL42A Circuitos Electrnicos

Semestre Primavera 2003

Departamento de Ingeniera Elctrica

Universidad de Chile

EL42A Circuitos Electrnicos Profesor: Domingo Morales Lizama

 Captulo I
Dispositivos Electrnicos Bsicos

Clase N 9
Transistores de Juntura Bipolar (BJT)
Conmutacin

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 Objetivos

Estudiar el comportamiento de un inversor

Esttico: Transistor como switch o interruptor
Estudiar compuertas lgicas bsicas
Inversor
NOR
Comentarios sobre consumos/velocidad/fan-out
Conmutacin
Dinmico: Transistor en la conmutacin
Hojas de datos Transistores

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 Inversor: Estados (I)
VDD

Transistores como conmutadores switches

Operan en dos estados Y A
Abierto: alta resistencia (corte)
Cerrado: baja resistencia (saturacin) A

Nota:
Conceptualizar al
transistor como un
interruptor permite
analizar fcilmente las
configuraciones en
rgimen permanente,
en otras palabras luego
de la conmutacin

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 Inversor: Estados (II)
Consumo de Potencia Esttica
Corte: mnimo, circulan corrientes de saturacin inversa
Saturacin: alto, en el circuito base y en el colector
Pfuentes= PSAT = RB IB2 + VBE IB + RC IC2 + VCE IC 17,25mW

Nota:
Tambin existe
consumo de potencia
dinmico, es decir
cuando el transistor
esta conmutando desde
uno de los estados
(corte/saturacin) al
otro.

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 Inversor: Estado Corte
Estado junturas
JE no puede estar encendida. Tiene un pequeo
potencial producto de la corriente de
saturacin que circula por la resistencia base
Transistor se encuentra en corte o inversa activa
JC y RC forman un divisor de tensin (juntura
np en serie con RC) para voltaje VCC VBE VCC
Claramente gana la resistencia equivalente de
una juntura en inversa, quedando los VCC en la
juntura. Por lo tanto no circula corriente por el
colector del transistor.
Importante:
JC no debe presentar breakdown para VCC ,
pues en caso contrario la juntura conducir.

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 Inversor: Estado Saturacin (I)
Estado Junturas
JE activa, transistor estar en zona activa o saturado
Si estuviese en activa, suponiendo el peor caso con hFEmin = 30 se tendra en
el colector IC=30*IB = 30mA. En la resistencia de colector caeran 150V, lo
cual no es posible. Por lo tanto se encuentra en saturacin

Resistencia de
Saturacin RCES
Notar que:
A mayor corriente
de colector en
saturacin, menor
RCES menor
voltaje colector-
emisor (por el
divisor de tensin )

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 Inversor: Estado Saturacin (II)

Saturacin
En saturacin se debe tener que la
corriente de base es mayor a la
corriente de base mnima
Corriente iBmin
En el ejemplo el Transistor no se
encuentra saturado
Si RC se hace muy pequea entonces
no ser posible entregar la corriente
de base mnima para saturar al
transistor.
En el ejemplo: iCsat 50mA
iBmin=1.7mA, pero iB=1mA que no es
suficiente

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 Compuertas Lgicas: Inversor (I)

Arquitectura Tabla de verdad

Transistor Driver Niveles de voltaje para
Carga pull-up corte y saturacin
equivalentes a valores
booleanos 0 y 1
valores lgicos V o F

A Y

Abstraccin: no se mira 0 1
la constitucin interna 1 0

A Y = ~A

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 Compuertas Lgicas: Inversor (II)

5.0V

2.5V

0V
V(VA:+)
5.0V

2.5V

SEL>>
0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(Q1:c)
Time

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 Compuertas Lgicas: NOR Bsica (I)

Tabla de Verdad
A B Y
Dos interruptores en paralelo
0 0 1
Se conecta un inversor a la salida y se
obtiene una compuerta NOR 0 1 0
1 0 0
1 1 0

A
Y
B

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 Compuertas Lgicas: NOR Bsica (II)

5.0V

2.5V

SEL>>
0V
V(VA:+)
5.0V

2.5V

0V
V(VB:+)
5.0V

2.5V

0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(Rc:1)
Time

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 Conmutacin: Caractersticas (I)

Transistor (configuracin inversor)

Paso desde corte a saturacin y vice-versa
(pasa por zona activa)
Caractersticas importantes en la
conmutacin:
Velocidad
Consumo de potencia
Resistencia de colector pull-up
Permite que el voltaje suba al nivel
de la fuente

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 Conmutacin: Caractersticas (II)

Retraso en la conmutacin
(tiempo de propagacin)
Tiempo de almacenamiento
Transicin High Low (corte a
saturacin) rpida: deben removerse
portadores minoritarios que son muy pocos
Transicin Low High (saturacin a
corte) lenta: exceso de portadores en la
base inyectados desde la juntura emisor y
colector
Tiempo de trnsito
Portadores inyectados tardan un tiempo
finito en atravesar la base y el colector

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 Conmutacin: Caractersticas (III)
Retrasos de propagacin
8.0V
Retrasos en transicin High-Low (tpHL) y Low-High (tpLH)
Se miden con respecto al 50% de las mximas excursiones

6.0V

4.0V

2.0V tpHL tpLH

0V
0s 50ns 100ns 150ns 200ns 250ns 300ns 350ns 400ns
V(Vin:+) V(M1:d)
Time

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 Conmutacin : Caractersticas (IV)
Retraso en la Conmutacin
Retraso(Directa Inversa) > Retraso(Inversa Directa)
Tiempo de retraso (delay): remover portadores en exceso
Tiempo de subida (rise): Constante de tiempo
6.0V

5.0V

4.0V

3.0V

2.0V

1.0V
Delay Rise

0V
9.5us 10.0us 10.5us 11.0us 11.5us 12.0us 12.5us 13.0us 13.5us
V(V2:+) V(Q1:c)
Time

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 Conmutacin: Anlisis Dinmico (I)

Limitaciones:
Tiempo de trnsito t
Portadores inyectados tardan tiempo finito en WB
1 WB2
atravesar la base para alcanzar el colector t dx
No es capaz de seguir variaciones rpidas 0
v x 2 Dnp
factor de transicin T se reduce
1 2 Dnp
Conmutacin: Conviene npn corte 2
Mejoras: Dopado asimtrico en la base: Genera
t WB
la existencia de un campo que acelera los
t 0
portadores (por ejemplo dopado lineal)
t
Carga en exceso en la base Qs 1 corte
Transicin Saturacin Corte
Hay que remover Gran cantidad de portadores
Anlisis a primer orden:
np(x) orden 2 en x Jnp(x) lineal en x
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 Conmutacin: Anlisis Dinmico (II)

Implicancias:
Tiempo de retraso:
iB SAT
Sigue conduciendo por un tiempo ts Qs ts 0 ts np ln 1
i
durante el cual remueve la carga en B CORTE
exceso en la base.
Luego de esto entra en accin la
capacidad de difusin que intenta
descargarse con constante de tiempo
impuesta por RB
Tiempo de subida:
Transicin Corte Saturacin
iB CORTE
Casi no existe retraso en la respuesta Qs ts 0 ts np ln 1 0
i
Tiempo de bajada menor por B SAT
capacidad de transicin

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 Ejemplo: Comparacin

Inversor condensador Speed-Up Inversor Simple

Remueve portadores en transicin
Saturacin Corte (Low High)

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 Ejemplo: Inversor Simple
5.0mA

2.5mA

0A

IB(Q1)
5.0V

2.5V

0V
V(Vin:+)
1.0V

0.5V

0V
V(Q1:b)

5.0V

2.5V

SEL>>
0V
0s 0.1us 0.2us 0.3us 0.4us 0.5us 0.6us 0.7us 0.8us 0.9us 1.0us
V(Q1:c)
Time

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 Ejemplo: Condensador Speed-Up
4.0mA

0A

-4.0mA
IB(Q1)
5.0V

2.5V

SEL>>
0V
V(Vin:+)
1.0V

0.5V

0V
V(Q1:b)

5.0V

2.5V

0V
0s 0.1us 0.2us 0.3us 0.4us 0.5us 0.6us 0.7us 0.8us 0.9us 1.0us
V(Q1:c)
Time

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 Ejemplo: Comentarios

Condensador Speed-Up
Ayuda a remover rpidamente de la base los portadores
en exceso
No se utiliza en la actualidad por cuanto existen
mejores alternativas (etapas de entrada TTL, las
veremos ms adelante)
Diodo Schottky en la juntura base colector
Deja al transistor justo antes de saturarse
La importancia radica en que la identificacin de la
causa de un problema genera la posibilidad de una
solucin prctica

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 Compuertas: Conectividad

Compuertas Lgicas se interconectan entre s

De esta forma se pueden crear funciones booleanas,
registros, memorias, etc.
Conmutacin
La etapa siguiente presenta una capacidad equivalente
a la salida de la etapa en cuestin
Provoca retrasos
Fan-in y Fan-out
Existen restricciones al nmero de compuertas que
pueden ser conectadas a la entrada y salida de una
compuerta
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 Conmutacin: Capacitancia de Carga
Capacitancia de Carga: Etapas siguientes
Introduce constante de tiempo RCCcarga en la VCC
transicin Low High (Saturacin Corte)
Transicin Low High
Q1 saturado trata de pasar a corte
Condensador se carga exponencialmente con
constante de tiempo RCCcarga
Idea: achicar RC
Problema: Gran corriente cuando Q1 est
saturado
Transicin High Low (Corte Saturacin)
Q1 pasa de Corte a Activa
iB alta iC alta Condensador se descarga a
corriente constante Muy Rpido
dvout icarg a iR iC i
C
Ccarga en transicin Low High dt Ccarg a Ccarg a Ccarg a
~ 10pF (ms parecido a capacidad de
transicin que capacidad dinmica)
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 Datasheets Transistor 2N2222 (I)

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 Datasheets Transistor 2N2222 (II)

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 Datasheets Transistor 2N2222 (III)

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 Datasheets Transistor 2N2222 (IV)

Nota 1
Parmetros del
modelo hbrido
del transistor
para operacin
en zona activa a
pequea seal

Nota 2
Otro modelo es el
que adems
sirve para alta
frecuencia

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 Datasheets Transistor 2N2222 (V)

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 Resumen

Transistor como conmutador

Saturacin y corte definen dos estados
Equivalentes a baja resistencia y alta resistencia
Interpretacin como interruptor
Velocidad de conmutacin
Retrasos fsicos: tiempo de almacenamiento (crtico el de
transicin saturacin corte debido al exceso de portadores en
la base); tiempo de trnsito
Soluciones apuntan a extraer rpidamente los portadores en
exceso. Ejemplo: Condensador Speed-Up
Conectividad de compuertas
Define retrasos por condensador equivalente en la salida
Lmites al nmero de compuertas conectadas: Fan-Out
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